ZH

EN

KR

JP

ES

RU

Niederschlagspotential

Für die Niederschlagspotential gibt es insgesamt 490 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Niederschlagspotential die folgenden Kategorien: Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen, Prüfung von Metallmaterialien, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Elektrische und elektronische Prüfung, Erdölprodukte umfassend, Labormedizin, Desinfektion und Sterilisation, Anorganische Chemie, Tee, Kaffee, Kakao, Strahlenschutz, Ferrolegierung, Kernenergietechnik, Strahlungsmessung, Stapel, Lagerhaltung, Nichteisenmetalle, Metallerz, analytische Chemie, Getränke, organische Chemie, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, schwarzes Metall, Chemikalien, Isolierflüssigkeit, Optische Ausrüstung, Land-und Forstwirtschaft, chemische Produktion, Milch und Milchprodukte, Anlagen und Ausrüstung für die Lebensmittelindustrie, Ventil, Pulvermetallurgie, Wasserqualität, Schmierstoffe, Industrieöle und verwandte Produkte, Glas, Nichteisenmetallprodukte, Kraftstoff, Plastik, Luftqualität, Messung des Flüssigkeitsflusses, Einrichtungen im Gebäude, Abfall, Informatik, Verlagswesen, nichtmetallische Mineralien.


National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Niederschlagspotential

  • JJG 800-1993 Verifizierungsregelung des Potential-Stripping-Analysators

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Niederschlagspotential

  • KS C ISO 8167:2001 Projektionen zum Widerstandsschweißen
  • KS C ISO 8167:2016 Projektionen zum Widerstandsschweißen
  • KS C IEC 60746-5-2014(2019) Ausdruck der Leistung elektrochemischer Analysatoren – Teil 5: Oxidations-Reduktionspotential oder Redoxpotential
  • KS D ISO 6467-2002(2012) Ferrovanadium – Bestimmung des Vanadiumgehalts – Potentiometrische Methode
  • KS I ISO 7917:2014 Akustik – Messung des von Freihandsägen ausgehenden Luftschalls am Arbeitsplatz des Bedieners
  • KS M ISO 3012-2003(2018) Benzin, Kerosin und Destillatkraftstoffe – Prüfmethode für den Mercaptan-Schwefelgehalt – Potentiometer-Methode
  • KS D ISO 4947-2002(2017) Stahl und Gusseisen – Bestimmung des Vanadiumgehalts – Potentiometrische Titrationsmethode
  • KS D ISO 4140-2008(2018) Ferrochrom und Ferrosilicochrom – Bestimmung des Chromgehalts – Potentiometrische Methode
  • KS D ISO 7529-2012(2017) Nickellegierungen – Bestimmung des Chromgehalts – Potentiometrische Titrationsmethode mit Ammoniumeisen(II)sulfat
  • KS D ISO 4937-2002(2017) Stahl und Eisen – Bestimmung des Chromgehalts – Potentiometrische oder visuelle Titrationsmethode
  • KS I ISO 15682-2006(2016) Wasserqualität – Bestimmung von Chlorid durch Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrische oder potentiometrische Detektion
  • KS I ISO 15682:2021 Wasserqualität – Bestimmung von Chlorid durch Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrische oder potentiometrische Detektion
  • KS B ISO 10156:2018 Gasflaschen – Gase und Gasgemische – Bestimmung des Brandpotenzials und der Oxidationsfähigkeit für die Auswahl von Flaschenventilausgängen

AT-ON, Niederschlagspotential

  • ONORM EN 28167-1992 Projektionen zum Widerstandsschweißen
  • ONORM A 1500-1995 Elektronisches Publizieren – Standardisierte codierte Grafikzeichensätze zur Verwendung in 8-Bit-Codes für professionelles elektronisches Publizieren
  • ONORM EN 23909-1994 Hartmetalle. Bestimmung von Kobalt. Potentiometrische Methode (ISO 3909:1976)
  • OENORM EN ISO 20046:2021 Strahlenschutz – Leistungskriterien für Labore, die den Fluoreszenz-In-Situ-Hybridisierungs-Translokationstest (FISH) zur Bewertung der Exposition gegenüber ionisierender Strahlung verwenden (ISO 20046:2019)

European Committee for Standardization (CEN), Niederschlagspotential

  • EN ISO 8167:2021 Widerstandsschweißen – Prägebuckelschweißen – Buckel zum Widerstandsschweißen (ISO 8167:2021)
  • prEN ISO 12183 rev Kernbrennstofftechnologie – Coulometrische Analyse von Plutonium mit kontrolliertem Potential

International Organization for Standardization (ISO), Niederschlagspotential

  • ISO 8167:1989 Projektionen zum Widerstandsschweißen
  • ISO/CD 12183:2023 Kernbrennstofftechnologie – Coulometrische Analyse von Plutonium mit kontrolliertem Potential
  • ISO/CD 20263:2023 Mikrostrahlanalyse – Analytische Elektronenmikroskopie – Methode zur Bestimmung der Grenzflächenposition im Querschnittsbild der Schichtmaterialien
  • ISO 20263:2017 Mikrostrahlanalyse – Analytische Elektronenmikroskopie – Methode zur Bestimmung der Grenzflächenposition im Querschnittsbild der Schichtmaterialien
  • ISO 182-4:1993 Kunststoffe; Bestimmung der Tendenz von Verbindungen und Produkten auf Basis von Vinylchlorid-Homopolymeren und -Copolymeren, bei erhöhten Temperaturen Chlorwasserstoff und andere saure Produkte zu entwickeln; Teil 4: Potentiometrische Methode

Professional Standard - Light Industry, Niederschlagspotential

  • QB/T 1864-1993 Bestimmung von Blei in Kosmetika durch Potenzialentfernungsmethode

工业和信息化部, Niederschlagspotential

  • YB/T 4676-2018 Analyse ausgefällter Phasen in Stahl mittels Transmissionselektronenmikroskopie
  • YB/T 4700-2018 Bestimmung der Menge der ausgefällten Phase von Mangansulfid in Eisen und Stahl durch elektrolytische Trennflammen-Atomabsorptionsspektrometrie
  • YS/T 645-2017 Methoden zur chemischen Analyse von Goldverbindungen. Bestimmung der Goldmenge. Potentiometrische Titrationsmethode für Eisensulfat
  • YB/T 4799-2018 Bestimmung der ausgeschiedenen Phasenmenge von Aluminiumnitrid in Stahl durch elektrolytische Trennung und Atomemissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma
  • YB/T 4174.3-2022 Analysemethoden für Calcium-Silizium-Legierungen Teil 3: Bestimmung des Calciumoxidgehalts durch potentiometrische Titration
  • YS/T 1157.4-2016 Methoden zur chemischen Analyse von rohem Kobalthydroxid Teil 4: Bestimmung des Mangangehalts durch potentiometrische Titration
  • YS/T 1585.1-2022 Methoden zur chemischen Analyse von Silber-Wolfram-Legierungen Teil 1: Bestimmung des Silbergehalts durch potentiometrische Titration
  • YS/T 1569.2-2022 Methoden der chemischen Analyse von Lithium-Nickel-Manganat Teil 2: Bestimmung des Mangangehalts durch potentiometrische Titration
  • YS/T 1263.2-2018 Methoden zur chemischen Analyse von Lithium-Nickel-Kobaltaluminat Teil 2: Bestimmung des Kobaltgehalts durch potentiometrische Titration
  • YS/T 1157.1-2016 Methoden zur chemischen Analyse von rohem Kobalthydroxid Teil 1: Bestimmung des Kobaltgehalts durch potentiometrische Titration
  • YS/T 1332.1-2019 Methoden zur chemischen Analyse von Rohkupfer- und Kobaltrohstoffen Teil 1: Bestimmung des Kobaltgehalts durch potentiometrische Titration
  • YS/T 1472.1-2021 Methoden zur chemischen Analyse von Lithium-reichen Kathodenmaterialien auf Manganbasis Teil 1: Bestimmung des Mangangehalts durch potentiometrische Titration
  • YS/T 1472.2-2021 Methoden zur chemischen Analyse von Lithium-reichen Mangan-basierten Kathodenmaterialien Teil 2: Bestimmung des Kobaltgehalts durch potentiometrische Titration
  • YS/T 1489.1-2021 Methoden zur chemischen Analyse von Kobalt-Chrom-Wolfram-Legierungspulvern Teil 1: Bestimmung des Kobaltgehalts durch potentiometrische Titrationsmethode
  • YS/T 1330.1-2019 Methoden zur chemischen Analyse von Kobalt-Chrom-Porzellanlegierungen Teil 1: Bestimmung des Kobaltgehalts mittels Iodometrie und potentiometrischer Titration
  • YS/T 1342.3-2019 Methoden zur chemischen Analyse von Sekundärbatterieabfällen Teil 3: Bestimmung des Mangangehalts durch potentiometrische Titration und Flammen-Atomabsorptionsspektrometrie
  • YS/T 1342.2-2019 Methoden zur chemischen Analyse von Sekundärbatterieabfällen Teil 2: Bestimmung des Kobaltgehalts durch potentiometrische Titration und Flammen-Atomabsorptionsspektrometrie

