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析出电位

本专题涉及析出电位的标准有488条。

国际标准分类中，析出电位涉及到焊接、钎焊和低温焊、金属材料试验、集成电路、微电子学、电工和电子试验、石油产品综合、实验室医学、消毒和灭菌、无机化学、茶、咖啡、可可、辐射防护、铁合金、核能工程、辐射测量、堆栈、仓储、有色金属、金属矿、分析化学、饮料、有机化学、表面处理和镀涂、黑色金属、印制电路和印制电路板、整流器、转换器、稳压电源、粉末冶金、化工产品、绝缘流体、光学设备、农业和林业、化工生产、水质、奶和奶制品、食品工业厂房和设备、阀门、润滑剂、工业油及相关产品、玻璃、有色金属产品、燃料、塑料、空气质量、流体流量的测量、建筑物中的设施、废物、信息学、出版、非金属矿。

在中国标准分类中，析出电位涉及到化学计量、焊接与切割、焊接与切割设备、化妆品、金相检验方法、石油产品综合、医学、无机酸、碱、茶叶制品、、钢铁与铁合金分析方法、综合测试系统、微电路综合、锰矿、半导体集成电路、电化学、热化学、光学式分析仪器、材料防护、电子元件综合、重金属及其合金分析方法、金属化学分析方法综合、粮食加工与制品、电子光学与其他物理光学仪器、基础标准与通用方法、噪声、振动测试方法、一般有机化工原料、变压器、计算机应用、冷加工工艺、贵金属及其合金分析方法、化学试剂综合、阀门、粉末冶金分析方法、重金属及其合金、润滑油、水环境有毒害物质分析方法、重金属矿、稀有金属及其合金分析方法、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、低压电器综合、贵金属及其合金、流量与物位仪表、放射性物质与放射强度分析测试方法、图书馆、档案、文献与情报工作、辐射防护监测与评价、轻金属及其合金分析方法、无机化工原料综合、拖拉机。

国家计量检定规程，关于析出电位的标准

JJG 800-1993 电位溶出分析仪检定规程

欧洲标准化委员会，关于析出电位的标准

EN 28167:1992 电阻焊凸出部位
EN ISO 8167:2021 电阻焊用凸出部位
prEN ISO 12183 rev 核燃料技术钚的可控电位库仑分析
EN 27917:1991 声学.操作者位置电刷锯发出的气载噪声的测量(ISO 7917-87)

韩国科技标准局，关于析出电位的标准

KS C ISO 8167:2001 电阻焊用凸出部位
KS C ISO 8167:2016 电阻焊用凸出部位
KS C IEC 60746-5-2014(2019) 电化学分析仪的性能表达 - 第5部分:氧化还原电位或氧化还原电位
KS D ISO 6467-2002(2012) 钒铁化学分析方法电位滴定法测定钒量
KS I ISO 7917:2014 声学.在操作者位置测量电刷锯发出的空气噪声
KS M ISO 3012-2003(2018) 汽油煤油和馏出物的硫醇硫电位法的燃料的测定
KS D ISO 4947-2002(2017) 钢和铸铁化学分析方法电位滴定法测定钒量
KS D ISO 4140-2008(2018) 铬铁和硅铬铁化学分析方法电位滴定法测定铬量
KS D ISO 7529-2012(2017) 镍合金化学分析方法硫酸铁铵电位滴定法测定铬量
KS D ISO 4937-2002(2017) 钢铁化学分析方法电位滴定法或目视滴定法测定铬量
KS I ISO 15682-2006(2016) 水质－用流动分析法（CFA和FIA）和光度法或电位法测定氯化物
KS I ISO 15682:2021 水质.通过流动分析（CFA和FIA）和光度或电位检测测定氯化物
KS B ISO 10156:2018 气瓶气体和气体混合物选择气瓶阀门出口的着火电位和氧化能力的测定

AT-ON，关于析出电位的标准

ONORM EN 28167-1992 电阻焊的凸出部位
ONORM A 1500-1995 电子出版．用于专业电子出版8位编码的使用图形字符集的标准化编码
ONORM EN 23909-1994 硬质合金．钴的测定电位分析法(ISO 3909-1976)
OENORM EN ISO 20046:2021 辐射防护使用荧光原位杂交（FISH）易位分析评估电离辐射暴露的实验室性能标准（ISO 20046:2019）

国际标准化组织，关于析出电位的标准

ISO 8167:1989 电阻焊用凸出部位
ISO/CD 12183:2023 核燃料技术钚的可控电位库仑分析
ISO/CD 20263:2023 微束分析分析电子显微镜层状材料横截面图像中界面位置的确定方法
ISO 20263:2017 微束分析 - 分析透射电子显微镜 - 分层材料横截面图像中界面位置的测定方法
ISO 182-4:1993 塑料基于氯乙烯共聚物、均聚物的化合物及产物在高温下析出氯化氢和其他酸性产物的趋势测定第4部分:电位测量法

英国标准学会，关于析出电位的标准

BS EN 28167:1992 电阻焊的凸出部位规范
BS EN ISO 12183:2019 核燃料技术钚的控制电位库仑分析
BS ISO 1279:1996 精油羰基值的测定使用氯化羟铵的电位分析法
BS 6337-4:1984 化学分析的通用方法电位法测定氯离子的方法
BS 6200-3.34.4:1985 铁、钢和其他铁合金的抽样和分析.分析方法.钒的测定.钒铁:电位滴定法
BS ISO 20263:2017 微束分析分析电子显微镜层状材料横截面图像中界面位置的确定方法
BS ISO 24173:2009 微束分析.使用电子反向散射体衍射的方位测量准则
BS EN 10071:2012 黑色金属材料的化学分析. 钢铁中锰的测定. 电位滴定法
BS EN ISO 15682:2001 水质通过流动分析（CFA 和 FIA）和光度或电位检测测定氯化物
BS EN ISO 15682:2000 水质通过流量分析（CFA和FIA）和光度测量或电位测量法测定氯化物
BS 6200 SubSec.3.34.4:1985 铁、钢和其他黑色金属的抽样与分析法.第3部分:分析方法.第34节:钒的测定.第4节:钒铁:电位滴定法
BS 6200-3.34.1:1987 铁、钢和其他黑色金属抽样与分析.第3部分:分析方法.第34节:钒含量测定.第1小节:钢与铸铁:电位滴定法
BS 6200 SubSec.3.34.1:1987 铁、钢和其他黑色金属的抽样与分析法.第3部分:分析方法.第34节:钒的测定.第1小节:钢与铸铁:电位滴定法

