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半电极氧化电位

本专题涉及半电极氧化电位的标准有500条。

国际标准分类中，半电极氧化电位涉及到集成电路、微电子学、表面处理和镀涂、有色金属、水质、土质、土壤学、电阻器、导体材料、分析化学、绝缘流体、无机化学、半导体分立器件、金属的腐蚀、石油和天然气工业设备、电站综合、计量学和测量综合、电学、磁学、电和磁的测量、电信设备用部件和附件、地质学、气象学、水文学、电工器件、空气质量、词汇、环境保护、航空航天制造用材料、食用油和脂肪、含油种子、能源和热传导工程综合、消毒和灭菌、阀门、焊接、钎焊和低温焊、电池和蓄电池、无线通信、印制电路和印制电路板、钢铁产品、水果、蔬菜及其制品、电工和电子试验、滤波器。

在中国标准分类中，半电极氧化电位涉及到半导体集成电路、金属理化性能试验方法综合、钢丝、钢丝绳、材料防护、水利、水电工程综合、土壤环境质量分析方法、电子元件综合、炭素材料、石墨材料、物理化学特性标准物质、化学计量、轻金属及其合金分析方法、金属物理性能试验方法、金属理化性能试验方法、、半导体分立器件综合、计算机应用、金属化学性能试验方法、石油钻采设备与仪器、轻金属及其合金、技术管理、电化学、热化学、光学式分析仪器、电子测量与仪器综合、重金属及其合金分析方法、微电路综合、电工绝缘材料及其制品、连接器、废气排放污染物分析方法、大气环境有毒害物质分析方法、炭素材料综合、环境污染物监测方法、航空与航天用金属铸锻材料、液体介质与植物、动物、人体器官采样方法、阀门、半导体三极管、水处理剂基础标准与通用方法、化学电源、焊接与切割、土壤、水土保持、油脂加工与制品、光学仪器综合、化学试剂综合、广播、电视发送与接收设备、氧化物、单质、地基、基础工程、印制电路、果类加工与制品、其他特种合金、计算机设备。

