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RUSiliziumpolarität Polarität
Für die Siliziumpolarität Polarität gibt es insgesamt 500 relevante Standards.
In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Siliziumpolarität Polarität die folgenden Kategorien: Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Optoelektronik, Lasergeräte, Stahlprodukte, Leitermaterial, Bodenqualität, Bodenkunde, Bauingenieurwesen umfassend, Halbleitermaterial, Diskrete Halbleitergeräte, medizinische Ausrüstung, Drahtlose Kommunikation, Metallkorrosion, Batterien und Akkus, Erleuchtung, Chemische Ausrüstung, Ausrüstung für die Öl- und Gasindustrie, Flüssigkeitsspeichergerät, Erdarbeiten, Aushubarbeiten, Fundamentbau, Tiefbauarbeiten, Übertragungs- und Verteilungsnetze, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Rotierender Motor, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Integrierte Luft- und Raumfahrzeuge, Straßenfahrzeuggerät, Gummi- und Kunststoffprodukte, Elektrische Lichter und zugehörige Geräte, Elektronische Anzeigegeräte, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen, Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV), Speiseöle und -fette, Ölsaaten, Prüfung von Metallmaterialien, Schneidewerkzeuge, Elektronenröhre, Audio-, Video- und audiovisuelle Technik, Metallproduktion, sensorische Analyse, Nichteisenmetalle, Qualität, Zugehörige Beschichtung und zugehörige Prozesse für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Elektrotechnik umfassend, Schmierstoffe, Industrieöle und verwandte Produkte, analytische Chemie, Elektronische Geräte, Wortschatz, Chemische Technologie, Integrierter Schiffbau und Offshore-Strukturen, Schutzausrüstung, Farben und Lacke, Erdölprodukte umfassend, Kompressoren und pneumatische Maschinen, nichtmetallische Mineralien, Luftqualität, Klebstoffe und Klebeprodukte, Baumaterial, Abfall.
Defense Logistics Agency, Siliziumpolarität Polarität
- DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARER HOCHLEISTUNGS-10-BIT-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88763-1990 MIKROSCHALTUNG, LINEARER SPANNUNGSREGLER MIT DOPPELPOLARITÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98640 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 15 VOLT, POSITIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98641 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 15 VOLT, NEGATIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98642 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 5 VOLT, NEGATIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98642 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 5 VOLT, NEGATIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98643 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 5 VOLT, POSITIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-91523 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, 20 V FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-96843 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREFERENZDIODE, 1,2 VOLT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR, HF/ZF-VERSTÄRKER MIT AGC, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 MIKROKREISE, DIGITAL, 32.768 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT, SPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR HEX NTDS TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLARER HEX-NTDS-EMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98647 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98648 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98650 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98649 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-02524 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, EINSTELLBAR, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARER HOCHLEISTUNGS-10-BIT-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, 8-BIT-GLEICHKOMPARATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89520 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBAR POSITIV, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89521 REV F-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBAR, POSITIV, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88646 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBAR, POSITIV, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, VIERFACH-SCHOTTKY-DIODEN-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIVE 5-VOLT-EINSTELLBARE PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 2,5 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 3,3 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 5 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG LINEAR, BIPOLAR, HEX NTDS, SCHNELLER TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89479 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIVE 10-VOLT-EINSTELLBARE PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, VIERFACHES POSITIVE-NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL, VIERFACHES POSITIVE-NOR-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, DREIFACH POSITIVES NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-KANAL-QUELLENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-KANAL-QUELLENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEARE BI-FET-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL-VIERFACH, POSITIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, POSITIVE NAND-GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-S-19500/298 VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Siliziumtyp 1N1742A
- DLA MIL-S-19500/236 A VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Siliziumtyp 1N31
- DLA A-A-51187 B VALID NOTICE 1-2006 SCHWEIßBRENNER UND KOMPONENTEN, GAS-WOLFRAM-LICHTBOGENSCHWEISSEN (GTAW)
- DLA A-A-51187 B-2001 SCHWEIßBRENNER UND KOMPONENTEN, GAS-WOLFRAM-LICHTBOGENSCHWEISSEN (GTAW)
- DLA SMD-5962-87705 REV B-2005 MIKROKREISE, BIPOLAR, VMEBUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-88677 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 4-BIT-BIPOLAR-MIKROPROZESSOR-SCHEIBE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-PRF-19500/656 A-2008 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, LEISTUNGSGLEICHRICHTER, GEMEINSAMER KATHODEN- ODER GEMEINSAMER ANODEN-MITTELABZUG, TYPEN 1N6785 UND 1N6785R, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
- DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR QUAD NTDS FAST/ANEW EMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, QUAD 2-EINGANG POSITIV-ODER-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, DREIFACH, 3-EINGÄNGE, POSITIV UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, BUS-SCHNITTSTELLE FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, SEHR GERÄUSCHARM, VIERFACH, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, SEHR GERÄUSCHARM, VIERFACH, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA MIL-PRF-19500/762-2009 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, DUAL SCHOTTKY, GEMEINSAME KATHODE, TYP 1N7062CCT1, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
- DLA MIL-PRF-19500/764 F-2009 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, GEMEINSAME KATHODE, TYP 1N7071CCT8, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
- DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-89554 REV A-2005 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, DUAL 4-EINGÄNGE POSITIV UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA MIL-PRF-19500/735-2006 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYP 1N7041CCU1 UND EINZELNE DIODE TYP 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
- DLA SMD-5962-88598 REV A-1990 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLARER UHRGENERATOR/MIKROZYKLUS-LÄNGENREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-PRF-19500/765 A-2013 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, DUAL SCHOTTKY, GEMEINSAME KATHODE, TYP 1N7072CCT3 UND 1N7078U3 JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
- DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, QUAD-BIFET, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, SYNCHRONER 8-BIT, AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-90541 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, DUAL CARRY-SAVE-VOLLADDER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA MIL-M-38510/10 D VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar, TTL, Decoder aus monolithischem Silizium
- DLA MIL-M-38510/13 G VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Zähler aus monolithischem Silizium
- DLA SMD-5962-86727 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, BCD-ZÄHLER MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-PRF-19500/754 D-2009 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, GEMEINSAME KATHODE, TYP 1N7064CCU3 und 1N7064CCU3C, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
- DLA MIL-PRF-19500/608 D-2009 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, SCHOTTKY, LEISTUNGSGLEICHRICHTER, GEMEINSAME KATHODE, GEMEINSAME ANODEN-MITTELANSCHLUSS, VERDOPPELER, TYPEN 1N6660, 1N6660CCT1, 1N6660R, 1N6660CAT1 und 1N6660DT1, JAN, JANTX, JANTXV und JANS
- DLA MIL-PRF-19500/608 D (1)-2010 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, SCHOTTKY, LEISTUNGSGLEICHRICHTER, GEMEINSAME KATHODE, GEMEINSAME ANODEN-MITTELANSCHLUSS, VERDOPPELER, TYPEN 1N6660, 1N6660CCT1, 1N6660R, 1N6660CAT1 und 1N6660DT1, JAN, JANTX, JANTXV und JANS
- DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, VIERFACHER POSITIVER NAND-PUFFER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA MIL-M-38510/210 F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 16.384 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-PRF-19500/507 F-2011 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, BIPOLARER ÜBERGANGSSPANNUNGSUNTERDRÜCKER, TYPEN 1N6036A BIS 1N6072A JAN, JANTX UND JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/681 C-2013 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYP 1N6843CCU3, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
- DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 MIKROKREIS-, HYBRID-, LINEAR-, DOPPELTER POSITIVER UND NEGATIVER 15-VOLT-, 12-VOLT- UND 5-VOLT-REGLER