行业标准-轻工，关于析出电位的标准

QB/T 1864-1993 电位溶出法测定化妆品中铅

工业和信息化部，关于析出电位的标准

YB/T 4676-2018 钢中析出相的分析透射电子显微镜法
YB/T 4700-2018 钢铁硫化锰析出相量的测定电解分离-火焰原子吸收光谱法
YS/T 645-2017 金化合物化学分析方法金量的测定硫酸亚铁电位滴定法
YB/T 4799-2018 钢铁氮化铝析出相量的测定电解分离-电感耦合等离子体原子发射光谱法
YS/T 1585.1-2022 银钨合金化学分析方法第1部分：银含量的测定电位滴定法
YS/T 1569.2-2022 镍锰酸锂化学分析方法第2部分：锰含量的测定电位滴定法
YS/T 1263.2-2018 镍钴铝酸锂化学分析方法第2部分：钴量的测定电位滴定法
YB/T 4174.3-2022 硅钙合金分析方法第3部分：氧化钙含量的测定电位滴定法
YS/T 1157.4-2016 粗氢氧化钴化学分析方法第4部分：锰量的测定电位滴定法
YS/T 1157.1-2016 粗氢氧化钴化学分析方法第1部分：钴量的测定电位滴定法
YS/T 1332.1-2019 粗制铜钴原料化学分析方法第1部分：钴含量的测定电位滴定法
YS/T 1472.1-2021 富锂锰基正极材料化学分析方法第1部分：锰含量的测定电位滴定法
YS/T 1472.2-2021 富锂锰基正极材料化学分析方法第2部分：钴含量的测定电位滴定法
YS/T 1489.1-2021 钴铬钨系合金粉末化学分析方法第1部分：钴含量的测定电位滴定法
YS/T 1330.1-2019 钴铬烤瓷合金化学分析方法第1部分：钴含量的测定碘量法和电位滴定法
YS/T 1342.3-2019 二次电池废料化学分析方法第3部分：锰含量的测定电位滴定法和火焰原子吸收光谱法
YS/T 1342.2-2019 二次电池废料化学分析方法第2部分：钴含量的测定电位滴定法和火焰原子吸收光谱法

台湾地方标准，关于析出电位的标准

CNS 12865-1-1991 数字微电子检验法(高位准输出电压)
CNS 12865-2-1991 数字微电子检验法(低位准输出电压)
CNS 12865.2-1991 数字微电子检验法（低位准输出电压）
CNS 12865.1-1991 数字微电子检验法（高位准输出电压）

