bipolarer magnetischer Halbleiter

Für die bipolarer magnetischer Halbleiter gibt es insgesamt 265 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst bipolarer magnetischer Halbleiter die folgenden Kategorien: Diskrete Halbleitergeräte, Übertragungs- und Verteilungsnetze, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Optoelektronik, Lasergeräte, Integriertes digitales Dienstenetz (ISDN), Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Elektrotechnik umfassend, Eigenschaften und Design von Maschinen, Anlagen und Geräten, Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV), Ventil, magnetische Materialien, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Drahtlose Kommunikation, Umwelttests, Elektrische und elektronische Prüfung, Glasfaserkommunikation, Metrologie und Messsynthese.

British Standards Institution (BSI), bipolarer magnetischer Halbleiter

BS IEC 60747-7:2011 Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Bipolartransistoren
BS IEC 60747-7:2010 Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Bipolartransistoren
BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte – Bipolartransistoren
BS IEC 60747-7:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Bipolartransistoren
BS IEC 60747-9:2007 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
BS IEC 60747-9:2019 Halbleitergeräte – Diskrete Geräte. Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0. Halbleiterbauelemente. Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid. Teil 2. Prüfverfahren für bipolare Verschlechterung durch Body-Diode-Betrieb
BS EN IEC 60747-17:2020 Halbleiterbauelemente. Magnetischer und kapazitiver Koppler für einfache und verstärkte Isolierung
BS DD IEC/PAS 60747-17:2011 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Magnetischer und kapazitiver Koppler für einfache und verstärkte Isolierung
BS IEC 62047-28:2017 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Leistungstestmethode für vibrationsbetriebene MEMS-Elektret-Energiegewinnungsgeräte
15/30323630 DC BS EN 62047-28. Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Teil 28. Leistungstestverfahren für vibrationsbetriebene MEMS-Elektret-Energiegewinnungsgeräte
BS QC 790105:1993 Spezifikation für ein harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Leere Detailspezifikation. Programmierbare bipolare Nur-Lese-Speicher mit integrierter Schmelzverbindung und integrierter Schaltung

International Electrotechnical Commission (IEC), bipolarer magnetischer Halbleiter

IEC 60747-7:2000 Halbleiterbauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-7:2010 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-7:2019 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-9:2001 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
IEC 60747-9:2019 Halbleiterbauelemente – Teil 9: Diskrete Bauelemente – Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
IEC 60747-7/AMD2:1994 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise - Teil 7: Bipolartransistoren; Änderung 2
IEC 60747-9:1998 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
IEC 60747-9:2007 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
IEC 60747-7-3:1991 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 7: Bipolartransistoren; Abschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für Bipolartransistoren für Schaltgeräte
IEC 60747-7-5:2005 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7-5: Bipolartransistoren für Leistungsschaltanwendungen
IEC 63275-2:2022 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Testverfahren für bipolare Verschlechterung aufgrund des Body-Diode-Betriebs
IEC 60747-9/AMD1:2001 Halbleiterbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs); Änderung 1
IEC 60747-7/AMD1:1991 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise; Teil 7: Bipolartransistoren; Änderung 1
IEC 60747-7-4:1991 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 7: Bipolartransistoren; Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren zur Hochfrequenzverstärkung
IEC 60747-7-2:1989 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 7: Bipolartransistoren; Abschnitt zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
IEC 60747-7-1:1989 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 7: Bipolartransistoren; Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungsbeständige Bipolartransistoren zur Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
IEC 60747-17:2020 Halbleiterbauelemente – Teil 17: Magnetische und kapazitive Koppler für Basis- und verstärkte Isolierung
IEC 60747-17:2020/COR1:2021 Halbleiterbauelemente - Teil 17: Magnetische und kapazitive Koppler für Basis- und verstärkte Isolierung; Berichtigung 1
IEC PAS 60747-17:2011 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 17: Magnetischer und kapazitiver Koppler für einfache und verstärkte Isolierung
IEC 62047-28:2017 Halbleitergeräte – Mikroelektromechanische Geräte – Teil 28: Leistungstestverfahren für vibrationsbetriebene MEMS-Elektret-Energiegewinnungsgeräte
IEC 60748-2-1:1991 Halbleiterbauelemente; integrierte Schaltkreise; Teil 2: Digitale integrierte Schaltkreise; Abschnitt 1: Blanko-Detailspezifikation für bipolare monolithische digitale integrierte Schaltkreise (ausgenommen nicht festgeschriebene Logik-Arrays)
IEC 60747-17:2021 Berichtigung 1 – Halbleiterbauelemente – Teil 17: Magnetischer und kapazitiver Koppler für Basis- und verstärkte Isolierung
IEC 60747-6-2:1991 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 6: Thyristoren; Abschnitt 2: Blanko-Bauartspezifikation für bidirektionale Trioden-Thyristoren (Triacs), Umgebungs- oder Gehäuse-Thyristoren, bis zu 100 A

