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氧化电极电位 钴
本专题涉及氧化电极电位 钴的标准有425条。
国际标准分类中,氧化电极电位 钴涉及到有色金属、分析化学、有色金属产品、表面处理和镀涂、水质、土质、土壤学、电阻器、导体材料、金属的腐蚀、绝缘流体、无机化学、集成电路、微电子学、石油和天然气工业设备、铁合金、电站综合、粉末冶金、计量学和测量综合、黑色金属、电学、磁学、电和磁的测量、地质学、气象学、水文学、空气质量、词汇、环境保护、食用油和脂肪、含油种子、能源和热传导工程综合、消毒和灭菌、焊接、钎焊和低温焊、电池和蓄电池、电工器件、钢铁产品、水果、蔬菜及其制品、金属矿、燃料、玻璃、核能工程、陶瓷、医疗设备、物理学、化学、航空航天制造用材料、金属材料试验、天然气。
在中国标准分类中,氧化电极电位 钴涉及到重金属及其合金分析方法、氧化物、单质、电子技术专用材料、金属理化性能试验方法综合、钢丝、钢丝绳、材料防护、水利、水电工程综合、土壤环境质量分析方法、电子元件综合、炭素材料、石墨材料、物理化学特性标准物质、金属化学性能试验方法、重金属矿、稀有金属及其合金分析方法、化学计量、轻金属及其合金分析方法、金属物理性能试验方法、金属理化性能试验方法、、半导体集成电路、石油钻采设备与仪器、轻金属及其合金、钢铁与铁合金分析方法、技术管理、金属化学分析方法综合、电化学、热化学、光学式分析仪器、粉末冶金分析方法、重金属及其合金、废气排放污染物分析方法、大气环境有毒害物质分析方法、炭素材料综合、环境污染物监测方法、液体介质与植物、动物、人体器官采样方法、水处理剂基础标准与通用方法、化学电源、焊接与切割、土壤、水土保持、油脂加工与制品、光学仪器综合、连接器、化学试剂综合、地基、基础工程、航空与航天用金属铸锻材料、果类加工与制品、电子测量与仪器综合、其他特种合金、核材料、核燃料及其分析试验方法、核材料、核燃料综合、特种陶瓷、基础标准与通用方法、核燃料元件及其分析试验方法、计算机应用、燃料油、矫形外科、骨科器械、半金属及半导体材料分析方法、稀有轻金属及其合金、同位素与放射源综合、橡胶制品综合、天然气、炼厂气体。
行业标准-有色金属,关于氧化电极电位 钴的标准
美国材料与试验协会,关于氧化电极电位 钴的标准
工业和信息化部,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-电子,关于氧化电极电位 钴的标准
国家质检总局,关于氧化电极电位 钴的标准
韩国科技标准局,关于氧化电极电位 钴的标准
英国标准学会,关于氧化电极电位 钴的标准
丹麦标准化协会,关于氧化电极电位 钴的标准
KR-KS,关于氧化电极电位 钴的标准
立陶宛标准局,关于氧化电极电位 钴的标准
AENOR,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-水利,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-环保,关于氧化电极电位 钴的标准
美国国防后勤局,关于氧化电极电位 钴的标准
- DLA DSCC-DWG-01001-2001 氧化铝两极化电解的固定电容器
- DLA DESC-DWG-89021 REV E-2013 电容器,固定,电解极化,氧化铝,超低 ESR
- DLA DESC-DWG-88022 REV D-2009 电容器,固定,电解,极化,氧化铝,单端安装
- DLA DESC-DWG-88022 REV E-2010 电容器,固定,电解,极化,氧化铝,单端安装
- DLA DSCC-DWG-89021 REV D-2004 固定极化电解质氧化铝及超低ESR的电容器
- DLA DSCC-DWG-88022 REV C-2000 固定极化电解质氧化铝及单端安装的电容器
- DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及SNAP安装薄片电容器
- DLA DESC-DWG-89085 REV D-2009 电容器,固定式,电解极化,氧化铝,卡扣安装,薄型
- DLA SMD-5962-77056-1977 六位N沟道开路漏极缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA DSCC-DWG-89012 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及低螺母插入的电容器
- DLA MIL-C-39018/10 B-2009 固定式电解(氧化铝)(极化)电容器,可靠性高,CUR92 型(绝缘)
- DLA MIL-PRF-39018/2 F-2009 电容器,固定,电解(氧化铝)(非极化),型号 CU14(未绝缘)和 CU15(绝缘)
- DLA MIL-PRF-39018/6 D-2009 固定式电解(氧化铝)(极化)电容器,成熟的可靠性 CUR91 型(绝缘)
- DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
- DLA MIL-PRF-39018/7 C-2009 电容器,固定,电解(氧化铝)(极化),(四端子),成熟的可靠性类型 CUR19(绝缘)
- DLA A-A-55141 VALID NOTICE 2-2006 面板安装绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55141 VALID NOTICE 1-2001 面板安装绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55141-1994 面板安装绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55147 VALID NOTICE 2-2006 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55147 VALID NOTICE 1-2001 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55147-1994 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55142 VALID NOTICE 2-2006 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插头两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55142 VALID NOTICE 1-2001 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插头两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55142-1993 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插头两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 硅单片,装有正向三态输出,16位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA A-A-55094 VALID NOTICE 3-2011 连接器,电气,兼容 IEEE 488,矩形,微型,极化外壳,插头,24 位,离散电线电缆端接,锁扣
- DLA SMD-5962-01507-2001 单片硅两极化的数字微电路高速率预测进位发生器
- DLA SMD-5962-88698 REV D-2006 硅单片同步4位向上/向下计数器双极化数字微电路
- DLA A-A-55140 VALID NOTICE 2-2006 预装建设螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位屏蔽插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55140 VALID NOTICE 1-2001 预装建设螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位屏蔽插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55140-1993 预装建设螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位屏蔽插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