美国国防后勤局，关于析出电位的标准

DLA SMD-5962-89697 REV C-2013 微电路，线性，16 位，电压输出 DAC，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/10612-2010 微电路，数字，8 位移位寄存器，带三态输出寄存器，单片硅
DLA MIL-M-38510/473 A-1983 单片8位输入/输出端口,CMOS数字微电路
DLA MIL-M-38510/473 A VALID NOTICE 3-2010 微电路、数字、CMOS、单片 8 位输入/输出端口
DLA MIL-M-38510/473A VALID NOTICE 1-2001 微电路、数字、CMOS、单片 8 位输入/输出端口
DLA SMD-5962-94662 REV A-2009 微电路，线性，10 位，电压输出，D/A 转换器，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/12661-2013 微电路，数字线性，18 位，电压输出数模转换器，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/12661 REV A-2013 微电路，数字线性，18 位，电压输出数模转换器，单片硅
DLA SMD-5962-84095 REV D-2009 微电路，数字，高速 CMOS，8 位并行输入/串行输出移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-84162 REV E-2009 微电路，数字，高速 CMOS，8 位串行输入/并行输出移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-89697 REV B-2001 硅单片,16位电压输出数字模拟转换器,线性微型电路
DLA SMD-5962-94662-1995 硅单片,10位电压输出直流/交流转变器,线性微型电路
DLA SMD-5962-87806 REV D-2011 微电路、数字、高速 CMOS、具有三态输出的 8 位通用移位寄存器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04696 REV A-2010 微电路，数字，具有 3 个状态输出寄存器的 8 位移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-89629 REV A-2001 硅单片,8位模拟输入输出系统,数字微型电路
DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 极速的硅单片输出箝位电路电流反馈(回授)放大线型微电路
DLA SMD-5962-90501 REV B-2013 微电路，数字，高速 CMOS，8 位串行/并行输入，串行输出移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-96556 REV E-2009 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，8 位串行输入/并行输出移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-96556 REV F-2011 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，8 位串行输入/并行输出移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-96556 REV G-2012 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，8 位串行输入/并行输出移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-96556 REV H-2013 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，8 位串行输入/并行输出移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-89974 REV D-2007 硅单片,高速输出有钳位运算放大器,线性微型电路
DLA SMD-5962-86870 REV A-2010 微电路、数字、高级低功耗肖特基、TTL、8 位、并行输出串行移位寄存器、单片硅
DLA SMD-5962-92247 REV D-2008 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出的 10 位缓冲器、TTL 兼容输入、有限输出电压摆幅、单片硅
DLA SMD-5962-88659 REV B-2002 硅单片微处理器兼容12位电压输出D/A转换器线性微电路
DLA DSCC-VID-V62/12662-2013 微电路，数字-线性，电流输出/串行输入，16 位，数模转换器，单片硅
DLA SMD-5962-88659 REV C-2013 微电路，线性，12 位电压输出 D/A 转换器，微处理器兼容，单片硅
DLA SMD-5962-96558 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行/并行输入、串行输出移位寄存器、单片硅
DLA SMD-5962-96558 REV F-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行/并行输入、串行输出移位寄存器、单片硅
DLA SMD-5962-89436 REV B-2012 微电路、数字、高速 CMOS、8 位通用移位寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-89704 REV C-2013 微电路、数字、高速 CMOS、8 位串行输入/并行输出移位寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96558 REV G-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行/并行输入、串行输出移位寄存器、单片硅
DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
DLA DSCC-VID-V62/08628-2008 微电路，数字，四通道，14 位，125 MSPS ADC，带串行 LVDS 输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/08628 REV A-2013 微电路，数字，四通道，14 位，125 MSPS ADC，带串行 LVDS 输出，单片硅
DLA SMD-5962-94682-1994 高速可编程获得缓冲放大器输出箝位硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95667 REV B-2012 微电路、线性、双串行输入、电压输出、12 位乘法数模转换器、单片硅
DLA SMD-5962-88602 REV C-2008 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，16 位，串行输入，串行输出，移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-88607 REV C-2008 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，16 位，并行输入，串行输出，移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-92258 REV B-2008 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出的 16 位双向收发器、TTL 兼容输入、有限输出电压摆幅、单片硅
DLA SMD-5962-92225 REV C-2008 TTL兼容输入和限定输出电压摆幅的单片快速CMOS带三态输出的10位总线接口D寄存器的微电子电路
DLA SMD-5962-88711 REV A-2007 硅单片开放电极输出8位身份比较器肖特基TTL促进数字微电路
DLA DSCC-VID-V62/04724 REV A-2011 微电路，数字，低电压 CMOS，具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器，单片硅
DLA DSCC-DWG-V62/12663-2013 微电路，数字线性，四路，电流输出，串行输入 16 位数模转换器，单片硅
DLA SMD-5962-05211 REV C-2012 微电路，数字，抗辐射，低压 CMOS，带总线保持的 16 位 D 型锁存器，串联输出电阻器和三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-06238 REV B-2009 微电路、数字、先进的 CMOS 抗辐射、具有三态输出的 8 位通用移位/存储寄存器、单片硅
DLA SMD-5962-90501 REV A-2006 硅单片,8位串联/并联输入,串联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-86855 REV B-2008 微电路、数字、高速 CMOS、8 位并行输入/串行输出移位寄存器，具有 LS TTL 兼容输入，单片硅
DLA SMD-5962-96557 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行输入/并行输出移位寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96557 REV E-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行输入/并行输出移位寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-95663 REV D-2009 微电路、数字、高速 CMOS、抗辐射、8 位串行输入/并行输出移位寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-99540 REV A-2002 微型电路,数字线型,10位20MSPS并联输出CMOS,模数转化器,单块硅
DLA MIL-M-38510/250 VALID NOTICE 4-2010 微电路、数字、CMOS、512 x 9 位、先进先出双端口存储器（FIFO）、单片硅
DLA SMD-5962-04235 REV B-2010 微电路，线性，解析器到数字转换器，16 位，跟踪，单片硅
DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 硅单片8位通用移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-95746 REV C-2009 微电路、数字、高速 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入的 8 位通用移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-95512 REV A-2010 微电路，数字线性，四通道，8 位电压输出串行 D/A 转换器，带反馈，单片硅
DLA SMD-5962-02507 REV A-2003 单片硅数字微电路低压CMOS16位收发器与总线控制和三态输出
DLA SMD-5962-90760 REV C-2011 微电路、混合、线性、16 位、7 伏、放大器输出驱动、数字同步转换器
DLA SMD-5962-04212 REV A-2011 微电路，数字，高级 CMOS，具有三态输出的 16 位 D 型锁存器，单片硅
DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 位双向收发器、单片硅
DLA SMD-5962-92257 REV B-2008 微电路、数字、快速 CMOS、具有同相三态输出的 16 位缓冲器/线路驱动器、TTL 兼容输入、有限输出电压摆幅、单片硅
DLA SMD-5962-92225 REV D-2009 微电路、数字、快速 CMOS、10 位总线接口 D 寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入和有限的输出电压摆幅，单片硅
DLA SMD-5962-92216 REV C-2010 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入和有限输出电压摆幅的八输入通用移位寄存器，单片硅
DLA SMD-5962-92257 REV C-2010 微电路、数字、快速 CMOS、具有同相三态输出的 16 位缓冲器/线路驱动器、TTL 兼容输入、有限输出电压摆幅、单片硅
DLA SMD-5962-05210 REV D-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持功能的 16 位总线缓冲器、串联输出电阻器和三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-05212 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持功能的 16 位 D 型触发器、串联输出电阻器和三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-05213 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持功能的 16 位总线收发器、串联输出电阻器和三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-96559 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行/并行输入、串行输出移位寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/09605-2009 微电路、数字、16 位双电源总线收发器，具有可配置的电压转换和三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/09615-2009 微电路、数字、8 位双电源总线收发器，具有可配置的电压转换和三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/12667-2013 微电路、数字、16 位双电源总线收发器，具有可配置的电压转换和三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/09604 REV A-2008 微电路、数字、双位、双电源总线收发器，具有可配置的电压转换和三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/09608 REV A-2008 具有可配置电压转换和三态输出、单片硅的微电路、数字、单位双电源总线收发器
DLA SMD-5962-99534-1999 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的16位D型锁存器,单块硅
DLA SMD-5962-99535-1999 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的16位D型触发器,单块硅
DLA SMD-5962-04210 REV A-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-92271 REV C-2008 微电路、数字、快速 CMOS、带串联电阻器和三态输出的 16 位同相缓冲器/线路驱动器、TTL 兼容输入、有限输出电压摆幅、单片硅
DLA SMD-5962-96780 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有等效 22 欧姆 A 端口输出电阻器的 3.3V 16 位总线收发器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,8位串联输入/并联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 硅单片TTL兼容8位普遍移位寄存器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-02508 REV C-2007 单片硅数字微电路低压CMOS16位总线收发器与总线控制和三态输出
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 硅单片,装有三态正向输出的八位总线收发器,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-99505-1999 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的16位缓冲器/驱动器,单块硅
DLA SMD-5962-99507-1999 微型电路,数字型,带三态输出和水平转换的10位总线开关,单块硅
DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位总线收发器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-94601 REV C-2008 配备三态输出TTL兼容输出的单片18位总线收发器的微电路数字式高级双极CMOS扫描试验设备
DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89758-1992 硅单片,装有三态输出的的9位缓冲同向锁存器,高速数字微型电路
DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、TTL 兼容、单片硅
DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位收发器
DLA SMD-5962-96890 REV B-2010 微电路、数字、低压 CMOS、18 位 GTL/LVT 通用总线收发器，具有三态输出、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V 16 位总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-06245 REV B-2009 微电路、数字、抗辐射 CMOS、16 位 D 触发器、TTL 兼容输入和三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-06245 REV C-2011 微电路、数字、抗辐射 CMOS、16 位 D 触发器、TTL 兼容输入和三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-06239 REV B-2011 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，16 位并行错误检测和校正电路，具有三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-06239 REV C-2011 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，16 位并行错误检测和校正电路，具有三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-89986 REV D-2011 微电路、混合、线性、16 位、数字到同步器和数字到解析器转换器