PL-PKN, bipolarer magnetischer Halbleiter

PN T01208-03-1992 Halbleiterbauelemente, Bipolartransistoren, Messmethoden
PN T01208-01-1992 Halbleiterbauelemente, Bipolartransistoren, Terminologie und Buchstabensymbole
PN T01208-02-1992 Halbleiterbauelemente Bipolartransistoren Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
PN T01210-01-1992 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Bipolartransistoren Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
PN T01207-01-1992 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente BipoLar-Transistoren Blanko-Detailspezifikation für umgebungsbeständige Bipolartransistoren für die Iow- und Hochfrequenzverstärkung

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), bipolarer magnetischer Halbleiter

KS C IEC 60747-7:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
KS C IEC 60747-7:2017 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
KS C IEC 60747-7:2022 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
KS C IEC 60747-7-3-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt drei: Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
KS C IEC 60747-7-3-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt drei: Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
KS C IEC 60747-7-4:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-2:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-3:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt drei: Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-2-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-2-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-6-2:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 6: Thyristoren – Abschnitt zwei: Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Trioden-Thyristoren (Triacs), Umgebungs- oder Gehäusebemessung, bis zu 100 A
KS C IEC 60747-7-1:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-6-2-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 6: Thyristoren – Abschnitt zwei: Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Trioden-Thyristoren (Triacs), Umgebungs- oder Gehäusebemessung, bis zu 100 A
KS C IEC 60747-6-2-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 6: Thyristoren – Abschnitt zwei: Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Trioden-Thyristoren (Triacs), Umgebungs- oder Gehäusebemessung, bis zu 100 A
KS C IEC 60748-2-1:2001 Integrierte Halbleiterschaltkreise – Teil 2: Digitale integrierte Schaltkreise Abschnitt 1: Leere Detailspezifikation für bipolare monolithische digitale integrierte Schaltkreisgatter (ausgenommen nicht festgeschriebene Logikarrays)
KS C IEC 60748-2-7-2002(2022) Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 2: Digitale integrierte Schaltkreise Abschnitt 7: Blanko-Detailspezifikation für integrierte Schaltkreise, schmelzbare, programmierbare bipolare Nur-Lese-Speicher

TH-TISI, bipolarer magnetischer Halbleiter

TIS 1864-2009 Halbleiterbauelemente. Teil 7: Bipolartransistoren
TIS 1867-1999 Halbleiterbauelemente – diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
TIS 1866-1999 Halbleiterbauelemente – diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren Abschnitt 2: Blanko-Detailspezifikation für bipolare Transistoren mit Gehäuseangabe für die Niederfrequenzverstärkung
TIS 1868-1999 Halbleiterbauelemente – diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für bipolare Transistoren mit Gehäuseangabe für die Hochfrequenzverstärkung
TIS 1865-1999 Halbleiterbauelemente – diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren Abschnitt 1: Blanko-Detailspezifikation für umgebungsbeständige Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
TIS 1971-2000 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 3: Signal (einschließlich Schalten) und Reglerdioden, Abschnitt zwei, leere Detailspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ausgenommen temperaturkompensierte Präzisionsreferenzdioden
TIS 1974-2000 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 6: Thyristoren, Abschnitt 2: leere Detailspezifikation für bidirektionale Triodenthyristoren (Triacs), für Umgebungstemperatur oder Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A