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Niederschlagspotential

  • CNS 12865-1-1991 Testmethode für digitale Mikroelektronik (hohe Ausgangsspannung)
  • CNS 12865-2-1991 Testmethode für digitale Mikroelektronik (niedrige Ausgangsspannung)
  • CNS 12865.2-1991 Testmethode für digitale Mikroelektronik (niedrige Ausgangsspannung)
  • CNS 12865.1-1991 Testmethode für digitale Mikroelektronik (hohe Ausgangsspannung)

Defense Logistics Agency, Niederschlagspotential

  • DLA SMD-5962-89697 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 16-BIT, DAC MIT SPANNUNGSAUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/10612-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGANGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA MIL-M-38510/473 A-1983 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, MONOLITHISCHER 8-BIT-EINGANGS-/AUSGANGSPORT
  • DLA MIL-M-38510/473 A VALID NOTICE 3-2010 Mikroschaltungen, digital, CMOS, monolithischer 8-Bit-Eingangs-/Ausgangsport
  • DLA MIL-M-38510/473A VALID NOTICE 1-2001 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, MONOLITHISCHER 8-BIT-EINGANGS-/AUSGANGSPORT
  • DLA SMD-5962-94662 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 10-BIT, SPANNUNGSAUSGANG, D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/12661-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, 18 BIT, SPANNUNGSAUSGANG DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/12661 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, 18 BIT, SPANNUNGSAUSGANG DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-84095 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-VERSCHIEBUNGSREGISTER MIT PARALLELEIN/SERIELLEN AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-84162 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT SERIELLER EIN/PARALLEL AUSGANG SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89697 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 16-BIT, DAC MIT SPANNUNGSAUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-94662-1995 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 10-BIT, SPANNUNGSAUSGANG, D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-87806 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/04696 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER MIT 3 ZUSTANDSAUSGANGSREGISTERN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-89629 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 8-BIT-ANALOG-E/A-SYSTEM, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER, ULTRAHOHE GESCHWINDIGKEIT, AUSGANGSKLEMME, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-90501 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT SERIELLER/PARALLEL-EIN, SERIELLER AUSGANG-SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96556 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT SERIELLES EIN-/PARALLELAUS-VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96556 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT SERIAL-IN/PARALLEL-OUT-SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96556 REV G-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT SERIELLES EIN-/PARALLELAUS-VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96556 REV H-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT SERIAL-IN/PARALLEL-OUT-SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89974 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, HOCHGESCHWINDIGKEIT, AUSGANGSKLEMME, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-86870 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, 8-BIT, PARALLEL-OUT-SERIELLE SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-88659 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 12-BIT-SPANNUNGSAUSGANG-D/A-KONVERTER, MIKROPROZESSOR-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/12662-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STROMAUSGANG/SERIELLER EINGANG, 16 BIT, DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-88659 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 12-BIT-SPANNUNGSAUSGANG-D/A-KONVERTER, MIKROPROZESSOR-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92247 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 10-BIT-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96558 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT SERIAL/PARALLEL-IN, SERIAL-OUT SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96558 REV F-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT SERIAL/PARALLEL-IN, SERIAL-OUT SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89436 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89704 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT SERIELLES IN/PARALLEL OUT SHIFT REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96558 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT SERIAL/PARALLEL-IN, SERIAL-OUT SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS 64-BIT-AUSGANGSKORRELATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/08628-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, VIERKANAL, 14 BIT, 125 MSPS ADC MIT SERIELLEN LVDS-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/08628 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, VIERKANAL, 14 BIT, 125 MSPS ADC MIT SERIELLEN LVDS-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-94682-1994 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, AUSGANGSKLEMME, PROGRAMMIERBARE HOCHGESCHWINDIGKEIT, PUFFERVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95667 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DOPPELTER SERIELLER EINGANG, SPANNUNGSAUSGANG, 12-BIT-VERVIELFACHTER DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92258 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLER CMOS, 16-BIT-BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-88602 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, 16-BIT, SERIELLER EIN-, SERIELLER AUSGANG, SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-88607 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, NIEDRIGER ENERGIE-SCHOTTKY-TTL, 16-BIT, PARALLEL-IN, SERIELLER AUSGANG, SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92225 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE-D-REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-88711 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER SCHOTTKY, 8-BIT-IDENTITÄTSVERGLEICHER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/04724 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-DWG-V62/12663-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, VIERFACH, STROMAUSGANG, SERIELLER EINGANG, 16-BIT-DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-05211 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-D-TYP-LATCH MIT BUSHALTUNG, SERIE-AUSGANGSWIDERSTÄNDE UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-06238 REV B-2009 MIKROKREIS, DIGITAL, ADVANCED CMOS STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT-UNIVERSAL-SHIFT-/SPEICHERREGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-99540 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, 10-BIT, 20 MSPS PARALLELAUSGANG CMOS, ANALOG-DIGITAL-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA MIL-M-38510/250 VALID NOTICE 4-2010 Mikroschaltungen, digital, CMOS, 512 x 9 Bit, First-In-First-Out-Dual-Port-Speicher (FIFO), monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-90501 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT SERIELLER/PARALLEL-EIN, SERIELLER AUSGANG-SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-86855 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-VERSCHIEBUNGSREGISTER MIT PARALLELEIN/SERIELLEN AUSGABE UND LS-TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96557 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT SERIELLES IN/PARALLEL AUS-VERSCHIEBUNGSREGISTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96557 REV E-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT SERIELLES IN/PARALLEL AUS-VERSCHIEBUNGSREGISTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95663 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT SERIELLES IN/PARALLEL OUT SHIFT REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-04235 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, RESOLVER-TODIGITAL-KONVERTER, 16-BIT, TRACKING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95512 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, QUAD, 8-BIT-SPANNUNGSAUSGANG, SERIELLER D/A-KONVERTER MIT FEEDBACK, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95746 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT-UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-02507 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-90760 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, LINEAR, 16-BIT, 7 VOLT, AMP-AUSGANGSANTRIEB, DIGITAL-SYNCHRO-KONVERTER
  • DLA SMD-5962-04212 REV A-2011 MIKROKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-BIT BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-92257 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 16-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREISTATUS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92225 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE-D-REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTEM AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92216 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, UNIVERSAL-SCHIEBREGISTER MIT ACHT EINGÄNGEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92257 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 16-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREISTATUS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-05210 REV D-2012 Mikroschaltung, digital, strahlungsgehärtet, Niederspannungs-CMOS, 16-Bit-Bus-Puffer mit Bus-Haltefunktion, Reihenausgangswiderstände und Drei-Zustands-Ausgänge, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-05212 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT BUS-HALTEN, SERIE-AUSGANGSWIDERSTÄNDE UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-05213 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT BUSHALTEN, SERIE-AUSGANGSWIDERSTÄNDE UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96559 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT SERIELLER/PARALLEL-EIN, SERIELLER AUSGANG SHIFT REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/09605-2009 MIKROSCHALTER, DIGITAL, 16-BIT-DUAL-VERSORGUNGSBUS-TRANSCEIVER MIT KONFIGURIERBARER SPANNUNGSUMSETZUNG UND 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/09615-2009 MIKROSCHALTER, DIGITAL, 8-BIT-DUAL-VERSORGUNGSBUS-TRANSCEIVER MIT KONFIGURIERBARER SPANNUNGSUMSETZUNG UND 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/12667-2013 MIKROSCHALTER, DIGITAL, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DUALER VERSORGUNG, KONFIGURIERBARER SPANNUNGSUMSETZUNG UND 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/09604 REV A-2008 MIKROKREIS-, DIGITAL-, DUAL-BIT-, DUAL-VERSORGUNGSBUS-TRANSCEIVER MIT KONFIGURIERBARER SPANNUNGSÜBERSETZUNG UND 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/09608 REV A-2008 MIKROKREIS-, DIGITALER, EIN-BIT-DUAL-VERSORGUNGSBUS-TRANSCEIVER MIT KONFIGURIERBARER SPANNUNGSÜBERSETZUNG UND 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-99534-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-99535-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-04210 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-92271 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHT INVERTIERENDER 16-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT SERIEWIDERSTAND UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96780 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 3,3-V-16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT Äquivalenten 22-OHM-A-PORT-AUSGANGSWIDERSTÄNDEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT SERIELLES IN/PARALLEL OUT SHIFT REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER MIT TRI-STATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-02508 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT BUSHALTEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 MIKROSCHALTER, DIGITALER, BIPOLARER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERENDEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-99505-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-99507-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 10-BIT-BUS-SCHALTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN UND PEGELVERSCHIEBUNG, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-94601 REV C-2008 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testgerät mit 18-Bit-Bus-Transceiver, dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, OKTALER BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89758-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELL, 9-BIT-GEPUFFERTER, NICHT-INVERTIERENDER LATCH, DREI-ZUSTANDS-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96890 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 18-BIT-GTL/LVT-UNIVERSAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-06245 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, 16-BIT-D-FLIP-FLOP, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE und DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-06245 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, 16-BIT-D-FLIP-FLOP, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE und DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-06239 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT PARALLELFEHLERERKENNUNG UND KORREKTURSCHALTUNG, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-06239 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT PARALLELFEHLERERKENNUNG UND KORREKTURSCHALTUNG, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89986 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, LINEAR, 16-BIT, DIGITAL-zu-SYNCHRO- und DIGITAL-zu-Resolver-Wandler
  • DLA SMD-5962-92280 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 18-BIT-BUS-SCHNITTSTELLENREGISTER MIT SERIEWIDERSTAND UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-93020-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, OKTALER BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT STROMBEGRENZUNGSWIDERSTÄNDEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92240 REV A-1996 MIKROSCHALTER, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT NICHTINVERTIERENDEN OPEN-DRAIN-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92242 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92243-1993 DIGITALER, SCHNELLER CMOS-OKTAL-INVERTIERENDER BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT MIKROKREISKREIS, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92246 REV B-1996 Mikroschaltkreis, digital, schnelles CMOS, oktaler Transceiver/Register mit drei Zuständen, TTL-kompatible Eingänge und begrenzte Ausgangsspannungsschwankung, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-92259 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHT INVERTIERENDER TRANSPARENTER 16-BIT-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92263 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, 16-BIT-VERRIEGELTER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92264 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 16-BIT-TRANSCEIVER/REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92268 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHT INVERTIERENDER TRANSPARENTER 20-BIT-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-85517 REV A-2005 MIKROKREIS, DIGITAL, ZÄHLER/TIMER UND PARALLEL-E/A-EINHEIT, N-KANAL, MONOLITHISCHES SILIKON-GATE