美国国防后勤局，关于半电极氧化电位的标准

• DLA SMD-5962-77056-1977 六位N沟道开路漏极缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
• DLA DSCC-DWG-01001-2001 氧化铝两极化电解的固定电容器
• DLA DESC-DWG-89021 REV E-2013 电容器，固定，电解极化，氧化铝，超低 ESR
• DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA DESC-DWG-88022 REV D-2009 电容器，固定，电解，极化，氧化铝，单端安装
• DLA DESC-DWG-88022 REV E-2010 电容器，固定，电解，极化，氧化铝，单端安装
• DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92331-1993 硅单片,16X16位坐标变换器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 硅单片,16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 硅单片,装有正向三态输出,16位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 硅单片,12 X 10位矩阵乘数,氧化物半导体数字微型电路
• DLA DSCC-DWG-89021 REV D-2004 固定极化电解质氧化铝及超低ESR的电容器
• DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 硅单片六位反相施密特触发电路,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 硅单片数位类比转换器双12位互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 硅单片八位锁存总线驱动器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 硅单片,8位交流/直流转变器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 硅单片,14位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 硅单片,16位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 硅单片,12位模拟数字转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 硅单片,96位浮点双口处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 硅单片,12位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA DSCC-DWG-88022 REV C-2000 固定极化电解质氧化铝及单端安装的电容器
• DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及SNAP安装薄片电容器
• DLA DESC-DWG-89085 REV D-2009 电容器，固定式，电解极化，氧化铝，卡扣安装，薄型
• DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 硅单片装有置位复位键的J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89446-1991 硅单片8位可变长度移位寄存器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 硅单片1至64比特移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94542-1994 硅单片,32位局域网络协处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
• DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 硅单片,32位高集成微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 硅单片,8-16位并行接口/限时器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路
• DLA DSCC-DWG-89012 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及低螺母插入的电容器
• DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 硅单块 无缓冲六位变换电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 硅单片16位和8/16位微处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 硅单片六位D型双稳多谐振荡器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 硅单片,16 X 16位并行多路复用器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94564-1994 硅单片,24位通用数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 硅单片,8位视频直流/交流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 硅单片,12位高速交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 硅单片,12位直流/交流转变器,双重氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-94608-1994 硅单片,12位可级联乘法器加法器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88568-1988 硅单片8位微机单一组装沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 硅单片,八位并行互连总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
• DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA MIL-C-39018/10 B-2009 固定式电解（氧化铝）（极化）电容器，可靠性高，CUR92 型（绝缘）
• DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 硅单片装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89731-1989 硅单片,TTL可兼容输入,8位同位锁存收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 硅单片12位缓冲成倍增加数位类比转换器互补型金属氧化物半导体微电路
• DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位缓冲器及线路驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 硅单片,8位TTL/BTL寄存的收发器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89707-1989 硅单片,同步复位二-十进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-93187 REV L-2007 128K X 32位静态随机存取存储器,氧化物半导体数字混合微型电路
• DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 硅单片16位片状微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96616 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体旋转六角变极器或缓冲器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 硅单块 八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 硅单片,512 X 8位串联式电可擦除只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-77031 REV A-1979 14阶行波进位计数器/驱动器及振动器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93262 REV D-2006 硅单片,6位动画文件交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 硅单片,TTL可兼容输入,六位倒相器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89777 REV C-2007 硅单片,8位交流/直流动画文件转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-92201 REV A-2003 硅单片,9位奇偶发生器/校验器,改进型氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 硅单片H互补型金属氧化物半导体8位输入或无通道数字微电路
• DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 硅单片,8位同步二进降值计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 硅单块 万能移位寄存器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 硅单片12位乘法D/A转换器互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 硅单片56位数字信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA MIL-PRF-39018/2 F-2009 电容器，固定，电解（氧化铝）（非极化），型号 CU14（未绝缘）和 CU15（绝缘）
• DLA MIL-PRF-39018/6 D-2009 固定式电解（氧化铝）（极化）电容器，成熟的可靠性 CUR91 型（绝缘）
• DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 硅单片装有复位键的六位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90501 REV A-2006 硅单片,8位串联/并联输入,串联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的10位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位锁存的收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 硅单块 双极金属氧化物半导体技术中断接口闩锁设备,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-89772-1992 硅单片,装有8位或16位外总线16位微型控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构微型电路
• DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 硅单片8位通用移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32位静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 硅单片,双重4级移位寄存器,改进型高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 硅单片误差检测与校正的单位互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90590 REV B-2002 硅单片,有明沟输入的六位反向器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 硅单片16 X 16位乘法器累加器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 硅单片A/D转换跑道/搁置8位互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-89533-1989 硅单片10位扬声器收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96685 REV C-2003 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16BIT缓冲器或驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 硅单片,寄存的8K X 8位可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重64阶段静态移位寄存器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 硅单片双 J-K正极边缘触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-94587 REV B-1999 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入及串联继电器的16位正向缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 硅单片,四重串联接口8位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89946 REV A-2006 硅单片,4位同步十进升值/降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 硅单片16位误码检测与校正部件互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合及单片微型电路