- DLA A-A-55142 VALID NOTICE 3-2011 连接器,电气,兼容 IEEE 488,矩形,微型,极化外壳,插头,薄型,24 位,扁平电缆端接,绝缘位移,螺钉锁定
- DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92331-1993 硅单片,16X16位坐标变换器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 硅单片,16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 硅单片六位反相施密特触发电路,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 硅单片数位类比转换器双12位互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA MIL-PRF-39018/4 E-2009 固定式电解(氧化铝)(极化)、未确定可靠性和已确定可靠性型号 CU71(绝缘)和 CUR71(绝缘)电容器
- DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA A-A-55138 VALID NOTICE 2-2006 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55138 VALID NOTICE 1-2001 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55138-1993 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55139 VALID NOTICE 2-2006 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55139 VALID NOTICE 1-2001 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55139-1993 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 硅单片,12 X 10位矩阵乘数,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88627 REV B-1993 硅单片8位二进制计数器肖特基TTL促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 硅单片装有置位复位键的J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89446-1991 硅单片8位可变长度移位寄存器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路
- DLA A-A-55155 VALID NOTICE 1-2001 连接器,电气,兼容 IEEE 488,矩形,微型,极化外壳,插座,屏蔽,24 位,扁平电缆端接,绝缘位移,螺丝锁定,散件结构
- DLA A-A-55155-1994 连接器,电气,兼容 IEEE 488,矩形,微型,极化外壳,插座,屏蔽,24 位,扁平电缆端接,绝缘位移,螺丝锁定,散件结构
- DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位缓冲器及线路驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA A-A-55513 VALID NOTICE 3-2011 连接器,电气,兼容 IEEE 488,矩形,微型,极化外壳,插头,24 位,EMI 屏蔽,电缆端接,螺钉锁定
- DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 硅单块 无缓冲六位变换电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 硅单片八位锁存总线驱动器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 硅单片,8位交流/直流转变器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 硅单片,14位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 硅单片,16位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 硅单片,12位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 硅单片,96位浮点双口处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 硅单片,12位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 硅单片16位和8/16位微处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路
- DLA CATS-2009 固定式、电解(氧化铝)(极化)、未确定可靠性和确定可靠性类型 CU16(未绝缘)、CU17(绝缘)和 CUR17(绝缘)电容器
- DLA MIL-PRF-39018/1 H-2009 固定式、电解(氧化铝)(极化)、未确定可靠性和确定可靠性类型 CU12(未绝缘)、CU13(绝缘)和 CUR13(绝缘)电容器
- DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 硅单片装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89731-1989 硅单片,TTL可兼容输入,8位同位锁存收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 硅单片12位缓冲成倍增加数位类比转换器互补型金属氧化物半导体微电路
- DLA SMD-5962-88578 REV B-2001 硅单片8位身份比较器低功耗肖特基TTL促进双极化数字微电路
- DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 硅单片1至64比特移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94542-1994 硅单片,32位局域网络协处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
- DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 硅单片,32位高集成微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 硅单片,8-16位并行接口/限时器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的10位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位锁存的收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94587 REV B-1999 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入及串联继电器的16位正向缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-96616 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体旋转六角变极器或缓冲器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-86706 REV C-2010 微电路、存储器、数字、双极、1K x 8 位、带可编程初始化的寄存 PROM、单片硅
- DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 硅单片六位D型双稳多谐振荡器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 硅单片,16 X 16位并行多路复用器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94564-1994 硅单片,24位通用数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 硅单片,8位视频直流/交流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 硅单片,12位高速交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 硅单片,12位直流/交流转变器,双重氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-94608-1994 硅单片,12位可级联乘法器加法器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88568-1988 硅单片8位微机单一组装沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 硅单片,八位并行互连总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
- DLA A-A-55146 VALID NOTICE 2-2006 锁紧钩印刷电路板终止直角24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55146 VALID NOTICE 1-2001 锁紧钩印刷电路板终止直角24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55146-1994 锁紧钩印刷电路板终止直角24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA SMD-5962-89772-1992 硅单片,装有8位或16位外总线16位微型控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构微型电路
- DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 硅单片,512 X 8位串联式电可擦除只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 硅单片装有复位键的六位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90501 REV A-2006 硅单片,8位串联/并联输入,串联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
行业标准-黑色冶金,关于氧化电极电位 钴的标准
德国标准化学会,关于氧化电极电位 钴的标准
国家计量检定规程,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-航空,关于氧化电极电位 钴的标准
IN-BIS,关于氧化电极电位 钴的标准
中国团体标准,关于氧化电极电位 钴的标准
法国标准化协会,关于氧化电极电位 钴的标准
ES-UNE,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-石油,关于氧化电极电位 钴的标准
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会,关于氧化电极电位 钴的标准
IT-UNI,关于氧化电极电位 钴的标准
VN-TCVN,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-电力,关于氧化电极电位 钴的标准
RU-GOST R,关于氧化电极电位 钴的标准
台湾地方标准,关于氧化电极电位 钴的标准
欧洲标准化委员会,关于氧化电极电位 钴的标准
日本工业标准调查会,关于氧化电极电位 钴的标准
GOSTR,关于氧化电极电位 钴的标准
内蒙古自治区标准,关于氧化电极电位 钴的标准
PL-PKN,关于氧化电极电位 钴的标准
RO-ASRO,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-海洋,关于氧化电极电位 钴的标准
YU-JUS,关于氧化电极电位 钴的标准
国际标准化组织,关于氧化电极电位 钴的标准
PT-IPQ,关于氧化电极电位 钴的标准
AWS - American Welding Society,关于氧化电极电位 钴的标准
(美国)福特汽车标准,关于氧化电极电位 钴的标准
CZ-CSN,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-化工,关于氧化电极电位 钴的标准
SE-SIS,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-轻工,关于氧化电极电位 钴的标准
美国国家标准学会,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-机械,关于氧化电极电位 钴的标准
国家军用标准-总装备部,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-兵工民品,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-航天,关于氧化电极电位 钴的标准
AASHTO - American Association of State Highway and Transportation Officials,关于氧化电极电位 钴的标准
山西省标准,关于氧化电极电位 钴的标准
TR-TSE,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-核工业,关于氧化电极电位 钴的标准
环球油品公司(美国),关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-商品检验,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-医药,关于氧化电极电位 钴的标准
国际电工委员会,关于氧化电极电位 钴的标准
行业标准-农业,关于氧化电极电位 钴的标准
美国机动车工程师协会,关于氧化电极电位 钴的标准
- SAE AMS5876C-2003 钴合金,耐腐蚀和耐热,带材 20Cr 15Ni 40Co 7.0Mo 16Fe 真空感应加自耗电极熔化溶液热处理和冷轧
- SAE AMS5843D-2000 强度增强和老化的真空感应和真空可耗电极熔化溶液热处理的钴镍合金棒19Cr 36Co 25Ni 7.0Mo 0.50Cb 2.9Ti 0.20Al 9.0Fe
- SAE AMS5843E-2006 强度增强和老化的真空感应和真空可耗电极熔化溶液热处理的钴镍合金棒19Cr 36Co 25Ni 7.0Mo 0.50Cb (Nb) 2.9Ti 0.20Al 9.0Fe
- SAE AMS5876F-2003 钴合金 耐腐蚀和耐热 带材 20Cr 15Ni 40Co 7.0Mo 16Fe 真空感应加上自耗电极熔化固溶热处理和冷轧
- SAE AMS5841D-2000 强度增强的真空感应和真空可耗电极熔化溶液热处理的钴镍合金棒19Cr 36Co 25Ni 7.0Mo 0.50Cb 2.9Ti 0.20AL 9.0Fe
- SAE AMS5876B-2000 钴合金,耐腐蚀和耐热,带材 20Cr 15Ni 40Co 7.0Mo 16Fe 固溶热处理和冷轧真空感应加真空消耗电极熔化
- SAE AMS5834C-2008 钴合金,耐腐蚀和耐热,圆线 20Cr 15Ni 40Co 7.0Mo 16Fe 真空感应加自耗电极熔化溶液热处理、冷拔和时效
- SAE AMS5834E-2019 钴合金,耐腐蚀和耐热,圆线 20Cr 15Ni 40Co 7.0Mo 16Fe 真空感应加自耗电极熔化溶液热处理、冷拔和时效
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于氧化电极电位 钴的标准
SAE - SAE International,关于氧化电极电位 钴的标准
- SAE AMS5841C-1994 强度增强的真空感应和真空可耗电极熔化溶液热处理的钴镍合金棒19Cr 36Co 25Ni 7.0Mo 0.50Cb 2.9Ti 0.20AL 9.0Fe