Metalloxidation

Für die Metalloxidation gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Metalloxidation die folgenden Kategorien: Zutaten für die Farbe, Diskrete Halbleitergeräte, Elektronische Geräte, Gebäudeschutz, Isolierung, Übertragungs- und Verteilungsnetze, Ventil, Elektrotechnik umfassend, Umfangreiche elektronische Komponenten, Glasfaserkommunikation, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Fahrzeuge, Schaltgeräte und Controller, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Optik und optische Messungen, Kraftwerk umfassend, Widerstand, Audio-, Video- und audiovisuelle Technik, Physik Chemie, Umweltschutz, analytische Chemie, Elektrische und elektronische Prüfung, Luftqualität, Halbleitermaterial, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Textilprodukte, Komponenten elektrischer Geräte, Filter, Zahnheilkunde.

US-CFR, Metalloxidation

CFR FED FCGS 07140-1979 WASSERFESTIGKEIT MIT METALLOXIDEN

US-FCR, Metalloxidation

FCR UFGS-07 16 19-2007 WASSERFESTIGKEIT MIT METALLOXIDEN
FCR FED GSA/PBS 07140-1980 WASSERFESTIGKEIT MIT METALLOXIDEN
FCR FED FCGS 07140-1979 WASSERFESTIGKEIT MIT METALLOXIDEN
FCR COE CEAGS 07140A-1992 METALLIC OXIDE WATERPROOFING, NOTICE 1-4 (1995) INCORPORATED
FCR COE CWGS 16340-1993 Überspannungsableiter vom Typ Metalloxid-Außenstation