• DLA SMD-5962-93239 REV B-2005 硅单片,装有4位ID总线的扫描通道连接器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 硅单片80位数字处理器扩建工程互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96812 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT扫描端口多支路标准1149.1接收器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 硅单片,TTL兼容输入,装有双重使动及三态输出的八位锁存的收发器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位收发器及锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-90772 REV C-2004 硅单块 输入,三倍三输入正极是门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA MIL-PRF-39018/7 C-2009 电容器，固定，电解（氧化铝）（极化），（四端子），成熟的可靠性类型 CUR19（绝缘）
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 硅单片装有三态输出的八位反相缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-81017 REV G-2005 硅单片4比特并行输入/并行输出移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 硅单片装有复位键D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位可寻址锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89989-1990 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 硅单片256 X 4静态记忆体复位互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 硅单片TTL兼容10位放大镜调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 硅单片TTL兼容9位放大镜调节高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88661-1989 硅单片9位扬声器总线收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 硅单片,微处理器监督电路,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
• DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90692 REV C-1996 硅单片,装有单片电可编程序只读存储器的16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,装有置位复位键的双重J-K触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位串联输入/并联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89741-1990 硅单片,TTL可兼容输入,装有I/P锁存器的八位移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
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• DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
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• DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
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• DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 硅单片,8比特并联输入串联输出的移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
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• DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 硅单片,32K X 8位功率转换可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89519 REV F-1998 硅单片MIL-STD-1750型指令集架构16位微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
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• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT三端口母线三状态输出转换器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT母线三状态输出改变和转换,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
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• DLA A-A-55142-1993 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插头两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
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• DLA SMD-5962-92197 REV A-2006 硅单片,TTL兼容输入,装有8位奇偶发生器/校验器的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
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• DLA SMD-5962-94601 REV B-1996 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的18位总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,八位D型双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90574-1990 硅单片,TTL可兼容输入,8位同步二-十进降值计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅单片A/D转换跑道/保留8位兼容微处理器互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-93244-1993 硅单片,512K X 8位5伏特可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有异步复位的4位可预设置二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 互补金属氧化物半导体微功率定相锁环硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BIT数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 硅单片8K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
• DLA SMD-5962-06208-2006 硅单片数字信号处理机氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 硅单片,16比特微处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 硅单片时钟发生驱动器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 硅单片3重3输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 硅单片双重4输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 硅单片双重4输入或栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 硅单片3重与非门缓冲,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94642-1994 硅单片,扩展多功能外围,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 硅单片,同步串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 硅单片,通用串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 硅单片,差动总线收发器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA A-A-55094 VALID NOTICE 3-2011 连接器，电气，兼容 IEEE 488，矩形，微型，极化外壳，插头，24 位，离散电线电缆端接，锁扣
• DLA SMD-5962-01507-2001 单片硅两极化的数字微电路高速率预测进位发生器
• DLA SMD-5962-88698 REV D-2006 硅单片同步4位向上/向下计数器双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线接收器双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96697-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出母线交换开关,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT到9-BIT三状态输出母线收发器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 双极的互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角母线接收器和寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体3.3伏特16-BIT三状态输出寄存转换器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95836-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角触发D类三转台输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA A-A-55140 VALID NOTICE 2-2006 预装建设螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位屏蔽插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
• DLA A-A-55140 VALID NOTICE 1-2001 预装建设螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位屏蔽插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
• DLA A-A-55140-1993 预装建设螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位屏蔽插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
• DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 硅单片双杆四号定位类比多工器/解多工器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-90686-1999 硅单片,TTL可兼容输入,装有明沟输出的六位反向器,改进型氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 硅单片TTL兼容10位D型触发器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 硅单片输出扬声器参考12位互补型金属氧化物半导体数字类比转换数字线性微电路
• DLA SMD-5962-81006 REV J-2005 硅单片装有驱动器的高电平模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 互补金属氧化物半导体,双重单刀单掷(开关)硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 硅单片,电可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重与非门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器硅单片电路数字微电路

