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DE양극성 자기 반도체
모두 263항목의 양극성 자기 반도체와 관련된 표준이 있다.
국제 분류에서 양극성 자기 반도체와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 개별 장치, 전송 및 배전망, 전자 장비용 기계 부품, 광전자공학, 레이저 장비, 통합 서비스 디지털 네트워크(ISDN), 집적 회로, 마이크로 전자공학, 전기공학종합, 기계, 설비 및 장비의 특성 및 설계, 전자기 호환성(EMC), 판막, 자성 재료, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 무선 통신, 환경 테스트, 전기 및 전자 테스트, 광섬유 통신, 계측 및 측정 합성.
British Standards Institution (BSI), 양극성 자기 반도체
International Electrotechnical Commission (IEC), 양극성 자기 반도체
PL-PKN, 양극성 자기 반도체
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 양극성 자기 반도체
TH-TISI, 양극성 자기 반도체
- TIS 1864-2009 반도체 장치 7부: 바이폴라 트랜지스터
- TIS 1867-1999 반도체 장치 - 개별 장치 파트 7: 양극성 트랜지스터 섹션 4: 스위칭 애플리케이션용 양극성 트랜지스터에 대한 공백 상세 사양
- TIS 1866-1999 반도체 장치 - 이산 소자 부품 7: 양극성 트랜지스터 섹션 2: 저주파 증폭용 케이스 정격 양극성 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
- TIS 1868-1999 반도체 장치 - 이산 소자 부품 7: 양극성 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭용 케이스 정격 양극성 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
- TIS 1865-1999 반도체 장치 디스크리트 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 1: 저주파수 및 고주파수 증폭을 위한 환경 등급 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
- TIS 1971-2000 반도체 장치 개별 부품 3: 신호(스위치 포함) 및 제너 다이오드 섹션 온도 보상 정밀 기준 다이오드를 제외한 제너 다이오드 및 전압 기준 다이오드에 대한 이중 공백 세부 사양
- TIS 1974-2000 반도체 장치 개별 장치 파트 6: 사이리스터 섹션 2: 양방향 삼극 사이리스터(트라이액)에 대한 빈 세부 사양, 환경 또는 인클로저 등급, 최대 100A
YU-JUS, 양극성 자기 반도체
CZ-CSN, 양극성 자기 반도체
KR-KS, 양극성 자기 반도체
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 양극성 자기 반도체
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 양극성 자기 반도체
Defense Logistics Agency, 양극성 자기 반도체
- DLA MIL-S-19500/438 VALID NOTICE 4-2011 반도체 장치, 3극 사이리스터(양방향), 실리콘, 유형 2N5806 ~ 2N5809
- DLA MIL-PRF-19500/762-2009 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 듀얼 쇼트키, 공통 음극, 1N7062CCT1 유형, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/764 F-2009 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 쇼트키, 이중, 공통 음극, 1N7071CCT8 유형, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/765 A-2013 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 듀얼 쇼트키, 공통 음극, 1N7072CCT3 유형 및 1N7078U3 JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/754 D-2009 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 쇼트키, 이중, 공통 음극, 유형 1N7064CCU3 및 1N7064CCU3C, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-S-19500/390 VALID NOTICE 4-2011 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 이중 이미터 유형 3N74, TX3N74, 3N75, TX3N75, 3N76, TX3N76, 3N127, TX3N127
- DLA MIL-PRF-19500/507 F-2011 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 양극 과도 전압 억제기, 유형 1N6036A ~ 1N6072A JAN, JANTX 및 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/681 C-2013 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 쇼트키 다이오드, 듀얼 센터 탭, 유형 1N6843CCU3, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 1-2008 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 양극 과도 전압 억제기, 유형 1N6950 ~ 1N6986, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 2-2013 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 양극 과도 전압 억제기, 유형 1N6950 ~ 1N6986, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/735-2006 듀얼 다이오드 유형 1N7041CCU1 및 단일 다이오드 유형 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS 센터 탭 쇼트키 실리콘 다이오드 반도체 장치
- DLA MIL-PRF-19500/730 A-2011 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 쇼트키 다이오드, 이중 채널, 중앙 탭, 유형 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/730 B-2013 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 쇼트키 다이오드, 이중 채널, 중앙 탭, 유형 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/737 A (1)-2010 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 쇼트키, 듀얼, 센터 탭, 유형 1N7039CCT1, 1N7039CCU1 및 1N7047CCT3, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/737 A (2)-2013 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 쇼트키, 듀얼, 센터 탭, 유형 1N7039CCT1, 1N7039CCU1 및 1N7047CCT3, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 실리콘 모놀리식, RS232형 듀얼 트랜시버, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 실리콘 모놀리식 8진 등록 트랜시버, 양극성 상보성 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA MIL-PRF-19500/730 VALID NOTICE 1-2011 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 쇼트키, 이중 채널, 중앙 탭, 유형 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA MIL-PRF-19500/643 C (1)-2012 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 전력 정류기, 이중, 공통 음극 또는 양극 중앙 탭, 초고속, 유형 1N6766 및 1N6767, 1N6766R 및 1N6767R, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 실리콘 모놀리식 바이메탈 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 드라이버 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 실리콘 모놀리식 바이폴라 금속 산화물 반도체 기술 인터럽트 인터페이스 래치 장치, 선형 마이크로 회로
