Trägerkonzentration

Für die Trägerkonzentration gibt es insgesamt 19 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Trägerkonzentration die folgenden Kategorien: Prüfung von Metallmaterialien, Isolierflüssigkeit, Halbleitermaterial, analytische Chemie.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Trägerkonzentration

GB/T 14146-2021 Testverfahren für die Trägerkonzentration von Silizium-Epitaxieschichten – Kapazitäts-Spannungs-Verfahren

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Trägerkonzentration

GB/T 8757-2006 Bestimmung der Trägerkonzentration in Galliumarsenid anhand des Plasmaresonanzminimums
GB/T 36705-2018 Testmethode für die Trägerkonzentration von Galliumnitrid-Substraten – Raman-Spektrum-Methode
GB/T 14146-1993 Siliziumepitaxieschichten – Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration – Quecksilbersonden-Spannungskapazitätsmethode
GB/T 11068-2006 Galliumarsenid-Epitaxieschicht. Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration durch Spannungs-Kapazitäts-Methode
GB/T 14146-2009 Siliziumepitaxieschichten – Bestimmung der Trägerkonzentration – Quecksilbersondenspannungen – Kapazitätsmethode
GB 11068-1989 GaAs-Epitaxieschicht-Trägerkonzentrations-Kapazitäts-Spannungs-Messverfahren
GB/T 14863-2013 Methode zur Bestimmung der Nettoträgerdichte in Silizium-Epitaxieschichten durch Spannungs-Kapazität von gesteuerten und nicht gesteuerten Dioden
GB/T 14863-1993 Standardtestverfahren für die Nettoträgerdichte in Silizium-Eqitaxieschichten durch Spannungs-Kapazität von gesteuerten und nicht gesteuerten Dioden

Professional Standard - Electron, Trägerkonzentration

SJ 2757-1987 Methode zur Messung der Ladungsträgerkonzentration von stark dotierten Halbleitern mittels Infrarotreflexion
SJ 3248-1989 Methoden zur Messung der Trägerkonzentration von zugesetztem Galliumarsenid und Indiumphosphid durch Infrarotreflexion
SJ 3244.1-1989 Methoden zur Messung der Hall-Mobilität und Trägerkonzentration von Galliumarsenid und Indiumphosphid
SJ 3244.4-1989 Messmethoden für die Profilverteilung der Trägerkonzentration von Galliumarsenid- und Indiumphosphidmaterialien – Elektrochemische Spannungskapazitätsmethode

Group Standards of the People's Republic of China, Trägerkonzentration

T/IAWBS 003-2017 Bestimmung der Trägerkonzentration in der epitaktischen SiC-Schicht_Kapazitäts-Spannungs-Methode mit Quecksilbersonde

British Standards Institution (BSI), Trägerkonzentration

PD IEC TS 62607-5-3:2020 Nanofertigung. Wichtige Kontrollmerkmale. Organische/nanoelektronische Dünnschichtgeräte. Messungen der Ladungsträgerkonzentration

International Electrotechnical Commission (IEC), Trägerkonzentration

IEC TS 62607-6-16:2022 Nanofertigung – Wichtige Kontrollmerkmale – Teil 6-16: Zweidimensionale Materialien – Trägerkonzentration: Feldeffekttransistor-Methode
IEC TS 62607-5-3:2020 Nanofertigung – Wichtige Kontrollmerkmale – Teil 5-3: Organische/nanoelektronische Dünnschichtgeräte – Messungen der Ladungsträgerkonzentration

American Society for Testing and Materials (ASTM), Trägerkonzentration

ASTM F398-92(1997) Standardtestmethode für die Mehrheitsträgerkonzentration in Halbleitern durch Messung der Wellenzahl oder Wellenlänge des Plasmaresonanzminimums

International Organization for Standardization (ISO), Trägerkonzentration

ISO/WD TR 23683:2023 Chemische Oberflächenanalyse – Rastersondenmikroskopie – Leitfaden zur experimentellen Quantifizierung der Trägerkonzentration in Halbleiterbauelementen mithilfe der elektrischen Rastersondenmikroskopie