国家质检总局，关于半电极氧化电位的标准

• GB/T 8754-2006 铝及铝合金阳极氧化 阳极氧化膜绝缘性的测定 击穿电位法
• GB/T 3074.3-2008 石墨电极氧化性测定方法
• GB/T 3074.3-1982 石墨电极氧化性测定方法
• GB/T 8754-1988 铝及铝合金阳极氧化-应用击穿电位测定法检验绝缘性
• GB 8754-1988 铝及铝合金阳极氧化 应用击穿电位测定法检验绝缘性
• GB/T 24196-2009 金属和合金的腐蚀.电化学试验方法.恒电位和动电位极化测量导则
• GB/T 23612-2009 铝合金建筑型材阳极氧化与阳极氧化电泳涂漆工艺技术规范
• GB/T 20245.5-2013 电化学分析器性能表示 第5部分：氧化还原电位
• GB 21346-2022 电解铝和氧化铝单位产品能源消耗限额
• GB 28234-2011 酸性氧化电位水生成器安全与卫生标准

韩国科技标准局，关于半电极氧化电位的标准

• KS D ISO 2376:2012 铝和铝合金的阳极氧化.电击穿电位的测定
• KS D ISO 2376:2013 铝和铝合金的阳极氧化 电击穿电位的测定
• KS C IEC 60746-5-2014(2019) 电化学分析仪的性能表达 - 第5部分:氧化还原电位或氧化还原电位
• KS D ISO 17475-2017(2022) 金属和合金的腐蚀电化学试验方法恒电位和动电位极化测量指南
• KS I ISO 11271-2016(2021) 土壤质量氧化还原电位的测定电场法
• KS D ISO 17475:2008 金属和合金的腐蚀.电化学试验方法.恒电势和动电位极化测量的实施指南
• KS D ISO 17475:2017 金属和合金的腐蚀 电化学试验方法 恒电势和动电位极化测量的实施指南
• KS D 8514-1998 铝和铝合金阳极氧化膜介电强度的试验方法
• KS D 0269-2020 测定临界点蚀温度为不锈钢的电位极化测试方法
• KS D 0269-2009 恒电位极化测试不锈钢的临界点蚀温度的测定方法

英国标准学会，关于半电极氧化电位的标准

• BS EN ISO 2376:2010 铝和铝合金的阳极氧化.电击穿电位的测定
• BS 2868:1968 电镀用镉阳极与氧化镉规范
• BS EN 17059:2018 电镀和阳极氧化线 安全要求
• BS 2656:1972 电镀用锌阳极、氧化锌和锌盐规范
• BS IEC 61196-13:2023 同轴通信电缆 二氧化硅电介质半刚性电缆截面规范
• BS ISO 11271:2022 土壤质量 氧化还原电位的测定 现场法
• 19/30371190 DC BS ISO 23052 铝及其合金的阳极氧化 铝及铝合金阳极氧化膜耐化学药品性电动势仪试验方法
• BS EN ISO 27107:2008 动植物油脂.过氧化值测定.电位终点测定
• BS EN ISO 17475:2006 金属和合金的腐蚀 电化学试验方法 恒电势和动电位极化测量的实施指南
• BS EN ISO 17475:2008 金属和合金的腐蚀.电化学试验方法.恒电势和动电位极化测量的实施指南
• BS ISO 3079:2022 乙酸二电极法测定氯化物溶液中铝及铝合金的点蚀电位
• BS EN ISO 2376:2019 铝及其合金的阳极氧化 击穿电压和耐压的测定
• BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管

丹麦标准化协会，关于半电极氧化电位的标准

• DS/EN ISO 2376:2010 铝及其合金的阳极氧化 电击穿电位的测定
• DS/EN ISO 17475:2009 金属和合金的腐蚀 电化学试验方法 进行恒电位和动电位极化测量的指南
• DS/ISO 11271:2004 土壤质量 氧化还原电位的测定 田间法

KR-KS，关于半电极氧化电位的标准

• KS D ISO 2376-2012 铝及铝合金阳极氧化击穿电位的测定
• KS D ISO 17475-2017 金属和合金的腐蚀电化学试验方法恒电位和动电位极化测量指南
• KS I ISO 11271-2016 土壤质量氧化还原电位的测定电场法
• KS D ISO 17475-2023 金属和合金的腐蚀.电化学试验方法.进行恒电位和动电位极化测量的指南
• KS D 8514-1998(2023) 铝及铝合金阳极氧化层介电强度试验方法

立陶宛标准局，关于半电极氧化电位的标准

• LST EN ISO 2376:2010 铝及其合金的阳极氧化 电击穿电位的测定（ISO 2376:2010）
• LST EN ISO 17475:2008 金属和合金的腐蚀 电化学测试方法 恒电位和动电位极化测量指南（ISO 17475:2005/Cor 1:2006）

AENOR，关于半电极氧化电位的标准

• UNE-EN ISO 2376:2011 铝及其合金的阳极氧化 电击穿电位的测定（ISO 2376:2010）
• UNE-EN ISO 17475:2009 金属和合金的腐蚀 电化学测试方法 恒电位和动电位极化测量指南（ISO 17475:2005/Cor 1:2006）
• UNE 112015:1994 生物腐蚀 不锈钢中坑电位测定的实验方法，使用硫酸盐还原细菌培养物，通过动电位阳极极化技术
• UNE-ISO 11271:2007 土壤质量 氧化还原电位的测定 田间法（ISO 11271:2002）

