特别是,ALLOS 独有的应变工程技术和出众的晶体质量如预期的一样适用于 300 mm。图 2:用于 microLED 的 300 mm GaN-on-Si 外延片。“率先将 III 族氮化物技术应用于 300 mm 令我们感到非常兴奋。它证明了我们的应变工程技术的可靠性,我们也希望为 microLED 客户提供这项技术。”ALLOS 联合创始人之一 Nishikawa 补充道。...
沈波团队的主要研究围绕大失配异质外延展开,包括衬底的图形化技术等领域。凭借氮化物半导体大失配异质外延技术,沈波团队获得2018年度国家技术发明奖二等奖,获奖理由是,发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法,制备出部分质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料,比较好地解决了衬底和氮化镓失配的问题,并实现了产业化应用。...
典型半导体材料特性参数对比最为典型的三族氮化物目前主要用于发光,通过改变材料的组分,其发射波长可以覆盖从紫外到红外。三族氮化物中的翘楚——氮化镓,带隙3.4eV,在高功率、高速的光电元件中已有应用,目前商用蓝光GaN芯片已经做到非常成熟,能够做到80%以上的效率。以及紫光(405nm)激光大量应用。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号