Professional Standard - Chemical Industry, Metalloxidation

HG/T 4749-2014 Metalloxid-Mischphasenpigmente

Defense Logistics Agency, Metalloxidation

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS, HEX-SPANNUNGSPEGELVERSCHALTER FÜR TTL-ZU-CMOS- ODER CMOS-ZU-CMOS-BETRIEB, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA A-A-55564/3 B-2004 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR), METALLOXID, RADIALLEITUNG
DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALLOXID), CHIP
DLA A-A-55562 A-2001 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALLOXID), CHIP
DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip
DLA A-A-55564/2 B-2012 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR), METALLOXID, HOHE ENERGIE
DLA SMD-5962-96736-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HOCHGESCHWINDIGKEIT 8-BIT BIDIREKTIONALER CMOS/TTL-SCHNITTSTELLEN-PEGELKONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-PRF-83530 C-2008 WIDERSTÄNDE, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALOXID), ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 0603
DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 0805
DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 1206
DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 1210
DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 Widerstand, spannungsempfindlich (Varistor, Metalloxid), Chip, Stil 0402
DLA A-A-55564/3 C-2012 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR), METALLOXID, RADIALLEITUNG
DLA A-A-55562/2 A-2001 WIDERSTAND, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALLOXID), CHIP, STIL 0805
DLA QPL-83530-7-2004 WIDERSTÄNDE, SPANNUNGSEMPFINDLICH (VARISTOR, METALOXID), ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 x 16 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS 16 x 16 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 MIKROSCHALTUNG, NMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, MOS-TAKTTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ECHTZEITUHR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94745-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT SERIELLE KONFIGURATION PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS-UNTERBRECHUNGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8x8 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90997-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CHMOS-BUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92026-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FIXPOINT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94709-1994 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, BANG-BANG-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87744-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 1M (64K X 16) BIT, NMOS, UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92103-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FLOATING POINT PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85528-1986 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUS-ARBITER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8x8 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS-ARINC-BUS-SCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, PRÄZISIONSTIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, UNIVERSAL INTERRUPT CONTROLLER, N-KANAL MOS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 MIKROSCHALTUNG, HOCHLEISTUNGS-CMOS-BUSPUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92106-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ADRESSPROZESSOR 2, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS, NUMERISCHER DATENPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88599-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, ZEITSTEUEREINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, VIERFACH-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96803-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS-HEX-WECHSELRICHTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS, 16-BIT-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91513-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS UND-ODER-INVERT-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, GRAFIKSYSTEMPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL, CMOS, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94688 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITALES CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DOPPEL-MOSFET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88568-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, NMOS, EINZELKOMPONENTEN, 8-BIT-MIKROCOMPUTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY 4000 GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROZESSOR-SCHNITTSTELLENSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HCMOS, FLOATING POINT COPROCESSOR, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 MIKROKREIS, DIGITAL, CMOS, FERNBEDIENUNG, MULTIPROTOKOLL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88653-1989 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, PUFFER-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HCMOS, 32-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 MIKROSCHALTUNGEN, LINEAR, 8-BIT-CMOS-FLASH-A/D-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86846 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS 64 x 5 PARALLEL-FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88758-1991 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACHER BILATERALER SCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86864-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, LÖSCHBAR, CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT
DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, BUS-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, VIERFACHER BILATERALER SCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89508-1989 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 1 VON 4 DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, LOOKAHEAD-CARRY-GENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, 10-BIT-BUS/MOS-SPEICHERTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91532 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL, NIEDRIGE LEISTUNG, SPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 MIKROSCHALTUNG, MIKROPROZESSOR, KOMPATIBLE ECHTZEITUHR, CMOS MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 MIKROSCHALTUNGEN, LINEAR, MOSFET-TREIBER, DUAL POWER
DLA SMD-5962-87685-1987 MIKROSCHALTUNGEN, 8-BIT-MIKROPROZESSOR-CPU, NMOS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92009 REV B-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, VMEBUS-ADRESSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92010 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, VMEBUS-SCHNITTSTELLENCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87723-1987 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 13 EINGÄNGE NAND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92093 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, QUAD, CMOS, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92104-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ADRESSPROZESSOR 1, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ELEKTRISCH ÄNDERBARES FLASH-PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87805 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL-MULTIVIBRATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88566 REV C-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, DUAL ASYNCHRONER EMPFÄNGER/SENDER NMOS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86809 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS, 16-BIT-MIKROCONTROLLER MIT 8 KB EPROM-SPEICHER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88740 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86824 REV A-1987 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, ZÄHLER, SYNCHRONES DEKADE, 4-BIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HCMOS-MULTIFUNKTIONSPERIPHERIE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-SCHEIBEN-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89546-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARE SYNCHRONZUSTANDSMASCHINE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, MIKROPOWER PHASE LOCKED LOOP, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96683-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4-BIT-ARITHMETISCHE LOGIKEINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, SRAM, 128K X 8-BIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, LVDS-QUAD-CMOS-DIFFERENTIAL-LEITUNGSEMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, CMOS, MIKROPROZESSOR, OPTIMIERT FÜR DIGITALE SIGNALVERARBEITUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91605-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, ADVANCED CMOS, PARALLEL D REGISTER MIT ENABLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87611 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, DREIFACH, DREI EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87614 REV G-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, VIERFACH, ZWEI EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, VIERFACH, ZWEI EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87623 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, DUAL 1-OF-4 DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL-SPST-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87713 REV A-1991 MIKROKREISE, DIGITAL, HMOS, MULTIPROTOKOLL, SERIELLER CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87722 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87734 REV B-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TAKTGENERATOR UND FERTIGSCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92057-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, CMOS, 1K X 18 PARALLEL-FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92101 REV A-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, CMOS, 512 x 18 PARALLEL-FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89971-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HMOS, REMOTE UNIVERSAL PERIPHERAL INTERFACE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94734-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16 MEG x 1 DRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HCMOS 8-EINGÄNGE, NOR/OR-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88576 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, NMOS, 256 x 4 STATISCHER RAM (SRAM) MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, FERNBEDIENUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS-UV-LÖSCHBARES, PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT
DLA SMD-5962-86009 REV C-1991 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS-DUAL-BINÄR-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86012 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, 7-STUFIGER WÄRMEZÄHLER, MONOLITISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88713 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SINGLE-POWER-MOSFET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90901-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, UNIVERSAL SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 12-BIT, MULTIPLIZIERENDER D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89497 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 256K X 4 VIDEO-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 56-BIT DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89514 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS PARALLEL I/O CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89532 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DOPPEL-ASYNCHRONER EMPFÄNGER/SENDER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89536 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 1K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89552 REV A-1997 MIKROKREISE, DIGITAL, ADVANCED CMOS, QUAD D-TYPE FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, QUAD 2-EINGANG NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4-BIT-VOLLADDER MIT PARALLELER ÜBERTRAGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, QUAD UND/ODER SELECT GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 8-EINGÄNGE NOR/OR-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, HEX-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, MULTIPLEXER MIT ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96786-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS/TTL-KONVERTER, 8-BIT, BIDIREKTIONAL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95715-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TAKTGENERATOR-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT INVERTIERTEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90996 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 12 x 12 MULTIPLIERER/AKKUMULATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91501 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT INTEGRIERTER MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87549 REV F-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, QUAD-NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91585 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, CMOS, 1K x 9 PARALLEL-FIFO, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87610 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87612 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, QUAD 2-INPUT NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91639 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS QUAD DIFFERENTIAL LEITUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91640 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS QUAD DIFFERENTIAL LINE EMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87646 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, HEX-KONTAKT-PRÜFUNG ELIMINATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87665 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT, MIL-STD-1750 MIKROPROZESSOR MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87680 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 14-STUFIGER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87691 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, MULTIPLEXER MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87704 REV C-1993 MIKROKREISE, DIGITAL, CMOS, 9- UND 10-BIT-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITALES CMOS, PROGRAMMIERBARE LOGIKZELLENANORDNUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL 12-BIT, DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95521 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 10.000 GATE PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FEHLERERKENNUNGS- UND KORREKTUREINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90512-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HMOS, 8-BIT-MIKROCOMPUTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITALES CMOS, HOCHLEISTUNGS-PARITÄTSBUS-TRANSCEIVERS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, DIGITAL, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER, CMOS, 128K X 32-BIT
DLA SMD-5962-88637 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88655-1989 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, OKTAL D-TYP, FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90704-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88699-1988 MIKROKREISE, LINEAR, 16-KANAL/DIFFERENTIAL, 8-KANAL-CMOS-ANALOG-MULTIPLEXER
DLA SMD-5962-90715 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 4K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 X 16 BIT MULTIPLIERER, AKKUMULATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90803 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86821 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, BCD-ZU-DEZIMAL-DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89445 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, PROGRAMMIERBARER TEILER-DURCH-N-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90888-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, MANCHESTER ENCODER-DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89483 REV D-1996 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, QUAD, UNIVERSAL-FILTER-BAUSTEIN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89516-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS DUAL SERIELLER I/O-CONTROLLER MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 8-BIT, A/D-KONVERTER MIT TRACK/HOLD, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87518 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS, PROGRAMMIERBARER INTERRUPT-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87519 REV A-1991 MIKROKREISE, DIGITAL, NMOS, ALLGEMEIN, ZWECKSCHNITTSTELLENBUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89533-1989 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, 10-BIT NICHTINVERTIERENDER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, BINÄRRATENVERVIELFACHER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96615 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 8-BIT ADRESSIERBARER LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, QUAD-EXKLUSIV ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96671 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLUNGSGEHÄRTETES CMOS, 8-BIT-PRIORITÄTSENCODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96672 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, PROGRAMMIERBARER TIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS/SOS, 4K x 1 STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS/SOS, 1K X 4 STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, QUAD, BILATERALER SCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96816-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACHES EXKLUSIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEIT-CMOS, VIERFACH, 2-EINGÄNGE, POSITIV- UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96822-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACHES POSITIVES NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96825-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH, ZWEI EINGÄNGE, POSITIV ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTETER 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HIGH-SPEED-CMOS, HEX-INVERTER MIT OFFENEM DRAIN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95824-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 8-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90525 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, UNIVERSELLER ASYNCHRONER EMPFÄNGER SENDER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85133-1986 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITALE HMOS-80-BIT-NUMERISCHE PROZESSOR-ERWEITERUNG AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-91603 REV A-1998 MIKROKREISE, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 4-STUFIGER SYNCHRONER BIDIREKTIONALER ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87625 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, DUALER MULTIPLEXER MIT 4 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIMOS II-VERRIEGELUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91692 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 16-BIT, 20 KHZ, A/D-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91740-1992 MIKROSCHALTUNG, CMOS, 16 BIT, DIGITAL-ANALOG-VERVIELFACHUNGSKONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91762 REV B-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 4 X 8 BIT MULTILEVEL PIPELINE REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92124 REV A-2004 Mikroschaltung, linear, CMOS, geringer Stromverbrauch, invertierender Schaltregler, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-92153 REV M-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32K x 8 STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95525-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, QUAD ELEKTRISCH löschbares, programmierbares Potentiometer, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-92156 REV J-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY, 8000 GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DOPPEL-4-EINGANG-NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES ADVANCED CMOS, QUAD 2-EINGANG UND GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, QUAD 2-EINGANG EXKLUSIV ODER GATE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, VIERFACH, 2 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94733-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 12000 GATE-KONFIGURIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-FEHLERERKENNUNGS- UND -KORREKTUREINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88638 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITALES CMOS, PROGRAMMIERBARE LOGIKZELLENANORDNUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85519 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT ADRESSIERBARER LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, UNGEPUFFERTER HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86011 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DEKADENZÄHLER/TEILER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88652-1989 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, HOCHGESCHWINDIGKEIT-CARRY-LOOKAHEAD-GENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90727 REV A-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER CMOS-GRAFIKSYSTEMPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90731 REV E-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS QUAD, SPST-ANALOGSCHALTER, MONLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86810 REV A-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, NMOS DUAL UNIVERSAL SERIELLER KOMMUNIKATIONSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86854-1987 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, BINÄRZÄHLER, VIER BIT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88775 REV A-1991 MIKROSCHALTUNGEN, SCHNELL, CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER/REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89446-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-BIT-VERSCHIEBUNGSREGISTER MIT VARIABLER LÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89463 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, FLOATING POINT COPROCESSOR, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89505 REV A-2005 Mikroschaltkreis, digital, CMOS, Speicherverwaltungsblock-Schutzeinheit, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-90969 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, QUAD, NIEDRIGER LEISTUNGSSPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89523 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 64 x 4 PARALLEL-FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, 80-BIT-NUMERISCHE PROZESSOR-ERWEITERUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DOPPEL-4-EINGANG-NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96596 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96602 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, FIFO-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96610 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NAND/AND-GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, QUAD EXKLUSIV ODER UND EXKLUSIV NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96617 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 18-STUFIGES STATISCHES REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96625 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, ZÄHLER/TEILER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96632 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, QUAD TRUE/COMPLEMENT PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96669 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, DUAL-UP-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96682 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4X4 MULTIPORT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96684 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4X4 MULTIPORT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96708 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES ADVANCED CMOS, 9-BIT-GENERATORPRÜFUNG MIT UNGERADE/GERADE PARITÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETER ADVANCED CMOS, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Metalloxidation