DLA SMD-5962-92280 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的18位总线接口,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93020-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92240 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向明沟输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92242 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92243-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位反向双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92246 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92259 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92263 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位锁存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92264 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92268 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的20位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85517 REV A-2005 硅单块门 N沟道计数器或计时器和平行输入输出单位,数字微型电路
DLA SMD-5962-99506-1999 微型电路,数字型,带三态输出和水平转换的10位总线交换开关,单块硅
DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 微电路，存储器，数字，8192 位，可切换，肖特基，具有三态输出的双极 PROM，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位寄存总线收发器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 32 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/06654 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 16 位透明 D 型锁存器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-88575 REV A-2010 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出的 10 位同相总线接口锁存器、单片硅
DLA SMD-5962-96827 REV B-2010 微电路、数字、快速 CMOS、8 位诊断扫描寄存器、TTL 兼容输入和有限输出电压摆幅、单片硅
DLA SMD-5962-94646 REV A-2009 微电路，线性，数字到同步/解析器转换器，兼容微处理器，16 位，混合
DLA SMD-5962-92270 REV D-1997 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位反向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92272 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及正向三态输出的16位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92276 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92278 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位收发器/寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92282-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的20位正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92283 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93025-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的八位正向透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA DSCC-VID-V62/05606 REV B-2011 微电路、数字、8 位通用总线收发器和两个带分离 LVTTL 端口、反馈路径和三态输出的 1 位总线收发器，单片硅
DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 硅单片,集电极开路输出,八位总线收发器,低功率改进型肖特基TTL双极数字微型电路
DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 硅单片,装有集电极开路输出八位缓冲器/驱动器,改进型肖脱基TTL双极数字微型电路
DLA DSCC-VID-V62/05612 REV B-2011 微电路，线性，16 位 2.5 V 至 3.3 V / 3.3 V 至 5 V 电平转换收发器，具有 3 个状态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/03602 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有 3 态输出的 16 位 D 型透明锁存器、TTL 兼容、单片硅
DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
DLA SMD-5962-92200 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 10 位透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-91609 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 位诊断寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92018 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线驱动器
DLA SMD-5962-95618 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92204 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的正向八位寄存的收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92228-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的十位总线接口锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92237 REV C-2006 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有异步复位的4位可预设置二进计数器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 硅单片,集电极开路输出及八位总线收发器,低功率改进型肖特基TTL双极数字微型电路
DLA SMD-5962-92281-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有限流继电器及三态输出的20位正向缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93019-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 硅单片装有三态输出的八位反相缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-81017 REV G-2005 硅单片4比特并行输入/并行输出移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89989-1990 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94528 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、八路 16 位 D 型触发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04711 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 16 位边沿触发 D 型触发器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 18 位通用总线驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04722 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 32 位边沿触发 D 型触发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-92232-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有反向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-98542 REV A-2003 微型电路,数字型,改进双极CMOS,同等22欧姆系列输出电阻器和带三态输出的3.3伏16位边沿触发D型触发器,TTL兼容输入,单块硅
DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 硅单片装有三态输出的8阶移位寄存器/锁存器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 硅单片,装有三态输出的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 36 位总线收发器
DLA DSCC-VID-V62/03603 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位 D 型边沿触发触发器、TTL 兼容、单片硅
DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
DLA SMD-5962-91611 REV B-2009 微电路，数字，高级 CMOS，8 位 D 型触发器，正边沿触发，三态输出，TTL 兼容输入，单片硅
DLA SMD-5962-95619 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、16 位缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位寄存收发器
DLA SMD-5962-92024 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位 D 型透明锁存器
DLA SMD-5962-98580 REV G-2008 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-98580 REV H-2009 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-98580 REV J-2010 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-06243 REV B-2011 微电路、数字、抗辐射 CMOS、16 位缓冲器/线路驱动器、TTL 兼容输入和三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-89722-1989 硅单片,八位传输线及底板收发器(有三态输出的集电极开路),改进型肖特基TTL数字微型电路
DLA SMD-5962-96774 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位总线收发器，带 25 欧姆串联电阻和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92260 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92267 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的20位正向缓冲器/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-97638 REV C-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、带总线保持功能的 3.3 伏 16 位透明 D 型锁存器、等效 22 欧姆系列输出电阻器、三态输出和 TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-98542 REV B-2010 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3 伏 16 位边沿触发 D 型触发器，带总线保持功能，等效 22 欧姆串联输出电阻器，三态输出和 TTL 兼容输入，单片硅
DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 硅单片装有三态输出的八位D型透明锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84162 REV D-2002 硅单片8比特串联输入并联输出移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-00529-2000 单片硅数字微电路先进CMOS 16位缓冲器/线路驱动器与三态输出的TTL兼容的输入,
DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 硅单片,装有三态输出的八位收发器/寄存器,改进型氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-89732-1989 硅单片,装有三态输出的八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95578 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、36 位寄存总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94508 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、9 位总线接口触发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94671 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、18 位通用总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-02508 REV D-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持和三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-92274 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的16位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93026-1995 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有串联继电器及三态输出的八位边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-06240 REV B-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、9 位可锁存收发器，带奇偶校验发生器/校验器，带非反相三态输出，TTL 兼容输入和输出，单片硅
DLA SMD-5962-11207 REV D-2011 微电路、数字、低压 CMOS、抗辐射、16 位双电源总线收发器和电平转换器，带总线保持、侧串联电阻器和三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-97638 REV B-2003 微型电路,数字型,改进双极CMOS,带总线保持功能和三态输出的3.3伏16位透明D型锁存器,等同22欧姆系列输出电阻器和TTL兼容输入,单块硅
DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 硅单片装有三态输出的八位总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 硅单片,8比特并联输入串联输出的移位寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位透明 D 型锁存器
DLA SMD-5962-92025 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位 D 型边沿触发触发器
DLA SMD-5962-91610 REV C-2013 微电路，数字，高级 CMOS，9 位 D 型触发器，正边沿触发，具有三态输出，TTL 兼容输入，单片硅
DLA SMD-5962-06234 REV A-2012 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途寄存收发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-93250 REV A-2005 硅单片,装有三态输出及25欧姆下拉电阻的八位缓冲器/驱动器,改进型肖脱基TTL双极数字微型电路
DLA SMD-5962-92215 REV E-2010 微电路、数字、快速 CMOS、带异步主复位的八进制 D 型触发器、TTL 兼容输入和有限的输出电压摆幅、单片硅
DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位D型双稳多谐振荡器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89724 REV B-2006 硅单片,装有三态输出的八位D型双稳太多谐振荡器,改进型肖特基TTL数字微型电路
DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 硅单片,装有正向三态输出,16位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-94502 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有反相三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位缓冲器/驱动器
DLA SMD-5962-92199 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-90720 REV B-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基、TTL、9 位总线接口 D 型锁存器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-95646 REV B-2008 单片硅TTL兼容输入,20位总线接口D型锁存器带三相输出,改进的双极CMOS数字微电路

