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四极场低频

本专题涉及四极场低频的标准有351条。

国际标准分类中，四极场低频涉及到半导体分立器件、金属的腐蚀、土质、土壤学、电站综合、电子管、无线通信、采矿设备、电力牵引设备、辐射测量、电磁兼容性(EMC)、电学、磁学、电和磁的测量、土方工程、挖掘、地基构造、地下工程、辐射防护、集成电路、微电子学、网络、金属材料试验、土方机械、农业机械、工具和设备、施工设备、电气工程综合、电信设备用部件和附件、电工和电子试验、电线和电缆、开放系统互连(OSI)、电子电信设备用机电元件、残障人员用设备、声学和声学测量、绝缘、综合业务数字网(ISDN)、电子元器件综合、挠性传动和传送、电子设备用机械构件、接口和互连设备、输电网和配电网、绝缘材料。

在中国标准分类中，四极场低频涉及到半导体三极管、场效应器件、热加工工艺、电力综合、、其他电真空器件、通信网性能指标及测试、地质勘探设备、牵引电气设备、基础标准和通用方法、电磁兼容、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、基础标准与通用方法、物理学与力学、电离辐射计量、微电路综合、金属物理性能试验方法、电缆及其附件、半导体分立器件综合、电力试验技术、半导体集成电路、数据通信、连接器、噪声、振动测试方法、电子元件综合、半导体二极管、电力半导体器件、部件、电声器件、无线电通信设备、高压开关设备、带绝缘层电线、电工材料和通用零件综合。