- DLA MIL-PRF-19500/642 D VALID NOTICE 1-2012 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 전력 정류기, 이중, 공통 음극 또는 양극 중앙 탭, 초고속, 유형 1N6762 ~ 1N6765 및 1N6762R ~ 1N6765R JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 실리콘 모놀리식 듀얼 JK 포지티브 에지 트리거 고속 보완 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 전용 AND 게이트 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 방사선 경질 보완 금속 산화물 반도체 이중 보완 추가 인버터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
- DLA MIL-PRF-19500/644 A VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 전력 정류기, 이중, 공통 음극 또는 양극 중앙 탭, 초고속, 유형 1N6768 ~ 1N6771 및 1N6768R ~ 1N6771R JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
- DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 저전력 작동 스피커, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 실리콘 모놀리식, 4중 단극 쌍투형 아날로그 스위치, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 양극 상보성 금속 산화물 반도체 18비트 버스 수신기 쌍안정 멀티바이브레이터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-87641-1988 실리콘 모놀리식 래칭 장치, 입력 밀봉, 양극 금속 산화물 반도체 기술 8비트, 선형 미세 회로
- DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 실리콘 모놀리식, 12비트 DC/AC 컨버터, 이중 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 실리콘 모놀리식, 듀얼 쿼드 전류 피드백 스피커, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 실리콘 모놀리식 4양 스위치 고속 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 입력 8진 버퍼 및 행 드라이브 라인 또는 금속 산화물 반도체 드라이버, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 입력 10비트 버스 또는 금속 산화물 반도체 주 메모리 드라이버, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-96747-1997 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 8비트 양방향 데이터 버스 스캔 경로 선택기 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-95835-1995 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 팔각형 투명 클래스 D 3상태 출력 쌍안정 멀티바이브레이터, 트랜지스터 호환 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 실리콘 모놀리식, 듀얼 12비트 이중 버퍼 다중 산화물 반도체 디지털-아날로그 변환기, 선형 마이크로회로
- DLA MIL-PRF-19500/516 E-2009 반도체 장치, 다이오드 실리콘, 양극 과도 전압 억제기, 유형 1N6102~1N6137, 1N6102A~1N6137A, 1N6138~1N6173, 1N6138A~1N6173A, 1 N6102US~1N6137us, 1N6102AUS~1N6137AUS, 1 N6138us ~ 1N61
- DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 3상태 입력, 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8진 트랜시버
- DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 순방향 3상태 출력, 16비트 버스 트랜시버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 칩
- DLA MIL-PRF-19500/678 VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 이중 쇼트키 센터 탭 전력 정류기, 표면 실장, 유형 1N6840U3 및 1N6841U3, JAN, JANTX, JANTXV, JANS
- DLA SMD-5962-96761-1996 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 1~8행 클록 드라이버, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 듀얼 채널 광커플러 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 전원 공급 장치용 선형 하이브리드 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 반전된 3상태 출력 및 행 구동 라인을 갖춘 8진 버퍼 또는 금속 산화물 반도체 드라이버, 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-94522 REV A-2001 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력 및 출력, 프로그래밍 가능 저왜곡 클록 드라이버, 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96685 REV C-2003 방사선 경질 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 3.3V 16BIT 버퍼 또는 드라이버, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 이중 활성화 및 3상태 출력을 갖춘 8비트 래치형 트랜시버, 향상된 양극 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 이중 극 이중 연결 아날로그 스위치가 있는 방사선 경화 상보성 금속 산화물 반도체 구조로 구성된 선형 단일 실리콘 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 3.3V 팔각형 트리거 클래스 D 삼상태 출력 쌍안정 멀티바이브레이터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 3.3V 팔각형 트리거 클래스 D 삼상태 출력 쌍안정 멀티바이브레이터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 실리콘 모놀리식 디지털-아날로그 변환기 듀얼 12비트 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-96812 REV A-2003 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 10비트 스캔 포트 멀티 드롭 표준 1149.1 수신기, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 16비트 버스 수신기 및 3상태 출력 레지스터, 트랜지스터 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 타이밍 및 대기 상태 발생기 회로, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 쿼드 버스 3상태 출력 버퍼, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 16비트 3포트 버스 3상태 출력 변환기, 트랜지스터 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 10비트 버스 