行业标准-电力，关于析出电位的标准

DL/T 429.7-2017 电力用油油泥析出测定方法

丹麦标准化协会，关于析出电位的标准

DS 218:1975 水分析氟化物的电位测定
DS/EN ISO 20046:2021 辐射防护使用荧光原位杂交（FISH）易位分析评估电离辐射暴露的实验室性能标准（ISO 20046:2019）
DS/EN ISO 15682:2002 水质通过流动分析（CFA 和 FIA）和光度或电位检测法测定氯化物

行业标准-卫生，关于析出电位的标准

WS/T 19-1996 尿中铅的微分电位溶出测定方法
WS/T 21-1996 血中铅的微分电位溶出测定方法
WS/T 33-1996 尿中镉的微分电位溶出测定方法

国家质检总局，关于析出电位的标准

GB/T 32668-2016 胶体颗粒zeta电位分析电泳法通则
GB/T 20245.5-2013 电化学分析器性能表示第5部分：氧化还原电位
GB/T 8704.5-1994 钒铁化学分析方法电位滴定法测定钒量
GB/T 8654.7-1988 金属锰化学分析方法电位滴定法测定锰量
GB/T 10574.9-1989 锡铅焊料化学分析方法电位滴定法测定银量
GB/T 5686.1-1988 锰硅合金化学分析方法电位滴定法测定锰量
GB 223.20-1982 钢铁及合金化学分析方法电位滴定法测定钴
GB/T 5124.3-1985 硬质合金化学分析方法电位滴定法测定钴量
GB/T 43087-2023 微束分析分析电子显微术层状材料截面像中界面位置的确定方法
GB/T 43088-2023 微束分析分析电子显微术金属薄晶体试样中位错密度的测定方法
GB/T 223.20-1994 钢铁及合金化学分析方法电位滴定法测定钴量
GB/T 10323-1988 铬铁、硅铬合金化学分析方法电位滴定法测定铬量
GB/T 6911.3-1986 锅炉用水和冷却水分析方法硫酸盐的测定电位滴定法
GB/T 23273.1-2009 草酸钴化学分析方法.第1部分:钴量的测定电位滴定法
GB/T 6905.2-1986 锅炉用水和冷却水分析方法氯化物的测定电位滴定法
GB/T 15072.2-2008 贵金属合金化学分析方法.银合金中银量的测定.氯化钠电位滴定法
GB/T 17680.10-2003 核电厂应急计划与准备准则核电厂营运单位应急野外辐射监测、取样与分析准则
GB/T 15072.5-2008 贵金属合金化学分析方法.金、钯合金中银量的测定.碘化钾电位滴定法
GB/T 42513.1-2023 镍合金化学分析方法第1部分：铬含量的测定硫酸亚铁铵电位滴定法
GB/T 11064.3-1989 碳酸锂、单水氢氧化锂、氯化锂化学分析方法电位滴定法测定氯化锂量
GB/T 15072.1-2008 贵金属合金化学分析方法.金、铂、钯合金中金量的测定.硫酸亚铁电位滴定法

法国标准化协会，关于析出电位的标准

NF T20-284:1970 硝酸的化学分析.氯的电位测定
NF A10-910:1977 钒铁的化学分析.电位测定法测量钒
NF M60-413*NF EN ISO 12183:2019 核燃料技术钚的可控电位库仑分析
NF A06-102:1969 锰矿石的化学分析.锰的电位计法测定
NF T20-741:1967 马来酐和酞酐的化学分析.游离酸度的电位测定
NF T90-260:2023 水质分析方法的表征水中氧化还原电位的测量
NF M60-221*NF EN ISO 20046:2021 放射防护使用荧光原位杂交（FISH）易位分析评估电离辐射暴露的实验室的性能标准
NF A06-331*NF EN 10071:2012 黑色金属材料的化学分析.钢和铁中锰的测定.电位滴定法
NF A06-331:1989 黑色金属材料的化学分析.钢和铁中锰的测定.电位滴定法
NF A81-317:1980 由耐热钢析出的粉末焊剂.电弧焊用实心金属裸焊条.符号.规范
NF A81-347:1979 低温使用的有金属析出的手工电弧焊用药皮金属焊条.符号.焊条
NF EN ISO 10156:2017 气瓶气体和气体混合物确定可燃性和氧化电位以选择阀门出口连接
NF EN ISO 20046:2021 辐射防护 - 使用荧光原位杂交 (FISH) 可视化易位分析来评估电离辐射暴露的实验室的性能标准
NF EN ISO 15682:2001 水质 - 通过流量分析（CFA 和 FIA）和光度或电位检测来确定氯化物用量
NF T51-785-4*NF EN ISO 182-4:2000 塑料制品高温下基于氯乙烯均聚物和共聚物的化合物及其制品析出氯化氢和其它酸类产品倾向的测定第4部分：电位测定法
NF EN 50216-2/A1:2003 电力变压器和电感线圈附件 - 第 2 部分：浸入装有防腐剂的液体电介质中的变压器和电抗器的保护继电器（气体逸出、油位）
NF EN 50216-2:2002 电力变压器和电感线圈附件 - 第 2 部分：浸入装有防腐剂的液体电介质中的变压器和电抗器的保护继电器（气体逸出、油位）

德国标准化学会，关于析出电位的标准

DIN 10807:1996 茶叶分析.氟化物含量测定.电位法
DIN EN ISO 12183:2019-12 核燃料技术-钚的可控电位库仑分析
DIN IEC 60746-5:1996-07 电化学分析仪性能的表示 - 第 5 部分：氧化还原电位或氧化还原电位（IEC 60746-5:1992）
DIN 10807:1996-02 茶叶分析氟化物含量的测定电位滴定法
DIN EN ISO 12183:2019 核燃料技术钚的可控电位库仑分析（ISO 12183:2016）
DIN EN 12634:1999 石油制品和润滑剂.酸值的测定.无水介质电位滴定分析法
DIN EN ISO 182-4:2001 塑料.基于氯乙烯均聚物、共聚物的化合物和产品在高温下析出氯化氢和其它酸性产品的趋势测定.第4部分:电位测量法
DIN EN ISO 15682:2002-01 水质 - 通过流动分析（CFA 和 FIA）和光度或电位检测测定氯化物（ISO 15682:2000）
DIN EN ISO 15682:2002 水质.通过流量分析(CFA和FIA)和光度测量或电位检测法测定氯化物含量

PL-PKN，关于析出电位的标准

PN T06513-02-1990 氧化还原电位值测量．工业分析仪
PN-EN ISO 20046-2021-07 E 辐射防护使用荧光原位杂交（FISH）易位分析评估电离辐射暴露的实验室性能标准（ISO 20046:2019）