行业标准-电子，关于四极场低频的标准

SJ 2356-1983 3CD347型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ 1986-1981 CS13型低频低噪声场效应半导体管
SJ 1988-1981 CS15型低频低噪声场效应半导体管
SJ 1984-1981 CS11型低频低噪声场效应半导体管
SJ 1987-1981 CS14型低频低噪声场效应半导体管
SJ 1983-1981 CS10型低频低噪声场效应半导体管
SJ 1985-1981 CS12型低频低噪声场效应半导体管
SJ 2362-1983 3CD159型、3CD160型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ 2363-1983 3CD162型、3CD362型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ 2364-1983 3CD164型、3CD364型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ 2365-1983 3CD167型、3CD367型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ 1690-1980 3DD206型NPN硅低频大功率三极管
SJ 1692-1980 3DD208型NPN硅低频大功率三极管
SJ 1693-1980 3AD150型PNP锗低频大功率三极管
SJ 1686-1980 3DD202型NPN硅低频大功率三极管
SJ 1689-1980 3DD205型NPN硅低频大功率三极管
SJ 1994-1981 CS24型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 2002-1981 CS32型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 2003-1981 CS33型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 2001-1981 CS31型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1995-1981 CS25型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1997-1981 CS27型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1998-1981 CS28型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 2000-1981 CS30型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 2004-1981 CS34型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1993-1981 CS23型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1996-1981 CS26型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1999-1981 CS29型低频低噪声场效应半导体对管
SJ 1974-1981 CS1型低频场效应半导体管
SJ 1975-1981 CS2型低频场效应半导体管
SJ 1976-1981 CS3型低频场效应半导体管
SJ 2358-1983 3CD151型、3CD152型、3CD351型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ 2359-1983 3CD153型、3CD154型、3CD353型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ 2360-1983 3CD155型、3CD156型、3CD355型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ 2361-1983 3CD157型、3CD158型、3CD357型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ 2357-1983 3CD149型、3CD150型、3CD349型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ 1990-1981 CS20型低频场效应半导体对管
SJ 1991-1981 CS21型低频场效应半导体对管
SJ 1992-1981 CS22型低频场效应半导体对管
SJ 1989-1981 CS19型低频场效应半导体对管
SJ 2366-1983 3CD447型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ/T 9167.1-1993 无阴极射线管的低电压视频产品
SJ 934-1975 3DD100型硅NPN低频高反压大功率三极管
SJ 2376-1983 3CD647型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 779-1974 3DD71型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 781-1974 3DD73型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 774-1974 3DD64型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
SJ 2372-1983 3CD259型、3CD260型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ 2373-1983 3CD262型、3CD462型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ 2374-1983 3CD264型、3CD464型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ 768-1974 3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
SJ 935-1975 3DD101、3DD102型硅NPN低频高反压大功率三极管
SJ 770-1974 3DD58型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
SJ 772-1974 3DD61型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
SJ 776-1974 3DD67型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
SJ 778-1974 3DD70型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
SJ 780-1974 3DD72型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
SJ 2375-1983 3CD267型、3CD467型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ 936-1975 3DD103、3DD104型硅NPN低频高反压大功率三极管
SJ 766-1974 3DD52型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
SJ 2382-1983 3CD559型、3CD560型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2367-1983 3CD249型、3CD250型、3CD449型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ 2368-1983 3CD251型、3CD252型、3CD451型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ 2369-1983 3CD253型、3CD254型、3CD453型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ 2370-1983 3CD255型、3CD256型、3CD455型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ 2371-1983 3CD257型、3CD258型、3CD457型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ 765-1974 3DD50和3DD51型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 1636-1980 3DD151型、3DD152型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1637-1980 3DD153型、3DD154型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1638-1980 3DD155型、3DD156型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1639-1980 3DD157型、3DD158型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1641-1980 3DD162型、3DD163型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1645-1980 3DD173型、3DD174型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1646-1980 3DD175型、3DD176型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1647-1980 3DD253型、3DD254型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1649-1980 3DD257型、3DD258型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1648-1980 3DD255型、3DD256型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1651-1980 3DD262型、3DD263型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 769-1974 3DD56和3DD57型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 773-1974 3DD62和3DD63型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 771-1974 3DD59和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 1655-1980 3DD275型、3DD276型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 777-1974 3DD68型和3DD69型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 794-1974 3DG141型NPN硅外延平面高频小功率低噪声三极管
SJ 795-1974 3DG142型NPN硅外延平面高频小功率低噪声三极管
SJ 775-1974 3DD65型和3DD66型NPN硅外延平面低频大功率三极管
SJ 1483-1979 3CG140型PNP硅外延平面高频小功率低噪声三极管
SJ 2282-1983 3DG143型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2283-1983 3DG144型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2284-1983 3DG145型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2287-1983 3DG148型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2288-1983 3DG149型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2290-1983 3DG152型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2380-1983 3CD555型、3CD556型、3CD655型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2381-1983 3CD557型、3CD558型、3CD657型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2377-1983 3CD549型、3CD550型、3CD649型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2379-1983 3CD553型、3CD554型、3CD653型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2293-1983 3DG155型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2294-1983 3DG156型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 767-1974 3DD53型和3DD54型NPN型硅外延平面低频大功率三极管
SJ 1652-1980 3DD264型、3DD265型、3DD266型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1653-1980 3DD267型、3DD268型、3DD269型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1643-1980 3DD167型、3DD168型、3DD169型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1644-1980 3DD170型、3DD171型、3DD172型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1650-1980 3DD259型、3DD260型、3DD261型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 2286-1983 3DG147型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2291-1983 3DG153型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 1654-1980 3DD270型、3DD271型、3DD272型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1640-1980 3DD159型、3DD160型、3DD161型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 1642-1980 3DD164型、3DD165型、3DD166型NPN硅扩散台面低频大功率三极管
SJ 2292-1983 3DG154型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2285-1983 3DG146型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 2378-1983 3CD551型、3CD552型、3CD651型PNP硅外延平面低频大功率三极管
SJ 2289-1983 3DG151型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
SJ 3124-1988 电子元器件详细规范.3DD1942型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
SJ 3125-1988 电子元器件详细规范.3DD2027型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
SJ 3126-1988 电子元器件详细规范.3DD869型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
SJ 3127-1988 电子元器件详细规范.3DD871型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
SJ 3128-1988 电子元器件详细规范.3DD820型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
SJ/T 10052-1991 电子元器件详细规范.3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管
SJ/T 11845.3-2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法第3部分：二极管
SJ/T 10053-1991 电子元器件详细规范.3DD 313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管
SJ/T 10886-1996 电子元器件详细规范 3DD201型低频放大管壳额定双极型晶体管（可供认证用）
SJ/T 10833-1996 电子元器件详细规范 3DG80型高低频放大环境额定双极型晶体管（可供认证用）
SJ/T 10772-1996 电子元器件详细规范 3DG201C型环境额定高低频放大双极型晶体管（可供认证用）
SJ/T 10887-1996 电子元器件详细规范 3DD102B型低频放大管壳额定的双极型晶体管（可供认证用）
SJ/T 10770-1996 电子元器件详细规范 3DG130A-3DG130D型环境额定高低频放大双极型晶体管（可供认证用）
SJ/T 10790-1996 电子元器件详细规范 3CG21B、3CG21C型高低频放大环境额定的双极型晶体管（可供认证用）
SJ/T 10973-1996 电子元器件详细规范 3DD200型硅NPN低频放大用管壳额定双极型晶体管（可供认证用）
SJ/T 10791-1996 电子元器件详细规范 3CX2014A、3CX201B、3CX201C型高低频放大环境额定的双极型晶体管（可供认证用）
SJ/T 10771-1996 电子元器件详细规范 3DG111B（111C、111E、111F）型环境额定高低频放大双极型晶体管（可供认证用）
SJ/T 10792-1996 电子元器件详细规范 3DX201A、3DX201B、3DX201C型高低频放大环境额定的双极型晶体管（可供认证用）

美国保险商实验所，关于四极场低频的标准

UL 1409-1997 不带阴极射线管显示器的安全低压视频产品的 UL 标准（第四版）
UL 1409-1986 不带阴极射线管显示器的安全低压视频产品的 UL 标准（第三版；1991年9月12日（含）的修订重印）