  • DLA SMD-5962-99506-1999 MIKROKREIS, DIGITAL, CMOS, 10-BIT-BUS-AUSTAUSCH-SCHALTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN UND PEGELVERSCHIEBUNG, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 8192 BIT, SCHALTBAR, SCHOTTKY, BIPOLARER PROM MIT TRI-STATE-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-32-BIT-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/06654 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3 V ABT 16-BIT TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-88575 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 10-BIT-NICHTINVERTIERENDER BUS-SCHNITTSTELLEN-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-96827 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT-DIAGNOSE-SCAN-REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-94646 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DIGITAL ZU SYNCHRO/RESOLVER-KONVERTER, MIKROPROZESSOR-KOMPATIBEL, 16-BIT, HYBRID
  • DLA SMD-5962-92270 REV D-1997 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 16-BIT-INVERTIERENDER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT SERIEWIDERSTAND UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92272 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, 16-BIT-BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT SERIEWIDERSTAND UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92276 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, REGISTRIERTER 18-BIT-TRANSCEIVER MIT SERIEWIDERSTAND UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92278 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 16-BIT-TRANSCEIVER/REGISTER MIT SERIEWIDERSTAND UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92282-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 20-BIT-NICHTINVERTIERENDER TRANSPARENTER LATCH MIT STROMBEGRENZUNGSWIDERSTÄNDEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92283 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLER CMOS, 16-BIT REGISTRIERTER TRANCEIVER MIT SERIEWIDERSTAND UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-93025-1996 MIKROKALTER, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, NICHT INVERTIERENDER TRANSPARENTER LATCH MIT STROMBEGRENZUNGSWIDERSTÄNDEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/05606 REV B-2011 DIGITALER MIKROSCHALTER, 8-BIT-UNIVERSAL-BUS-TRANSCEIVER UND ZWEI 1-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT GETEILTEM LVTTL-PORT, FEEDBACK-PFAD UND 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS, OFFENE KOLLEKTOR-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY, TTL, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/05612 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 16 BIT 2,5 V BIS 3,3 V / 3,3 V BIS 5 V PEGELVERSCHIEBENDER TRANSCEIVER MIT 3 ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/03602 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 16-BIT D-TYPE TRANSPARENTER LATCH MIT 3-STATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92200 REV B-2013 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 10-BIT-TRANSPARENTER LATCH MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-91609 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT-DIAGNOSEREGISTER MIT DREISTATUS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92018 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-BUSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-95618 REV B-2013 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT TRANSPARENTER LATCH MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92204 REV A-1996 MIKROSCHALTER, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, NICHT INVERTIERENDER, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTEM AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92228-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-LATCH MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTEM AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92237 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLER CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 DIGITALE, BIPOLARE, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNGS-SCHOTTKY-, TTL-, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND -REGISTER MIT MIKROSCHALTUNG, MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS- UND OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 4-BIT-VOREINSTELLBARER BINÄRZÄHLER MIT ASYNCHRONEM RESET, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92281-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHT INVERTIERENDER 20-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT STROMBEGRENZUNGSWIDERSTÄNDEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-93019-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLER CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT STROMBEGRENZUNGSWIDERSTÄNDEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, INVERTIERENDER OKTALPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-81017 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 4-BIT-PARALLEL-IN/PARALLEL-OUT-VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-PUFFER-GATES MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-89989-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-94528 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALES 16-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/04711 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-16-BIT-EDGE-TRIGGERED-D-TYP-FLIP-FLOP MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-18-BIT-UNIVERSAL-BUS-TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/04722 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 3,3 V ABT 32-BIT EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP MIT 3-STATE-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92232-1993 DIGITALER, SCHNELLER CMOS-OKTALPUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT MIKROKREISKREIS, MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTEM AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-98542 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 3,3 VOLT 16-BIT EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-Flop mit BUS-Haltefunktion, äquivalente 22-Ohm-Ausgangswiderstände, Dreizustandsausgänge und TTL-kompatible Eingänge, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-STUFIGES SHIFT REGISTER/LATCH MIT DREI-ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-BIT BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA DSCC-VID-V62/03603 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT D-TYP EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOP MIT 3-STATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-BUS-TRASCEIVER MIT DREI-ZU-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-91611 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT-D-FLIP-FLOP, POSITIV-FLANKEN-TRIGGERUNG MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95619 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 16-BIT-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92024 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-D-TYP-TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-98580 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, ADVANCED CMOS, SCHMITT 16-BIT BIDIREKTIONALER MEHRZWECK-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-98580 REV H-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, ADVANCED CMOS, SCHMITT 16-BIT BIDIREKTIONALER MEHRZWECK-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-98580 REV J-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, ADVANCED CMOS, SCHMITT 16-BIT BIDIREKTIONALER MEHRZWECK-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-06243 REV B-2011 Mikroschaltung, digital, strahlungsgehärtetes CMOS, 16-Bit-Puffer/Leitungstreiber, TTL-kompatible Eingänge und Drei-Zustands-Ausgänge, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-89722-1989 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, ADVANCED SCHOTTKY, TTL, OKTAL 30-OHM ÜBERTRAGUNGSLEITUNGS-/BACKPLANE-TRANSCEIVERS NINV (OFFENER KOLLEKTOR MIT ENABLE MIT DREI STAATEN), MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-96774 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT 25-Ohm-SERIEWIDERSTÄNDEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92260 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 16-BIT-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92267 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHT INVERTIERENDER 20-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTEM AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-97638 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 3,3 VOLT 16-BIT TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT BUS-HALTUNG, Äquivalente 22-OHM-AUSGANGSWIDERSTÄNDE, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE UND TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-98542 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 3,3 VOLT 16-BIT EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-Flop mit BUS-Haltefunktion, äquivalente 22-Ohm-Ausgangswiderstände, Dreizustandsausgänge und TTL-kompatible Eingänge, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-TRANSPARENTE D-TYP-LATCHES MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-84162 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT SERIELLER EIN/PARALLEL AUSGANG SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-00529-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSCEIVER/REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-89732-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-95578 REV B-2009 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, registrierter 36-Bit-Bus-Transceiver mit dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-94508 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-94671 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 18-BIT-UNIVERSAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-02508 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT BUSHALTE- UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-92274 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 16-BIT-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT SERIEWIDERSTAND UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-93026-1995 MIKROKALTER, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, D-TYP-FLIP-FLOP MIT STROMBEGRENZUNGSWIDERSTÄNDEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-06240 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, 9-BIT LATCHBARER TRANSCEIVER MIT PARITÄTSGENERATOR/-PRÜFER MIT NICHT-INVERTIERENDEM DREI-ZUSTANDS-AUSGANG, TTL-KOMPATIBLE EIN- UND AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-11207 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, 16-BIT-DUAL-VERSORGUNGSBUS-TRANSCEIVER UND PEGELUMSETZER MIT BUSHALTERUNG, A-SERIE-WIDERSTÄNDEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-97638 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 3,3 VOLT 16-BIT TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT BUS-HALTUNG, Äquivalente 22-OHM-AUSGANGSWIDERSTÄNDE, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE UND TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER NIEDRIGER ENERGIE-SHOTTKY, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT PARALLEL-IN SERIAL-OUT SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92025 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT D-TYP EDGE-GETriggertes FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-91610 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 9-BIT-D-FLIP-FLOP, POSITIV-FLANKEN-GETRIEBEN, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-06234 REV A-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, ADVANCED CMOS, SCHMITT 16-BIT BIDIREKTIONALER MEHRZWECK-REGISTRIERTER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-93250 REV A-2005 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN UND 25-OHM-PULL-DOWN-WIDERSTÄNDEN IN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92215 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT ASYNCHRONEM MASTER-RESET, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DREI-ZUSTANDS-OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-89724 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, OCTAL-D-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-94502 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 10-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-92199 REV B-2013 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches CMOS, 10-Bit-Puffer/Leitungstreiber mit nichtinvertierenden Drei-Zustands-Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-90720 REV B-2009 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCHES MIT DREI ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-95646 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 20-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-94587 REV C-2009 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, nichtinvertierender 16-Bit-Puffer/Leitungstreiber mit Reihenwiderstand und dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-02543-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES, FORTGESCHRITTENES CMOS, SCHMITT 16-BIT BIDIREKTIONALER MEHRZWECK-NIEDERSPANNUNGS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-89795 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALER BUS-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-90686-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX-WECHSELRICHTER MIT OFFENEN DRAIN-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 10-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, 12-BIT-CMOS-DIGITAL-ANALOG-KONVERTER MIT AUSGANGSVERSTÄRKER UND REFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-93201 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-96769 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-94501 REV B-2009 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, 16-Bit-Puffer/Treiber mit nicht invertierenden Drei-Zustands-Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
  • DLA SMD-5962-96775 REV B-2010 MIKROSCHALTER, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-EINFALLWELLEN-SCHALTER-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
  • DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, 8-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOPS MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA SMD-5962-11207 REV A-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTEN, 16-BIT-DUAL-VERSORGUNGSBUS-TRANSCEIVER UND PEGELUMSETZER MIT BUSHALTERUNG, A-SERIE-WIDERSTÄNDEN UND DREISTATUS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM

Professional Standard - Electricity, Niederschlagspotential

  • DL/T 429.7-2017 Bestimmungsmethode der Ölschlammfällung für elektrische Energie

Danish Standards Foundation, Niederschlagspotential

  • DS 218:1975 Wasseranalyse. Potentiometrische Bestimmung von Flurid
  • DS/EN ISO 20046:2021 Strahlenschutz – Leistungskriterien für Labore, die den Fluoreszenz-In-Situ-Hybridisierungs-Translokationstest (FISH) zur Bewertung der Exposition gegenüber ionisierender Strahlung verwenden (ISO 20046:2019)
  • DS/EN ISO 15682:2002 Wasserqualität – Bestimmung von Chlorid durch Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrische oder potentiometrische Detektion

Professional Standard - Hygiene , Niederschlagspotential

  • WS/T 19-1996 Urin. Bestimmung von Blei. Differenzielle potentiometrische Stripping-Methode
  • WS/T 21-1996 Blut. Bestimmung von Blei. Differenzielle potentiometrische Stripping-Methode
  • WS/T 33-1996 Urin.Bestimmung von Cadmium.Differentiales potentiometrisches Stripping-Verfahren

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Niederschlagspotential

  • GB/T 32668-2016 Analyse des Zetapotentials von Kolloiden. Richtlinien zur Elektrophorese
  • GB/T 20245.5-2013 Ausdruck der Leistung elektrochemischer Analysatoren. Teil 5: Oxidations-Reduktionspotential oder Redoxpotential
  • GB/T 8704.5-1994 Methoden zur chemischen Analyse von Ferrovanadium. Die potentiometrische Methode zur Bestimmung des Vanadiumgehalts
  • GB/T 43088-2023 Methode zur Bestimmung der Versetzungsdichte in metallischen Dünnkristallproben mittels Mikrostrahlanalyse und Elektronenmikroskopie
  • GB/T 43087-2023 Methode zur Bestimmung der Grenzflächenposition in Querschnittsbildern von Schichtmaterialien mittels Mikrostrahlanalyse und Elektronenmikroskopie
  • GB/T 223.20-1994 Methoden zur chemischen Analyse von Eisen, Stahl und Legierungen. Die potentiometrische Titrationsmethode zur Bestimmung des Kobaltgehalts
  • GB/T 23273.1-2009 Methoden zur chemischen Analyse von Kobaltoxalat. Teil 1: Bestimmung des Kobaltgehalts. Potentiometrische Titrationsmethode
  • GB/T 15072.2-2008 Prüfverfahren für Edelmetalllegierungen.Bestimmung des Silbergehalts für Silberlegierungen.Potentionmeter-Titration mit Natriumchlorid
  • GB/T 17680.10-2003 Kriterien für die Notfallplanung und -bereitschaft von Kernkraftwerken. Kriterien für die Notfallüberwachung, Probenahme und Analyse radiologischer Felder durch Betreiberorganisationen von Kernkraftwerken
  • GB/T 15072.5-2008 Prüfverfahren für Edelmetalllegierungen.Bestimmung des Silbergehalts für Gold- und Palladiumlegierungen.Potentionmeter-Titration mit Kaliumiodid
  • GB/T 42513.1-2023 Methoden der chemischen Analyse von Nickellegierungen – Teil 1: Bestimmung des Chromgehalts durch potentiometrische Titration von Eisen-Ammoniumsulfat
  • GB/T 15072.1-2008 Prüfverfahren für Edelmetalllegierungen. Bestimmung des Goldgehalts für Gold-, Platin- und Palladiumlegierungen. Potentiometrische Titration mit Eisensulfat
  • GB/T 3884.12-2023 Methoden der chemischen Analyse von Kupferkonzentraten – Teil 12: Bestimmung des Fluor- und Chlorgehalts mittels Ionenchromatographie und potentiometrischer Titration

Association Francaise de Normalisation, Niederschlagspotential

  • NF T20-284:1970 Chemische Analyse von Salpetersäure. Potentiometrische Bestimmung von Chloriden.
  • NF A10-910:1977 Chemische Analyse von Ferro-Vanadium. Potentiometrische Bestimmung von Vanadium.
  • NF M60-413*NF EN ISO 12183:2019 Kernbrennstofftechnologie – Coulometrische Analyse von Plutonium mit kontrolliertem Potenzial
  • NF A06-102:1969 Chemische Analyse von Manganerzen. Potentiometrische Bestimmung von Mangan.
  • NF T20-741:1967 Chemische Analyse von Malein- und Phthalsäureanhydriden. Potentiometrische Bestimmung der freien Säure.
  • NF T90-260:2023 Wasserqualität – Charakterisierung von Analysemethoden – Messung des Redoxpotentials im Wasser
  • NF M60-221*NF EN ISO 20046:2021 Strahlenschutz – Leistungskriterien für Labore, die den Fluoreszenz-in-situ-Hybridisierungs-Translokationstest (FISH) zur Beurteilung der Exposition gegenüber ionisierender Strahlung verwenden
  • NF A06-331*NF EN 10071:2012 Chemische Analyse von Eisenwerkstoffen – Bestimmung von Mangan in Stählen und Eisen – Elektrometrische Titrationsmethode
  • NF A06-331:1989 Chemische Analyse von Eisenmaterialien. Bestimmung von Mangan in Stählen und Eisen. Elektrometrische Titrationsmethode.
  • NF A81-317:1980 MASSIVE BLANKE ELEKTRODENDRÄHTE ZUM SYBMERGED-LICHTBOGENSCHWEISSEN, AUFLAGEN EINES HITZEBESTÄNDIGEN STAHLS. SYMBOLISIERUNG. SPEZIFIKATIONEN.
  • NF A81-347:1979 MANUELLE METALLLICHTBOGENSCHWEISSELEKTRODEN ZUM AUFTRAGEN EINES METALLS ZUR VERWENDUNG BEI NIEDRIGEN TEMPERATUREN. SYMBOLISIERUNG. FÜLLSTOFFE.
  • NF EN ISO 10156:2017 Gasflaschen - Gase und Gasgemische - Bestimmung der Entflammbarkeit und des Oxidationspotentials für die Wahl der Ventilausgangsanschlüsse
  • NF EN ISO 20046:2021 Strahlenschutz – Leistungskriterien für Laboratorien, die die Analyse von Translokationen, die durch Fluoreszenz-in-situ-Hybridisierung (FISH) sichtbar gemacht werden, verwenden, um die Exposition gegenüber ionisierender Strahlung zu beurteilen
  • NF EN ISO 15682:2001 Wasserqualität – Chloriddosierung durch Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrische oder potentiometrische Erkennung
  • NF EN 17200:2023 Bauprodukte: Evaluierung der Emission gefährlicher Stoffe – Analyse anorganischer Stoffe in Gärresten und Abwässern – Massenspektrometeranalyse mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)
  • NF T51-785-4*NF EN ISO 182-4:2000 Kunststoffe – Bestimmung der Tendenz von Verbindungen und Produkten auf Basis von Vinylchlorid-Homopolymeren und -Copolymeren, bei erhöhten Temperaturen Chlorwasserstoff und andere saure Produkte zu entwickeln – Teil 4: Potentiometrische Methode
  • NF EN 50216-2/A1:2003 Zubehör für Leistungstransformatoren und Drosselspulen – Teil 2: Schutzrelais (Gasentwicklung, Ölstand) für Transformatoren und Drosseln, die in ein mit einem Konservierungsmittel versehenes flüssiges Dielektrikum eingetaucht sind
  • NF EN 50216-2:2002 Zubehör für Leistungstransformatoren und Drosselspulen – Teil 2: Schutzrelais (Gasentwicklung, Ölstand) für Transformatoren und Drosseln, die in ein mit einem Konservierungsmittel versehenes flüssiges Dielektrikum eingetaucht sind
  • NF X20-704:2007 Elektronischer Atemalkoholtester der Klasse 2 – Abschätzung der Alkoholimprägnierung durch Analyse der ausgeatmeten Luft – Spezifikationen und Testmethoden.
  • NF A81-324:1981 KOMBINATIONEN AUS BLITZEN FESTMETALL-ELEKTRODENDRÄHTEN UND LEISTUNGSFLÜSSEN ZUM ELEKTROLICHTBOGENSCHWEISSEN, ZUM AUFTRAGEN VON EDELSTAHL UND/ODER FEUERFESTEM STAHL. SYMBOLISIERUNG. ANFORDERUNGEN. PRÜFEN.