- DLA MIL-M-38510/161 A-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, COMMON ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87791 REV B-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FIRST-IN-FIRST-OUT (FIFO), MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/3 G VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, TTL-, Nand-Puffer aus monolithischem Silizium
- DLA MIL-M-38510/503 B VALID NOTICE 4-2010 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, programmierbare Logik, monolithisches Silizium
- DLA MIL-M-38510/505 C VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digitale, bipolare programmierbare Logik, monolithisches Silizium
- DLA SMD-5962-86715 REV C-2011 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86728 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, HOCHGESCHWINDIGKEITSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-87755 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, GEPUFFERTE REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-M-38510/3 G (1)-2012 Mikroschaltkreise, digital, bipolar, TTL, NAND-Puffer aus monolithischem Silizium
- DLA SMD-5962-87683 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR ALS TTL, DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA MIL-S-19500/254 B VALID NOTICE 1-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, Typen 1N1147 und 1N1149, JAN
- DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, Typ JAN-1N3207 mit hoher Leitfähigkeit
- DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 8-BIT BIDIREKTIONALES UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 1-2008 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, bipolarer Überspannungsschutz, Typen 1N6950 bis 1N6986, JAN, JANTX, JANTXV und JANS
- DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 2-2013 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, bipolarer Überspannungsschutz, Typen 1N6950 bis 1N6986, JAN, JANTX, JANTXV und JANS
- DLA MIL-PRF-19500/643 C (1)-2012 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, LEISTUNGSGLEICHRICHTER, DUAL, GEMEINSAMER KATHODEN- ODER ANODEN-MITTELANSCHLUSS, ULTRASCHNELL, TYPEN 1N6766 UND 1N6767, 1N6766R UND 1N6767R, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
- DLA SMD-5962-11231-2011 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, LINEAR, POSITIV, SCHALTEN, SPANNUNGSREGLER
ECIA - Electronic Components Industry Association, Siliziumpolarität Polarität
- RS-348-1968 Magnetfeldpolarität@ einschließlich Definitionen und Bestimmung der Polarität
- 535ABAE-1987 Feste Tantalkondensatoren mit nicht festem Elektrolyten und porösem Anodensilbergehäuse @ Axialleitung @ Elastomerdichtung @ Polarisiert @ Positives Nickel @ Negative Kupferleitungen @ Isoliert
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Siliziumpolarität Polarität
HU-MSZT, Siliziumpolarität Polarität
Professional Standard - Military and Civilian Products, Siliziumpolarität Polarität
- WJ 2100-2004 Prüfverfahren für Silizium-Fotodioden und Silizium-Avalanche-Fotodioden
- WJ 2265-1995 Spezifikationen für vorverstärkte Silizium-Avalanche-Fotodioden
Professional Standard - Electron, Siliziumpolarität Polarität
- SJ 2216-1982 Silizium-Fotodioden
- SJ/T 2217-1982 Silizium-Fototransistoren
- SJ 2140-1982 Messmethoden zur Grenzspannung von Silizium-Stromreglerdioden
- SJ/T 2216-2015 Technische Spezifikation für Fotodioden aus Silizium
- SJ 1805-1981 Detailspezifikation für frequenzmodulierte Siliziumdioden mit variabler Kapazität, Typ 2CC126
- SJ 1946-1981 Detaillierte Spezifikation für Silizium-Spannungsverstärkerdioden, Typ 2CN4C, 2DN4C, 2CN5C und 2DN5C
- SJ 1947-1981 Detailspezifikation für Silizium-Leistungsgleichrichterdioden, Typ 2CZ32B, 2DZ32B, 2CZ33B und 2DZ33B
- SJ 1428-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA107
- SJ 1429-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA108
- SJ 1431-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA39
- SJ 1690-1980 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Niederfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DD206
- SJ 1692-1980 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Niederfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DD208
- SJ 909-1974 Detailspezifikation für Silizium-Spannungsreglerdioden, Typ 2CW50~149
- SJ 1405-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA1
- SJ 1406-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA96
- SJ 1408-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA101
- SJ 1409-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA3
- SJ 1411-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA5
- SJ 1412-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA14
- SJ 1414-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA102
- SJ 1415-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA28
- SJ 1416-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA100
- SJ 1419-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA18
- SJ 1420-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA104
- SJ 1423-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA32
- SJ 1424-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA105
