找不到引用GB/T 14143-1993 300-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法 的标准
目前大尺寸硅片已成为硅片市场最主流的产品。硅片生产中在拉晶过程中,需要解决氧含量及径向均匀性、杂质的控制、缺陷控制、氧沉淀控制、电阻值定量、掺杂及径向均匀性等众多问题,同时对检测表征等保障技术也提出了更高的要求。直拉晶体硅中掺氮可用来调控原生氧沉淀和空洞型缺陷,从而提高硅晶体的质量,已经在产业界广泛应用,除了间隙氧、代位碳、III-V族元素检测以外,氮的测量也是硅材料界的一个热点课题。...
关键词: 红外光谱法 单晶硅 碳氧含量 定量测定 · 原理利用硅中代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收,根据吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子的浓度。 ...
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 国家质检总局,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 德国标准化学会,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 DIN 50438...
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