GJB 3794-1999 Spezifikation für silberbasierte Metalloxidlegierungen für elektrische Kontakte
GJB 3794A-2018 Spezifikation für verarbeitete Materialien für den elektrischen Kontakt mit silberbasierten Metalloxiden

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Metalloxidation

GB/T 13397-2008 Technische Spezifikation für elektrische Silber-Metalloxid-Kontakte durch Legierungs-Innenoxidationsverfahren
GB 13397-1992 Technische Spezifikation für elektrische Silber-Metalloxid-Kontakte durch Legierungs-Innenoxidationsverfahren
GB 11032-2010 Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
GB/T 11032-2010 Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
GB 11032-2000 Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
GB/T 25083-2010 Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für ±800-kV-UHGÜ-Systeme
GB/T 15652-1995 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB/T 15653-1995 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB/T 28547-2012 Auswahl- und Anwendungsempfehlungen von Metalloxid-Überspannungsableitern für Wechselstromsysteme
GB/T 28547-2023 Richtlinien für die Auswahl und Verwendung von AC-Metalloxid-Überspannungsableitern
GB/T 22389-2023 Lückenloser Metalloxid-Ableiter für Hochspannungs-DC-Wandlerstation
GB/Z 43032-2023 Probenvorbereitungsmethoden zur Charakterisierung von Metall- und Metalloxid-Nanoobjekten in nanotechnologischen Wasserproben
GB/T 27746-2011 Technische Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV), die in Niederspannungsgeräten verwendet werden
GB/T 22389-2008 Richtlinien für Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für HGÜ-Konverterstationen
GB/Z 24845-2009 Spezifikation von Metalloxid-Überspannungsableitern ohne Lücken für 1000-kV-Wechselstromsysteme
GB/T 24845-2018 Spezifikation von Metalloxid-Überspannungsableitern ohne Lücken für 1.000-kV-Wechselstromsysteme
GB/T 18802.331-2007 Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte. Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
GB/T 41917-2022 Nanotechnologien – Elektronenspinresonanz (ESR) als Methode zur Messung reaktiver Sauerstoffspezies (ROS), die von Metalloxid-Nanomaterialien erzeugt werden

Professional Standard - Machinery, Metalloxidation

JB/T 9670-1999 Zinkoxid für den Varistor von Metalloxid-Überspannungsableitern
JB/T 10492-2011 Überwachungsgeräte für Metalloxid-Überspannungsableiter
JB/T 9670-2014 Zinkoxid für den Varistor von Metalloxid-Überspannungsableitern
JB/T 9672.1-1999 Metalloxid-Überspannungsableiter mit Reihenlücken für Gleichstromsysteme
JB/T 9672.2-2005 Metalloxid-Überspannungsableiter mit Reihenlücken Teil 2: Metalloxid-Überspannungsableiter mit Reihenlücken für Wechselstromsysteme von 35 kV und darunter
JB/T 7617-1994 Spaltfreier Metalloxid-Überspannungsableiter in Topfform mit Schwefelhexafluorid
JB/T 9672.1-2013 Metalloxid-Überspannungsableiter mit Reihenlücken. Teil 1: Metalloxid-Überspannungsableiter mit Reihenlücken für Gleichstromsysteme von 3 kV und darunter
JB/T 5894-1991 Gebrauchsanleitung für AC-Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken
JB/T 10492-2004 Überwacht Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken im Wechselstromsystem
JB/T 8444-2015 Spezifikation für elektrische Silber-Metalloxid-Kontakte durch Pulvermetallurgie
JB/T 8444-1996 Technische Spezifikation für einen elektrischen Silber-Metalloxid-Schütz mit pulvermetallurgischem Verfahren
JB/T 10496-2005 Kombinations-Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Drehstromsysteme
JB/T 8952-2005 Spaltfreie Metalloxid-Überspannungsableiter mit Polymergehäuse für Wechselstromsysteme
JB/T 10609-2006 Kombinations-Metalloxid-Überspannungsableiter mit Reihenlücken für die dreiphasigen Wechselstromsysteme
JB/T 6479-2014 Metalloxid-Überspannungsableiter mit Reihenlücken für Leitungsableiter für Wechselstromnetze
JB/T 56206.2-1999 Produktqualitätsbewertung von lückenlosen AC-Überspannungsableitern aus Metalloxid (für den internen Gebrauch)
JB/T 10497-2005 Metalloxid-Überspannungsableiter mit Polymergehäuse und Serienspalt für Wechselstromübertragungsleitungen
JB/T 8952-1999 Metalloxid-Überspannungsableiter im Polymergehäuse ohne Funkenstrecken für Wechselstromsysteme mit 35 kV und darunter
JB/T 6479-1992 Metalloxid-Überspannungsableiter mit Reihenlücke zur Leitungsabschaltung von Wechselstromnetzen