- SJ 1425-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA106
- SJ 1682-1980 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA151
- SJ 1683-1980 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA152
- SJ 1686-1980 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Niederfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DD202
- SJ 1427-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA92
- SJ 2137-1982 Allgemeine Messverfahren für Silizium-Stromreglerdioden
- SJ 1418-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA10
- SJ 1421-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA22
- SJ 1407-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA4
- SJ 1413-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA2
- SJ 1417-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA103
- SJ 1422-1978 Detaillierte Spezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA37
- SJ 1426-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA21
- SJ 1689-1980 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Niederfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DD205
- SJ 1430-1978 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Hochfrequenz-Hochleistungstransistoren, Typ 3DA89
- SJ 1410-1978 NPN-Silizium-Hochfrequenz-Hochleistungstriode vom Typ 3DA98
- SJ 1674-1980 Detaillierte Spezifikation für Endverbrauchstransistoren zur Silizium-NPN-Bildzwischenfrequenzverstärkung, Typ 3DG255
- SJ 1806-1981 Detailspezifikation für Siliziumband-Schaltdioden mit variabler Kapazität, Typ 2CC110, 2CC210, 2CC310, 2CC410, 2CC130
- SJ 2366-1983 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Niederfrequenz-Hochspannungs-Hochleistungstransistoren, Typ 3CD447
- SJ 1469-1979 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3CG101
- SJ 2725-1986 Detaillierte Spezifikation für Allzweck-Silizium-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ311
- SJ 2727-1986 Detaillierte Spezifikation für Allzweck-Silizium-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ313
- SJ 2356-1983 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Niederfrequenz-Niederspannungs-Hochleistungstransistoren, Typ 3CD347
- SJ 782-1974 Detaillierte Spezifikation für Silizium-NPN-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3DG100
- SJ 786-1974 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Planar-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3DG110
- SJ 910-1974 Detailspezifikation für Silizium-Spannungsreglerdioden, Typ 3DW50~202
- SJ 2726-1986 Detaillierte Spezifikation für Allzweck-Silizium-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ312
- SJ 2717-1986 Detailspezifikation für Silizium-Allzweck-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ301
- SJ 2139-1982 Methoden zur Messung der dynamischen Impedanz von Silizium-Stromreglerdioden
- SJ 934-1975 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Niederfrequenz-Hochleistungstransistoren mit hoher Sperrspannung, Typ 3DD100
- SJ 2722-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ306
- SJ 2731-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ317
- SJ 2724-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ308
- SJ 2138-1982 Methoden zur Messung des geregelten Stroms von Silizium-Stromreglerdioden
- SJ 2141-1982 Methoden zur Messung der Durchbruchspannung von Silizium-Stromreglerdioden
- SJ 2721-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ305
- SJ 2732-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ318
- SJ 2148-1982 Methoden zur Messung der dynamischen Impedanz von Silizium-Stromreglertransistoren
- SJ 2723-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ307
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Siliziumpolarität Polarität
- CNS 7218-1981 Siliziumstahlbleche für Polkern
- CNS 13521-1995 Methode zum Testen von Opferanoden, die für den kathodischen Schutz verwendet werden
- CNS 13902-1997 Darstellung der Eigenschaften von Kathodenstrahloszilloskopen
- CNS 13903-1997 Darstellung der Eigenschaften von Speicherkathodenstrahloszilloskopen
- CNS 12375-1988 Prüfmethode für die Hochdruckeigenschaften von Schmierflüssigkeiten (Timken-Methode)
- CNS 12260-1988 Methode zur Prüfung der Oxidationseigenschaften von Hochdruckschmierölen
未注明发布机构, Siliziumpolarität Polarität
- JEDEC JESD282B.02-2023 Silizium-Gleichrichterdioden
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- DIN EN ISO 8251 E:2017-09 Messung der Verschleißfestigkeit eloxierter Eloxalschichten auf Aluminium und Aluminiumlegierungen (Entwurf)
- ASTM RR-D02-1494 2000 D6558-Testmethode zur Bestimmung der TGA-CO2-Reaktivität von gebackenen Kohlenstoffanoden und Kathodenblöcken
- ASTM RR-D02-2032 2022 D6558 – Testmethode zur Bestimmung der TGA-CO2-Reaktivität von gebackenen Kohlenstoffanoden und Kathodenblöcken
- DIN EN ISO 7599 E:2017-02 Vorgeschriebenes Verfahren für dekorative und schützende Eloxalbeschichtungen auf eloxiertem Aluminium und seinen Legierungen (Entwurf)
- SAE AMS2466C-2018 Hartanodische Beschichtung aus alkalischen Magnesiumlegierungen, Hochspannung