行业标准-水利，关于半电极氧化电位的标准

• SL 94-1994 氧化还原电位的测定(电位测定法)

行业标准-环保，关于半电极氧化电位的标准

• HJ 746-2015 土壤 氧化还原电位的测定 电位法
• HJ/T 46-1999 定电位电解法二氧化硫测定仪技术条件
• HJ 693-2014 固定污染源废气 氮氧化物的测定 定电位电解法
• HJ 57-2017 固定污染源废气 二氧化硫的测定 定电位电解法
• HJ 973-2018 固定污染源废气 一氧化碳的测定 定电位电解法
• HJ/T 57-2000 固定污染源排气中二氧化硫的测定.定电位电解法

行业标准-黑色冶金，关于半电极氧化电位的标准

• YB/T 5214-2007 抗氧化涂层石墨电极
• YB/T 5214-1993 抗氧化涂层石墨电极

美国材料与试验协会，关于半电极氧化电位的标准

• ASTM G5-94 恒电位和动电位阳极极化测量的标准参考试验方法
• ASTM G5-94(1999) 恒电位和动电位阳极极化测量的标准参考试验方法
• ASTM G5-94(2004) 作静电位标记和动电位阳极极化测量的基准测试方法
• ASTM G5-94(1999)e1 作静电位标记和动电位阳极极化测量的基准测试方法
• ASTM G5-94(2011)e1 制定恒电位和动电位阳极极化测量值的标准参考试验方法
• ASTM G5-14(2021) 动电位阳极极化测量的标准参考试验方法
• ASTM G5-14e1 进行动电位阳极极化测量的标准参考试验方法
• ASTM G5-14 进行动电位阳极极化测量的标准参考试验方法
• ASTM G59-97(2003) 用于进行电位极化电阻测量的标准测试方法
• ASTM G59-97(2020) 用于进行电位极化电阻测量的标准测试方法
• ASTM G59-23 进行电位动态极化电阻测量的标准试验方法
• ASTM G5-13e2 制定动电位阳极极化测量值的标准参考试验方法
• ASTM G5-13 制定动电位阳极极化测量值的标准参考试验方法
• ASTM D1498-14(2022)e1 水的氧化还原电位的标准试验方法
• ASTM G5-13e1 进行动电位阳极极化测量用试验方法的标准实施规程
• ASTM D1498-14 测定水的氧化还原电位标准试验方法
• ASTM D1498-08 测定水的氧化还原电位的标准试验方法
• ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
• ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
• ASTM UOP291-15 使用微波消解法和电位滴定法测定氧化铝和二氧化硅-氧化铝催化剂中氯的总含量
• ASTM G200-09 土壤氧化还原电位(ORP)测量的标准试验方法
• ASTM G200-20 土壤氧化还原电位（ORP）测量的标准试验方法
• ASTM G200-09(2014) 测量土壤氧化还原电位40;ORP41的标准试验方法
• ASTM UOP975-01 离子选择电极氧化燃烧法检测液态烃和液化石油气中的氟

德国标准化学会，关于半电极氧化电位的标准

• DIN IEC 60746-5:1996-07 电化学分析仪性能的表示 - 第 5 部分：氧化还原电位或氧化还原电位（IEC 60746-5:1992）
• DIN EN 17059:2018-10 电镀和阳极氧化线-安全要求
• DIN EN 17059:2018 电镀和阳极氧化生产线 安全要求
• DIN EN ISO 17475:2008-07 金属和合金的腐蚀-电化学测试方法-进行恒电位和动电位极化测量的指南
• DIN EN ISO 17475:2008 金属和合金的腐蚀.电化学试验方法.实施静电位和动电位的极化测定用指南
• DIN EN ISO 2376:2019-07 铝及其合金的阳极氧化-击穿电压和耐受电压的测定
• DIN ISO 11271:2022-11 土壤质量 氧化还原电位的测定 现场方法
• DIN EN ISO 2376:2010 铝和铝合金的阳极氧化.绝缘击穿电压的测定
• DIN EN ISO 27107:2010-08 动植物油脂 过氧化值的测定 电位终点测定
• DIN EN ISO 2376:2019 铝及其合金的阳极氧化-击穿电压和耐受电压的测定（ISO 2376:2019）
• DIN ISO 11271:2003-03 土壤质量 - 氧化还原电位的测定 - 现场方法 (ISO 11271:2002)
• DIN ISO 11271:2023-11 土壤质量 氧化还原电位的测定 现场方法（ISO 11271:2022）