3상태 출력 변경 및 변환, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 상보형 금속 산화물 반도체, 이중 포지티브 트리거 클래스 D 쌍안정 멀티바이브레이터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 9비트 버스 인터페이스 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버스 인터페이스 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 실리콘 모놀리식 8진수 D형 에지 트리거 플립플롭, 트랜지스터-트랜지스터 로직 호환, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 디지털 고급 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 18비트 무선 송수신기 자율 자동 항법 시스템, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 디지털 고급 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 18비트 버스 인터페이스 및 쌍안정 멀티바이브레이터 변환 출력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-91726-1994 실리콘 모놀리식 3상태 출력, 8진 버퍼가 포함된 스캔 테스트 세트, 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 트랜시버, 고속 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96697-1996 방사선 경화 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 18비트 3상태 출력 버스 스위칭 스위치, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 8비트 ~ 9비트 3상태 출력 버스 트랜시버, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 3.3V 팔각형 버스 수신기 및 레지스터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 양극 상보성 금속 산화물 반도체 3.3V 16비트 3상태 출력 등록 변환기, 트랜지스터 호환 가능 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-95836-1995 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 팔각형 트리거 클래스 D 삼중 턴테이블 출력 래치 장치, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 실리콘 모놀리식 고성능 이중 스위치 커패시터 필터, 상보성 금속 산화물 반도체, 선형 미세 회로
- DLA SMD-5962-88520 REV E-2007 실리콘 모놀리식 듀얼 D형 포지티브 에지 플립플롭 상보형 금속 산화물 반도체로 디지털 마이크로회로 구현
- DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8진 수신기, 고급 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 고급 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 36비트 3상태 출력, 통합 버스 라디오 수신기, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 고급 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 36비트 3상태 출력, 통합 버스 라디오 수신기, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 D형 에지 트리거 쌍안정 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 클록 활성화 기능이 있는 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-91553 REV A-2006 3상태 출력, 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 옥탈 버스 수신기 및 자동 레코더
- DLA SMD-5962-91746-1994 실리콘 모놀리식 역삼상 출력, 8진 버퍼가 포함된 스캔 테스트 세트, 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버퍼 및 라인 드라이버, 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-96686 REV C-2003 방사선 경화 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 3.3V 16비트 3상태 출력 버스 트랜시버, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 12비트 버퍼 다중 산화물 반도체 DC/AC 컨버터, 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 고급 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 16비트 버스 3상태 출력 무선 송수신기, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 10비트 버스 인터페이스 클래스 D 3상태 출력 래칭 장치, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 3.3V 16비트 투명 3상태 출력 클래스 D 래칭 장치, 트랜지스터 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 양극 상보형 금속 산화물 반도체 3상태 출력 9비트 버스 인터페이스 클래스 D 래칭 장치, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-91725-1994 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 출력, 8진 D-스톱이 있는 스캐닝 테스트 세트, 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 고급 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 36비트 3상태 출력, 등록된 통합 버스 라디오 수신기, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로는 3상태 입력 8진수 버퍼 및 행 드라이브 라인과 호환 가능한 입력, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 반전된 3상태 입력이 있는 8진 버스 수신기, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 반전된 3상태 입력이 있는 8진 버스 수신기, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 반전된 3상태 출력을 갖춘 8진 버스 수신기, 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 실리콘 모놀리식, 포지티브 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로 장착
- DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 실리콘 모놀리식, 순방향 3상태 출력, TTL 호환 입력 10비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로 장착
- DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 순방향 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버스 트랜시버, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-92147 REV B-1998 비반전 3상태 출력, 고급 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8진수 버퍼 또는 드라이버
- DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 트랜시버 및 레지스터, 개선된 양극 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 실리콘 모놀리식, 포지티브 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로 장착
- DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 반전된 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로가 장착된 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 반전된 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로가 장착된 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 투명 D형 래치, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 투명 D형 래치, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 역삼상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 래치 트랜시버, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 고속 상보성 금속 산화물 반도체 구조, 3상태 출력을 갖춘 쿼드 버스 버퍼 게이트로 구성된 고급 바이폴라 디지털 단일 실리콘 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 고속 상보성 금속 산화물 반도체 구조, 3상태 출력을 갖춘 쿼드 버스 버퍼 게이트로 구성된 고급 바이폴라 디지털 단일 실리콘 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 3.3V 비반전 팔각형 버퍼 또는 삼상태 출력 드라이버, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-96811 REV A-1999 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 3.3V 18비트 버스 3상태 출력 수신기 스캔 모니터링 장치, 트랜지스터 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-94698-1996 디지털 고급 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 18비트 무선 송수신기 및 레지스터 자율 항법 시스템, 변환 출력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 반전된 3상태 입력 8진수 버퍼 및 행 드라이브 라인, 양극성 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력
- DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 입력 8진 D형 보기 쉬운 정지 핀, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 반전된 3상태 입력 8진수 버퍼 및 행 드라이브 라인, 양극성 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력
- DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력 8진 표기법을 갖춘 무선 트랜시버, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 트랜지스터-트랜지스터 로직과 호환되는 옥탈 버스 트랜시버와 3개의 출력 레지스터를 갖춘 양극 상보성 금속 산화물 반도체 구조로 구성된 디지털 단일 실리콘 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 실리콘 모놀리식 듀얼 12비트 아날로그 변환기 마이크로프로세서 호환 보완적 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 역삼상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 트랜시버 및 래치, 향상된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 고급 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 옥탈 버퍼 또는 드라이버 증폭기, 3상태 출력 및 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 양극성 자기 반도체
Professional Standard - Machinery, 양극성 자기 반도체
RO-ASRO, 양극성 자기 반도체
Danish Standards Foundation, 양극성 자기 반도체
- DS/IEC 747-7-2:1990 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 2: 저주파 증폭을 위한 환경적으로 평가된 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.
- DS/IEC 747-7-3:1993 반도체 장치. 개별 장치. 7부: 바이폴라 트랜지스터. 섹션 3: 변환용 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
- DS/IEC 747-7-4:1993 반도체 장치. 개별 장치. 7부: 바이폴라 트랜지스터. 섹션 4: 고주파 증폭기 케이스 정격 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
- DS/IEC 747-7:1990 국제전기기술위원회(International Electrotechnical Commission) IEC 표준 번호 747-7-1988: 반도체 장치． 개별 장치. 7부: 양극성 트랜지스터
- DS/IEC 747-7-1:1990 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 1: 저주파 및 고주파 증폭을 위한 환경 친화적인 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.
- DS/IEC 747-7:1992 국제전기기술위원회(International Electrotechnical Commission) IEC 표준 번호 747-7-1988 및 부록 번호. 1-1991 반도체 장치． 개별 장치. 7부: 양극성 트랜지스터
German Institute for Standardization, 양극성 자기 반도체
Professional Standard - Electron, 양극성 자기 반도체
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 양극성 자기 반도체
AT-OVE/ON, 양극성 자기 반도체
- OVE EN IEC 63275-2:2021 반도체 장치 - 탄화규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 신뢰성 테스트 방법 - 2부: 바디 다이오드 작동으로 인한 양극성 저하 테스트 방법(IEC 47/2680/CDV)(영어 버전)
未注明发布机构, 양극성 자기 반도체
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 양극성 자기 반도체
- QC 750104-1991 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 파트 3 스위칭 애플리케이션용 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양(IEC 747-7-3 ED 1)
- QC 750103-1989 반도체 장치 개별 장치 7부: 바이폴라 트랜지스터 2부 저주파 증폭용 케이스 등급 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양(IEC 747-7-2 ED 1)
- QC 750102-1989 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 파트 1 저주파 및 고주파 증폭을 위한 환경적으로 평가된 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양(IEC 747-7-1 ED 1)
- QC 750107-1991 반도체 장치 개별 장치 7부: 바이폴라 트랜지스터 섹션 4 고주파 증폭용 케이스 등급 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양(IEC 747-7-4 ED 1)
- QC 750105-1986 반도체 장비, 개별 장치 3부: 신호(스위치 포함) 및 제너 다이오드 섹션 온도 보상 정밀 기준 다이오드를 제외한 전압 조정 다이오드 및 전압 기준 다이오드에 대한 이중 공백 세부 사양(IEC)
IN-BIS, 양극성 자기 반도체
RU-GOST R, 양극성 자기 반도체
Association Francaise de Normalisation, 양극성 자기 반도체
PH-BPS, 양극성 자기 반도체
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 양극성 자기 반도체
Lithuanian Standards Office , 양극성 자기 반도체