- ASTM RR-D02-2033 2022 D6559 – Testmethode zur Bestimmung der thermogravimetrischen (TGA) Luftreaktivität von gebackenen Kohlenstoffanoden und Kathodenblöcken
- ASTM RR-D02-1495 2000 D6559-Testmethode zur Bestimmung der thermogravimetrischen (TGA) Luftreaktivität von gebackenen Kohlenstoffanoden und Kathodenblöcken
Group Standards of the People's Republic of China, Siliziumpolarität Polarität
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- T/CSBME 075-2023 EKG-Trockenelektrode
- T/ZZB 1302-2019 Wasserbasierte Bindemittel an Kathode/Anode in Lithium-Ionen-Batterien
- T/EES 005-2023 Technische Anforderungen an vierpolige homopolare Hybridmagnetlager für elektrische Maschinen
- T/ZZB 1436-2019 Mehrpolige magnetische Gummi-Encoder
- T/NAIA 0172-2022 Silizium-Kohlenstoff-Anodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien
- T/ZS 0310-2022 Hochdruckschmierstoffe für die Metallbearbeitung
- T/ZZB 2263-2021 Unpolare DC-Relais für Ladestation
- T/QGCML 030-2020 Konventionelle elektrische Standards für Diodendiffusionsfolien
- T/YH 1013-2020 Anforderungen für die Polaritätsprüfung des Satellitensteuerungssubsystems
- T/FSI 121-2023 Silikongele für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate
- T/ZZB 0542-2018 Chirurgisches Einweginstrument mit Hochfrequenz-Aktivelektrode (Aktivelektrode soll koagulieren oder schneiden)
Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Siliziumpolarität Polarität
- ECA RS-348-1968 Magnetfeldpolarität, einschließlich Definitionen und Bestimmung der Polarität
- ECA 348-1968 Magnetfeldpolarität, einschließlich Definitionen und Bestimmung der Polarität
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Siliziumpolarität Polarität
- JIS A 1205:1999 Prüfverfahren für die Flüssigkeitsgrenze und die Plastizitätsgrenze von Böden
- JIS A 1205:2009 Prüfverfahren für die Flüssigkeitsgrenze und die Plastizitätsgrenze von Böden
- JIS H 8682-2:2013 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Messung der Abriebfestigkeit von anodischen Oxidationsbeschichtungen. Teil 2: Prüfung der Abriebfestigkeit durch Strahlabrieb
- JIS H 8684:2013 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bewertung der Beständigkeit anodischer Oxidationsbeschichtungen gegenüber Rissbildung durch Verformung
- JIS T 0302:2000 Prüfverfahren zur Korrosionsbeständigkeit metallischer Biomaterialien durch anodische Polarisationsmessung
Professional Standard - Aerospace, Siliziumpolarität Polarität
- QJ 1512-1988 Testmethode zur Zuverlässigkeitsüberprüfung für Silizium-NPN-Transistoren mit geringer Leistung
- QJ 1299-1987 Screening-Spezifikationen für Silizium-Mikrowellenmischer und Detektordioden
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Siliziumpolarität Polarität
- GB/T 41652-2022 Siliziumelektrode und Siliziumring für Plasmaätzmaschine
- GB/T 26186-2010 Service für Kaltkathoden-Leuchtstofflampen. Leistungsanforderungen
- GB/T 3074.3-2008 Verfahren zur Bestimmung der Oxidationsbeständigkeit von Graphitelektroden
- GB/T 5295-2012 Die spektrale Empfindlichkeitsreihe von Photokathoden
- GB/T 3074.2-2008 Methode zur Bestimmung des Elastizitätsmoduls von Graphitelektroden
- GB 5295-1985 Die spektrale Empfindlichkeitsreihe von Photokathoden
- GB/T 17848-1999 Prüfmethoden für elektrochemische Eigenschaften von Opferanoden
- GB/T 12583-1998 Standardtestverfahren zur Messung der Hochdruckeigenschaften von Schmierflüssigkeiten (Vierkugelverfahren)
- GB/T 22706-2008 Kaltkathoden-Leuchtstofflampen mit eigenem Vorschaltgerät. Anforderungen an die Betriebsleistung
- GB/T 7790-1996 Prüfverfahren für die Beständigkeit gegen kathodische Ablösung von Korrosionsschutzanstrichen
- GB/T 41760-2022 Testmethode zur spontanen Polarisation von Turmalin
- GB/T 8754-2006 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Isolationsprüfung durch Messung des Durchschlagpotentials
- GB/T 8752-2006 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Überprüfung der Kontinuität der dünnen anodischen Oxidschicht. Kupfersulfattest
- GB/T 15555.12-1995 Fester Abfall – Glaselektrodentest – Methode der Korrosivität
- GB/T 11144-2007 Standardtestverfahren zur Messung der Extremdruckeigenschaften von Schmierflüssigkeiten (Timken-Methode)
- GB/T 28178-2011 Deponieentsorgung für sehr schwach radioaktive Abfälle
Society of Automotive Engineers (SAE), Siliziumpolarität Polarität
- SAE AMS2685B-1985 SCHWEISSEN, WOLFRAM-LICHTBOGEN, INERTGAS, nicht verbrauchbare Elektrode (GTAW-Methode)
- SAE AMS3334D-2001 Silikonkautschuk Extrem kältebeständig 35 - 45
- SAE AMS3332D-2001 Silikonkautschuk Extrem kältebeständig 15 - 30
- SAE AMS3335D-2001 Extrem kältebeständiger Silikonkautschuk 45 - 55
- SAE AMS3338A-1958 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig (75 - 85)
- SAE AMS3338C-1965 SILIKONGUMMI Extrem kältebeständig 75 - 85
- SAE AMS3338B-1963 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig (75 - 85)
- SAE AMS3334B-1976 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig 35 - 45
- SAE AMS3336B-1976 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig 55 - 65
- SAE AMS3334A-1965 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig 35 - 45
- SAE AMS3335A-1965 SILIKONGUMMI Extrem kältebeständig 45 - 55