German Institute for Standardization, Niederschlagspotential

  • DIN 10807:1996 Analyse von Tee – Bestimmung des Fluoridgehalts – Potentiometrische Methode
  • DIN EN ISO 12183:2019-12 Kernbrennstofftechnologie – Coulometrische Analyse von Plutonium mit kontrolliertem Potential (ISO 12183:2016); Deutsche Fassung EN ISO 12183:2019
  • DIN IEC 60746-5:1996-07 Leistungsausdruck elektrochemischer Analysatoren – Teil 5: Oxidations-Reduktionspotential oder Redoxpotential (IEC 60746-5:1992)
  • DIN 10807:1996-02 Analyse von Tee – Bestimmung des Fluoridgehalts – Potentiometrische Methode
  • DIN EN ISO 12183:2019 Kernbrennstofftechnologie – Coulometrische Analyse von Plutonium mit kontrolliertem Potential (ISO 12183:2016)
  • DIN EN 12634:1999 Erdölprodukte und Schmierstoffe – Bestimmung der Säurezahl – Nichtwässriges potentiometrisches Titrationsverfahren; Deutsche Fassung EN 12634:1998
  • DIN EN ISO 182-4:2001 Kunststoffe – Bestimmung der Tendenz von Verbindungen und Produkten auf Basis von Vinylchlorid-Homopolymeren und -Copolymeren, bei erhöhten Temperaturen Chlorwasserstoff und andere saure Produkte zu entwickeln – Teil 4: Potentiometrisches Verfahren (ISO 182-4:1993); Ger
  • DIN EN ISO 15682:2002-01 Wasserqualität – Bestimmung von Chlorid durch Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrische oder potentiometrische Detektion (ISO 15682:2000); Deutsche Fassung EN ISO 15682:2001
  • DIN EN ISO 15682:2002 Wasserqualität – Bestimmung von Chlorid mittels Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrischer oder potentiometrischer Detektion (ISO 15682:2000); Deutsche Fassung EN ISO 15682:2001

PL-PKN, Niederschlagspotential

  • PN T06513-02-1990 Messung des Redoxpotentialwerts Industrielle Analysegeräte
  • PN-EN ISO 20046-2021-07 E Strahlenschutz – Leistungskriterien für Labore, die den Fluoreszenz-In-Situ-Hybridisierungs-Translokationstest (FISH) zur Bewertung der Exposition gegenüber ionisierender Strahlung verwenden (ISO 20046:2019)

Group Standards of the People's Republic of China, Niederschlagspotential

  • T/BSRS 029-2020 Technische Spezifikation für die Analyse von Tritium in flüssigen Abwässern von Kernkraftwerken
  • T/BSRS 038-2020 Standardtestmethode für Strontium-90 im Abwasser von Kernkraftwerken
  • T/BSRS 005-2019 Technische Spezifikation für die Analyse von Tritium in gasförmigen Abwässern aus Kernkraftwerken
  • T/BSRS 007-2019 Technische Spezifikationen für die 14C-Analyse in gasförmigen Abwässern von Kernkraftwerken
  • T/CSTM 01024-2023 Fehleranalyseverfahren zur wärmebildgestützten Positionierung eines leitfähigen anodischen Filaments
  • T/BSRS 027-2020 Technische Spezifikation für die Analyse von Gammaspektren von Inertgas in Abgasen von Kernkraftwerken
  • T/BSRS 028-2020 Technische Spezifikation für die Analyse der Gamma-Bruttoaktivitätskonzentration in flüssigen Abwässern von Kernkraftwerken
  • T/JAASS 8-2020 Bestimmung von Chlorpyrifos aus Obst und Gemüse für den Export durch immunchromatographische elektrochemische Methode
  • T/QAS 082.1-2023 Chemische Analyse von Steinsalz und Glaubersalz Teil 1: Bestimmung von Chlor durch potentiometrische Titration
  • T/QAS 082.2-2023 Chemische Analyse von Stein- und Glaubersalz Teil 2: Bestimmung von Calcium und Magnesium durch potentiometrische Titration

ES-UNE, Niederschlagspotential

  • UNE-EN ISO 12183:2019 Kernbrennstofftechnologie – Coulometrische Analyse von Plutonium mit kontrolliertem Potential (ISO 12183:2016) (Gebilligt von der Asociación Española de Normalización im Juli 2019.)

British Standards Institution (BSI), Niederschlagspotential

  • BS EN ISO 12183:2019 Kernbrennstofftechnologie. Coulometrische Analyse von Plutonium mit kontrolliertem Potential
  • BS ISO 1279:1996 Essentielle Öle. Bestimmung des Carbonylwerts. Potentiometrische Methoden mit Hydroxylammoniumchlorid
  • BS 6200-3.34.4:1985 Probenahme und Analyse von Eisen, Stahl und anderen Eisenmetallen – Analysemethoden – Bestimmung von Vanadium – Ferrovanadium: Potentiometrische Methode
  • BS ISO 20263:2017 Mikrostrahlanalyse. Analytische Elektronenmikroskopie. Verfahren zur Bestimmung der Grenzflächenposition im Querschnittsbild der Schichtmaterialien
  • BS ISO 24173:2009 Mikrostrahlanalyse – Richtlinien für die Orientierungsmessung mittels Elektronenrückstreubeugung
  • BS EN 10071:2012 Chemische Analyse von Eisenmaterialien. Bestimmung von Mangan in Stählen und Eisen. Elektrometrische Titrationsmethode
  • BS EN ISO 15682:2001 Wasserqualität. Bestimmung von Chlorid durch Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrische oder potentiometrische Detektion
  • BS EN ISO 15682:2000 Wasserqualität. Bestimmung von Chlorid mittels Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrischer oder potentiometrischer Detektion
  • BS 6200-3.34.1:1987 Probenahme und Analyse von Eisen, Stahl und anderen Eisenmetallen – Analysemethoden – Bestimmung von Vanadium – Stahl und Gusseisen: Potentiometrische Titrationsmethode

International Electrotechnical Commission (IEC), Niederschlagspotential

  • IEC 60982:1989 Füllstandmesssysteme mit ionisierender Strahlung mit kontinuierlichem oder schaltendem Ausgang
  • IEC 61181:2012 Mit Mineralöl gefüllte elektrische Geräte – Anwendung der Analyse gelöster Gase (DGA) auf Werkstests an elektrischen Geräten