台湾地方标准，关于四极场低频的标准

CNS 14811-2004 现场土壤电阻率之维纳（Wenner）四极测定法

行业标准-航天，关于四极场低频的标准

QJ 2699-1995 低频磁场敏感度测试方法

行业标准-电力，关于四极场低频的标准

DL/T 799.7-2002 电力行业劳动环境监测技术规范第7部分:极低频电磁场监测
DL/T 1332-2014 电流互感器励磁特性现场低频试验方法测量导则

美国国防后勤局，关于四极场低频的标准

DLA MIL-DTL-3950/17 A-2008 环保密封4安培低电平四极搬扭开关
DLA MIL-DTL-83731/25 A-2008 环保密封的4安培低电平四极瞬时拨动开关
DLA SMD-5962-92339 REV F-2009 微电路，线性，四路，低功耗，视频缓冲器，单片硅
DLA SMD-5962-98533 REV C-2005 微型电路,线型,辐射加固,极低噪音四路运算放大器,单块硅
DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 微电路、线性、抗辐射、噪声极低的四通道、运算放大器、单片硅
DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 微电路、线性、抗辐射、噪声极低的四通道、运算放大器、单片硅
DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 硅单片,四重双极结型场效应晶体管,运算放大器,线性微型电路
DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 双极低电压四重2输入阳性与门缓冲器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-88648 REV E-2002 硅单片四倍差动线路驱动器低功率肖特基促进双极化数字微电路
DLA SMD-5962-88649 REV E-2005 硅单片四倍差动线路接收器低功率肖特基促进双极化数字微电路
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，具有三态输出的四路总线缓冲门，单片硅
DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 硅单块缓冲器低频率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 硅单块单一或双或四列操作增强器,结型场效应晶体管低功率,直线式微型电路
DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 型号为2N7334,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC,JANKCA2N7334以及JANHCA2N7334的硅晶体场效应半导体设备,带N个通道具四个三极管
DLA SMD-5962-86871 REV D-2006 硅单块四倍2输入正面非与缓冲器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管

工业和信息化部，关于四极场低频的标准

SJ/T 11767-2020 二极管低频噪声参数测试方法

国际电信联盟，关于四极场低频的标准

ITU-R P.684-6-2012 频率约低于150千赫的场强预测
ITU-R P.684-5-2009 频率低于约 150 kHz 时场强的预测
ITU-R P.684-2016 频率低于约 150 kHz 时场强的预测
ITU-R P.684-5 FRENCH-2009 频率低于约 150 kHz 时的场强预测 Prcloseion du champ aux früences infieures 150 kHz 环境
ITU-R P.684-5 SPANISH-2009 频率低于约 150 kHz 时的场强预测 Predicci de la intensidad de Campo en frecuencias por debajo de unos 150 kHz
ITU-R M.633-3-2004 406MHz频段低极地轨道卫星运行的卫星应急位置指示无线电信标(卫星EPIRB)系统的传输特征

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector，关于四极场低频的标准

ITU-R P.684-7-2016 频率低于约 150 kHz 时场强的预测
ITU-R P.684-2-2001 频率低于约 150 kHz 时场强的预测
ITU-R P.684-3-2003 频率低于约 150 kHz 时场强的预测（ITU-R 225/3 号课题）
ITU-R M.633-2-2000 通过 406 MHz 频段的低极轨卫星系统运行的卫星应急无线电示位标（卫星 EPIRB）系统的传输特性