- SAE AMS3335-1955 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig (45-55)
- SAE AMS3338-1955 SILIKONGUMMI Extrem kältebeständig (75-85)
- SAE AMS3332-1957 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig (15 - 30)
- SAE AMS3337B-1976 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig 65 - 75
- SAE AMS3336A-1965 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig 55 - 65
- SAE AMS3332C-1983 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig 15 - 30
- SAE AMS3336-1955 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig (55-65)
- SAE AMS3334-1955 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig (35–45)
- SAE AMS3334C-1983 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig 35 - 45
- SAE AMS3335C-1983 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig 45 - 55
- SAE AMS3338D-1976 SILIKONKAUTSCHUK Extrem kältebeständig 75 - 85
- SAE AMS3332B-1976 Silikonkautschuk, extrem kältebeständig, 15–30 °C
- SAE AMS3332A-1965 Silikonkautschuk, extrem kältebeständig, 15–30 °C
- SAE AMS3335B-1976 SILIKONGUMMI Extrem kältebeständig 45 - 55
- SAE AMS3332E-2009 Silikonkautschuk, extrem kältebeständig, 15–30
- SAE AMS3334E-2009 Silikonkautschuk, extrem kältebeständig, 35–45
- SAE AMS3337D-1998 Silikonkautschuk (PVMQ), extrem kältebeständig 65–75
- SAE AMS3336D-2001 Silikonkautschuk (PVMQ), extrem kältebeständig 55–65
- SAE AMS3338F-2007 Silikonkautschuk (PVMQ), extrem kältebeständig 75–85
- SAE AMS2685E-2007 Schweißen, Wolframlichtbogen, Inertgas, (GTAW-Methode)
- SAE AMS3336C-1994 SILIKON (PVMQ)-GUMMI Extrem kältebeständig 55 - 65
- SAE AMS3337C-1984 SILIKON (PVMQ)-GUMMI Extrem kältebeständig 65 - 75
- SAE AMS3338E-1984 SILIKON (PVMQ)-GUMMI Extrem kältebeständig 75 - 85
- SAE AMS3193C-1994 Geschlossenzelliger Silikonkautschukschwamm, mittlere, extrem niedrige Temperatur
- SAE AMS3194C-1994 Silikonkautschukschwamm, geschlossenzellig, fest, extrem niedrige Temperaturen
- SAE AMS3193B-1985 Silikonkautschukschwamm, geschlossenzellig, für mittlere und extrem niedrige Temperaturen
- SAE AMS3194-1968 Silikonkautschukschwamm, geschlossenzellig, fest, extrem niedrige Temperaturen
- SAE AMS3193A-1977 Silikonkautschukschwamm, geschlossenzellig, für mittlere und extrem niedrige Temperaturen
- SAE AMS3194C-2001 Silikonkautschukschwamm, geschlossenzellig, fest, extrem niedrige Temperaturen
- SAE AMS3337-1960 SILIKONKAUTSCHUK Hoch- und extrem kältebeständig (65–75)
- SAE AMS3193-1968 Silikonkautschukschwamm, geschlossenzellig, für mittlere und extrem niedrige Temperaturen
- SAE AMS3337A-1965 SILIKONKAUTSCHUK Hoch- und extrem niedrige Temperaturbeständigkeit 65–75
- SAE AMS3193C-2001 Geschlossenzelliger Silikonkautschukschwamm, mittlere, extrem niedrige Temperatur
- SAE AMS3194A-1977 Silikonkautschukschwamm, geschlossenzellig, fest, extrem niedrige Temperaturen
- SAE AMS3194F-2019 Silikonkautschukschwamm, geschlossenzellig, fest, extrem niedrige Temperaturen
- SAE AMS3193F-2019 Geschlossenzelliger Silikonkautschukschwamm, mittlere, extrem niedrige Temperatur
- SAE AMS3332G-2021 Elastomer: Methylphenylvinylsilikonkautschuk (PVMQ), extrem kältebeständig, Härtegrad 15–30, Typ A
- SAE AMS2479D-2018 Anodische Behandlung von Magnesiumlegierungen vom sauren Typ, dünne Schicht
- SAE AMS2479D-2003 Anodische Behandlung von Magnesiumlegierungen vom sauren Typ, dünne Schicht
- SAE AMS1547-1996 Reiniger, anodisch, elektrolytisch, alkalisch für Stahl, Tanktyp
- SAE AMS1547A-2018 Reiniger, anodisch, elektrolytisch, alkalisch für Stahl, Tanktyp
- SAE AMS3194D-2011 Silikonkautschukschwamm, geschlossenzellig, fest, extrem niedrige Temperaturen
- SAE AMS3194E-2014 Silikonkautschukschwamm, geschlossenzellig, fest, extrem niedrige Temperaturen
- SAE AMS2478E-2003 Anodische Behandlung von Magnesiumlegierungen vom sauren Typ, Vollschicht
- SAE AMS2466B-2009 Hartanodische Beschichtung aus alkalischen Magnesiumlegierungen, Hochspannung
- SAE AMS2685C-1994 SCHWEISSEN, WOLFRAMLICHTBOGEN, INERTGAS (GTAW-Methode)
- SAE AMS2685E-2012 Schweißen, Wolframlichtbogen, Inertgas (GTAW-Methode)
- SAE AMS1547-1987 Reiniger, anodisch, elektrolytisch, alkalisch, für Stahl, Tanktyp
- SAE AMS1547A-2008 Reiniger, anodisch, elektrolytisch, alkalisch für Stahl, Tanktyp
- SAE AMS2466A-2003 Hartanodische Beschichtung aus alkalischen Magnesiumlegierungen, Hochspannung
- SAE AMS2467-2016 Hartanodische Beschichtung aus alkalischen Magnesiumlegierungen, Hochspannung
SAE - SAE International, Siliziumpolarität Polarität
British Standards Institution (BSI), Siliziumpolarität Polarität
- BS 7310:1990(2012) Spezifikation für ionenselektive Elektroden, Referenzelektroden, Kombinationselektroden und ionenselektive Elektrodenmessgeräte zur Bestimmung von Ionen in Lösung
- BS EN 62639:2012 Fluoreszierende Induktionslampen. Leistungsspezifikation
- BS 9300 C678-721:1971 Detaillierte Spezifikation für Silizium-Spannungsreglerdioden
- BS EN ISO 8251:2011 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Messung der Abriebfestigkeit anodischer Oxidationsschichten
- BS EN ISO 8251:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Messung der Abriebfestigkeit anodischer Oxidationsschichten