Group Standards of the People's Republic of China, Metalloxidation

T/CECA 35-2019 Metalloxid-Halbleiter-Gassensor
T/CAB 0156-2022 Metalloxid-MEMS-Gassensor für intelligente Haushaltsgeräte
T/ZZB 0790-2018 Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme für EMU-Züge
T/CECA 27-2017 Allgemeine Spezifikation für Metalloxid-Varistoren mit Zuverlässigkeitsspezifikationen
T/DCB 007-2023 Kathodenmaterialien für Natriumionenbatterien Teil 4: Übergangsmetalloxide
T/CEEIA 723-2023 Spaltfreie Metalloxid-Überspannungsableiter für HGÜ-Umschalter
T/CPCIF 0033-2020 Technische Spezifikation für die Bewertung umweltfreundlicher Produkte – Mischmetalloxidpigmente
T/CEC 348-2020 1000-kV-Wechselstromsystem mit lückenlosem Metalloxid-Überspannungsableiter mit Verbundmantel
T/CEC 221-2019 Allgemeine technische Standards für Metalloxidwiderstände mit hohem Gradienten und niedriger Restspannung
T/GDC 143-2022 Flüchtige Emissionen – Methode zur Bestimmung flüchtiger organischer Verbindungen mit Metalloxiden
T/CASAS 006-2020 Die allgemeine Spezifikation für Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren
T/QGCML 911-2023 Lückenloser Metalloxid-Überspannungsableiter für 10-kV-AC-Übertragungsleitungen mit Verbundmantel
T/CASAS 015-2022 Power-Cycling-Testverfahren für Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (SiC-MOSFET)
T/CASME 460-2023 Metalloxid-Ableiter mit festem Spalt in Reihe mit Verbundmantel für 10-kV-Wechselstrom-Übertragungsleitung
T/CSEE 0001-2015 Spezifikation von Metalloxid-Überspannungsableitern mit Polymergehäuse und Reihenlücke für 1000-kV-Wechselstromübertragungsleitungen

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Metalloxidation

GB/T 11032-2020 Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme

Professional Standard - Electricity, Metalloxidation

DL/T 1702-2017 Richtlinien zur Zustandserhaltung von Metalloxid-Überspannungsableitern
DL/T 1703-2017 Richtlinien für die Zustandsbewertung von Metalloxid-Überspannungsableitern
DL/T 1156-2012 Metalloxid-Varistoren für Reihenkondensatorbänke
DL/T 804-2002 Anwendungsleitfaden für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromsysteme
DL/T 804-2014 Anwendungsleitfaden für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromsysteme
DL/T 815-2012 Metalloxid-Überspannungsableiter mit Polymergehäuse für Wechselstromübertragungsleitungen
DL/T 815-2002 Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromübertragungsleitungen
DL/T 613-1997 Spezifikation und technische Anforderungen für importierte lückenlose Wechselstrom-Überspannungsableiter aus Metalloxid
DL/T 1294-2013 Anwendungsleitfaden für Metalloxid-Überspannungsableiter-Trennschalter für Wechselstromnetze
DL/T 2623-2023 Technische Spezifikationen für schaltbare steuerbare Metalloxid-Ableiter für 1000-kV-UHV-Wechselstromsysteme
DL/T 2109-2020 Richtlinien für die Auswahl von Metalloxid-Überspannungsableitern mit Verbundmänteln und äußerer Reihenlücke für Gleichstromübertragungsleitungen

CN-QIYE, Metalloxidation

Q/GDW 453-2010 Richtlinien zur Zustandserhaltung von Metalloxid-Überspannungsableitern
Q/GDW 276-2009 Technische Spezifikationen für Metalloxid-Überspannungsableiter, die in ±800-kV-Konverterstationen verwendet werden
Q/GDW 1307-2014 Technische Spezifikation für lückenlose Metalloxid-Überspannungsableiter für 1000-kV-Wechselstromsysteme

Professional Standard - Electron, Metalloxidation

SJ 20025-1992 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ 20026-1992 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ 20079-1992 Testmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ/Z 9177-1995 Spezifikationen zur Bestimmung von 0,5 W, 1 W, 3 W Metalloxidschichtwiderständen, die für Videorecorder verwendet werden
SJ/T 11824-2022 Testmethode für äquivalente Kapazität und Spannungsänderungsrate für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET).