行业标准-煤炭，关于四极场低频的标准

MT/T 975-2006 矿用超低频电场透视仪技术条件

行业标准-铁道，关于四极场低频的标准

TB/T 3351-2014 动车组内低频磁场限值与测量方法

韩国科技标准局，关于四极场低频的标准

KS C 0304-1-2009 超低频领域的磁场屏蔽率测试方法
KS C IEC 62226-2-1-2008(2018) 低频和中频电场或磁场暴露人体感应电流密度和内电场计算方法第2－1部分:磁场暴露2D模型
KS C IEC 62226-1:2008 曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第1部分:总则
KS C IEC 62226-2-1:2008 处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.2维模型
KS X 4651-2-2014 信息技术《磁场网络》《低频段》第2部分：MAC层要求
KS X 4651-2-2014(2019) 信息技术 - 磁场网络 - 低频段 - 第2部分:MAC层要求
KS X 4651-1-2014(2019) 信息技术 - 磁场网 - 低频段 - 第1部分:物理层要求
KS C IEC 62226-1-2008(2018) 暴露在低频和中频范围电场或磁场 - 用于计算电流密度和在人体内诱发的内部电场方法 - 第一部分:一般
KS X 4651-1-2014 信息技术《磁场网络》《低频段》第1部分：物理层要求
KS C IEC 61786:2008 关于人体暴露的低频电场和磁场的测量.仪表的特殊要求和测量指南
KS C IEC 61000-2-7-2007(2017) 电磁兼容性第2－7部分:环境各种环境中的低频磁场
KS C IEC 61786-2008(2018) 与人体接触有关的低频磁场和电场的测量仪器的特殊要求和测量指南
KS C IEC 60130-5:2003 频率低于3MHz(Mc/s)的连接器.第5部分:扁脚多极矩形连接器
KS C IEC 60130-5:2014 频率低于3MHz（Mc/s）的连接器第5部分：扁脚多极矩形连接器
KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范
KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范
KS X 4651-1-2009 信息技术.磁场通信网络.低频段.第1部分:物理层的要求
KS C IEC 61000-2-7-2007(2022) 电磁兼容性（EMC）－第2－7部分:环境－各种环境中的低频磁场
KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第四节:高频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
KS C IEC 60130-6:2003 频率低于3MHz(Mc/s)的连接器.第6部分:扁脚小型多极矩形连接器
KS C IEC 60130-4-2003(2008) 频率低于3mhz（Mc/s）的连接器第4部分:螺纹联接圆形多极连接器
KS C IEC 60130-6:2014 频率低于3MHz（Mc/s）的连接器第6部分：扁脚小型多极矩形连接器
KS C IEC 61000-2-7:2007 电磁兼容性(EMC).第2部分:环境.第7节:各种环境下的低频磁场
KS C IEC 60130-4:2003 频率低于3MHz(Mc/s)的连接器.第4部分:螺纹连接的多极圆形连接器
KS C IEC 60130-4:2014 频率低于3MHz（Mc/s）的连接器第4部分：螺纹连接的多极圆形连接器
KS C IEC 60130-5-2003(2008) 频率低于3mhz（Mc/s）的连接器第5部分:带刀片触点的矩形多极连接器
KS C IEC 60130-7-2003(2008) 频率低于3mhz（Mc/s）的连接器第7部分:卡口或推拉耦合圆形多极连接器
KS C IEC 60747-7-2-2006(2016) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第2节:低频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
KS C IEC 60747-7-2-2006(2021) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第二节:低频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
KS C IEC 60130-6-2003(2008) 频率低于3MHz（Mc/s）的连接器第6部分:带叶片触点的矩形微型多极连接器
KS C IEC 60130-7:2003 频率低于3MHz(Mc/s)的连接器.第7部分:卡口连接或推拉连接的多极圆形连接器
KS C IEC 60130-7:2014 频率低于3MHz（Mc/s）的连接器第7部分：卡口连接或推拉连接的多极圆形连接器
KS C IEC 60747-7-2:2006 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管.第2节:低频放大用的额定环境双极性晶体管的空白详细规范
KS C IEC 60747-7-1:2006 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管.第1节:低频和高频放大用的额定环境晶体管的空白详细规范
KS C IEC 60189-2-2014(2019) 低频电缆和电线用聚氯乙烯绝缘和聚氯乙烯护套 - 第2部分:电缆成对三倍四边和五倍内部安装
KS C IEC 62489-2-2017(2022) 电声学.辅助听力用音频感应环路系统.第2部分:计算和测量环路低频磁场发射的方法以评估人体暴露限值的符合性
KS C IEC 60189-2:2014 聚氯乙烯(PVC)绝缘材料和聚氯乙烯(PVC)护套的低频电缆.第2部分:内部装置用双芯、三芯、四芯和五芯电缆

丹麦标准化协会，关于四极场低频的标准

DS/ENV 50166-1:1995 人体处于低频电磁场（0 Hz至10 kHz）中
DS/EN 62226-1:2005 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场人体感应电流密度和内部电场的计算方法第1部分：总则
DS/EN 62226-2-1:2005 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场人体感应电流密度和内部电场的计算方法第 2-1 部分：暴露于磁场 2D 模型
DS/EN 62226-3-1:2008 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场人体感应电流密度和内部电场的计算方法第 3-1 部分：暴露于电场分析和二维数值 m
DS/IEC/TR 61000-2-7:1998 电磁兼容性（EMC）第2部分：环境第 7 节：各种环境中的低频磁场
DS/IEC 747-7-2:1990 半导体器件.分立器件.第7部分:双极性晶体管.第2节:低频放大用的额定环境双极性晶体管的空白详细规范
DS/IEC 747-7-1:1990 半导体器件.分立器件.第7部分:双极性晶体管.第1节:低频和高频放大用的额定环境晶体管的空白详细规范
DS/EN 62489-2:2011 电声学辅助听力的音频感应环路系统第2部分：计算和测量环路低频磁场发射的方法，以评估是否符合人体暴露限值指南

RU-GOST R，关于四极场低频的标准

GOST 18604.20-1978 双极型晶体管.低频噪声系数的测量方法
GOST 16526-1970 农业筑路用自行轮式机械.现场低频振动.试验方法
GOST 30377-1995 技术工具的电磁兼容性.低频周期的磁场的参数规范
GOST R 50010-1992 技术设备的电磁兼容性.电力设备.低频周期性电磁场范围
GOST R 50012-1992 工业设备电磁兼容性.电工技术动力设备.低频周期性电磁场参数测量方法
GOST 19438.1-1974 连续耗散阳极功率在25W以内的收讯－放大与振荡管.低频放大不对称与放大动态系数的测定方法

英国标准学会，关于四极场低频的标准

BS EN 62226-1:2005 曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.总则
BS EN 62226-2-1:2005 处于低频和中频电场或磁场.人体内感应产生的电流密度和内电场的计算方法.处于磁场中.2维模型
BS IEC 61000-2-7:1998 电磁兼容性(EMC).环境.各种环境下的低频磁场
BS EN 62226-3-1:2007 暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.暴露于磁场.分析和二维数字模型
BS EN 62226-3-1:2007+A1:2017 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场计算人体感应电流密度和内部电场的方法暴露于电场分析和二维数值……
BS EN IEC 62764-1:2022 汽车环境中电子电气设备产生的磁场水平相对于人体暴露的测量程序低频磁场
BS E9372:1976 电子元器件用质量评估协调体系规范.空白详细规范.低频与高频放大用额定周围环境的双极晶体管
21/30436665 DC BS EN 62764-1 汽车环境中电子电气设备产生的磁场水平相对于人体暴露的测量程序第1部分：低频磁场
BS EN 50364:2010 人体暴露于0 Hz-300 GHz频率范围工作的电子物质监视(EAS)、射频识别(RFID)和类似用途设备所产生的电磁场中的极限值
BS EN 50364:2002 人体暴露于0Hz-10GHz频率范围工作的电子物质监视(EAS)、射频识别(RFID)和类似用途的设备所产生的电磁场中的极限值
BS EN 62489-2:2011 电声学.助听用音频感应环系统.用于评估人体照射限值指南符合性的,环发射低频磁场的计算和测量方法
BS EN 62489-2:2014 电声学.助听用音频感应环系统.用于评估人体照射限值指南符合性的,环发射低频磁场的计算和测量方法
BS IEC 61000-3-8:1997 电磁兼容性.第3部分:极限.第8节:低压电气设备信号传输指南.辐射级、频带和电磁干扰级别
BS IEC 61000-3-8:1998 电磁兼容性.第3部分:极限.第8节:低压电气设备信号传输指南.辐射级、频带和电磁干扰级别

国家质检总局，关于四极场低频的标准

GB/Z 18039.6-2005 电磁兼容环境各种环境中的低频磁场
GB/T 30140-2013 磁性材料在低频磁场中屏蔽效能的测量方法
GB/T 7577-1996 低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范
GB/T 7576-1998 半导体器件分立器件第7部分;双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
GB/T 6217-1998 半导体器件分立器件第7部分;双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
GB 9520-1988 电子元器件详细规范 3DD200型硅NPN低频放大用管壳额定双极型晶体管(可供认证用)

美国电气电子工程师学会，关于四极场低频的标准

IEEE Std 433-2009 IEEE 绝缘测试推荐规程极低频高压交流电机
IEEE Unapproved Draft Std P433/D16 Oct 2009 极低频高压交流电机绝缘测试推荐规程草案
IEEE Std 400.2-2013 - Redline IEEE 使用甚低频 (VLF)（低于 1 Hz）的屏蔽电力电缆系统现场测试指南红线
IEEE P400.2/D6, July 2023 使用甚低频 (VLF)（低于 1 Hz）的屏蔽电力电缆系统现场测试的 IEEE 指南草案
IEEE 400.2-2004 使用超低频(VLF)的屏蔽电力电缆系统的现场试验指南
IEEE Std 400.2-2004 使用甚低频（VLF）的屏蔽电力电缆系统现场测试的 IEEE 指南
IEEE 433-2022 IEEE 在极低频率下额定电压高达 30 kV 的交流电机绝缘测试推荐规程
IEEE Std 302-1969 测量无线电波传播中频率低于 1000 MHz 的电磁场强度的 IEEE 标准方法
SMPTE RP 6:1994 RP 6:1994 SMPTE 推荐做法用于 525 线/60 场电视系统的 2 英寸四路视频磁带记录的记录载波频率和预加重特性
IEEE Std 400.2-2013 使用甚低频（VLF）（小于 1 Hz）的屏蔽电力电缆系统现场测试的 IEEE 指南 Redline
IEEE P400.2/D13 August 2012 使用甚低频（VLF）（小于 1 Hz）的屏蔽电力电缆系统现场测试的 IEEE 草案指南
IEEE P400.2/D12 January 2012 使用甚低频（VLF）（小于 1 Hz）的屏蔽电力电缆系统现场测试的 IEEE 草案指南
IEEE P433/D9, December 2021 IEEE 批准的极低频率下额定电压高达 30 kV 的交流电机绝缘测试推荐规程草案
IEEE P433/D7, June 2020 IEEE 草案在极低频率下对额定电压高达 30 kV 的交流电机进行绝缘测试的推荐规程
IEEE P433/D8, October 2021 IEEE 草案在极低频率下对额定电压高达 30 kV 的交流电机进行绝缘测试的推荐规程
IEEE Std P433/D11 2006 未经批准的 IEEE 草案，用于在极低频率下进行高压交流电机的绝缘测试推荐规程（IEEE 433-1974 修订版）