YU-JUS, bipolarer magnetischer Halbleiter

JUS A.A4.302-1990 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Halbleiterdioden
JUS N.R1.353-1979 Buchstabensymbol für Halbleiterbauelemente. Bipolar- und Feldeffekttransistoren.
JUS N.R1.323-1979 Begriffsdefinitionen für Halbleiterbauelemente. Bipolar- und Feldeffekttransistoren.
JUS N.R1.372-1979 Halbleiterdioden. Wesentliche Merkmale und Eigenschaften: Gleichrichterdioden
JUS N.R1.375-1980 Halbleiterdiode s. Wesentliche Bewertungen und Eigenschaften. Dioden mit variabler Kapazität
JUS N.R1.374-1980 Halbleiterdioden. Wesentliche Bewertungen und Eigenschaften. Ttmneldioden

CZ-CSN, bipolarer magnetischer Halbleiter

CSN IEC 747-7:1994 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise. Teil 7: Bipolartransistoren

KR-KS, bipolarer magnetischer Halbleiter

KS C IEC 60747-7-2022 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
KS C IEC 60747-7-2017 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, bipolarer magnetischer Halbleiter

GJB/Z 41.6-1993 Militärischer Bipolartransistor mit diskretem Halbleiterbauelement der Serie Spectrum

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, bipolarer magnetischer Halbleiter

GB/T 4587-2023 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren
GB/T 29332-2012 Halbleiterbauelemente.Diskrete Bauelemente.Teil 9:Insulated-Gate-Bipolartransistoren (IGBT)
GB/T 4587-1994 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise. Teil 7: Bipolartransistoren
GB/T 30116-2013 Anforderungen an die elektromagnetische Verträglichkeit von Halbleiterfertigungsanlagen
GB/T 7576-1998 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt 4 – Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
GB/T 6217-1998 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt Eins – Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren zur Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
GB/T 14119-1993 Blanko-Detailspezifikation für programmierbare bipolare Nur-Lese-Speicher mit integriertem Halbleiterschaltkreis und Schmelzsicherung
GB/T 13150-2005 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Triodenthyristoren (Triacs), umgebungs- und gehäusebewertet, für Ströme über 100 A
GB/T 6590-1998 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 6: Thyristoren Abschnitt Zwei – Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Triodenthyristoren (Triacs), für Umgebungstemperatur oder Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A

