导致缺陷产生的主要原因是晶体在生长过程中温度分布不均,晶体内不同程度的热应力会引起微管密度和多晶界的增加。因此晶体生长过程中的温度调控对提升晶体质量而言是关键所在。为解决大尺寸碳化硅单晶生长中的温度分布不均匀问题,我们提出了3段式电阻加热法。 ...
此时晶片的位错密度在2×10 6cm-2至5×10 6cm-2的范围内。通过金属 - 有机气相外延法使二极管层生长 ,形成5.8μmn-GaN肖特基势垒二极管、2μmn+型GaN、10μmn-型GaN,500nm p-型GaN和20nm p + 型GaN p-n二极管。 将p-n二极管材料在850℃,氮气氛围中退火30分钟以活化p型层中的镁受体。 退火的效果是驱除钝化受体的氢原子。...
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