中国团体标准，关于析出电位的标准

T/BSRS 029-2020 核电厂液态流出物中氚分析技术规范
T/BSRS 038-2020 核电厂液态流出物中锶-90的分析方法
T/BSRS 005-2019 核电厂气态流出物中氚分析技术规范
T/BSRS 007-2019 核电厂气态流出物中14C分析技术规范
T/CSTM 01024-2023 导电阳极丝热成像辅助定位失效分析方法
T/BSRS 027-2020 核电厂气态流出物中惰性气体的γ能谱分析技术规范
T/BSRS 028-2020 核电厂液态流出物γ放射性核素总浓度分析技术规范
T/JAASS 8-2020 出口果蔬中毒死蜱农药残留免疫层析电化学检测技术
T/QAS 082.1-2023 岩盐及芒硝化学分析第1部分：氯的测定电位滴定法
T/QAS 082.2-2023 岩盐及芒硝化学分析第2部分：钙、镁的测定电位滴定法

ES-UNE，关于析出电位的标准

UNE-EN ISO 12183:2019 核燃料技术钚的可控电位库仑分析

国际电工委员会，关于析出电位的标准

IEC 60982:1989 连续或开关输出的电离辐射料位测量系统
IEC 61181:2012 充矿物油电气设备.电气设备出厂试验的溶解气体分析(DGA)应用

美国材料与试验协会，关于析出电位的标准

ASTM UOP779-08 用微电量分析测定石油馏出物中氯化物
ASTM UOP704-70 用无水介质电位滴定分析法测定重质有机胺当量
ASTM B767-88(2006) 用重量分析法和其它化学分析法测定电沉积涂层及相关涂层单位面积的质量
ASTM B767-88(1994) 用重量分析法和其它化学分析法测定电沉积涂层及相关涂层单位面积的质量
ASTM B767-88(2001) 用重量分析法和其它化学分析法测定电沉积涂层及相关涂层单位面积的质量
ASTM B767-88(2016) 用重量分析法和其它化学分析法测定电沉积涂层及相关涂层单位面积的质量
ASTM B767-88(2021) 用重量分析和其他化学分析程序测定电沉积和相关涂层单位面积质量的标准指南
ASTM D3227-16 汽油煤油航空涡轮和馏出燃料中硫醇硫醇硫的标准试验方法（电位法）
ASTM D1159-23 用电位滴定法测定石油馏出物和商业脂肪烯烃溴值的标准试验方法
ASTM B767-88(2010) 重量分析法和其它化学分析法测定电沉积涂层及相关涂层单位面积质量的标准指南
ASTM D6888-03 用气体扩散分离和电流计探测法对有效氰化物进行配位位移和流量注入分析的试验方法
ASTM D6888-04 用气体扩散分离和电流计探测法对有效氰化物进行配位位移和流量注入分析的标准试验方法
ASTM D6888-09 用气体扩散分离和电流计探测法对有效氰化物进行配位位移和流量注入分析的标准试验方法
ASTM C110-08 使用电感耦合等离子-原子发射光谱法对核废料中浸出液分析试验方法
ASTM C110-09 使用电感耦合等离子-原子发射光谱法对核废料中浸出液分析试验方法
ASTM C1109-98 使用电感耦合等离子-原子发射光谱法对核废料中浸出液分析试验方法
ASTM C1109-10(2015) 使用电感耦合等离子-原子发射光谱法对核废料中浸出液分析试验方法
ASTM D3227-23 汽油、煤油、航空涡轮机和馏出物燃料中（硫醇硫醇）硫的标准试验方法（电位滴定法）
ASTM C1109-04 使用电感耦合等离子体原子发射光谱法分析核废料中浸出液的标准规程
ASTM C1109-10 使用电感耦合等离子体原子发射光谱法分析核废料中浸出液的标准实施规程
ASTM D8110-17 用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）对馏出物产品进行元素分析的标准试验方法

CZ-CSN，关于析出电位的标准

CSN 42 0648 Cast.1-1986 金属铬的化学分析．电位滴定法测定铬
CSN 42 0643 Cast.11-1972 镍合金的化学分析．电位滴定法测定碳
CSN EN 10 071-1993 铁质材料的化学分析．钢铁中锰钢的测定．电位滴定法
CSN 70 0632 Cast.1-1986 玻璃的化学分析．测定氧化铅．配位酮3容积法（经电离分解后）
CSN 83 4752 Cast.3-1989 空气污染控制．固定污染源中排放的含氟物的测定．电位分析法
CSN 64 0751-1981 塑料测试．通过连续电位分析法测定聚氯乙烯及其混合物的热稳定性

ANSI - American National Standards Institute，关于析出电位的标准

X3.95-1982 信息系统-微处理器-十六进制输入/输出使用 5 位和 7 位电传打字机

RU-GOST R，关于析出电位的标准

GOST R 51124-1997 水果与蔬菜汁.测定脯氨酸的电位分析法
GOST 27987-1988 电位测定法液体分析仪.ГСП.一般技术条件
GOST R 51122-1997 水果与蔬菜汁.测定甲醛数量的电位分析法
GOST R 50706.4-1994 工业用硝酸.氯离子含量的测定.电位分析法
GOST 19881-1974 检查奶和奶制品pH值用电位计式分析器.一般技术条件
GOST R 50571.7.706-2016 低压电气装置. 第7-706部分. 特殊装置或位置的要求限制出入的地点指挥
GOST R ISO 1390-3-1993 工业用顺丁烯二酸酐.测试方法.第3部分:游离酸度的测定,电位分析法
GOST R ISO 1390/3-1993 工业用顺丁烯二酸酐.测试方法.第3部分:游离酸度的测定.电位分析法

KR-KS，关于析出电位的标准

KS D ISO 4140-2008(2023) 铬铁和硅铬铁化学分析方法电位滴定法
KS I ISO 7917-2014 声学.在操作者位置测量电刷锯发出的空气噪声
KS I ISO 15682-2021 水质.通过流动分析（CFA和FIA）和光度或电位检测测定氯化物
KS B ISO 10156-2018 气瓶气体和气体混合物选择气瓶阀门出口的着火电位和氧化能力的测定

SE-SIS，关于析出电位的标准

SIS SS-ISO 3012:1992 汽油、煤油和馏出燃料．硫醇硫的测定．电位滴定法
SIS SS-EN 10 071-1989 化学分析有色金属材料．钢铁中锰的测定．电位滴定法

日本工业标准调查会，关于析出电位的标准

JIS K 2605:1996 石油馏出物和工业用脂族烯.溴值的测定.电位法
JIS K 1468-2:1999 酸性莹石.化学分析方法.第2部分:可用氟含量的测定.蒸馏后的电位测量法

