ZH
EN
KR
JP
ES
RU

Details zu diskreten Halbleiterbauelementen der GP- und GT-Klasse GF411 mit grünen Leuchtdioden

Für die Details zu diskreten Halbleiterbauelementen der GP- und GT-Klasse GF411 mit grünen Leuchtdioden gibt es insgesamt 21 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Details zu diskreten Halbleiterbauelementen der GP- und GT-Klasse GF411 mit grünen Leuchtdioden die folgenden Kategorien: Diskrete Halbleitergeräte, Optoelektronik, Lasergeräte.

Professional Standard - Electron, Details zu diskreten Halbleiterbauelementen der GP- und GT-Klasse GF411 mit grünen Leuchtdioden

SJ 50033/6-1994 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für hellgrüne Halbleiterdioden für den Typ GF 411 der GP- und GT-Klassen
SJ 50033/4-1994 Diskretes Halbleiterbauelement. Detailspezifikation für rote Halbleiter-Leuchtdioden für den Typ GF 111 der GP- und GT-Klassen
SJ 50033/5-1994 Diskretes Halbleiterbauelement. Detailspezifikation für gelbe Halbleiter-Leuchtdioden für den Typ GF 311 der GP- und GT-Klassen
SJ 50033/3-1994 Diskretes Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für Halbleiter-Optokoppler für die Typen GH21, GH22 und GH23 der GP-, GT- und GCT-Klassen
SJ 50033/139-1998 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detailspezifikation für grüne Leuchtdiode für Typ GF4111
SJ 50033/58-1995 Optoelektronisches Halbleiterbauelement Detailspezifikation für grüne Leuchtdiode für Typ GF413
SJ 50033/142-1999 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für die grün emittierende Diode vom Typ GF4112
SJ 20014-1992 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für einen PNP-Silizium-Low-Power-Transistor für die Klassen 3CG110GP, GT und GCT
SJ/T 10947-1996 Detaillierte Spezifikationen für elektronische Komponenten – grüne Halbleiter-Leuchtdioden FG341052 und FG343053
SJ 50033/99-1995 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detailspezifikation für O/G-Doppelfarb-Leuchtdiode für Typ GF511
SJ 20015-1992 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für NPN-Silizium-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren für die Klassen 3DG130GP, GT und GCT
SJ 20016-1992 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für einen NPN-Silizium-Niedrigleistungstransistor mit hoher Sperrspannung für die Klassen 3DG182GP, GT und GCT
SJ 20011-1992 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für Silizium-N-Kanal-Feldeffekttransistoren im Deplition-Modus der Klassen GP, GT und GCT vom Typ CS1
SJ 20012-1992 Diskretes Halbleiterbauelement. Detailspezifikation für Silizium-N-Kanal-Feldeffekttransistor mit Deplitionsmodus vom Typ CS4. GP-, GT- und GCT-Klassen
SJ 20013-1992 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für einen Silizium-N-Kanal-Feldeffekttransistor mit Deplitionsmodus vom Typ CS10. GP-, GT- und GCT-Klassen

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Details zu diskreten Halbleiterbauelementen der GP- und GT-Klasse GF411 mit grünen Leuchtdioden

GJB 33/3-1987 Detaillierte Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente Detaillierte Spezifikation für NPN-Silizium-Leistungstransistoren der Güteklasse 3DD3442 der Güteklasse GP, GT und GCT
GJB 33/2-1987 Detaillierte Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente Detaillierte Spezifikation für NPN-Silizium-Leistungstransistoren der Güteklasse 3DD3767 der Güteklasse GP, GT und GCT
GJB 33/1-1987 Detaillierte Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente Detaillierte Spezifikation für NPN-Silizium-Leistungstransistoren der Güteklasse 3DD3716 der Güteklasse GP, GT und GCT
GJB 33/6-1988 Detaillierte Spezifikationen für diskrete Halbleiterbauelemente der Typen GP, GT und GCT vom Typ 3CG2605 mit PNP-Silizium-Niedrigleistungstransistoren
GJB 33/8-1988 Detaillierte Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente der GP-, GT- und GCT-Klasse 3DK2369A, Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch
GJB 33/7-1988 Detaillierte Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente GP, GT und GCT, Typ 3CK2907, PNP-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch