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半导体密封
本专题涉及半导体密封的标准有19条。
国际标准分类中，半导体密封涉及到密封件、密封装置、绝缘材料。
在中国标准分类中，半导体密封涉及到。
美国国防后勤局，关于半导体密封的标准
- DLA MIL-PRF-19500/610 E VALID NOTICE 1-2008 半导体器件，密封，二极管，硅，肖特基势垒，类型 1N6677-1 和 1N6677UR-1，JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
- DLA MIL-PRF-19500/610 E (1)-2012 半导体器件，密封，二极管，硅，肖特基势垒，类型 1N6677-1 和 1N6677UR-1，JAN，JANTX，JANTXV，JANS，JANHC 和 JANKC
- DLA MIL-PRF-19500/620 H-2011 半导体器件，密封，二极管，硅，整流器，肖特基势垒，类型 1N5822、1N5822US、1N6864、1N6864US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
中国团体标准，关于半导体密封的标准
- T/ICMTIA CM0035-2023 半导体硅材料制程装置用密封垫片
- T/QGCML 1407-2023 半导体光伏制造用双套管密封装置
德国机械工程师协会，关于半导体密封的标准
- VDI/VDE 3713 Blatt 8-1995 技术采购规范 半导体芯片用环氧树脂密封剂
(美国)军事条例和规范，关于半导体密封的标准
- ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 晶体振荡器(XO):方波为0.01赫兹-50兆赫的晶体管晶体管逻辑半导体系列(TTL)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/30 D-2008 晶体振荡器(XO):450千赫-100兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 晶体振荡器(XO):方波为0.05兆赫-10兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.0兆赫-85兆赫的高速互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.544赫兹-125兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为0.75赫兹-200兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1赫兹-100兆赫的1.8伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
- ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