美国材料与试验协会，关于四极场低频的标准

ASTM G57-06 用温纳四电极法现场测量泥土电阻率的标准试验方法

AT-ON，关于四极场低频的标准

ONORM S 1119-1994 低频电场和磁场．频率范围为0赫兹到30千赫的个人保护的接触容许限度

法国标准化协会，关于四极场低频的标准

NF EN 62226-1:2005 暴露于低频和中频电场或磁场计算人体感应电流密度和感应电场的方法第1部分：概述
NF EN 62226-3-1/A1:2017 暴露于低频和中频电场或磁场 - 计算人体感应电流密度和感应电场的方法 - 第 3-1 部分：暴露于电场 - 模型...
NF EN 62226-3-1:2008 暴露于低频和中频电场或磁场 - 计算人体感应电流密度和感应电场的方法 - 第 3-1 部分：暴露于电场 - 模型...
NF EN 62226-2-1:2005 暴露于低频和中频电场或磁场 - 计算人体感应电流密度和感应电场的方法 - 第 2-1 部分：暴露于磁场 - 模型...
NF C99-115-1*NF EN 62226-1:2005 曝露于低频和中频电场或磁场人体内感应的电流密度和内电场的计算方法第1部分：总则
NF C99-115-2-1*NF EN 62226-2-1:2005 处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.2维模型
NF C99-115-3-1*NF EN 62226-3-1:2008 暴露于低频和中频电场或磁场计算人体内电流密度和内部电场感应的方法第3-1部分：暴露于电场分析和二维数字模式
NF C99-115-3-1/A1*NF EN 62226-3-1/A1:2017 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场人体感应电流密度和内部电场的计算方法第 3-1 部分：暴露于电场解析和二维数值
NF S31-016-2:2011 电声学:辅助听力所用音频电磁感应圈系统.第2部分:为评估电磁感应圈产生的低频磁场是否符合人类在磁场中暴露极限指南的要求所用的计算和测量方法.
NF S31-016-2*NF EN 62489-2:2014 电声学:辅助听力所用音频电磁感应圈系统.第2部分:为评估电磁感应圈产生的低频磁场是否符合人类在磁场中暴露极限指南的要求所用的计算和测量方法.
NF EN IEC 62764-1:2022 测量人体暴露于汽车环境中电子电气配件产生的磁场水平的程序第1部分：低频磁场
FD X07-025-2:2015 计量学测量设备计量验证的最低技术程序第2部分：电-磁和时频场
NF C86-613:1981 电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.特定外壳温度低频双极晶体管
NF C86-614:1981 电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.特定外壳温度的低频双极晶体管
NF EN 62489-2:2014 电声学 - 用于改善听力的音频感应环路系统 - 第 2 部分：计算和测量用于评估听力水平的环路低频磁场发射的方法

德国标准化学会，关于四极场低频的标准

DIN EN 62226-1:2005 曝露于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第1部分:总则
DIN EN 62226-2-1:2005 处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.二维模型
DIN EN 62226-3-1:2008 暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第3-1部分:暴露于电场.分析和二维数字模型
DIN EN 62489-2:2011 电声学.辅助听力音频感应环路系统.第2部分:评估人体照射与指南一致的环路低频磁场放射的计算和测量方法

澳大利亚标准协会，关于四极场低频的标准

AS/NZS IEC/TR 61000.2.7:2009 电磁兼容性 (EMC) 环境各种环境中的低频磁场
AS/NZS IEC 62226.1:2021 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场计算人体感应电流密度和内部电场的方法第 1 部分：概述
AS/NZS IEC 62226.2.1:2021 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场计算人体感应电流密度和内部电场的方法第 2.1 部分：暴露于磁场 2D 模型

国际电工委员会，关于四极场低频的标准

IEC 62226-2-1:2004 处于低频和中频电场或磁场.人体内感应的电流密度和内电场的计算方法.第2-1部分:处于磁场中.2维模型
IEC 61786:1998 关于人体暴露的低频电场和磁场的测量仪表的特殊要求和测量指南
IEC 60747-7-1:1989 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第1节:低频和高频放大环境额定双极晶体管空白详细规范
IEC 62226-3-1:2007 暴露于低频和中频范围内电场或磁场.计算人体内电流密度和内部电场感应的方法.第3-1部分:暴露于电场.分析和二维数字模型
IEC 62226-3-1:2007/AMD1:2016 暴露于低电压和中电压下的电场或磁场频率范围.电流密度和频率的计算方法人体内感应的内部电场.第3-1部分: 电场暴露.分析和2D数值模型
IEC 62226-3-1:2007+AMD1:2016 CSV 暴露于低电压和中电压下的电场或磁场频率范围.电流密度和频率的计算方法人体内感应的内部电场.第3-1部分: 电场暴露.分析和2D数值模型
IEC TR 61000-2-7:1998 电磁兼容性(EMC).第2部分:环境.第7节:在各种环境下的低频磁场
IEC 60747-7-2:1989 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第2节:低频放大外壳额定双极晶体管空白详细规范
IEC 62764-1:2022 汽车环境中电子和电气设备产生的与人体暴露有关的磁场水平的测量程序.第1部分:低频磁场
IEC 60189-2:1981 聚氯乙烯绝缘和聚氯乙烯护套的低频电缆和电线第2部分:内部安装用双芯、三芯、四芯和五芯电缆
IEC 60189-2:2007 聚氯乙烯(PVC)绝缘和聚氯乙烯(PVC)护套的低频电缆和电线.第2部分:内部安装用双芯、三芯、四芯和五芯电缆

