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辐射 总量
本专题涉及辐射 总量的标准有37条。
国际标准分类中，辐射 总量涉及到半导体分立器件、地质学、气象学、水文学、空气质量。
在中国标准分类中，辐射 总量涉及到半导体分立器件综合、技术管理、气象学、放射性物质与放射强度分析测试方法。
未注明发布机构，关于辐射 总量的标准
- GJB 5106A-2019 空间辐射总剂量探测器规范
国家军用标准-总装备部，关于辐射 总量的标准
- GJB 5106-2004 空间辐射总剂量探测器规范
美国材料与试验协会，关于辐射 总量的标准
- ASTM F1892-12(2018) 半导体器件电离辐射（总剂量）效应试验标准指南
- ASTM F1892-06 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南
- ASTM F1892-04 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南
- ASTM F1892-98 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南
- ASTM F1892-12 半导体器件电离辐射 (总剂量) 效应试验的标准指南
英国标准学会，关于辐射 总量的标准
- BS EN 60749-18:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.电离辐射(总剂量)
- BS EN IEC 60749-18:2019 半导体器件 机械和气候测试方法 电离辐射（总剂量）
国家计量技术规范，关于辐射 总量的标准
- JJF 1807-2020 光谱总辐射通量灯校准规范
- JJF 2049-2023 紫外杀菌灯总辐射通量校准规范
韩国科技标准局，关于辐射 总量的标准
- KS C IEC 60749-18:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第18部分:电离辐射(总剂量)
- KS C IEC 60749-18:2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第18部分:电离辐射（总剂量）
- KS C IEC 60749-18-2006(2016) 半导体器件机械和气候试验方法第18部分:电离辐射（总剂量）
国际电工委员会，关于辐射 总量的标准
- IEC 60749-18:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第18部分:电离辐射(总剂量)
- IEC 60749-18:2019 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第18部分:电离辐射（总剂量）
- IEC 60749-18:2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第18部分:电离辐射（总剂量）
法国标准化协会，关于辐射 总量的标准
- NF C96-022-18*NF EN 60749-18:2003 半导体装置.机械和气候试验方法.第18部分:电离辐射(总剂量)
- NF EN IEC 60749-18:2019 半导体器件机械和气候试验方法第18部分：电离辐射（总剂量）
- NF X43-307*NF EN 14385:2004 固定源辐射 As、Cd、Cr、Co、Cu、Mn、Ni、Pb、Sb、TI和V总辐射量的测定
丹麦标准化协会，关于辐射 总量的标准
- DS/EN 60749-18:2003 半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐射（总剂量）
欧洲电工标准化委员会，关于辐射 总量的标准
- EN IEC 60749-18:2019 半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐射（总剂量）
- EN 60749-18:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第18部分:电离辐射(总剂量) IEC 60749-18-2002
KR-KS，关于辐射 总量的标准
- KS C IEC 60749-18-2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第18部分:电离辐射（总剂量）
AENOR，关于辐射 总量的标准
- UNE-EN 60749-18:2003 半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐射（总剂量）
德国标准化学会，关于辐射 总量的标准
- DIN EN IEC 60749-18:2020-02 半导体器件机械和气候测试方法第18部分：电离辐射（总剂量）
- DIN EN 60749-18:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第18部分:电离辐射(总剂量)
- DIN EN 14385:2004 固定源辐射.As、Cd、Cr、Co、Cu、Mn、Ni、Pb、Sb、TI和V总辐射量的测定
ES-UNE，关于辐射 总量的标准
- UNE-EN IEC 60749-18:2019 半导体器件 机械和气候测试方法 第18部分：电离辐射（总剂量）
国家质检总局，关于辐射 总量的标准
- GB/T 31156-2014 太阳能资源测量 总辐射
立陶宛标准局，关于辐射 总量的标准
- LST EN 60749-18-2003 半导体器件 机械和气候测试方法 第18部分：电离辐射（总剂量）（IEC 60749-18:2002）
美国国防后勤局，关于辐射 总量的标准
- DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7405,2N7406,2N7407和2N7408,JANSD和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7488T3,2N7489T3和2N7490T3,JANTXVR和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 半导体器件、晶体管、场效应、硅、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应），类型 2N7472U2、2N7473U2 和 2N7474U2，JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7497T2、2N7498T2 和 2N7499T2，JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/752-2010 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、2N7608T2 型、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
- DLA MIL-PRF-19500/749-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道抗辐射（总剂量和单事件效应）、硅、2N7506U8 和 2N7506U8C 型、JANTXVR、JANTXVF、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