国家计量检定规程，关于半电极氧化电位的标准

• JJG 365-1998 电化学电极气体氧分析器检定规程

行业标准-航空，关于半电极氧化电位的标准

• HB/Z 339.1-1999 铝合金铬酸阳极氧化溶液分析方法 电位滴定法测定游离三氧化铬和总三氧化铬的含量
• HB/Z 5104.2-1999 铝合金硫酸阳极氧化溶液分析方法 电位滴定法测定铝的含量
• HB/Z 339.2-1999 铝合金铬酸阳极氧化溶液分析方法 电位滴定法测定氯离子的含量
• HB/Z 5104.3-1999 铝合金硫酸阳极氧化溶液分析方法 电位滴定法测定氯离子的含量
• HBJ/T 2-2017 航空工业电镀及阳极氧化车间设计规程
• HB/Z 5104.1-1999 铝合金硫酸阳极氧化溶液分析方法 电位滴定法测定游离硫酸和化合硫酸的含量
• HB/Z 5086.3-2000 氰化电镀铜溶液分析方法 电位滴定法测定氢氧化钠的含量
• HB/Z 5105.1-2000 电化学抛光溶液分析方法 电位滴定法测定三氧化铬的含量
• HB/Z 5084.2-2000 氰化电镀锌溶液分析方法 电位滴定法测定氢氧化钠的含量
• HB/Z 5085.3-1999 氰化电镀镉溶液分析方法 电位滴定法测定氢氧化钠的含量
• HB/Z 5105.2-2000 电化学抛光溶液分析方法 电位滴定法测定三氧化二铬的含量
• HB/Z 5091.1-1999 电镀铬溶液分析方法 电位滴定法测定三氧化铬的含量
• HB/Z 5109.9-2001 钝化溶液分析方法 电位滴定法测定电镀铜钝化溶液中三氧化铬的含量
• HB/Z 5092.1-2001 电镀黑铬溶液分析方法 电位滴定法测定三氧化铬的含量
• HB/Z 5091.2-1999 电镀铬溶液分析方法 电位滴定法测定三氧化二铬的含量
• HB/Z 5109.3-2001 钝化溶液分析方法 电位滴定法测定电镀锌、电镀镉三酸钝化溶液中三氧化铬的含量
• HB/Z 5093.2-2000 碱性电镀锡溶液分析方法 电位滴定法测定氢氧化钠的含量

IN-BIS，关于半电极氧化电位的标准

• IS 8554-1977 通过测量击穿电位来检查阳极氧化涂层绝缘性的方法

中国团体标准，关于半电极氧化电位的标准

• T/ZZB 2408-2021 锂电池正极材料用氢氧化钠
• T/ZSZJX 006-2020 水质 化学需氧量的测定 电位滴定法
• T/SCS 000011-2021 碳化硼-氧化铝芯块 氟的测定 高温水解-离子选择电极法

法国标准化协会，关于半电极氧化电位的标准

• NF T35-024*NF EN 17059:2018 电镀和阳极氧化线-安全要求
• NF A05-403*NF EN ISO 17475:2008 金属和合金的腐蚀.电化学试验方法.恒电位和动电位极化测量的实施指南
• NF EN ISO 2376:2019 铝及其合金阳极氧化电击穿电压和耐受电压的测定
• NF A91-483:2010 铝和铝合金的阳极氧化.绝缘击穿电压的测定
• NF T20-554:1989 工业过氧化氢.表观 pH 值 (pha) 的测定.电位测定法
• NF T90-260:2023 水质 分析方法的表征 水中氧化还原电位的测量

