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分析 离子
本专题涉及分析 离子的标准有27条。
国际标准分类中，分析 离子涉及到天然气、分析化学、无机化学、长度和角度测量。
在中国标准分类中，分析 离子涉及到电子技术专用材料、天然气、钢铁与铁合金分析方法、工业气体与化学气体、无机盐、基础标准与通用方法。
US-ACEI，关于分析 离子的标准
- IPC TM-650 2.3.28-1995 电路板的离子分析离子色谱法
IPC - Association Connecting Electronics Industries，关于分析 离子的标准
- IPC TM-650 2.3.28A-2004 电路板的离子分析 离子色谱法
- IPC TM-650 2.3.28B-2012 电路板的离子分析 离子色谱法
行业标准-电子，关于分析 离子的标准
- SJ/T 10904-1996 电子玻璃中氟的分析 离子选择电极测定法
行业标准-石油，关于分析 离子的标准
- SY/T 7001-2014 醇胺脱硫溶液中热稳定盐阴离子组成分析 离子色谱法
- SY 7001-2014 醇氨脱硫溶液中热稳定盐阴离子组成分析 离子色谱法
法国标准化协会，关于分析 离子的标准
- NF A11-102:1977 铌铁的化学分析.离子交换树脂分离后对铌的分光光度法测定.
- NF T20-575:1966 专业用硫酸铵的化学分析.氯离子的分光光度法测定
- NF T20-585:1965 专业用硝酸铵的化学分析.氯离子的测定
- A08-652:1994 钛及钛合金的化学分析 等离子体发射光谱分析应遵循的规则
- NF ISO 17560:2006 表面化学分析 二次离子质谱分析 通过厚度分析确定硅中硼的剂量
英国标准学会，关于分析 离子的标准
- BS ISO 20411:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数动态二次离子质谱饱和强度校正方法
- BS ISO 17862:2022 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- 20/30409963 DC BS ISO 17862 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
- BS ISO 13084:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析 飞行时间二次离子质谱仪的质量标度校准
- BS ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
国家质检总局，关于分析 离子的标准
- GB/T 28726-2012 气体分析.氦离子化气相色谱法
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于分析 离子的标准
- GB/T 37182-2018 气体分析 等离子发射气相色谱法
国际标准化组织，关于分析 离子的标准
- ISO 16531:2020 表面化学分析 - 深度分析 - 离子束对准方法和相关的电流或电流密度测量 用于AES和XPS中的深度分析
- ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 13084:2011 表面化学分析.二次离子质谱分析法.飞行时间二次离子质谱仪用质量标度的校准
AT-ON，关于分析 离子的标准
- ONORM M 6283-1990 水质分析．离子交换层析法测定氟化物；氯化物；亚硝酸盐；磷酸盐；溴化物；硝酸盐和硫酸盐
美国材料与试验协会，关于分析 离子的标准
- ASTM E1577-95(2000) 用于表面分析的离子束参数报告的标准指南
- ASTM E1577-11 用于表面分析的离子束参数报告的标准指南
- ASTM E1577-04 用于表面分析的离子束参数报告的标准指南
韩国科技标准局，关于分析 离子的标准
- KS D ISO 17560-2003(2018) 表面化学分析-二次离子质量分析-硅内硼深度分布测量方法
KR-KS，关于分析 离子的标准
- KS D ISO 17560-2003(2023) 表面化学分析-二次离子质谱分析-硅内硼深度分布测定场法