American Society for Testing and Materials (ASTM), Niederschlagspotential

  • ASTM UOP779-08 Chlorid in Erdöldestillaten durch Mikrocoulometrie
  • ASTM UOP704-70 Äquivalentgewichte schwerer organischer Amine durch nichtwässrige potentiometrische Titration
  • ASTM B767-88(1994) Standardhandbuch zur Bestimmung der Masse pro Flächeneinheit galvanisch abgeschiedener und verwandter Beschichtungen durch gravimetrische und andere chemische Analyseverfahren
  • ASTM B767-88(2001) Standardhandbuch zur Bestimmung der Masse pro Flächeneinheit galvanisch abgeschiedener und verwandter Beschichtungen durch gravimetrische und andere chemische Analyseverfahren
  • ASTM B767-88(2016) Standardhandbuch zur Bestimmung der Masse pro Flächeneinheit galvanisch abgeschiedener und verwandter Beschichtungen durch gravimetrische und andere chemische Analyseverfahren
  • ASTM B767-88(2006) Standardhandbuch zur Bestimmung der Masse pro Flächeneinheit galvanisch abgeschiedener und verwandter Beschichtungen durch gravimetrische und andere chemische Analyseverfahren
  • ASTM B767-88(2021) Standardhandbuch zur Bestimmung der Masse pro Flächeneinheit galvanisch abgeschiedener und verwandter Beschichtungen durch gravimetrische und andere chemische Analyseverfahren
  • ASTM D3227-16 Standardtestmethode für (Thiolmercaptan)schwefel in Benzin, Kerosin, Flugturbinen- und Destillatkraftstoffen (potentiometrische Methode)
  • ASTM D1159-23 Standardtestmethode für Bromzahlen von Erdöldestillaten und kommerziellen aliphatischen Olefinen durch elektrometrische Titration
  • ASTM B767-88(2010) Standardhandbuch zur Bestimmung der Masse pro Flächeneinheit galvanisch abgeschiedener und verwandter Beschichtungen durch gravimetrische und andere chemische Analyseverfahren
  • ASTM D6888-03 Standardtestmethode für verfügbares Cyanid mit Ligandenverdrängungs- und Fließinjektionsanalyse (FIA) unter Verwendung von Gasdiffusionstrennung und amperometrischer Detektion
  • ASTM D6888-04 Standardtestmethode für verfügbares Cyanid mit Ligandenverdrängungs- und Fließinjektionsanalyse (FIA) unter Verwendung von Gasdiffusionstrennung und amperometrischer Detektion
  • ASTM D6888-09 Standardtestmethode für verfügbares Cyanid mit Ligandenverdrängungs- und Fließinjektionsanalyse (FIA) unter Verwendung von Gasdiffusionstrennung und amperometrischer Detektion
  • ASTM C110-08 Standardtestmethoden für die physikalische Prüfung von Branntkalk, Kalkhydrat und Kalkstein
  • ASTM C110-09 Standardtestmethoden für die physikalische Prüfung von Branntkalk, Kalkhydrat und Kalkstein
  • ASTM C1109-98 Standardtestmethode zur Analyse wässriger Sickerwässer aus nuklearen Abfällen mittels induktiv gekoppelter Plasma-Atom-Emissionsspektrometrie
  • ASTM C1109-10(2015) Standardpraxis für die Analyse wässriger Sickerwässer aus nuklearen Abfällen mittels induktiv gekoppelter Plasma-Atom-Emissionsspektroskopie
  • ASTM C1109-04 Standardpraxis für die Analyse wässriger Sickerwässer aus nuklearen Abfällen mittels induktiv gekoppelter Plasma-Atom-Emissionsspektrometrie
  • ASTM D3227-23 Standardtestmethode für (Thiolmercaptan)schwefel in Benzin, Kerosin, Flugturbinen- und Destillatkraftstoffen (potentiometrische Methode)
  • ASTM C1109-10 Standardpraxis für die Analyse wässriger Sickerwässer aus nuklearen Abfällen mittels induktiv gekoppelter Plasma-Atom-Emissionsspektrometrie
  • ASTM D8110-17 Standardtestmethode für die Elementaranalyse von Destillatprodukten durch Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)

CZ-CSN, Niederschlagspotential

  • CSN 42 0648 Cast.1-1986 Chemische Analyse von metallischem Chrom. Bestimmung von Chrom durch potentiometrische Titration
  • CSN 42 0643 Cast.11-1972 Chemische Analyse von legiertem Nickel. Bestimmung des Kohlenstoffs mittels potentiometrischer Methode
  • CSN EN 10 071-1993 Chemische Analyse von Eisenwerkstoffen. Bestimmung von Mangan in Stählen und Eisen. Elektrometrische Titrationsmethode
  • CSN 70 0632 Cast.1-1986 Glasprüfmethoden. Chemische Analyse von Glas. Bestimmung von Bleioxid. Volumetrische Methode mit Komplexon 3 (nach der elektrolytischen Trennung)
  • CSN 83 4752 Cast.3-1989 Luftreinhaltung. Bestimmung der Fluoremissionen aus stationären Quellen. Potenziometrische Methode
  • CSN 64 0751-1981 Prüfung von Kunststoffen. Bestimmung der thermischen Stabilität von Poly(vinylchlorid) und seinen Mischungen durch die kontinuierliche potentiometrische Methode

ANSI - American National Standards Institute, Niederschlagspotential

  • X3.95-1982 Informationssysteme – Mikroprozessoren – Hexadezimale Eingabe/Ausgabe mit 5-Bit- und 7-Bit-Fernschreibern

RU-GOST R, Niederschlagspotential

  • GOST R 51124-1997 Obst- und Gemüsesäfte. Protometrische Methode zur Bestimmung von Prolin
  • GOST 27987-1988 Potenziometrischer Flüssigkeitsanalysator, SSI. Allgemeine Spezifikation
  • GOST R 51122-1997 Obst- und Gemüsesäfte. Potentiometrische Methode zur Bestimmung der Formelzahl
  • GOST R 50706.4-1994 Salpetersäure für den industriellen Einsatz. Bestimmung des Chloridionengehalts. Potentiometrische Methode
  • GOST 19881-1974 Potentiometrische Analysatoren zur pH-Kontrolle von Milch und Milchprodukten. Allgemeine Spezifikation
  • GOST R 50571.7.706-2016 Elektroinstallationen im Niederspannungsbereich. Teil 7-706. Anforderungen an besondere Installationen oder Standorte. Leitende Orte mit eingeschränkter Bewegungsfreiheit
  • GOST R ISO 1390-3-1993 Maleinsäureanhydrid für den industriellen Einsatz. Testmethoden. Teil 3. Bestimmung der freien Säure. Potentiometrische Methode
  • GOST R ISO 1390/3-1993 Maleinsäureanhydrid für den industriellen Einsatz. Testmethoden. Teil 3. Bestimmung der freien Säure. Potentiometrische Methode

KR-KS, Niederschlagspotential

  • KS D ISO 4140-2008(2023) Ferrochrom und Ferrosilicochrom – Bestimmung des Chromgehalts – Potentiometrische Methode
  • KS I ISO 7917-2014 Akustik – Messung des von Freihandsägen ausgehenden Luftschalls am Arbeitsplatz des Bedieners
  • KS I ISO 15682-2021 Wasserqualität – Bestimmung von Chlorid durch Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrische oder potentiometrische Detektion
  • KS B ISO 10156-2018 Gasflaschen – Gase und Gasgemische – Bestimmung des Brandpotenzials und der Oxidationsfähigkeit für die Auswahl von Flaschenventilausgängen

SE-SIS, Niederschlagspotential

  • SIS SS-ISO 3012:1992 Benzin, Kerosin und Destillatkraftstoffe – Bestimmung von Mercaptanschwefel – Potentiometrische Methode
  • SIS SS-EN 10 071-1989 Chemische Analyse von Eisenwerkstoffen – Bestimmung von Mangan in Stählen und Eisen – Elektrometrische Titrationsmethode

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Niederschlagspotential

  • JIS K 2605:1996 Erdöldestillate und kommerzielle aliphatische Olefine – Bestimmung der Bromzahl – Elektrometrische Methode
  • JIS K 1468-2:1999 Saurer Flussspat – Verfahren zur chemischen Analyse Teil 2: Bestimmung des verfügbaren Fluorgehalts – Potentiometrische Methode nach der Destillation

Professional Standard - Commodity Inspection, Niederschlagspotential

  • SN/T 0254-2011 Potentiometrische Titrationsmethode zur Bestimmung von säurelöslichem Chlorid in importiertem und exportiertem leicht gebranntem Magnesium
  • SN/T 1048-2002 Getreide und Futtermittel für den Import und Export – Identifizierung der Gerstensorte. Methode der Proteinelektrophorese
  • SN/T 2497.12-2010 Testmethode für den Import und Export gefährlicher Chemikalien – Teil 12: Einzelzell-Gelelektrophorese (SCGE)-Assay