ES-UNE，关于半电极氧化电位的标准

• UNE-EN 17059:2018 电镀和阳极氧化线 安全要求
• UNE-EN ISO 2376:2019 铝及其合金的阳极氧化 击穿电压和耐受电压的测定

工业和信息化部，关于半电极氧化电位的标准

• YB/T 6047-2022 硼酸盐浸渍抗氧化石墨电极

行业标准-石油，关于半电极氧化电位的标准

• SY/T 6973-2013 石油岩石激发极化电位测量仪
• SY 6973-2013 石油岩石激发极化电位测量仪

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于半电极氧化电位的标准

• GB/T 23612-2017 铝合金建筑型材阳极氧化与阳极氧化电泳涂漆工艺技术规范

VN-TCVN，关于半电极氧化电位的标准

• TCVN 7594-2006 土质.氧化还原电位.现场方法

行业标准-电力，关于半电极氧化电位的标准

• DL/T 1480-2015 水的氧化还原电位测量方法

RU-GOST R，关于半电极氧化电位的标准

• GOST R 8.702-2010 确保测量一致性的国家体系.氧化还原电位(ORP)测定用测量电极.检定规程
• GOST ISO 27107-2016 动植物油脂. 采用电位终点法测定过氧化值

台湾地方标准，关于半电极氧化电位的标准

• CNS 8705-1982 硫酸阳极氧化处理电解液分析法
• CNS 8704-1982 草酸阳极氧化处理电解液分析法
• CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
• CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法

欧洲标准化委员会，关于半电极氧化电位的标准

• EN 17059:2018 电镀和阳极氧化生产线 安全要求
• EN ISO 17475:2008 金属和合金的腐蚀.电化学试验方法.恒电位和动电位极化测量的实施指南
• EN 12373-17:2001 铝和铝合金.阳极氧化.第17部分:电击穿电压的测定
• EN ISO 2376:2019 铝和铝合金的阳极氧化.绝缘击穿电压的测定
• EN ISO 2376:2010 铝和铝合金的阳极氧化.绝缘击穿电压的测定

日本工业标准调查会，关于半电极氧化电位的标准

• JIS H 8687:2013 铝和铝合金阳极氧化.电强度测定
• JIS C 6522:1996 多层印制电路板用半固化片.环氧树脂.浸渍玻璃布
• JIS H 8687:1996 铝和铝合金的阳极氧化覆层的介电强度的试验方法
• JIS H 8680-2:1998 铝和铝合金的阳极氧化膜厚度试验方法.涡流电流法

GOSTR，关于半电极氧化电位的标准

• GOST R 59012-2020 硬煤 通过电位滴定法测定氧化

PL-PKN，关于半电极氧化电位的标准

• PN T06513-02-1990 氧化还原电位值测量．工业分析仪
• PN C04603-04-1986 水和废水中氰化物测试．离子选择性电极电位滴定法测定游离化合氰化物和总氰化物

行业标准-海洋，关于半电极氧化电位的标准

• HY/T 192-2015 海水环境中金属材料动电位极化电阻测试方法

YU-JUS，关于半电极氧化电位的标准

• JUS C.T7.228-1984 铝和铝合金的阳极氧化．氧化物涂层厚度的测量．涡电流法

(美国)军事条例和规范，关于半电极氧化电位的标准

• ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
• ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
• ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
• ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
• ARMY MIL-M-63324 A-1981 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
• ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路

国际标准化组织，关于半电极氧化电位的标准

• ISO 2376:2019 铝及其合金阳极氧化击穿电压和耐受电压的测定
• ISO 11271:2022 土壤质量.氧化还原电位的测定.现场法
• ISO 23052:2020 铝及铝合金阳极氧化用电动势仪测定铝及其合金阳极氧化层耐化学腐蚀性的试验方法
• ISO 2376:2010 铝和铝合金的阳极氧化.绝缘击穿电压的测定
• ISO 3079:2022 醋酸双电极法测定铝及铝合金在氯化物溶液中的点蚀电位
• ISO 7669:1986 阳极氧化铝和铝合金.用光电反射计测量总反射率
• ISO 2376:1972 铝和铝合金的阳极氧化 绝缘性能的击穿电势检查法