Defense Logistics Agency, bipolarer magnetischer Halbleiter

DLA MIL-S-19500/438 VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Trioden-Thyristor (bidirektional), Silizium, Typen 2N5806 bis 2N5809
DLA MIL-PRF-19500/762-2009 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, DUAL SCHOTTKY, GEMEINSAME KATHODE, TYP 1N7062CCT1, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA MIL-PRF-19500/764 F-2009 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, GEMEINSAME KATHODE, TYP 1N7071CCT8, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA MIL-PRF-19500/765 A-2013 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, DUAL SCHOTTKY, GEMEINSAME KATHODE, TYP 1N7072CCT3 UND 1N7078U3 JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA MIL-PRF-19500/754 D-2009 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, GEMEINSAME KATHODE, TYP 1N7064CCU3 und 1N7064CCU3C, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA MIL-S-19500/390 VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, NPN, Silizium, Doppelemittertypen 3N74, TX3N74, 3N75, TX3N75, 3N76, TX3N76, 3N127, TX3N127
DLA MIL-PRF-19500/507 F-2011 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, BIPOLARER ÜBERGANGSSPANNUNGSUNTERDRÜCKER, TYPEN 1N6036A BIS 1N6072A JAN, JANTX UND JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/681 C-2013 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYP 1N6843CCU3, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 1-2008 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, bipolarer Überspannungsschutz, Typen 1N6950 bis 1N6986, JAN, JANTX, JANTXV und JANS
DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 2-2013 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, bipolarer Überspannungsschutz, Typen 1N6950 bis 1N6986, JAN, JANTX, JANTXV und JANS
DLA MIL-PRF-19500/735-2006 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYP 1N7041CCU1 UND EINZELNE DIODE TYP 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA MIL-PRF-19500/730 A-2011 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYPEN 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA MIL-PRF-19500/730 B-2013 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYPEN 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA MIL-PRF-19500/737 A (1)-2010 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYPEN 1N7039CCT1, 1N7039CCU1 UND 1N7047CCT3, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA MIL-PRF-19500/737 A (2)-2013 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYPEN 1N7039CCT1, 1N7039CCU1 UND 1N7047CCT3, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL, RS232, TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-PRF-19500/730 VALID NOTICE 1-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, Schottky, Dual, Mittelabgriff, Typen 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV und JANS
DLA MIL-PRF-19500/643 C (1)-2012 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, LEISTUNGSGLEICHRICHTER, DUAL, GEMEINSAMER KATHODEN- ODER ANODEN-MITTELANSCHLUSS, ULTRASCHNELL, TYPEN 1N6766 UND 1N6767, 1N6766R UND 1N6767R, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DOPPEL-MOSFET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIMOS II-VERRIEGELUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-PRF-19500/642 D VALID NOTICE 1-2012 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, Leistungsgleichrichter, Dual, gemeinsamer Kathoden- oder Anoden-Mittelabgriff, ultraschnell, Typen 1N6762 bis 1N6765 und 1N6762R bis 1N6765R JANTX, JANTXV und JANS
DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL JK POSITIVE EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 8-BIT-TTL/BTL-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, DUAL-KOMPPLEMENTÄRPAAR PLUS INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-PRF-19500/644 A VALID NOTICE 2-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, Leistungsgleichrichter, Dual, gemeinsamer Kathoden- oder Anoden-Mittelabgriff, ultraschnell, Typen 1N6768 bis 1N6771 und 1N6768R bis 1N6771R JAN, JANTX, JANTXV und JANS
DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL-MIKROPOWER-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, QUAD, SPDT-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 18-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87641-1988 MIKROSCHALTUNGEN, LINEAR, BIMOS 8-BIT, SERIELLER EINGANG, VERRIEGELTER TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL, CMOS, 12-BIT, D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL/QUAD, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, VIERFACHER BILATERALER SCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, 10-BIT-BUS/MOS-SPEICHERTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96747-1997 MIKROKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, SCAN-Pfad-Wahlschalter mit bidirektionalem 8-Bit-Datenbus, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-95835-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL 12-BIT, DOPPELGEPUFFTER MULTIPLIZIERENDES CMOS, DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-PRF-19500/516 E-2009 HALBLEITERGERÄT, DIODEN-SILIKON, BIPOLARER ÜBERGANGSSPANNUNGSUNTERDRÜCKER, TYPEN 1N6102 BIS 1N6137, 1N6102A BIS 1N6137A, 1N6138 BIS 1N6173, 1N6138A BIS 1N6173A, 1N6102US TH RAU 1N6137US, 1N6102AUS BIS 1N6137AUS, 1N6138US BIS 1N61
DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-PRF-19500/678 VALID NOTICE 2-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, Dual-Schottky-Mittelabgriff-Leistungsgleichrichter, oberflächenmontiert, Typen 1N6840U3 und 1N6841U3, JAN, JANTX, JANTXV, JANS
