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Diode

Für die Diode gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Diode die folgenden Kategorien: Diskrete Halbleitergeräte, Elektronische Anzeigegeräte, Optoelektronik, Lasergeräte, Wortschatz, Elektrische Lichter und zugehörige Geräte, Glasfaserkommunikation, Halbleitermaterial, Elektronenröhre, Elektrische und elektronische Prüfung, Glas, Straßenfahrzeuggerät, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Elektrische Geräte und Systeme für die Luft- und Raumfahrt, Personentransportausrüstung und Cockpitausrüstung, Elektronische Geräte, Drahtlose Kommunikation, Umfassende Verpackung und Transport von Waren, analytische Chemie, Fahrzeuge, Solartechnik, Fernsehsendungen und Radiosendungen, Tinte, Tinte, Elektrotechnik umfassend, Audio-, Video- und audiovisuelle Technik, Kernenergietechnik, Verpackungsmaterialien und Hilfsstoffe, Umweltschutz, kleines Boot.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Diode

• KS C IEC 60747-3-1:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden – Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für Signaldioden, Schaltdioden und gesteuerte Lawinendioden
• KS C IEC 60747-3:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden
• KS C IEC 60747-3:2016 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden
• KS C IEC 60747-3-2:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ausgenommen temperaturkompensierte Präzisionsreferenzdioden
• KS C 5205-2002 ZUVERLÄSSIGE SPANNUNGSREGLERDIODEN UND SPANNUNGSREFERENZDIODEN
• KS C IEC 60747-3-1-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden – Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für Signaldioden, Schaltdioden und gesteuerte Lawinendioden
• KS C IEC 60747-3-1-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden – Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für Signaldioden, Schaltdioden und gesteuerte Lawinendioden
• KS C 7120-1990 Leuchtdioden (zur Anzeige)
• KS C 7120-1990(2016) Leuchtdioden (zur Anzeige)
• KS C 7120-1990(2021) Leuchtdioden (zur Anzeige)
• KS C IEC 60747-3-2-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ausgenommen
• KS C IEC 60747-3-2-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ausgenommen
• KS C 7003-1996 Messmethoden für Kleinsignaldioden
• KS C 5205-1980(2000) ZUVERLÄSSIGE SPANNUNGSREGLERDIODEN UND SPANNUNGSREFERENZDIODEN
• KS C 7003-1981 Messmethoden für Kleinsignaldioden
• KS C 7003-2017 Messmethoden für Kleinsignaldioden
• KS C 5300-1992 Allgemeine Regeln für Leuchtdioden für die Glasfaserübertragung
• KS C 6990-2001 Allgemeine Regeln für Fotodioden für die Glasfaserübertragung
• KS C 7003-2017(2022) Messmethoden für Kleinsignaldioden
• KS C 6905-2001 Allgemeine Regeln für Laserdioden zur faseroptischen Übertragung
• KS C 7121-1990 Messmethoden für Leuchtdioden (zur Anzeige)
• KS C 5301-1992 Testmethoden von Leuchtdioden für die Glasfaserübertragung
• KS C 6991-2001 Testmethoden von Fotodioden für die Glasfaserübertragung
• KS C 7121-1990(2021) Messmethoden für Leuchtdioden (zur Anzeige)
• KS C 5300-1992(2022) Allgemeine Regeln für Leuchtdioden für die Glasfaserübertragung
• KS C 5203-1980(2000) ZUVERLÄSSIGE KLEINE SIGNALDIODEN
• KS C 6905-2001(2021) Allgemeine Regeln für Laserdioden zur faseroptischen Übertragung
• KS C 6045-1991(2001) PRÜFVERFAHREN FÜR HALBLEITER-GLEICHRICHTERDIODEN
• KS C 5203-1980 ZUVERLÄSSIGE KLEINE SIGNALDIODEN
• KS C 6045-1986 PRÜFVERFAHREN FÜR HALBLEITER-GLEICHRICHTERDIODEN
• KS C IEC 60747-2-1-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 2: Gleichrichterdioden – Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), für Umgebungstemperatur und Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A
• KS C IEC 60747-2-1-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 2: Gleichrichterdioden – Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), für Umgebungstemperatur und Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A
• KS C 6906-2001 Testmethoden von Laserdioden für die faseroptische Übertragung
• KS C 5203-2002 ZUVERLÄSSIGE KLEINE SIGNALDIODEN
• KS C 5213-1981(1997) Zuverlässige Schaltdioden mit niedrigem Strom
• KS C 5213-1981 Zuverlässige Schaltdioden mit niedrigem Strom
• KS C IEC 60747-2-2-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 2: Gleichrichterdioden – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehäusebewertet, für Strom
• KS C IEC 60747-2-2-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 2: Gleichrichterdioden – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehäusebewertet, für Strom
• KS C 7104-2005 Standard zur Messung der Leistung von Leuchtdioden
• KS C 6942-2014 Allgemeine Regel für Laserdiodenmodule zur faseroptischen Übertragung
• KS C 6990-2013 ALLGEMEINE REGELN FÜR PHOTODIODEN FÜR DIE FASEROPTIKÜBERTRAGUNG
• KS C 6991-2013 TESTVERFAHREN VON PHOTODIODEN FÜR DIE FASEROPTISCHE ÜBERTRAGUNG
• KS C 5204-1980(2000) ZUVERLÄSSIGKEIT GEWÄHRTE NIEDRIGE STROM-GLEICHRICHTERDIODEN
• KS C 5217-1983(1998) ZUVERLÄSSIGE GLEICHRICHTERDIODEN (MITTEL- UND HOCHSTROM)
• KS C 7104-2005(2020) Standard zur Messung der Leistung von Leuchtdioden
• KS C 5204-1980 ZUVERLÄSSIGKEIT GEWÄHRTE NIEDRIGE STROM-GLEICHRICHTERDIODEN
• KS C IEC 60747-2-2:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 2: Gleichrichterdioden – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehäusebewertet, für Ströme über 100 A
• KS C IEC 60747-2-1:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 2: Gleichrichterdioden – Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), für Umgebungstemperatur und Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A
• KS C 5204-2002 ZUVERLÄSSIGKEIT GEWÄHRTE NIEDRIGE STROM-GLEICHRICHTERDIODEN
• KS C 5213-2002 Zuverlässige Schaltdioden mit niedrigem Strom
• KS C 6990-2001(2011) ALLGEMEINE REGELN FÜR PHOTODIODEN FÜR DIE FASEROPTIKÜBERTRAGUNG
• KS C 5301-1992(2017) Testmethoden von Leuchtdioden für die Glasfaserübertragung
• KS C 6906-2001(2016) Testmethoden von Laserdioden für die faseroptische Übertragung
• KS C 5301-1992(2022) Testmethoden von Leuchtdioden für die Glasfaserübertragung
• KS C 6906-2001(2021) Testmethoden von Laserdioden für die faseroptische Übertragung
• KS C 6943-2014 Testmethoden von Laserdiodenmodulen für die faseroptische Übertragung
• KS C 5217-2002 ZUVERLÄSSIGE GLEICHRICHTERDIODEN (MITTEL- UND HOCHSTROM)
• KS C 5300-1992(2017) Allgemeine Regeln für Leuchtdioden für die Glasfaserübertragung
• KS C 6704-1991(2001) TESTVERFAHREN FÜR LASERDIODEN, DIE ZUR AUFZEICHNUNG UND WIEDERGABE VERWENDET WERDEN
• KS C 5217-1983 ZUVERLÄSSIGE GLEICHRICHTERDIODEN (MITTEL- UND HOCHSTROM)
• KS C IEC 62031:2011 LED-Module für die Allgemeinbeleuchtung – Sicherheitsvorgaben