Professional Standard - Hydroelectric Power, Metalloxidation

SD 179-1986 Lückenlose Niederspannungs-Wechselstrom-Metalloxid-Ableiter
SD 176-1986 Technische Spezifikationen für Metalloxid-Ableiter von 3-500-kV-Wechselstromnetzen
SD 177-1986 Richtlinien für den Einsatz von Metalloxid-Ableitern in 3-500-kV-Wechselstromnetzen

工业和信息化部, Metalloxidation

YD/T 2972-2015 Metalloxid-Varistor zum Kommunikationsschutz
HG/T 5873-2021 Technische Spezifikation für die Produktbewertung von Metalloxid-Mischphasenpigmenten im umweltfreundlichen Design

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Metalloxidation

IEEE Std C62.11-2020 Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise
IEEE Std C62.11-1999 Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (1 kV)
IEEE Std C62.11-1993 Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise
IEEE Std C62.22-1997 IEEE-Leitfaden für die Anwendung von Metalloxid-Überspannungsableitern für Wechselstromsysteme
IEEE Std C62.22-1991 Leitfaden für den Einsatz von Metalloxid-Überspannungsableitern für Wechselstromsysteme
IEEE Std C62.11-2005 Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (1 kV)
IEEE Std C62.22-2009 IEEE-Leitfaden für die Anwendung von Metalloxid-Überspannungsableitern für Wechselstromsysteme
IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Std C62.11-2012) IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
IEEE PC62.11/D8.0, December 2019 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
IEEE Std C62.11-2012 IEEE-Standard für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (1 kV)
ANSI/IEEE Std C62.11-1987 IEEE-Standard für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise
IEEE Std C62.11-1987 IEEE-Standard für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise
IEEE Std C62.33-2016 IEEE-Standard für Testmethoden und Leistungswerte für Metalloxid-Varistor-Überspannungsschutzkomponenten
IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
IEEE PC62.11/D12A, August 2012 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
IEEE PC62.11/D11, February 2012 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE IEEE-Standardentwurf für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Metalloxidation

KS C 4616-2011(2021) Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
KS C 4616-2011(2016) Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
KS C 4616-2011 Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
KS C IEC 60099-4:2019 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
KS C 4808-2011(2021) Metalloxid-Überspannungsableiter mit Polymergehäuse ohne Lücken für die Verteilungsleitung
KS C IEC 60099-4:2012 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
KS C IEC 60099-8-2014(2019) Überspannungsableiter – Teil 8: Metalloxid-Überspannungsableiter mit externer Serienstrecke (EGLA) für Freileitungen
KS C 4808-2011(2016) Metalloxid-Überspannungsableiter mit Polymergehäuse ohne Lücken für die Verteilungsleitung
KS C IEC 61643-331-A:2014 Komponente für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
KS C IEC 61643-331-2006(2019) Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
KS C IEC 61643-331-A:2015 Komponente für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
KS C IEC 61643-331:2006 Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
KS C IEC 60099-4:2021 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme

国家能源局, Metalloxidation

NB/T 42153-2018 AC-steckbarer lückenloser Metalloxid-Ableiter
NB/T 42152-2018 Allgemeine technische Anforderungen an nichtlineare Metalloxidwiderstände
NB/T 10282-2019 Prüfrichtlinien für AC-Gapless-Metalloxid-Ableiter
NB/T 10089-2018 Lückenloser Metalloxid-Ableiter für 25-kV-Eisenbahn-Wechselstromsysteme

U.S. Military Regulations and Norms, Metalloxidation

ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63530-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 MILITÄRSPEZIFIKATION MIKROKREIS, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCO/DLA MULTICHIP CMOS
ARMY MIL-M-48646-1986 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCO/DLA MULTICHIP CMOS
ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48632-1986 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-I-48634-1986 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63321 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Metalloxidation

IEEE C62.22-1991 Leitfaden für die Anwendung von Metalloxid-Überspannungsableitern für Wechselstromsysteme
IEEE C62.11-1993 Norm für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromstromkreise
IEEE C62.22-1997 Leitfaden für die Anwendung von Metalloxid-Überspannungsableitern für Wechselstromsysteme
IEEE C62.11-1999 Norm für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
IEEE C62.11-1987 STANDARD FÜR METALLOXID-ÜBERSPANNUNGSABLEITER FÜR WECHSELSTROMKREISE
IEEE C62.11-2012 Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (>1 kV)
IEEE C62.11-2005 Norm für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (>1 kV)
IEEE C62.33-2016 Prüfmethoden und Leistungswerte für Überspannungsschutzkomponenten aus Metalloxid-Varistoren
IEEE PC62.11/D2.0-2019 Normentwurf für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (>1 kV)

American National Standards Institute （ANSI), Metalloxidation

ANSI/IEEE C62.11:2005 Norm für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromkreise (> 1 kV)
ANSI/IEEE C62.22:2009 Leitfaden für die Anwendung von Metalloxid-Überspannungsableitern für Wechselstromsysteme