DLA SMD-5962-96761-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 1-ZEILIGEN BIS 8-ZEILIGEN TAKTTREIBER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, LINEAR, LEISTUNGS-MOSFET, ZWEIKANAL, OPTOKOPPLER
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT INVERTIERTEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94522 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, PROGRAMMIERBARER SKEW-TAKTPUFFER, TTL-KOMPATIBLE EIN- UND AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96685 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-VOLT-16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-VERRIEGELTER TRANSCEIVER MIT DUAL-ENABLE, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEARES STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, DUAL-SPDT-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES BICMOS, 3,3 VOLT OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT BUSHALTERUNG, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-Volt-OKTAL-FLANKENGETRIEBENES D-TYP-FLIP-FLOP MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL 12-BIT, DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96812 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 10-BIT ADRESSIERBARE SCAN-PORTS, MULTIDROP-ADRESSIERBARER IEEE STD 1149.1 (JTAG) TAP-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETE, ERWEITERTE CMOS-, TAKT- UND WARTEZUSTANDS-ERZEUGUNGSSCHALTUNG, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-TRI-PORT-UNIVERSAL-BUS-AUSTAUSCHER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 10-BIT-BUS-AUSTAUSCH-SCHALTER MIT DREI-ZUSTANDSAUSGÄNGEN UND PEGELVERSCHIEBUNG, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL-POSITIVKANTENGESTEUERTES D-TYP-FLIP-FLOP MIT CLEAR UND PRESET, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALES 16-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, TTL-KOMPATIBEL, OCTAL D-TYP EDGE-GETriggertes FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 18-BIT-UNIVERSAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testgerät mit 18-Bit-Universalbus-Transceiver, dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-91726-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTALPUFFER, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96697-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 18-BIT-BUS-AUSTAUSCH-SCHALTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 8-BIT-BIS-9-BIT-PARITÄTSBUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-Volt-OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 3,3-V-16-BIT-TRANSCEIVER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95836-1995 MIKROKALTER, DIGITALER, BIPOLARER CMOS, D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 MIKROKREISE, LINEAR, CMOS, HOCHLEISTUNGS-DUAL-SCHALTKONDENSATORFILTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88520 REV E-2007 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, DUAL-D-TYP POSITIVES, KANTENGESTEUERTES FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, 36-Bit-Universalbus-Transceiver mit dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OCTAL D-TYP EDGE-GETriggertes FLIP-Flop mit DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT TAKTFREIGABE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91553 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91746-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTALPUFFER, INVERTIERENDE DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96686 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT BUSHALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL 12-BIT GEPUFFERTER VERVIELFACHTER CMOS-D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-VOLT-16-BIT-TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT BUS-HALTUNG, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE UND TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91725-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTAL-D-TYP-LATCH, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, registrierter 36-Bit-Bus-Transceiver mit dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 10-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92147 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL, PUFFER/TREIBER, MIT NICHT-INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 16-BIT-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, NICHTINVERTIERENDER 3,3-Volt-OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT BUS-HALTUNG, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96811 REV A-1999 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, 3,3-Volt-Scan-Testgerät mit 18-Bit-Universal-Bus-Transceiver, mit Bus-Haltefunktion, Drei-Zustands-Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-94698-1996 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testgerät mit 18-Bit-Transceiver und Register, dreistufigen Ausgängen und TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALER D-TYP TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, BICMOS-OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND REGISTER MIT DREI-ZU-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, MIKROPROZESSOR-KOMPATIBEL, DUAL 12-BIT-DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testgerät mit 18-Bit-Bus-Transceiver, dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, bipolarer magnetischer Halbleiter