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于四极场低频的标准

IEEE 433-1974 极低频率高压交流旋转机械绝缘试验推荐规程
IEEE 302-1969 无线电波传播中频率低于 1000 MHz 的电磁场强度测量标准方法

欧洲电工标准化委员会，关于四极场低频的标准

EN 62226-1:2005 暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第1部分:总则 IEC 62226-1:2004
EN 62226-2-1:2005 暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第2-1部分:暴露于磁场.二维模型 IEC 62226-2-1:2004
EN 62226-3-1:2007 暴露于低频和中频电场或磁场.人体内电流密度和感应内电场的计算方法.第3-1部分:暴露于电场.分析和二维数字模型
EN IEC 62764-1:2022 汽车环境中电子和电气设备产生的人体暴露磁场水平的测量程序第1部分：低频磁场

ES-UNE，关于四极场低频的标准

UNE-EN 62226-1:2005 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场计算人体感应电流密度和内部电场的方法第1部分：概述
UNE-EN 62226-2-1:2005 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场计算人体感应电流密度和内部电场的方法第2-1部分：暴露于磁场 2D 模型
UNE-EN 62226-3-1:2007 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场计算人体感应电流密度和内部电场的方法第3-1部分：暴露于电场分析和二维数值
UNE-EN IEC 62764-1:2022 汽车环境中电子电气设备产生的人体暴露磁场水平的测量程序第1部分：低频磁场

PL-PKN，关于四极场低频的标准

PN T01207-01-1992 半导体器件．分离器件，双极晶体管低频和高频放大箱环境额定双极晶体管空白细节规格
PN T01210-01-1992 半导体器件．分离器件．双极晶体管．低频放大箱额定的双极晶体管空白细节规格

美国国家标准学会，关于四极场低频的标准

ANSI/IEEE 400.2:2013 使用超低频(VLF)(低于1 Hz)的屏蔽电力电缆系统的现场试验指南
ANSI/IEEE 400.2:2004 使用超低频(VLF)的屏蔽电力电缆系统的现场试验指南

印度尼西亚标准，关于四极场低频的标准

SNI IEC 61786:2011 人体暴露的低频电场和磁场的测量仪器和测量指南的特殊要求

国家军用标准-总装备部，关于四极场低频的标准

GJB/Z 70-1995 甚低频（VLF）无线电系统电波场强与相位计算方法
GJB 973/5-2021 SFLF46-50-4-53 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范
GJB 973/3-2021 SFLF46-50-3-52 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范
GJB 973/7-2021 SFLF46-50-6-53 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范
GJB 973/2-2021 SFLF46-50-3-51 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范
GJB 973/8-2021 SFLF46-50-8-51型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范
GJB 973/4-2021 SFLF46-50-4-52 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范
GJB 973/6-2021 SFLF46-50-4-54 型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范
GJB 973/1-2021 SFLF46-50-2-51型挤出低密度聚四氟乙烯绝缘低损耗柔软同轴射频电缆详细规范

CU-NC，关于四极场低频的标准

NC 66-23-1984 电子线路．大功率和低频双极性晶体管2N 3055．质量规范
NC 66-15-1987 电子和电气技术词汇．低频和双极功率晶体管．质量规范
NC 66-94-1987 电工和电工技术工业．低频率和大功率双极晶体管．质量规格
NC 66-93-1987 电工和电工技术工业．低频率和中等功率双极晶体管．质量规格
NC 66-20-1984 电子线路．大功率和低频双极性晶体管BD 175；BD 176；BD 177和BD 178．质量规范
NC 66-22-1984 电子线路．大功率和低频双极性晶体管BD 705； BD 707；BD 708；BD 709；y BD 710．质量规范
NC 66-24-1984 电子线路．大功率和低频双极性晶体管BD 533；BD 534；BD 535；BD 536；BD 537；BD 538质量规范
NC 66-21-1984 电子线路．大功率和低频双极性晶体管 BD 233； BD 234；BD 235；BD 236；BD 237 y BD 238．质量规范