行业标准-商品检验，关于析出电位的标准

SN/T 0254-2011 进出口轻烧镁中酸溶氯化物的测定电位滴定法
SN/T 1048-2002 进出口粮食、饲料大麦品种鉴定.蛋白质电泳分析法
SN/T 2497.12-2010 进出口危险化学品安全试验方法.第12部分:单细胞凝胶电泳分析试验

行业标准-航空，关于析出电位的标准

HB/Z 5088.4-1999 电镀镍溶液分析方法电位滴定法测定硼酸的含量
HB/Z 5088.3-1999 电镀镍溶液分析方法电位滴定法测定氯化钠含量
HB/Z 5092.3-2001 电镀黑铬溶液分析方法电位滴定法测定硼酸的含量
HB/Z 5092.4-2001 电镀黑铬溶液分析方法电位滴定法测定乙酸的含量
HB/Z 5092.2-2001 电镀黑铬溶液分析方法电位滴定法测定硝酸钠的含量
HB/Z 5091.1-1999 电镀铬溶液分析方法电位滴定法测定三氧化铬的含量
HB/Z 5099.1-2000 电镀银溶液分析方法电位滴定法测定电镀银溶液中银的含量
HB/Z 5086.4-2000 氰化电镀铜溶液分析方法电位滴定法测定碳酸钠的含量
HB/Z 5092.1-2001 电镀黑铬溶液分析方法电位滴定法测定三氧化铬的含量
HB/Z 5093.3-2000 碱性电镀锡溶液分析方法电位滴定法测定醋酸钠的含量
HB/Z 5084.3-2000 氰化电镀锌溶液分析方法电位滴定法测定碳酸钠的含量
HB/Z 5084.4-2000 氰化电镀锌溶液分析方法电位滴定法测定硫化钠的含量
HB/Z 5091.2-1999 电镀铬溶液分析方法电位滴定法测定三氧化二铬的含量
HB/Z 5085.2-1999 氰化电镀镉溶液分析方法电位滴定法测定氰化钠的含量
HB/Z 5085.4-1999 氰化电镀镉溶液分析方法电位滴定法测定碳酸钠的含量
HB/Z 5086.3-2000 氰化电镀铜溶液分析方法电位滴定法测定氢氧化钠的含量
HB/Z 5093.2-2000 碱性电镀锡溶液分析方法电位滴定法测定氢氧化钠的含量
HB/Z 5105.1-2000 电化学抛光溶液分析方法电位滴定法测定三氧化铬的含量
HB/Z 5105.3-2000 电化学抛光溶液分析方法电位滴定法测定硫酸、磷酸的含量
HB/Z 5084.2-2000 氰化电镀锌溶液分析方法电位滴定法测定氢氧化钠的含量
HB/Z 5085.3-1999 氰化电镀镉溶液分析方法电位滴定法测定氢氧化钠的含量
HB/Z 5099.2-2000 电镀银溶液分析方法电位滴定法测定电镀银溶液中氰化钾的含量
HB/Z 5099.3-2000 电镀银溶液分析方法电位滴定法测定电镀银溶液中碳酸钾的含量
HB/Z 5089.6-2004 电镀黑镍溶液分析方法第6部分:电位滴定法测定硼酸的含量
HB/Z 5086.6-2000 氰化电镀铜溶液分析方法电位滴定法测定酒石酸钾钠的含量
HB/Z 5105.2-2000 电化学抛光溶液分析方法电位滴定法测定三氧化二铬的含量
HB/Z 5110.1-2000 电化学除油及化学除油溶液分析方法电位滴定法测定总碱度
HB/Z 5087.3-2004 酸性电镀铜溶液分析方法第3部分:电位滴定法测定硫酸的含量
HB/Z 5108.1-1999 磷化溶液分析方法电位滴定法测定游离酸度和总酸度
HB/Z 5099.4-2000 电镀银溶液分析方法电位滴定法测定镀硬银溶液中碳酸钾的含量
HB/Z 5087.2-2004 酸性电镀铜溶液分析方法第2部分:电位滴定法测定硫酸铜的含量
HB/Z 5096.2-2004 电镀铅溶液分析方法第2部分:电位滴定法测定氟硼酸（游离）的含量
HB/Z 5089.5-2004 电镀黑镍溶液分析方法第5部分:电位滴定法测定硫氰酸铵的含量
HB/Z 5090.2-2001 化学镀镍溶液分析方法电位滴定法测定次磷酸钠的含量
HB 5220.25-1995 高温合金化学分析方法铁氰化钾电位滴定法测定钴含量
HB/Z 5094.1-2004 酸性电镀锡溶液分析方法第1部分:电位滴定法测定硫酸亚锡的含量
HB/Z 5094.2-2004 酸性电镀锡溶液分析方法第2部分:电位滴定法测定硫酸(游离)的含量
HB/Z 5095.3-2004 氰化电镀黄铜溶液分析方法第3部分:电位滴定法测定碳酸钠的含量
HB/Z 5109.11-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀铜钝化溶液中氯化钠的含量
HB/Z 5109.16-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀银钝化溶液中硝酸钾的含量
HB/Z 5099.5-2000 电镀银溶液分析方法电位滴定法测定镀硬银溶液中氢氧化钾的含量
HB/Z 5109.5-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀锌、电镀镉三酸钝化溶液中硝酸的含量
HB/Z 5109.8-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀锌、电镀镉硝酸钝化溶液中硝酸的含量
HB/Z 5109.14-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀黄铜钝化溶液中氯化钠的含量
HB/Z 5109.15-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀银钝化溶液中重铬酸钾的含量
HB/Z 5109.9-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀铜钝化溶液中三氧化铬的含量
HB/Z 5099.6-2000 电镀银溶液分析方法电位滴定法测定镀硬银溶液中酒石酸钾钠的含量
HB/Z 5104.2-1999 铝合金硫酸阳极氧化溶液分析方法电位滴定法测定铝的含量
HB/Z 5095.2-2004 氰化电镀黄铜溶液分析方法第2部分:电位滴定法测定氰化钠(游离)的含量
HB/Z 5109.12-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀黄铜钝化溶液中重铬酸钠的含量
HB/Z 5109.1-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀锌、电镀镉二酸钝化溶液中重铬酸钠的含量
HB/Z 5109.3-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀锌、电镀镉三酸钝化溶液中三氧化铬的含量
HB/Z 5109.6-2001 钝化溶液分析方法电位滴定法测定电镀锌、电镀镉硝酸钝化溶液中重铬酸钠的含量
HB 5220.25-2008 高温合金化学分析方法第25部分：铁氰化钾电位滴定法测定钴含量
HB/Z 339.2-1999 铝合金铬酸阳极氧化溶液分析方法电位滴定法测定氯离子的含量
HB/Z 5104.3-1999 铝合金硫酸阳极氧化溶液分析方法电位滴定法测定氯离子的含量
HB 20056.7-2011 锡-铋合金镀层及电镀锡-铋合金溶液分析方法.第7部分: 电位滴定法测定硫酸含量
HB 20055.2-2011 铝合金化学铣切溶液分析方法.第2部分: 电位滴定法测定氢氧化钠含量
HB 20056.4-2011 锡-铋合金镀层及电镀锡-铋合金溶液分析方法.第4部分: 电位滴定法测定硫酸亚锡含量
HB/Z 5110.2-2000 电化学除油及化学除油溶液分析方法电位滴定法测定氢氧化钠、碳酸钠、磷酸三钠的含量