JJG(电子) 04008-1987 Versuchsverifizierungsvorschriften für QE1A Doppelbasis-Halbleiterröhrentester

Professional Standard - Machinery, bipolarer magnetischer Halbleiter

JB/T 6307.4-1992 Testverfahren für Leistungshalbleitermodule. Arm und Armpaar eines Bipolartransistors
JB/T 6307.5-1994 Testmethoden für Leistungshalbleitermodule, Bipolartransistoren, Einphasenbrücke und Dreiphasenbrücke

RO-ASRO, bipolarer magnetischer Halbleiter

STAS 12124/1-1982 Halbleiterbauelemente BIPOLARTRANZISTOREN Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter
STAS 7128/2-1986 BUCHSTABENSYMBOLE FÜR HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE MIKROKREISE, Symbole für Bipolartransistoren
STAS 12258/2-1984 Optoelektronische Halbleiterbauelemente PIIOTODIODEN Terminologie und wesentliche Eigenschaften
STAS 12258/4-1986 Optoelektronische Halbleiterbauelemente LEUCHTDIODEN Terminologie und Hauptmerkmale
STAS 12123/1-1982 Halbleiterbauelemente GLEICHRICHTERDIODEN Messmethoden für elektrische und thermische Eigenschaften
STAS 12123/4-1984 Halbleiterbauelemente VARIABLE-KAPAZITÄTS-DIODEN Messmethoden für elektrische Eigenschaften
STAS 12258/6-1987 OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERGERÄTE INFRAROT-EMM1TING-DIODEN Terminologie und wesentliche Eigenschaften
STAS 12123/3-1983 Halbleiterbauelemente SPANNUNGSREFERENZDIODEN UND SPANNUNGSREGLERDIODEN Messmethoden für elektrische Eigenschaften
STAS 12123/2-1983 Halbleiterbauelemente NIEDRIGE LEISTUNGSSIGNALDIODEN, EINSCHLIESSLICH SCHALTDIODEN Messmethoden für elektrische Eigenschaften

Danish Standards Foundation, bipolarer magnetischer Halbleiter

DS/IEC 747-7-2:1990 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
DS/IEC 747-7-3:1993 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt drei: Blanko-Bauartspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
DS/IEC 747-7-4:1993 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt vier: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
DS/IEC 747-7:1990 Internationale Elektrotechnische Kommission IEC-Veröffentlichung Nr. 747-7:1988 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
DS/IEC 747-7-1:1990 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungsbeständige Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
DS/IEC 747-7:1992 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 7: Bipolartransistoren

German Institute for Standardization, bipolarer magnetischer Halbleiter

DIN 4000-18:1988-12 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Halbleiterdioden
DIN V VDE V 0884-10:2006 Halbleiterbauelemente – Magnetische und kapazitive Koppler für sichere Isolierung
DIN 4000-18:1988 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Halbleiterdioden
DIN V VDE V 0884-10 Berichtigung 1:2007 Halbleiterbauelemente – Magnetische und kapazitive Koppler zur sicheren Trennung; Berichtigungen zu DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12

Professional Standard - Electron, bipolarer magnetischer Halbleiter

SJ 50033/146-2000 Diskrete Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für den Silizium-Bipolar-Leistungstransistor Typ 3DA601 C
SJ 50033/162-2003 Diskretes Halbleiterbauelement Detailspezifikation des Typs 2CW1022 für bidirektionale Silizium-Spannungsreglerdioden
SJ 50033/99-1995 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detailspezifikation für O/G-Doppelfarb-Leuchtdiode für Typ GF511
SJ/T 10740-1996 Integrierte Halbleiterschaltungen – Allgemeine Prinzipien der Messmethoden für bipolare Direktzugriffsspeicher
SJ 2658.11-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung der Impulsantworteigenschaften

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, bipolarer magnetischer Halbleiter

JEDEC JESD286-B-2000 Standard zur Messung der Vorwärtsschalteigenschaften von Halbleiterdioden

AT-OVE/ON, bipolarer magnetischer Halbleiter

OVE EN IEC 63275-2:2021 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Testverfahren für bipolare Verschlechterung aufgrund des Body-Diode-Betriebs (IEC 47/2680/CDV) (englische Version)

未注明发布机构, bipolarer magnetischer Halbleiter

BS IEC 60747-7-5:2005 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7 – 5: Bipolartransistoren für Leistungsschaltanwendungen

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, bipolarer magnetischer Halbleiter

QC 750104-1991 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 7: Bipolartransistoren, Abschnitt drei – Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen (IEC 747-7-3 ED 1)
QC 750103-1989 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 7: Bipolartransistoren, Abschnitt 2 – Blanko-Detailspezifikation für gehäusebewertete Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung (IEC 747-7-2 ED 1)
QC 750102-1989 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 7: Bipolartransistoren, Abschnitt eins – Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren für die Nieder- und Hochfrequenzverstärkung (IEC 747-7-1 ED 1)
QC 750107-1991 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren Abschnitt 4 – Blanko-Detailspezifikation für Gehäusetransistoren für die Hochfrequenzverstärkung (IEC 747-7-4 ED 1)
QC 750105-1986 Halbleiterbauelemente; Diskrete Geräte Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden, Abschnitt 2, leere Detailspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ohne temperaturkompensierte Präzisionsreferenz. Dioden (IEC