Professional Standard - Energy, Metalloxidation

NB/T10282-2019 Prüfrichtlinien für AC-Gapless-Metalloxid-Ableiter
NB/T 42059-2015 Trennschalter für Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromsysteme
DL/T 815-2021 Metalloxid-Überspannungsableiter mit Verbundmantel für Wechselstromübertragungsleitungen
NB/T 42049-2015 Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Gleichstromsysteme von 3 kV und darunter

Professional Standard - Military and Civilian Products, Metalloxidation

WJ 461-1995 Metallbeschichtung. Spezifikationen für oxidierende Eisenmetallbeschichtungen optischer Instrumente

工业和信息化部/国家能源局, Metalloxidation

JB/T 8444-2014 Technische Bedingungen für pulvermetallurgische Silbermetalloxid-Elektrokontakte

International Organization for Standardization (ISO), Metalloxidation

ISO/TS 5094:2023 Nanotechnologien – Bewertung der Peroxidase-ähnlichen Aktivität von Metall- und Metalloxid-Nanopartikeln
ISO/TR 20489:2018 Nanotechnologien – Probenvorbereitung zur Charakterisierung von Metall- und Metalloxid-Nanoobjekten in Wasserproben
ISO/TS 25138:2019 Chemische Oberflächenanalyse – Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie
ISO/TS 25138:2010 Chemische Oberflächenanalyse – Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie
ISO 17299-5:2014 Textilien – Bestimmung der Deodorant-Eigenschaft – Teil 5: Metalloxid-Halbleiter-Sensormethode
ISO/TS 18827:2017 Nanotechnologien – Elektronenspinresonanz (ESR) als Methode zur Messung reaktiver Sauerstoffspezies (ROS), die von Metalloxid-Nanomaterialien erzeugt werden

British Standards Institution (BSI), Metalloxidation

PD ISO/TS 5094:2023 Nanotechnologien. Bewertung der Peroxidase-ähnlichen Aktivität von Metall- und Metalloxid-Nanopartikeln
BS EN 61643-331:2003 Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte. Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
BS EN 60099-4:2004 Überspannungsableiter – Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
BS EN 60099-4:2014 Überspannungsableiter. Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
BS EN 60099-4:2004+A2:2009 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
PD ISO/TR 20489:2018 Nanotechnologien. Probenvorbereitung zur Charakterisierung von Metall- und Metalloxid-Nanoobjekten in Wasserproben
BS DD ISO/TS 25138:2011 Chemische Oberflächenanalyse. Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie
BS EN 60099-9:2014 Überspannungsableiter. Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für HGÜ-Konverterstationen
PD ISO/TS 25138:2019 Chemische Oberflächenanalyse. Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie
BS EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
BS ISO 17299-5:2014 Textilien. Bestimmung der Deo-Eigenschaft. Verfahren zur Messung eines Metalloxid-Halbleitersensors
BS EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
BS EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
BS IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen
BS EN IEC 61643-331:2020 Komponenten für den Niederspannungs-Überspannungsschutz – Leistungsanforderungen und Prüfmethoden für Metalloxid-Varistoren (MOV)

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Metalloxidation

CNS 12114-1987 Messung der Metall- und Oxidschichtdicke durch mikroskopische Untersuchung eines Querschnitts
CNS 8104-1981 Methode zur Messung der linearen MOSFET-Schwellenspannung
CNS 8106-1981 Methode zur Messung der MOSFET-Sättigungsschwellenspannung

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Metalloxidation

EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
EN 60099-4:2014 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
EN 60099-9:2014 Überspannungsableiter – Teil 9: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für HGÜ-Konverterstationen
EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Metalloxidation

GB/T 34869-2017 Metalloxid-Varistor zum Schutz von Reihenkompensations-Kondensatorbänken
GB/T 32996-2016 Chemische Oberflächenanalyse – Analyse von Metalloxidfilmen durch optische Glimmentladungsspektrometrie

KR-KS, Metalloxidation

KS C IEC 60099-4-2019 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
KS C IEC 61643-331-A-2014 Komponente für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
KS C IEC 60099-4-2021 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme

Standard Association of Australia （SAA）, Metalloxidation

AS 1307.2:1996(R2015) Überspannungsableiter, lückenloser Metalloxid-Überspannungsableiter für Wechselstromsysteme
AS 1307.2:1996 Überspannungsableiter – Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme

SE-SIS, Metalloxidation

MNC 60-1981 Ferrolegierungen, Meta/s und Oxide – Legierungsmaterialien
MNC 60 E-1981 Ferrolegierungen, Metalle und Oxide - Legierungsmaterialien - Zusammenfassung

International Electrotechnical Commission (IEC), Metalloxidation

IEC 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
IEC 60099-4:1998 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
IEC 60099-4:2009 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
IEC 60099-4:2004 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
IEC 60099-9:2014 Überspannungsableiter – Teil 9: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für HGÜ-Konverterstationen
IEC 60099-4:2014 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
IEC 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
IEC 61643-331:2003 Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte - Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
IEC 60099-4/AMD2:2001 Überspannungsableiter - Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme; Änderung 2
IEC 60099-4:2004+AMD1:2006+AMD2:2009 CSV Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
IEC 60099-4:2004+AMD1:2006 CSV Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
IEC 60099-4:2004/AMD1:2006 Überspannungsableiter - Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme; Änderung 1

