GB/T 14144-1993
硅晶体中间隙氧含量经向变化测量方法
Test method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
GBT14144-1993, GB14144-1993
2010-06
- 标准号
- GB/T 14144-1993
- 别名
- GBT14144-1993, GB14144-1993
- 发布
- 1993年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 14144-2009
- 当前最新
- GB/T 14144-2009
- 适用范围
- 本标准规定了硅晶体中间隙氧含量径向变化的测量方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的硅晶体中间隙氧含量径向变化的测量。测量范围为3.5×1015at·cm3至间隙氧在硅中的最大固溶度。
GB/T 14144-1993相似标准
推荐
快速了解硅氧的吸收峰
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 国家质检总局，关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 德国标准化学会，关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 DIN 50438...
掺氮直拉单晶硅（Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si）中氮的低温远红外测量
直拉晶体硅中掺氮可用来调控原生氧沉淀和空洞型缺陷，从而提高硅晶体的质量，已经在产业界广泛应用，除了间隙氧、代位碳、III-V族元素检测以外，氮的测量也是硅材料界的一个热点课题。众所周知，直拉单晶硅中含有较高浓度（浓度范围1017-1018cm-3）的间隙氧（Oi），当氮掺入直拉硅单晶中时，除了以氮-氮对（N-N）形式存在以外，氮还会和氧作用形成氮氧复合体（N-O complexes）。...
展会预告|与您相约SEMICON CHINA 2023
：间隙氧，代位碳，III_VI族杂质元素分析；光伏硅晶体质量控制：间隙氧，代位碳，施主，受主元素含量；切割前硅晶棒、硅锭中氧含量轴向分布分析；高纯锗、化合物半导体中杂质元素分析。...
城市环境研究所在废弃光伏组件资源回收方面新进展
较于现有回收技术，晶体硅片的回收完整率可提高近10倍；采用特定溶剂进行溶剂热溶胀处理时，还可实现组件中含氟背板的快速降解，避免了传统直接热处理过程含氟气体的释放，二次污染小。经测试，回收硅片的多项性能指标，包括间隙氧含量、代位碳含量、电阻率、少子寿命等均与商业硅片相近。 ...