TR-TSE，关于析出电位的标准

TS 762-1969 工业用三聚磷酸钠．用电位分析法测量pH值

行业标准-农业，关于析出电位的标准

水产品质量安全检验手册 1.2.4.5-2005 第一章总论第二节水产品检验的分析方法四、物理化学分析法（五）电位分析法

YU-JUS，关于析出电位的标准

JUS C.A1.068-1990 钢和铁的化学分析方法．电位滴定法测定钒量
JUS C.A1.425-1980 铁合金的化学分析方法．电位滴定法测定钒铁中的钒量
JUS C.A1.707-1991 镍和镍合金的化学分析方法．电位滴定法测定镍合金中的铬量
JUS C.A1.706-1991 镍和镍合金的化学分析方法．电位滴定法测定镍合金中的钴量
JUS C.A1.401-1980 铁合金的化学分析方法．电位滴定法测定硅铬铁和铬铁中的铬量
JUS C.A1.405-1978 铁合金的化学分析方法．电位滴定法测定锰铁和硅锰铁中的锰量
JUS C.A1.408-1978 铁合金的化学分析方法．电位滴定法测定铬铁和硅铬铁中的铬量

NL-NEN，关于析出电位的标准

NEN 6209-1978 钢和铁的化学分析．钢铁中锰含量的电位滴定

安徽省标准，关于析出电位的标准

DB34/T 2579-2015 铜电解液化学分析方法氯含量的测定自动电位滴定法
DB34/T 3253-2018 铜精矿化学分析方法氯含量的测定自动电位滴定法

ECIA - Electronic Components Industry Association，关于析出电位的标准

EIA-364-94-1997 TP-94 电连接器绝缘位移触头（IDC）的横向拔出力测试程序

行业标准-地质，关于析出电位的标准

DZ/T 0064.7-2021 地下水质分析方法第7部分：EH值的测定电位法

行业标准-机械，关于析出电位的标准

JB/T 7948.2-1999 熔炼焊剂化学分析方法.电位滴定法测定氧化锰量

RO-ASRO，关于析出电位的标准

STAS 6908/3-1990 气态氢质子．电位分析法测定硫化氢和硫醇硫的含量

行业标准-有色金属，关于析出电位的标准

YS/T 645-2007 金化合物分析方法金量的测定硫酸亚铁电位滴定法
YS/T 710.1-2009 氧化钴化学分析方法.第1部分:钴量的测定.电位滴定法
YS/T 372.1-2006 贵金属合金元素分析方法.银量的测定.碘化钾电位滴定法
YS/T 372.1-1994 贵金属合金元素分析方法.银量的测定.碘化钾电位滴定法
YS/T 372.14-2006 贵金属合金元素分析方法.锰量的测定.高锰酸钾电位滴定法
YS/T 349.1-2009 硫化钴精矿化学分析方法.第1部分:钴量的测定.电位滴定法
YS/T 372.14-1994 贵金属合金元素分析方法.锰量的测定.高锰酸钾电位滴定法
YS/T 956.2-2014 金锗合金化学分析方法第2部分:锗量的测定碘酸钾电位滴定法

IN-BIS，关于析出电位的标准

IS 1448 Pt.109-1981 石油及其产品的试验方法 [P：109] 硫醇硫的测定——航空涡轮机燃料的电流分析法和电位分析法

IT-UNI，关于析出电位的标准

UNI EN ISO 20046:2021 放射防护使用荧光原位杂交（FISH）易位分析评估电离辐射暴露的实验室的性能标准
UNI 7089-1972 含铁材料化学分析．钢和生铁中的铜测定．电位控制电解法，取代UNI 2961
UNI 7494-1975 铁合金化学分析．钴铁中的钴测定．电位测定法．以UNI 7493取代UNI 6879
UNI 7493-1975 含铁材料化学分析．钢中的钴硼测定．电位测定法．以UNI 7494取代UNI 6879
UNI 5975-1967 不含铁金属材料化学分析方法．耐磨白金属中的铜和铅的测定．控制电位电解法
UNI 6879-1971 含铁材料和铁合金材料化学分析．钢中和铁．钴中钴的测定．电位测定法

行业标准-电子，关于析出电位的标准

SJ 50597/21-1994 半导体集成电路.JADC1001型通用8位二进制输出A/D转换器详细规范

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于析出电位的标准

GB/T 5124.3-2017 硬质合金化学分析方法第3部分：钴量的测定电位滴定法

未注明发布机构，关于析出电位的标准

BS EN ISO 15682:2001(2008)*BS 6068-2.71:2000 水质 — 通过流动分析（CFA 和 FIA）和光度或电位检测测定氯化物

CH-SNV，关于析出电位的标准

SN EN ISO 20046:2021 辐射防护使用荧光原位杂交（FISH）易位分析评估电离辐射暴露的实验室性能标准（ISO 20046:2019）

立陶宛标准局，关于析出电位的标准

LST EN ISO 20046:2021 辐射防护使用荧光原位杂交（FISH）易位分析评估电离辐射暴露的实验室性能标准（ISO 20046:2019）
LST EN ISO 15682:2003 水质通过流量分析（CFA 和 FIA）和光度或电位检测法测定氯化物（ISO 15682:2000）

AENOR，关于析出电位的标准

UNE-EN ISO 15682:2002 水质通过流动分析（CFA 和 FIA）和光度或电位检测法测定氯化物（ISO 15682:2000）

ZA-SANS，关于析出电位的标准

SANS 15682:2002 水质．通过流分析（CFA和FIA）以及光度法和电位滴定法测定氯化物含量

行业标准-档案，关于析出电位的标准

DA/T 95-2022 行政事业单位一般公共预算支出财务报销电子会计凭证档案管理技术规范

加拿大标准协会，关于析出电位的标准

CSA M5673-2-07-CAN/CSA-2007 农业拖拉机和机械—动力输出万向节传动轴和电源输入连接.第2部分.功率输出万向节传动轴的使用位置及间隙的规范