Professional Standard - Aviation, Niederschlagspotential

  • HB/Z 5088.3-1999 Analysemethode für Vernickelungslösung. Bestimmung des Natriumchloridgehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5088.4-1999 Analysemethode für Vernickelungslösung. Bestimmung des Borsäuregehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5092.3-2001 Analytische Methode der Schwarzchromlösung beim Galvanisieren. Bestimmung des Borsäuregehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5092.4-2001 Analytische Methode der Schwarzchromlösung beim Galvanisieren. Bestimmung des Essigsäuregehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5092.2-2001 Analysemethode der galvanischen Schwarzchromlösung, potentiometrische Titration, Bestimmung des Natriumnitratgehalts
  • HB/Z 5091.1-1999 Analysemethode für Verchromungslösung Bestimmung des Chromtrioxidgehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5099.1-2000 Analytische Methode zur galvanischen Silberlösung. Potentiometrische Titrationsbestimmung des Silbergehalts in galvanischen Silberlösungen
  • HB/Z 5086.4-2000 Analysemethode zur Cyanid-Galvanisierung von Kupferlösungen. Potentiometrische Titration zur Bestimmung des Natriumcarbonatgehalts
  • HB/Z 5092.1-2001 Analysemethode der galvanischen Schwarzchromlösung, potentiometrische Titration, Bestimmung des Chromtrioxidgehalts
  • HB/Z 5093.3-2000 Analytische Methode der alkalischen Galvanisierung von Zinnlösungen. Bestimmung des Natriumacetatgehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5084.3-2000 Analytische Methode der Zyanid-Galvanisierung von Zinklösungen zur Bestimmung des Natriumcarbonatgehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5084.4-2000 Analytische Methode der Cyanid-Galvanisierung von Zinklösungen zur Bestimmung von Natriumsulfid durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5091.2-1999 Analysemethode für Verchromungslösung Bestimmung des Dichromtrioxidgehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5085.4-1999 Analytische Methode der Cadmium-Galvanisierungslösung für die Cyanid-Galvanisierung. Bestimmung des Natriumcarbonatgehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5085.2-1999 Analytische Methode der Cadmium-Galvanisierungslösung für die Cyanid-Galvanisierung. Bestimmung des Natriumcyanidgehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5086.3-2000 Analysemethode zur Cyanid-Galvanisierung von Kupferlösungen. Potentiometrische Titration zur Bestimmung des Natriumhydroxidgehalts
  • HB/Z 5093.2-2000 Analytische Methode der alkalischen Galvanisierung von Zinnlösungen. Potentiometrische Titration zur Bestimmung des Gehalts an Natriumhydroxid
  • HB/Z 5105.1-2000 Elektrochemische Polierlösungsanalysemethode Potentiometrische Titration Bestimmung des Chromtrioxidgehalts
  • HB/Z 5105.3-2000 Elektrochemische Polierlösungsanalysemethode Potentiometrische Titrationsbestimmung von Schwefelsäure und Phosphorsäure
  • HB/Z 5084.2-2000 Analytische Methode der Zyanid-Galvanisierung von Zinklösungen durch potentiometrische Titration zur Bestimmung des Gehalts an Natriumhydroxid
  • HB/Z 5085.3-1999 Analytische Methode der Cyanid-Galvanik mit Cadmiumlösung. Potentiometrische Titration zur Bestimmung des Natriumhydroxidgehalts
  • HB/Z 5099.2-2000 Analytische Methode zur galvanischen Silberlösung. Potentiometrische Titrationsbestimmung von Kaliumcyanid in galvanischer Silberlösung
  • HB/Z 5099.3-2000 Analytische Methode zur galvanischen Silberlösung. Potentiometrische Titrationsbestimmung des Kaliumcarbonatgehalts in galvanischer Silberlösung
  • HB/Z 5089.6-2004 Methoden zur Analyse von galvanischen Schwarznickellösungen Teil 6: Bestimmung des Borsäuregehalts durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB/Z 5086.6-2000 Analytische Methode der Cyanid-Galvanisierung von Kupferlösungen. Potentiometrische Titrationsbestimmung des Kalium-Natriumtartrat-Gehalts
  • HB/Z 5105.2-2000 Elektrochemische Polierlösungsanalysemethode Potentiometrische Titration Bestimmung des Chromtrioxidgehalts
  • HB/Z 5110.1-2000 Analysemethode für elektrochemische Entfettung und chemische Entfettungslösung Potentiometrische Titration zur Bestimmung der Gesamtalkalität
  • HB/Z 5087.3-2004 Methoden zur Analyse von sauren Kupferlösungen, Teil 3: Bestimmung des Schwefelsäuregehalts durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB/Z 5108.1-1999 Analysemethoden für Phosphatierungslösungen - Potentiometrische Titration zur Bestimmung der freien und Gesamtsäure
  • HB/Z 5099.4-2000 Analysemethode für Versilberungslösung Bestimmung des Kaliumcarbonatgehalts in Hartsilberlösung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5087.2-2004 Methoden zur Analyse von sauren Kupferlösungen, Teil 2: Bestimmung des Kupfersulfatgehalts durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB/Z 5096.2-2004 Methoden zur Analyse von Galvanisierungsbleilösungen Teil 2: Bestimmung des Gehalts an freier Fluorborsäure mittels potentiometrischer titrimetrischer Methode
  • HB/Z 5089.5-2004 Methoden zur Analyse von galvanischen Schwarznickellösungen Teil 5: Bestimmung des Ammoniumthiocyanatgehalts durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB/Z 5090.2-2001 Analysemethode für stromlose Vernickelungslösung. Bestimmung des Natriumhypophosphitgehalts durch potentiometrische Titration
  • HB 5220.25-1995 Chemische Analysemethode von Superlegierungs-Kaliumferricyanid Potentiometrische Titrationsbestimmung des Kobaltgehalts
  • HB/Z 5094.1-2004 Methoden zur Analyse von sauren Zinnlösungen – Teil 1: Bestimmung des Zinn(Ⅱ)sulfatgehalts durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB/Z 5094.2-2004 Methoden zur Analyse von sauren Zinnlösungen – Teil 2: Bestimmung des Gehalts an freier Schwefelsäure durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB/Z 5095.3-2004 Methoden zur Analyse von Lösungen zur Zyanidbeschichtung von Messing – Teil 3: Bestimmung des Natriumcarbonatgehalts durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB/Z 5109.11-2001 Analysemethode für Passivierungslösung Bestimmung des Natriumchloridgehalts in Passivierungslösung für die Kupferplattierung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5109.16-2001 Analysemethode für Passivierungslösung Bestimmung des Kaliumnitratgehalts in Versilberungs-Passivierungslösung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5099.5-2000 Analytische Methode zur Galvanisierung von Silberlösungen. Potentiometrische Titrationsbestimmung des Kaliumhydroxidgehalts in Hartsilber-Plattierungslösungen
  • HB/Z 5109.5-2001 Analysemethode für Passivierungslösung. Bestimmung von Salpetersäure in Trisäure-Passivierungslösungen für die Verzinkung und Cadmiumbeschichtung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5109.8-2001 Analysemethode für Passivierungslösung. Bestimmung von Salpetersäure in Salpetersäure-Passivierungslösungen für die Verzinkung und Cadmiumplattierung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5109.14-2001 Analysemethode für Passivierungslösung Bestimmung des Natriumchloridgehalts in Passivierungslösung für die Messingplattierung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5109.15-2001 Analysemethode für Passivierungslösung Bestimmung des Kaliumbichromatgehalts in Versilberungs-Passivierungslösung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5109.9-2001 Analysemethode für Passivierungslösung Bestimmung des Chromtrioxidgehalts in Passivierungslösung für die Kupferplattierung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5099.6-2000 Analytische Methode zur Galvanisierung von Silberlösungen. Potentiometrische Titrationsbestimmung des Kalium-Natriumtartrat-Gehalts in Hartsilber-Plattierungslösungen
  • HB/Z 5104.2-1999 Analytische Methode der anodischen Schwefelsäure-Oxidationslösung einer Aluminiumlegierung – Bestimmung des Aluminiumgehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5095.2-2004 Methoden zur Analyse von Lösungen zur Zyanidbeschichtung von Messing – Teil 2: Bestimmung des Gehalts an freiem Natriumcyanat durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB/Z 5109.12-2001 Analysemethode für Passivierungslösung Bestimmung des Natriumbichromatgehalts in Passivierungslösung für die Messingplattierung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5109.1-2001 Analysemethode für Passivierungslösung. Bestimmung des Natriumbichromatgehalts in Disäure-Passivierungslösungen für die Verzinkung, Cadmiumbeschichtung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5109.3-2001 Analysemethode für Passivierungslösung. Bestimmung von Chromtrioxid in Trisäure-Passivierungslösungen für die Verzinkung und Cadmiumbeschichtung durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5109.6-2001 Analysemethode für Passivierungslösung. Bestimmung des Natriumbichromatgehalts in Salpetersäure-Passivierungslösungen für die Verzinkung, Cadmiumplattierung durch potentiometrische Titration
  • HB 5220.25-2008 Methoden zur chemischen Analyse von Superlegierungen. Teil 25: Bestimmung des Cabaltgehalts durch potentiometrische Kaliumferricyanid-Titrationsmethode
  • HB/Z 339.2-1999 Analysemethode einer Chromsäure-Anodisierungslösung für Aluminiumlegierungen zur Bestimmung des Chloridionengehalts durch potentiometrische Titration
  • HB/Z 5104.3-1999 Analysemethode für Sulfid-Säure-Anodisierungslösung aus Aluminiumlegierung. Bestimmung des Chloridionengehalts durch potentiometrische Titration
  • HB 20056.7-2011 Methoden zur Analyse von Sn-Bi-Legierungsbeschichtungen und Beschichtungslösungen von Sn-Bi-Legierungen. Teil 7: Bestimmung des Schwefelsäuregehalts durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB 20055.2-2011 Methoden zur Analyse chemischer Mahllösungen für Aluminiumlegierungen. Teil 2: Bestimmung des Natriumhydroxidgehalts durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB 20056.4-2011 Methoden zur Analyse von Sn-Bi-Legierungsbeschichtungen und Beschichtungslösungen von Sn-Bi-Legierungen. Teil 4: Bestimmung des Zinnsulfatgehalts durch potentiometrische titrimetrische Methode
  • HB/Z 5110.2-2000 Analysemethode für elektrochemische Entfettung und chemische Entfettungslösung Potentiometrische Titrationsbestimmung von Natriumhydroxid, Natriumcarbonat und Trinatriumphosphat