- BS EN ISO 7599:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Verfahren zur Spezifikation dekorativer und schützender anodischer Oxidationsbeschichtungen auf Aluminium
- BS EN 12373-15:2001 Aluminium und Aluminiumlegierungen. Eloxieren. Bewertung der Beständigkeit anodischer Oxidationsschichten gegenüber Rissbildung durch Verformung
- BS EN 1263-2:2002 Sicherheitsnetze – Sicherheitsanforderungen für die Positionierungsgrenzen
- BS EN ISO 3211:2010 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Bewertung der Beständigkeit anodischer Oxidationsschichten gegenüber Rissbildung durch Verformung
- BS EN 12373-16:2001 Aluminium und Aluminiumlegierungen. Eloxieren. Überprüfen Sie die Kontinuität dünner anodischer Oxidationsschichten. Kupfersulfattest
- BS EN ISO 3211:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Bewertung der Beständigkeit anodischer Oxidationsschichten gegenüber Rissbildung durch Verformung
Military Standards (MIL-STD), Siliziumpolarität Polarität
General Motors Corporation (GM), Siliziumpolarität Polarität
- GM 9984094-2003 Mittelschichtige kathodische Elektrotauchlackierung, Revision D
- GM 9984070-1990 Grundierung – kathodischer Hochschicht-Elektrotauchlack Revision F
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Siliziumpolarität Polarität
The Aluminum Association, Siliziumpolarität Polarität
(U.S.) Ford Automotive Standards, Siliziumpolarität Polarität
- FORD ESF-M2D228-A-2004 SILIKON-ELASTOMER, SEHR GERINGE FESTIGKEIT ***ZUR VERWENDUNG MIT FORD WSS-M99P1111-A***
- FORD ESF-M2D228-A-2009 SILIKON-ELASTOMER, SEHR GERINGE FESTIGKEIT ***ZUR VERWENDUNG MIT FORD WSS-M99P1111-A***
Professional Standard - Chemical Industry, Siliziumpolarität Polarität
- HG/T 4592-2014 Die elektrodenaktive Beschichtung des formstabilen Anodenelektrolyseurs erfolgt nach der Membranmethode
German Institute for Standardization, Siliziumpolarität Polarität
- DIN 41077:1980 Zweipoliger Stecker für polarisierte Sekundäruhren; Anschlussmaße
- DIN 18122-1:1997 Boden, Untersuchung und Prüfung – Konsistenzgrenzen – Teil 1: Bestimmung der Flüssigkeitsgrenze und der Plastizitätsgrenze
- DIN EN ISO 8251:2018-12 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Messung der Abriebfestigkeit anodischer Oxidationsschichten (ISO 8251:2018); Deutsche Fassung EN ISO 8251:2018
- DIN EN ISO 7599:2018-05 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Verfahren zur Spezifikation dekorativer und schützender anodischer Oxidationsschichten auf Aluminium (ISO 7599:2018); Deutsche Fassung EN ISO 7599:2018
- DIN EN ISO 8251:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Messung der Abriebfestigkeit anodischer Oxidationsschichten (ISO 8251:2018)
- DIN EN ISO 7599:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Verfahren zur Spezifikation dekorativer und schützender anodischer Oxidationsschichten auf Aluminium (ISO 7599:2018)
- DIN EN 61213:1994 Analoge Tonaufzeichnung auf Videoband; Polarität der Magnetisierung (IEC 61213:1993); Deutsche Fassung EN 61213:1994
American Society for Testing and Materials (ASTM), Siliziumpolarität Polarität
- ASTM D4318-00 Standardtestmethoden für Flüssigkeitsgrenze, Plastizitätsgrenze und Plastizitätsindex von Böden
- ASTM D4318-10e1 Standardtestmethoden für Flüssigkeitsgrenze, Plastizitätsgrenze und Plastizitätsindex von Böden
- ASTM D4318-05 Standardtestmethoden für Flüssigkeitsgrenze, Plastizitätsgrenze und Plastizitätsindex von Böden
- ASTM D6558-00a(2005) Standardtestmethode zur Bestimmung der TGA-CO2-Reaktivität von gebackenen Kohlenstoffanoden und Kathodenblöcken
- ASTM D6558-00(2010) Standardtestmethode zur Bestimmung der TGA-CO2-Reaktivität von gebackenen Kohlenstoffanoden und Kathodenblöcken
- ASTM E1697-95(1999) Standardtestmethode zur unipolaren Größenschätzung sensorischer Attribute
- ASTM E1697-05(2020) Standardtestmethode zur unipolaren Größenschätzung sensorischer Attribute
- ASTM D6558-00a(2010) Standardtestmethode zur Bestimmung der TGA-CO2-Reaktivität von gebackenen Kohlenstoffanoden und Kathodenblöcken
- ASTM D4127-06 Standardterminologie für ionenselektive Elektroden
- ASTM D4127-12 Standardterminologie für ionenselektive Elektroden
- ASTM D6559-00a(2005) Standardtestmethode zur Bestimmung der thermogravimetrischen (TGA) Luftreaktivität von gebackenen Kohlenstoffanoden und Kathodenblöcken
- ASTM D6559-00a(2010) Standardtestmethode zur Bestimmung der thermogravimetrischen (TGA) Luftreaktivität von gebackenen Kohlenstoffanoden und Kathodenblöcken
- ASTM F1238-95(2003) Standardspezifikation für feuerfeste Silizid-Sputtertargets für mikroelektronische Anwendungen
- ASTM E81-96(2007) Standardtestmethode zur Herstellung quantitativer Polfiguren
- ASTM E81-96(2011) Standardtestmethode zur Herstellung quantitativer Polfiguren
SE-SIS, Siliziumpolarität Polarität
- SIS SS 02 71 21-1990 Geotechnische Tests – Plastizitätsgrenze
- SIS SS-ISO 6581:1985 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung der Beständigkeit von farbigen anodischen Oxidbeschichtungen gegenüber ultraviolettem Licht
RO-ASRO, Siliziumpolarität Polarität
- STAS 1913/4-1986 Fundamentgrund BESTIMMUNG DER KUNSTSTOFFGRENZEN
- STAS 11200/5-1978 Grafische Symbole GRAFISCHES SYMBOL FÜR PLUS; POSITIVE POLARITÄT
- STAS 11200/6-1978 Grafische Symbole GRAFISCHES SYMBOL FÜR MINUS; NEGATIVE POLARITÄT
- STAS 10228-1984 Silizium-Gleichrichterdioden Allgemeine technische Anforderungen an die Qualität
- STAS 10316-1975 KRAFTSTOFFE FÜR DIESELMOTOREN Bestimmung des Grenzpunktes der Filtrierbarkeit
Standard Association of Australia (SAA), Siliziumpolarität Polarität
SCC, Siliziumpolarität Polarität
- CSA C22.2 No.160-M1983-1983 Spannungs- und Polaritätsanzeiger
- CSA C22.2 No.160-M1985-1985(C2012) Spannungs- und Polaritätsanzeiger
- CSA C22.2 No.160-M1985-1985(R2012) Spannungs- und Polaritätstester
- CSA C865.2-2023 Leuchtdiodentreiber – Leistungsmerkmale
- IEC 60351:1971 Darstellung der Eigenschaften von Kathodenstrahloszilloskopen
- NS-EN ISO 8251:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Messung der Abriebfestigkeit anodischer Oxidationsschichten (ISO 8251:2018)
- DANSK DS/EN ISO 8251:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Messung der Abriebfestigkeit anodischer Oxidationsschichten (ISO 8251:2018)
- NS-EN ISO 7599:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Verfahren zur Spezifikation dekorativer und schützender anodischer Oxidationsbeschichtungen auf Aluminium (ISO 7599:2018)
- AENOR UNE-EN ISO 7599:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Verfahren zur Spezifikation dekorativer und schützender anodischer Oxidationsschichten auf Aluminium (ISO 7599:2018)
- DANSK DS/EN ISO 7599:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Verfahren zur Spezifikation dekorativer und schützender anodischer Oxidationsbeschichtungen auf Aluminium (ISO 7599:2018)
Professional Standard - Machinery, Siliziumpolarität Polarität
YU-JUS, Siliziumpolarität Polarität
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- CSN 03 8151-1961 Die Bestimmung zur Versiegelung von anodisch beschichtetem Aluminium
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GSO, Siliziumpolarität Polarität
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- OS GSO ISO 8251:2013 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Messung der Abriebfestigkeit anodischer Oxidationsschichten
- BH GSO ISO 8251:2016 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Messung der Abriebfestigkeit anodischer Oxidationsschichten
- OS GSO ISO 3211:2015 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bewertung der Beständigkeit anodischer Oxidationsbeschichtungen gegenüber Rissbildung durch Verformung
- BH GSO ISO 3211:2016 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bewertung der Beständigkeit anodischer Oxidationsbeschichtungen gegenüber Rissbildung durch Verformung
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- ARMY QPL-0053084 NOTICE 2-2009 Grundierung, kathodische Elektrotauchlackierung, beständig gegen chemische Wirkstoffe
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- ISO 8251:2011 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Messung der Abriebfestigkeit anodischer Oxidationsschichten
- ISO 8251:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Messung der Abriebfestigkeit anodischer Oxidationsschichten
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- ISO 3211:1977 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen; Bewertung der Beständigkeit anodischer Oxidbeschichtungen gegenüber Rissbildung durch Verformung
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- ISO 2085:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Prüfung auf Kontinuität dünner anodischer Oxidationsschichten – Kupfersulfattest
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- ISO 2085:1976 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen; Überprüfung der Kontinuität dünner anodischer Oxidschichten; Kupfersulfattest
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- NF A91-450*NF EN ISO 7599:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Verfahren zur Festlegung dekorativer und schützender anodischer Oxidationsschichten auf Aluminium
- NF EN ISO 2085:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Überprüfung der Kontinuität dünner anodischer Schichten – Kupfersulfattest
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Professional Standard - Petrochemical Industry, Siliziumpolarität Polarität
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IN-BIS, Siliziumpolarität Polarität
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VDI - Verein Deutscher Ingenieure, Siliziumpolarität Polarität
Lithuanian Standards Office , Siliziumpolarität Polarität
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ZA-SANS, Siliziumpolarität Polarität
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IT-UNI, Siliziumpolarität Polarität
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BE-NBN, Siliziumpolarität Polarität
CU-NC, Siliziumpolarität Polarität
International Electrotechnical Commission (IEC), Siliziumpolarität Polarität
- IEC 61213:1993 Analoge Tonaufzeichnung auf Videoband; Polarität der Magnetisierung
Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Siliziumpolarität Polarität