IN-BIS, bipolarer magnetischer Halbleiter

IS 3700 Pt.11-1984 Grundlegende Nennwerte und Eigenschaften von Halbleiterbauelementen Teil 11 Leuchtdioden
IS 3700 Pt.9-1972 Grundlegende Nennwerte und Eigenschaften von Halbleiterbauelementen, Teil IX, Dioden mit variabler Kapazität
IS 3700 Pt.7-1970 Grundlegende Nennwerte und Eigenschaften von Halbleiterbauelementen Teil Ⅶ Rückwärts sperrende Trioden und Thyristoren
IS 3700 Pt.8-1970 Grundlegende Nennwerte und Eigenschaften von Halbleiterbauelementen Teil VIII Spannungsregler und Spannungsreferenzdioden

RU-GOST R, bipolarer magnetischer Halbleiter

GOST 26169-1984 Elektromagnetische Verträglichkeit radioelektronischer Geräte. Standards für Intermodulationskomponentenkoeffizienten für bipolare Hochfrequenz-Lineartransistoren mit hoher Leistung
GOST 28900-1991 Leitfaden zur Festlegung von Grenzwerten für physikalische Unvollkommenheiten von Teilen aus ferromagnetischen Oxiden
GOST R 8.842-2013 Staatliches System zur Gewährleistung der Einheitlichkeit der Messung. Instrumente zur Messung der Strahlungsleistung von Halbleiter-Emitterdioden. Überprüfungsverfahren
GOST R 8.843-2013 Staatliches System zur Gewährleistung der Einheitlichkeit der Messung. Messgeräte für Strahlungsleistungs-Halbleiter-Emitterdioden. Überprüfungsverfahren
GOST R 50638-1994 Elektromagnetische Verträglichkeit technischer Geräte. Halbleiter-Mikrowellenoszillatorgeräte und -module. Liste der EMV-Parameter und Anforderungen an diese. Messmethoden

Association Francaise de Normalisation, bipolarer magnetischer Halbleiter

NF C96-017:2020 Halbleiterbauelemente – Teil 17: Magnetische und kapazitive Koppler für Basis- und verstärkte Isolierung
NF C96-047*NF EN IEC 60747-17:2020 Halbleiterbauelemente – Teil 17: Magnetische und kapazitive Koppler für Basis- und verstärkte Isolierung

PH-BPS, bipolarer magnetischer Halbleiter

PNS IEC 62047-28:2021 Halbleitergeräte – Mikroelektromechanische Geräte – Teil 28: Leistungstestverfahren für vibrationsbetriebene MEMS-Elektret-Energiegewinnungsgeräte

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, bipolarer magnetischer Halbleiter

CNS 6121-1988 Umweltprüfmethoden und Dauertestmethoden für diskrete Halbleiterbauelemente (Kontinuierliche Spannungsprüfung von Gleichrichterdioden)
CNS 5539-1988 Umweltprüfmethoden und Dauertestmethoden für diskrete Halbleiterbauelemente (Dauerbetriebstest einer Konstantspannungsdiode)
CNS 6119-1988 Umweltprüfmethoden und Dauertestmethoden für diskrete Halbleiterbauelemente (Dauerbetriebstest von Gleichrichterdioden)
CNS 6125-1988 Umweltprüfmethoden und Dauertestmethoden für diskrete Halbleiterbauelemente (Hochtemperatur zum Anlegen von Spannungstests an Gleichrichterdioden)
CNS 6123-1988 Umweltprüfmethoden und Dauertestmethoden für diskrete Halbleiterbauelemente (intermittierender Spannungstest von Gleichrichterdioden)
CNS 5538-1988 Umweltprüfmethoden und Dauertestmethoden für diskrete Halbleiterbauelemente (Dauerbetriebstest von Kleinsignaldioden)

Lithuanian Standards Office , bipolarer magnetischer Halbleiter

LST EN IEC 60747-17/AC:2021 Halbleiterbauelemente – Teil 17: Magnetische und kapazitive Koppler für einfache und verstärkte Isolierung (IEC 60747-17:2020/COR1:2021)