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紫外半导体带隙
本专题涉及紫外半导体带隙的标准有67条。
国际标准分类中，紫外半导体带隙涉及到半导体分立器件、光学和光学测量、分析化学、辐射测量、集成电路、微电子学、陶瓷、光电子学、激光设备。
在中国标准分类中，紫外半导体带隙涉及到无机化工原料综合、通用核仪器、计算机应用、特种陶瓷、半导体发光器件、半导体集成电路、微电路综合、电力半导体器件、部件、红外器件、光电子器件综合。
行业标准-电子，关于紫外半导体带隙的标准
- SJ/T 11818.1-2022 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法
- SJ/T 11818.2-2022 半导体紫外发射二极管 第2部分：芯片规范
- SJ/T 11818.3-2022 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范
- SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽
- SJ 2658.10-1986 半导体红外发光二极管测试方法.调制宽带的测试方法
- SJ/T 10255-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CW1403型精密带隙电压基准(可供认证用)
- SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽
法国标准化协会，关于紫外半导体带隙的标准
- NF ISO 10677:2011 技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
- NF B44-103*NF ISO 10677:2011 细瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）测试半导体光催化材料所用的紫外光源
英国标准学会，关于紫外半导体带隙的标准
- BS IEC 60747-14-11:2021 半导体器件 半导体传感器 基于声表面波的紫外、照度和温度测量集成传感器的测试方法
- 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
- 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
- BS ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级技术陶瓷).半导体光催化材料测试用紫外光源
- BS QC 790106:1995 电子元件质量评估协调制度规范 半导体器件 集成电路 数字集成电路 空白详细规范 MOS紫外光可擦电可编程只读
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于紫外半导体带隙的标准
- GB/T 37131-2018 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于紫外半导体带隙的标准
- IEEE N42.31-2003 宽带隙半导体电离辐射探测器分辨率和效率的测量程序
韩国科技标准局，关于紫外半导体带隙的标准
- KS D 2717-2008(2018) 紫外-可见-近红外吸收光谱法评价单壁碳纳米管烟灰的金属/半导体比
- KS C IEC 60748-2-9:2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第9节:MOS超紫外光可删除可编程只读存储器空白详细规范
- KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) 半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第9节:MOS紫外光可擦除电可编程只读存储器空白详细规范
- KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) 半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第9节:MOS紫外光可擦除电可编程只读存储器空白详细规范
美国国家标准学会，关于紫外半导体带隙的标准
- ANSI N42.31-2003 离子辐射的宽能带隙半导体探测器的分辨和功效的测量规程
美国国防后勤局，关于紫外半导体带隙的标准
- DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 紫外线擦除可编程逻辑器件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 硅单片,紫外线可擦除可程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字微电路
- DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 硅单片,紫外线可消除可程序化逻辑设置,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体紫外可编程逻辑阵列,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-91772-1993 硅单块 互补金属氧化物半导体,紫外可擦拭逻辑阵列,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-93248-1993 硅单片,电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字存储微电路
- DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 硅单片紫外线擦除可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路
- DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路
- DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 硅单块 8KX8紫外可擦除可程序化只读存储器,氧化物半导体数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-91584-1992 硅单块 紫外可擦拭编程逻辑阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 硅单块 紫外擦拭可编程逻辑设备,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89476-1992 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-93245-1993 硅单片,扩展电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 硅单片,32K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 硅单片,4K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 硅单块 144比特(32KX8)紫外可擦拭程序262互补金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
- DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 硅单块 64K X8紫外线消除式可程序化只读存储器,,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体64X 16比特紫外线扩展可编程序只读存储器,数字主体存储器微型电路
- DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 硅单片,128K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 硅单片,2K X 8寄存的紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-93122-1993 硅单片,2K X 16状态机紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 硅单块 2K X8注册的紫外线消除式可程序化只读存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体紫外可擦去同步记名的可编程序逻辑设备,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 硅单片8K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体512K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92071-1994 硅单块 互补金属氧化物半导体64K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92140-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体128K X 16比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体256K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 硅单片功率下降16K X 8紫外线可擦除可编程序只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体记名32K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 装有32千比特紫外线消除式可程序化只读存储器的8比特金属氧化物半导体微处理器,N沟道数字微型电路
- DLA SMD-5962-91624-1993 硅单块 互补金属氧化物半导体功率转换8K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-90930 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体8K X 8比特记名诊断紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-90799-1994 紫外可擦去同步记名的可编程序逻辑设备,数字主储存器微型电路,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
KR-KS，关于紫外半导体带隙的标准
- KS L ISO 10677-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工艺陶瓷）半导体光催化材料测试用紫外光源
国际电工委员会，关于紫外半导体带隙的标准
- IEC 60747-14-11:2021 半导体器件 第 14-11 部分：半导体传感器 用于测量紫外线、照度和温度的基于表面声波的集成传感器的测试方法
- IEC 60748-2-9:1994 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第9节:MOS紫外线擦除可编程只读存储器空白详细规范
- IEC 60747-12-1:1995 半导体器件 第12部分:光电子器件 第2节:纤维光学系统和子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范
国家质检总局，关于紫外半导体带隙的标准
- GB/T 17574.9-2006 半导体器件.集成电路.第2-9部分:数字集成电路.紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范
- GB/T 18904.1-2002 半导体器件 第12-1部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范
德国标准化学会，关于紫外半导体带隙的标准
- DIN EN 4681-003:2023 航空航天系列 电缆，通用，带铝或铜包铝导体 第003部分：AD 系列，单根，可紫外激光打印 产品标准；英文版 prEN 4681-003:2023
