锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法, 您可以免费下载预览页
图2 单晶硅片中心缺陷分布 图3 单晶硅片边缘缺陷分布在实验过程中拍摄了一组比较典型的位错缺陷图片。对于位错来说,不同晶面上的位错坑的形态不一样。如硅单晶方向位错腐蚀坑的形状主要呈三角形腐蚀坑,晶面上呈正方形腐蚀坑,晶面呈立方体腐蚀坑,但很难看出。下面三幅图显示了不同方向的位错形态。 ...
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