International Electrotechnical Commission (IEC), Diode

• IEC 60747-3-1:1986 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden. Abschnitt eins: Blanko-Bauartspezifikation für Signaldioden, Schaltdioden und gesteuerte Lawinendioden
• IEC 60747-3:2013 Halbleiterbauelemente – Teil 3: Diskrete Bauelemente: Signal-, Schalt- und Regeldioden
• IEC 60747-3:1985 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden.
• IEC 60747-3-2:1986 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden. Abschnitt Zwei: Blanko-Bauartspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ausgenommen temperaturkompensierte Präzisionsreferenzen d
• IEC 60747-3/AMD2:1993 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Regeldioden; Änderung 2
• IEC 60747-3/AMD1:1991 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Regeldioden; Änderung 1
• IEC TS 62504:2011 Allgemeinbeleuchtung – LEDs und LED-Module – Begriffe und Definitionen
• IEC TS 62861:2017 Richtlinien für die Prüfung der Hauptkomponentenzuverlässigkeit von LED-Lichtquellen und LED-Leuchten
• IEC 91/926/PAS:2010 Elektronische Leiterplatte für Hochleistungs-LEDs
• IEC 60747-5-8:2019 Halbleiterbauelemente – Teil 5-8: Optoelektronische Bauelemente – Leuchtdioden – Prüfverfahren für optoelektronische Wirkungsgrade von Leuchtdioden
• IEC 60747-2-2:1993 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 2: Gleichrichterdioden; Abschnitt 2: Blanko-Bauartspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehäusebewertet, für Ströme über 100 A
• IEC 60747-2-1:1989 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 2: Gleichrichterdioden; Abschnitt eins: Blanko-Bauartspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehäusefest, bis zu 100 A
• IEC 62979:2017 Photovoltaikmodule – Bypass-Diode – Thermal Runaway-Test
• IEC 62931:2017 GX16t-5-Sockel-LED-Röhrenlampe – Sicherheitsspezifikationen
• IEC 60747-5-11:2019 Halbleiterbauelemente – Teil 5-11: Optoelektronische Bauelemente – Leuchtdioden – Prüfverfahren für strahlende und nichtstrahlende Ströme von Leuchtdioden
• IEC 91/928/PAS:2010 Testmethoden für elektronische Leiterplatten für Hochleistungs-LEDs
• IEC 60747-7:1988 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise; Teil 7: Bipolartransistoren
• IEC 62031:2008 LED-Module für die Allgemeinbeleuchtung – Sicherheitsspezifikationen
• IEC 62031:2008/AMD1:2012 LED-Module für die Allgemeinbeleuchtung – Sicherheitsspezifikationen

