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반도체 개별 장치 gp 및 gt 등급 gf411 유형 반도체 녹색 발광 다이오드 세부 정보

모두 21항목의 반도체 개별 장치 gp 및 gt 등급 gf411 유형 반도체 녹색 발광 다이오드 세부 정보와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체 개별 장치 gp 및 gt 등급 gf411 유형 반도체 녹색 발광 다이오드 세부 정보와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 개별 장치, 광전자공학, 레이저 장비.

Professional Standard - Electron, 반도체 개별 장치 gp 및 gt 등급 gf411 유형 반도체 녹색 발광 다이오드 세부 정보

SJ 50033/6-1994 반도체 개별 장치 GP 및 GT 등급 GF 411 유형 반도체 녹색 발광 다이오드의 세부 사양
SJ 50033/4-1994 반도체 개별 장치 GP 및 GT 등급 GF 111 유형 반도체 적색 발광 다이오드의 세부 사양
SJ 50033/5-1994 반도체 개별 장치 GP 및 GT 등급 GF 311 유형 반도체 노란색 발광 다이오드의 세부 사양
SJ 50033/3-1994 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 GH21, GH22 및 GH23 유형 반도체 광커플러에 대한 세부 사양
SJ 50033/139-1998 반도체 광전자소자 GF4111 녹색발광다이오드 상세사양
SJ 50033/58-1995 반도체 광전자소자 GF413 녹색발광다이오드 상세사양
SJ 50033/142-1999 반도체 광전자소자 GF4112 녹색발광다이오드 상세사양
SJ 20014-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 3CG110 유형 PNP 실리콘 저전력 트랜지스터 세부 사양
SJ/T 10947-1996 전자부품 FG341052, FG343053형 반도체 녹색발광다이오드 상세사양
SJ 50033/99-1995 반도체 광전자소자 GF511 주황색/녹색 이중색상 발광다이오드 상세사양
SJ 20015-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 3DG130 유형 NPN 실리콘 고주파 저전력 트랜지스터 세부 사양
SJ 20016-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 3DG182 유형 NPN 실리콘 저전력 고전압 트랜지스터 세부 사양
SJ 20011-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 CS1 유형 실리콘 N-채널 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터.상세 사양
SJ 20012-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 CS4 유형 실리콘 N-채널 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터.상세 사양
SJ 20013-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 CS10 유형 실리콘 N 채널 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터 세부 사양

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 반도체 개별 장치 gp 및 gt 등급 gf411 유형 반도체 녹색 발광 다이오드 세부 정보

GJB 33/3-1987 반도체 디스크리트 장치에 대한 세부 사양 GP, GT 및 GCT 등급 3DD3442 유형 NPN 실리콘 전력 트랜지스터에 대한 세부 사양
GJB 33/2-1987 반도체 개별 장치에 대한 세부 사양 GP, GT 및 GCT 등급 3DD3767 유형 NPN 실리콘 전력 트랜지스터에 대한 세부 사양
GJB 33/1-1987 반도체 디스크리트 장치에 대한 세부 사양 GP, GT 및 GCT 등급 3DD3716 유형 NPN 실리콘 전력 트랜지스터에 대한 세부 사양
GJB 33/6-1988 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 3CG2605 유형 PNP 실리콘 저전력 트랜지스터에 대한 세부 사양
GJB 33/8-1988 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 3DK2369A 유형 NPN 실리콘 저전력 스위칭 트랜지스터에 대한 세부 사양
GJB 33/7-1988 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 3CK2907 유형 PNP 실리콘 저전력 스위칭 트랜지스터에 대한 세부 사양