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于四极场低频的标准

EN 150003:1991 空白详细规范：用于低频放大的外壳额定双极晶体管

日本工业标准调查会，关于四极场低频的标准

JIS C 1910:2004 关于人体暴露的低频磁场和电场的测量.仪表的特殊要求和测量指南

立陶宛标准局，关于四极场低频的标准

LST EN 62226-1-2005 暴露在低频和中频范围内的电场或磁场中人体感应电流密度和内部电场的计算方法第1部分：总则（IEC 62226-1:2004）
LST EN 62226-3-1-2008 暴露于低频和中频范围内的电场或磁场人体感应电流密度和内部电场的计算方法第 3-1 部分：暴露于电场分析和二维数值 m
LST EN 62226-2-1-2005 暴露在低频和中频范围内的电场或磁场中人体感应电流密度和内部电场的计算方法第 2-1 部分：暴露于磁场二维模型（IEC 62226-2-1:2004）
LST EN 62489-2-2011 电声学辅助听力的音频感应环路系统第2部分：计算和测量环路低频磁场发射的方法，以评估是否符合人体暴露限制指南（

美国国防部标准化文件（含MIL标准），关于四极场低频的标准

DOD MIL-STD-1582 D ADMIN NOTICE 1-2004 极高频(EHF)低数据率(LDR)卫星数据链路标准(SDLS)上行和下行(U)
DOD MIL-STD-1582 D VALID NOTICE 2-2013 极高频（EHF）低数据速率（LDR）卫星数据链路标准（SDLS）上行链路和下行链路（U）

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于四极场低频的标准

QC 750103/ CN 0001-1992 低频放大型 3DD870 型外壳额定双极晶体管电子元件详细规范
QC 750102-1989 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第一部分用于低频和高频放大的环境额定双极晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-1 ED 1）
QC 750103-1989 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第二部分用于低频放大的外壳额定双极晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-2 ED 1）

美国电影与电视工程师协会，关于四极场低频的标准

SMPTE RP 6-1994 用于 525 线/60 场电视系统的 2 英寸四重视频磁带记录的记录载波频率和预加重特性

TH-TISI，关于四极场低频的标准

TIS 1865-1999 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第 1 节：用于低频和高频放大的环境额定双极晶体管的空白详细规范
TIS 1866-1999 半导体器件-分立器件第7部分：双极晶体管第 2 节：用于低频放大的外壳额定双极晶体管的空白详细规范

中国团体标准，关于四极场低频的标准

T/CEC 243-2019 10（6）kV～35kV挤包绝缘电力电缆系统超低频（0.1Hz）现场试验方法

AENOR，关于四极场低频的标准

UNE 21000-2-7:2002 IN 电磁兼容性（EMC）第2部分：环境第 7 节：各种环境中的低频磁场
UNE 212002-2:2014 聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套低频电缆、电线第2部分：内部安装用成对、三芯、四芯和五芯电缆

ZA-SANS，关于四极场低频的标准

SANS 62226-1:2006 暴露于低中频范围的电场或磁场中.在人体内诱导出的电流密度及内部电场的计算方法.第1部分:概述
SANS 61000-2-7:1998 电磁兼容性（EMC）．第2部分：环境部分．第7节：在各种环境下的低频磁场
SANS 62226-2-1:2006 暴露于低中频范围的电场或磁场中.在人体内诱导出的电流密度及内部电场的计算方法.第2-1部分:暴露于磁场中.二维模型

加拿大标准协会，关于四极场低频的标准

CSA C61000-2-7:04-CAN/CSA-2004 电磁兼容性(EMC)-第2部分:环境.第7节:各种环境中的低频磁场.第1版
CAN/CSA-C61000-2-7-2004 电磁兼容性（EMC）第2部分：环境第 7 节：各种环境中的低频磁场（第一版）

IN-BIS，关于四极场低频的标准

IS 4400 Pt.9/Sec.1-1974 半导体器件测量方法第 IX 部分可变电容二极管第1节：工作频率低于 300 MHz

CZ-CSN，关于四极场低频的标准

CSN IEC 189-2:1992 聚氯乙烯绝缘及铠装的低频电缆电线．第2部分：内部装置用双芯；三芯；四芯和五芯电缆

BE-NBN，关于四极场低频的标准

NBN C 32-502-1978 电缆和导线．低频率，聚氯乙烯绝缘，聚氯乙烯外壳成双；三线；四线和五线电缆，用于内部装置

未注明发布机构，关于四极场低频的标准

BS EN 150003:1993(2000) 电子元件质量评估协调制度规范 — 空白详细规范 — 用于低频放大的外壳额定双极晶体管

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于四极场低频的标准

GB/T 33977-2017 高压成套开关设备和高压/低压预装式变电站产生的稳态、工频电磁场的量化方法

KR-KS，关于四极场低频的标准

KS C 3380-2023 电动车辆和电动车辆供电设备中电子和电气设备产生的低频磁场水平的测量程序
KS C IEC 62489-2-2017 电声 - 用于辅助听力的音频感应回路系统第2部分:用于评估符合性的环路中的低频磁场排放的方法与人体暴露限制指南

RO-ASRO，关于四极场低频的标准

SR CEI 189-2+A1-1995 带有聚氯乙烯绝缘和聚氯乙烯护套的低频电缆和电线．第2部分：内部装置用双股、三股、四股及五股电缆