PT-IPQ，关于半电极氧化电位的标准

• E 300-1974 阳极氧化铝，电镀表面检查．醋酸接触试验
• E 301-1974 阳极氧化铝，电镀表面检查．颜色吸收试验
• E 302-1974 阳极氧化铝，阳极电镀铝涂层的持续性检验．硫酸铜的测试

行业标准-有色金属，关于半电极氧化电位的标准

• YS/T 411-1998 铝电解用预焙阳极、阳极糊二氧化碳反应性的测定方法
• YS/T 710.1-2009 氧化钴化学分析方法.第1部分:钴量的测定.电位滴定法

AWS - American Welding Society，关于半电极氧化电位的标准

• A5.12M/A5.12-2009 电弧焊和切割用钨和氧化物分散钨电极规范（第七版）

澳大利亚标准协会，关于半电极氧化电位的标准

• IEC 61196-13:2023 同轴通信电缆 第13部分 二氧化硅电介质半刚性电缆截面规范

(美国)福特汽车标准，关于半电极氧化电位的标准

• FORD ESB-M64J27-A4-1993 氧化电位控制添加剂．列于标准ESB-M64J27-A1上

CZ-CSN，关于半电极氧化电位的标准

• CSN 44 1876-1982 铝土矿．氧化铬（Ⅲ）的测定．电位法和光度法
• CSN 44 1875-1983 铝土矿．钒氧化物含量的测定．电位法和光度法

行业标准-化工，关于半电极氧化电位的标准

• HG/T 4543-2013 水处理剂 缓蚀性能的测定 动电位极化曲线法

SE-SIS，关于半电极氧化电位的标准

• SIS SS-ISO 2376:1985 铝及其合金的阳极处理（阳极氧化）击穿电压测量的绝缘检查
• SIS SS-ISO 7669:1988 阳极氧化铝及合其金．使用光电反射计测量全反射率

行业标准-轻工，关于半电极氧化电位的标准

• QB/T 2459.2-2011 碱性锌-二氧化锰电池零配件 第2部分：负极底
• QB/T 2459.2-2022 碱性锌-二氧化锰电池零配件 第2部分：负极底
• QB/T 2459.1-2011 碱性锌-二氧化锰电池零配件 第1部分：正极钢壳
• QB/T 2459.1-2022 碱性锌-二氧化锰电池零配件 第1部分：正极钢壳

美国国家标准学会，关于半电极氧化电位的标准

• ANSI/AWS A5.12M/A5.12:2009 弧焊和切割用钨及含有氧化钨的钨电极规范
• ANSI/ISO 6848:2004 弧焊和切割用钨及含有氧化钨的钨电极规范

行业标准-机械，关于半电极氧化电位的标准

• JB/T 7948.2-1999 熔炼焊剂化学分析方法.电位滴定法测定氧化锰量

国家军用标准-总装备部，关于半电极氧化电位的标准

• GJB 760-1989 二氧化钚中钚总量测定的控制电位库仑法

行业标准-电子，关于半电极氧化电位的标准

• SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法

行业标准-兵工民品，关于半电极氧化电位的标准

• WJ 463-1995 电化学覆盖层 光学仪器用铝及铝合金阳极氧化层规范

行业标准-航天，关于半电极氧化电位的标准

• QJ 483-1990 铝及铝合金绝缘阳极氧化膜层击穿电压测试方法
• QJ 483-1979 铝及铝合金绝缘阳极氧化膜层介电强度试验方法

AASHTO - American Association of State Highway and Transportation Officials，关于半电极氧化电位的标准

• T 373M/T 373-2017 用于混凝土增强的钢筋的比较定性腐蚀特性的标准测试方法（线性极化电阻和动电位极化测试）

山西省标准，关于半电极氧化电位的标准

• DB14/T 692-2012 坚果类农产品 过氧化值的测定 自动电位滴定法

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于半电极氧化电位的标准

• JEDEC JEP184-2021 电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评估指南

TR-TSE，关于半电极氧化电位的标准

• TS 2393-1976 铝和铝合金的阳极氧化绝缘性能的击穿电势检查法

本站其他标准专题： 半电极氧化电位，半氧化电位。

 

可能用到的仪器设备