EN
RU
ES

半导体 带隙

本专题涉及半导体 带隙的标准有6条。

国际标准分类中，半导体 带隙涉及到辐射测量、集成电路、微电子学、表面处理和镀涂、半导体分立器件。

在中国标准分类中，半导体 带隙涉及到通用核仪器、半导体集成电路、半导体分立器件综合。

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于半导体 带隙的标准

• IEEE N42.31-2003 宽带隙半导体电离辐射探测器分辨率和效率的测量程序

美国国家标准学会，关于半导体 带隙的标准

• ANSI N42.31-2003 离子辐射的宽能带隙半导体探测器的分辨和功效的测量规程

行业标准-电子，关于半导体 带隙的标准

• SJ/T 10255-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CW1403型精密带隙电压基准(可供认证用)

法国标准化协会，关于半导体 带隙的标准

• NF C80-204*NF EN 62418:2011 半导体器件 金属化应力空隙试验

国际电工委员会，关于半导体 带隙的标准

• IEC 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验

英国标准学会，关于半导体 带隙的标准

• BS EN 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验

本站其他标准专题： 间接带隙半导体带隙，半导体带隙，半导体 带隙，带隙半导体，间接带隙半导体，各种半导体带隙，紫外半导体带隙，带隙，各种半导体的带隙，带隙 电极，带隙 紫外，紫外+带隙，带隙怎么，紫外 带隙，带隙电压，+++++带隙电压，间接带隙，带隙怎样，电子带隙，零带隙。

 

可能用到的仪器设备