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间接带隙半导体

本专题涉及间接带隙半导体的标准有28条。

国际标准分类中，间接带隙半导体涉及到辐射测量、集成电路、微电子学、航空航天用电气设备和系统、半导体分立器件。

在中国标准分类中，间接带隙半导体涉及到通用核仪器、半导体集成电路、电子元器件、电气系统与设备、半导体分立器件综合。

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于间接带隙半导体的标准

IEEE N42.31-2003 宽带隙半导体电离辐射探测器分辨率和效率的测量程序

美国国家标准学会，关于间接带隙半导体的标准

ANSI N42.31-2003 离子辐射的宽能带隙半导体探测器的分辨和功效的测量规程

ES-AENOR，关于间接带隙半导体的标准

UNE 20-109 Pt.2-1989 低压控制装置．带半导体的接触器（静态接触器）

行业标准-电子，关于间接带隙半导体的标准

SJ/T 10255-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CW1403型精密带隙电压基准(可供认证用)

法国标准化协会，关于间接带隙半导体的标准

NF L53-210-004:2009 航空航天系列.航空器用焊接带.第004部分:65℃至150℃之间的圆形镀锡铜导体焊接带和65℃到260℃之间的镀镍铜导体焊接带.产品标准
NF L53-210-004*NF EN 4199-004:2015 航空航天系列航空器用焊接带第004部分：65℃至150℃之间的圆形镀锡铜导体焊接带和65℃到260℃之间的镀镍铜导体焊接带产品标准
NF L53-210-003:2009 航空航天系列.航空器焊接带.第003部分:65℃至150℃之间的扁平编织镀锡铜导体焊接带装配模块和65℃至260℃之间镀镍铜导体焊接带装配模块.产品标准
NF L53-210-003*NF EN 4199-003:2015 航空航天系列航空器焊接带第003部分：65℃至150℃之间的扁平编织镀锡铜导体焊接带装配模块和65℃至260℃之间镀镍铜导体焊接带装配模块产品标准
NF L53-210-005*NF EN 4199-005:2009 航空航天系列航空器焊接带第005部分：65℃至150℃之间的扁平编织镀锡铜导体和65℃至260℃之间的镀镍铜导体产品标准
NF EN 61169-50:2015 射频连接器第50部分：带锁定系统的外导体内径 4.11mm 的同轴射频连接器中间规范
NF EN IEC 61169-66:2021 射频连接器-第66部分：内径5毫米外导体带快速锁紧耦合的射频同轴连接器中间规范
NF EN 60191-6-13:2017 半导体器件的机械标准化 - 第 6-13 部分：球和细间距矩阵封装 (FBGA) 以及平面接触面积和阶梯矩阵封装的无盖支架设计指南

德国标准化学会，关于间接带隙半导体的标准

DIN EN 4199-003:2014 航空航天系列.航空器用连接带.第003部分:温度在-65 °C至260 °C之间镀镍和-65 °C至150 °C之间镀锡的扁平编织线铜导体装配连接带.产品标准
DIN EN 4199-005:2010 航空航天系列.航空器用连接带.第005部分:温度在-65 °C至260 °C之间镀镍铜导体和-65 °C至150 °C之间镀锡的扁平编织铜导体.产品标准.德文和英文版本EN 4199-005-2009
DIN EN 4199-003:2010 航空航天系列.航空器用连接带.第003部分:温度在-65 °C至260 °C之间镀镍和-65 °C至150 °C之间镀锡的扁平编织线铜导体装配连接带.产品标准.德文和英文版本EN 4199-003-2009

美国国防后勤局，关于间接带隙半导体的标准

DLA DSCC-VID-V62/03612 REV B-2008 单硅片数字微电路,由互补金属氧化物半导体构成,带具备三个接口的电缆收发器/优判器
DLA SMD-5962-87629 REV D-2003 硅单块带三态输出的非倒转八进制总线接收器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-91553 REV A-2006 硅单块带三态输出的八进制总线接收器和自动记录器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-91724-1993 硅单块晶体管-晶体管逻辑电路兼容,带三态输出的双互补金属氧化物半导体的八进制总线接收器和自动记录器,数字微型电路

丹麦标准化协会，关于间接带隙半导体的标准

DS/ES 59008-5-2:2001 半导体裸片的数据要求第 5-2 部分：裸片类型的特殊要求和建议带有附加连接结构的裸片