Professional Standard - Railway, Metalloxidation

TB/T 1844-1987 Spezifikationen für lückenlose Metalloxid-Überspannungsableiter für elektrifizierte Eisenbahnen mit 25 kV Wechselstrom

Association Francaise de Normalisation, Metalloxidation

NF C65-101/A2:2009 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme.
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs).
NF C96-051*NF EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
NF C65-100-4*NF EN 60099-4:2015 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
NF C65-101:2005 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme.
NF EN 62373:2006 Prüfung der Vorspannungstemperaturstabilität für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
NF EN 60099-4:2015 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Ableiter ohne Funkenstrecke für Wechselstromnetze
NF EN 60099-9:2015 Überspannungsableiter – Teil 9: Metalloxid-Ableiter ohne Funkenstrecke für HGÜ-Konverterstationen
NF C61-743-331:2003 Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV).
NF EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionenprüfung für Metalloxid-Feldeffekthalbleitertransistoren (MOSFETs)
NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 Überspannungsableiter – Teil 9: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für HGÜ-Konverterstationen

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Metalloxidation

EN 60099-4:1993 Überspannungsableiter Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme

German Institute for Standardization, Metalloxidation

DIN EN 62373:2007 Vorspannungstemperaturstabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
DIN EN 61643-331:2004 Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte - Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV) (IEC 61643-331:2003); Deutsche Fassung EN 61643-331:2003
DIN EN 62373:2007-01 Vorspannungstemperaturstabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
DIN EN 62417:2010-12 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
DIN EN 60099-4:2010 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme (IEC 60099-4:2004, modifiziert + A1:2006 + A2:2009); Deutsche Fassung EN 60099-4:2004 + A1:2006 + A2: 2009

AENOR, Metalloxidation

UNE-EN 61643-331:2004 Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV).

Danish Standards Foundation, Metalloxidation

DS/EN 61643-331:2007 Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte - Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)
DS/EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET)
DS/EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
DS/EN 60099-4/A2:2009 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
DS/EN 60099-4/A1:2007 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
DS/EN 60099-4:2005 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme

American Society for Testing and Materials (ASTM), Metalloxidation

ASTM F1153-92(1997) Standardtestmethode zur Charakterisierung von Metalloxid-Silizium (MOS)-Strukturen durch Kapazitäts-Spannungsmessungen
ASTM E2864-13 Standardtestmethode zur Messung der Oberflächenkonzentration von Metall- und Metalloxid-Nanopartikeln in der Luft in Inhalations-Expositionskammern mittels Krypton-Gasadsorption

CZ-CSN, Metalloxidation

CSN 70 0641 Cast.3-1976 Chemische Analyse von Glas. Bestimmung von Alkalimetalloxiden. Photometrische Flammenmethode (unter Verwendung synthetischer Lösungen)
CSN 65 1410-1961 Alkalihydroxide, technische technische Liefervorschrift

International Telecommunication Union (ITU), Metalloxidation

ITU-T K.77-2009 Eigenschaften von Metalloxid-Varistoren zum Schutz von Telekommunikationsanlagen Studiengruppe 5
ITU-T K.77 CORR 1-2011 Eigenschaften von Metalloxid-Varistoren zum Schutz von Telekommunikationsanlagen Berichtigung 1

ES-UNE, Metalloxidation

UNE-EN 62373:2006 Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)
UNE-EN 60099-9:2014 Überspannungsableiter – Teil 9: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für HGÜ-Konverterstationen (Befürwortet von AENOR im Januar 2015.)
UNE-EN 60099-4:2016 Überspannungsableiter – Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme
UNE-EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (Befürwortet von AENOR im September 2010.)

ZA-SANS, Metalloxidation

SANS 60099-4:2007 Überspannungsableiter Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme

GM North America, Metalloxidation

GM GM6078M-1989 Festfilm-Schmierstoffbeschichtungen, harzgebundenes MOS2 und PTFE

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Metalloxidation

JIS C 5381-331:2006 Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte – Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV)

NL-NEN, Metalloxidation

NEN 10099-4-1993 Überspannungsableiter. Teil 4: Metalloxid-Überspannungsableiter ohne Lücken für Wechselstromsysteme (IEC 99-4:1991)

Lithuanian Standards Office , Metalloxidation

LST EN 61643-331-2004 Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte. Teil 331: Spezifikation für Metalloxid-Varistoren (MOV) (IEC 61643-331:2003)
LST EN 62373-2006 Bias-Temperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) (IEC 62373:2006)

Military Standards (MIL-STD), Metalloxidation

DOD A-A-51838-1987 SORTIMENT VON STREIFEN, SCHLEIFMITTEL, DENTAL (ALUMINIUMOXID, METALLUNTERSTÜTZT)