TR-TSE, Niederschlagspotential

  • TS 762-1969 NATRIUMTRIPOLYPHOSPHAT FÜR DEN INDUSTRIELLEN GEBRAUCH. POTENTIOMETRISCHE METHODE ZUR PH-MESSUNG

Professional Standard - Agriculture, Niederschlagspotential

YU-JUS, Niederschlagspotential

  • JUS C.A1.068-1990 Methode der chemischen Analyse von Eisen und Stahl. Bestimmung des Vanadiumgehalts. Potentiometrische Methode
  • JUS C.A1.425-1980 Methoden zur chemischen Analyse von Ferrolegierungen. Potentiometrische Bestimmung von Vanadium in Ferrovanadium
  • JUS C.A1.707-1991 Methoden zur chemischen Analyse von Nickel und Nickellegierungen. Bestimmung von Chrom in Nickellegierungen. Methoden der potentiometrischen Titration
  • JUS C.A1.706-1991 Werkzeug zur chemischen Analyse von Nickel und Nickellegierungen. Bestimmung von Kobalt in Nickellegierungen. Potentiometrische Titrationsmethode
  • JUS C.A1.401-1980 Methoden zur chemischen Analyse von Ferrolegierungen. Potentiometrische Bestimmung von Chrom in Ferrosilicium-Chrom und Ferrochrom
  • JUS C.A1.405-1978 Methoden zur chemischen Analyse von Ferrolegierungen. Potentiometrische Bestimmung von Mangan in Ferromangan und Ferrosilicomangam
  • JUS C.A1.408-1978 Methoden zur chemischen Analyse von Ferrolegierungen. Potentiometrische Bestimmung von Chrom in Ferrochrom und Ferrosilicochrom

NL-NEN, Niederschlagspotential

  • NEN 6209-1978 Chemische Analyse von Eisen und Stahl – Potentiometrische Titration des Mangangehalts in Ferromangan

Anhui Provincial Standard of the People's Republic of China, Niederschlagspotential

  • DB34/T 2579-2015 Methoden zur chemischen Analyse von Kupferelektrolyten – Bestimmung des Chlorgehalts – Automatische potentiometrische Titration
  • DB34/T 3253-2018 Methoden zur chemischen Analyse von Kupferkonzentraten - Bestimmung des Chlorgehalts - Automatische potentiometrische Titration

ECIA - Electronic Components Industry Association, Niederschlagspotential

  • EIA-364-94-1997 TP-94 Querextraktionskrafttestverfahren für Schneidklemmkontakte (IDC) für elektrische Steckverbinder

Professional Standard - Geology, Niederschlagspotential

  • DZ/T 0064.7-2021 Analysemethoden zur Grundwasserqualität – Teil 7: Potentiometrische Methode zur Bestimmung des EH-Wertes

Professional Standard - Machinery, Niederschlagspotential

  • JB/T 7948.2-1999 Methoden zur chemischen Analyse von geschmolzenen Schweißpulvern. Potentiometrische Methode zur Bestimmung des Manganoxidgehalts

RO-ASRO, Niederschlagspotential

  • STAS 6908/3-1990 Gasförmige Kohlenwasserstoffe. Schwefelwasserstoff. Puffer. Formen und Abmessungen

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Niederschlagspotential

  • YS/T 645-2007 Methode zur Analyse von Goldverbindungen. Bestimmung des Goldgehalts. Potentiometrische Titration mit Eisensulfat
  • YS/T 710.1-2009 Methode zur chemischen Analyse von Kobaltoxid. Teil 1: Bestimmung des Kobaltgehalts. Potentiometrische Methode
  • YS/T 372.1-2006 Methoden zur Elementaranalyse von Edelmetalllegierungen. Bestimmung des Silbergehalts. Potentiometertitration mit Kaliumiodid
  • YS/T 372.1-1994 Methoden zur Elementaranalyse von Edelmetalllegierungen. Bestimmung des Silbergehalts. Potentiometertitration mit Kaliumiodid
  • YS/T 372.14-2006 Methoden zur Elementaranalyse von Edelmetalllegierungen. Bestimmung des Mangangehalts. Potentiometertitration mit Kaliumpermanganat
  • YS/T 349.1-2009 Methoden zur chemischen Analyse von Kobaltsulfidkonzentrat. Teil 1: Bestimmung des Kobaltgehalts. Potentiometrische Titrationsmethode
  • YS/T 372.14-1994 Methoden zur Elementaranalyse von Edelmetalllegierungen. Bestimmung des Mangangehalts. Potentiometertitration mit Kaliumpermanganat
  • YS/T 956.2-2014 Chemische Analysemethode für Gold- und Germaniumlegierungen. Teil 2: Bestimmung des Germaniumgehalts. Potentiometrische Titration mit Kaliumjodat

IN-BIS, Niederschlagspotential

  • IS 1448 Pt.109-1981 Prüfmethoden für Erdöl und seine Produkte [P: 109] Bestimmung von Mercaptanschwefel – Amperometrische und potentiometrische Methoden für Flugturbinenkraftstoffe

IT-UNI, Niederschlagspotential

  • UNI EN ISO 20046:2021 Strahlenschutz – Leistungskriterien für Labore, die den Fluoreszenz-In-Situ-Hybridisierungs-Translokationstest (FISH) zur Beurteilung der Exposition gegenüber ionisierender Strahlung verwenden
  • UNI 7089-1972 Chemische Analyse von Eisenmaterialien. Bestimmung von Kupfer in Stahl und Eisen. Elektrolytisches Verfahren mit kontrolliertem Potential.
  • UNI 7494-1975 Chemische Analyse von Ferrolegierungen. Bestimmung von Kobalt in Ferrokobalt. Potenziometrische Methode.
  • UNI 7493-1975 Chemische Analyse von Eisenmaterialien. Bestimmung von Kobalt in Stahl. Potentiometrische Methode.
  • UNI 5975-1967 Methoden zur chemischen Analyse von Eisenmetallmaterialien. Bestimmung von Kupfer und Blei in verschleißfesten Weißmetallen. kontrollierte Potentialelektrolyse
  • UNI 6879-1971 Chemische Analyse von Eisenmaterialien und Ferrolegierungsmaterialien. Stahl neutralisiert Eisen. Bestimmung von Kobalt in Kobalt. Potentiometrische Methode

Professional Standard - Electron, Niederschlagspotential

  • SJ 50597/21-1994 Integrierte Halbleiterschaltungen. Detailspezifikation des Typs JADC1001, allgemeiner 8-Bit-A/D-Wandler mit Binärausgang für

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Niederschlagspotential

  • GB/T 5124.3-2017 Hartmetalle – Teil 3: Bestimmung von Kobalt – Potentiometrische Methode

未注明发布机构, Niederschlagspotential

CH-SNV, Niederschlagspotential

  • SN EN ISO 20046:2021 Strahlenschutz – Leistungskriterien für Labore, die den Fluoreszenz-In-Situ-Hybridisierungs-Translokationstest (FISH) zur Bewertung der Exposition gegenüber ionisierender Strahlung verwenden (ISO 20046:2019)

Lithuanian Standards Office , Niederschlagspotential

  • LST EN ISO 20046:2021 Strahlenschutz – Leistungskriterien für Labore, die den Fluoreszenz-In-Situ-Hybridisierungs-Translokationstest (FISH) zur Bewertung der Exposition gegenüber ionisierender Strahlung verwenden (ISO 20046:2019)
  • LST EN ISO 15682:2003 Wasserqualität – Bestimmung von Chlorid durch Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrische oder potentiometrische Detektion (ISO 15682:2000)

AENOR, Niederschlagspotential

  • UNE-EN ISO 15682:2002 Wasserqualität. Bestimmung von Chlorid mittels Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrischer oder potentiometrischer Detektion. (ISO 15682:2000)

ZA-SANS, Niederschlagspotential

  • SANS 15682:2002 Wasserqualität – Bestimmung von Chlorid durch Durchflussanalyse (CFA und FIA) und photometrische oder potentiometrische Detektion

Professional Standard - Archives, Niederschlagspotential

  • DA/T 95-2022 Technische Spezifikationen für die Verwaltung elektronischer Abrechnungsbelegdateien zur finanziellen Erstattung allgemeiner öffentlicher Haushaltsausgaben von Verwaltungseinrichtungen

Canadian Standards Association (CSA), Niederschlagspotential

  • CSA M5673-2-07-CAN/CSA-2007 Landwirtschaftliche Traktoren und Maschinen? Zapfwellen-Antriebswellen und Stromanschluss? Teil 2: Spezifikation für die Verwendung von Zapfwellen-Antriebswellen sowie Position und Spiel der Zapfwellen-Antriebsleitung und des PIC für verschiedene Anbaugeräte. Erste Ausgabe

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, Niederschlagspotential

  • TS 102 650-2008 Telecommunications and Internet converged Services and Protocols for Advanced Networking (TISPAN); Analysis of Location Information Standards produced by various SDOs (V1.1.1)




©2007-2024Alle Rechte vorbehalten