British Standards Institution (BSI), Diode

• BS IEC 60747-3:2013 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte: Signal-, Schalt- und Regeldioden
• BS IEC 60747-5-8:2019 Halbleiterbauelemente. Optoelektronische Geräte. Leuchtdioden. Prüfverfahren für optoelektronische Wirkungsgrade von Leuchtdioden
• BS EN 120001:1993 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Leere Detailspezifikation. Leuchtdioden, Leuchtdiodenarrays, Leuchtdiodenanzeigen ohne interne Logik und Widerstand
• BS PD IEC/TS 62861:2017 Richtlinien für die Prüfung der Hauptkomponentenzuverlässigkeit von LED-Lichtquellen und LED-Leuchten
• BS 9300 C678-721:1971 Detaillierte Spezifikation für Silizium-Spannungsreglerdioden
• BS EN 120001:1991 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Bauteile – Vordruck für Bauartspezifikation – Leuchtdioden, Leuchtdiodenarrays, Leuchtdiodenanzeigen ohne interne Logik und Widerstand
• BS IEC 60747-5-11:2019 Halbleiterbauelemente. Optoelektronische Geräte. Leuchtdioden. Prüfverfahren für strahlende und nicht strahlende Ströme von Leuchtdioden
• BS EN 120005:1986 Spezifikation für ein harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten – Vordruck für Bauartspezifikation – Fotodioden, Fotodioden-Arrays (nicht für Glasfaseranwendungen vorgesehen)
• BS EN 120002:1993 Spezifikation für ein harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Vordruck für Bauartspezifikation: Infrarot-Emissionsdioden, Infrarot-Emissionsdiodenarrays
• BS 9300 C762:1971 Detailspezifikation für Mischdioden zur Verwendung bei X-Band-Frequenzen
• BS IEC 60747-2:2016 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Gleichrichterdioden
• BS EN 60747-2:2016 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Gleichrichterdioden
• 18/30367363 DC BS IEC 60747-5-8. Halbleiterbauelemente. Teil 5-8. Optoelektronische Geräte. Leuchtdioden. Prüfverfahren für optoelektronische Wirkungsgrade von Leuchtdioden
• BS IEC 60747-5-16:2023 Halbleitergeräte – Optoelektronische Geräte. Leuchtdioden. Testmethode der Flachbandspannung von GaN-basierten Leuchtdioden basierend auf der Photostromspektroskopie
• BS EN 62341-1-1:2009 Displays mit organischen Leuchtdioden (OLED) – Allgemeine Spezifikationen
• BS EN 62931:2017 GX16t-5-Sockel-LED-Röhrenlampe – Sicherheitsspezifikationen
• BS EN 120005:1993 Spezifikation für ein harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Leere Detailspezifikation. Fotodioden, Fotodioden-Arrays (nicht für Glasfaseranwendungen vorgesehen)
• BS EN ISO 19009:2015 Kleines Handwerk. Elektrische Navigationslichter. Leistung von LED-Leuchten
• BS ISO 13207-1:2012 Straßenfahrzeuge. LED-Lampeneigenschaften zur lampenkompatiblen Fehlererkennung. LED-Lampen als Fahrtrichtungsanzeiger
• 18/30388245 DC BS EN IEC 60747-5-11. Halbleiterbauelemente. Teil 5-11. Optoelektronische Geräte. Leuchtdioden. Prüfverfahren für strahlende und nicht strahlende Ströme von Leuchtdioden
• BS PD IEC/TS 62916:2017 Photovoltaikmodule. Prüfung der Anfälligkeit für elektrostatische Entladungen von Bypass-Dioden
• BS EN 62707-1:2014 LED-Binning. Allgemeine Anforderungen und weißes Farbraster
• BS EN 62031:2008+A1:2013 LED-Module für die Allgemeinbeleuchtung – Sicherheitsspezifikationen
• BS EN 62031:2008 LED-Module für die Allgemeinbeleuchtung – Sicherheitsspezifikationen

Defense Logistics Agency, Diode

• DLA MIL-L-376 C NOTICE 1-1998 BLEIDIOXID, TECHNISCH
• DLA MIL-L-376 C (1)-1994 BLEIDIOXID, TECHNISCH
• DLA MIL-L-376 C-1983 BLEIDIOXID, TECHNISCH
• DLA MIL-PRF-19500/735-2006 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYP 1N7041CCU1 UND EINZELNE DIODE TYP 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
• DLA MIL-PRF-19500/681 C-2013 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYP 1N6843CCU3, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
• DLA DSCC-DWG-91011 REV B-2003 HALBLEITERGERÄT, DIODE, ULTRASCHNELL
• DLA MIL-PRF-19500/187 B (1)-2012 HALBLEITERDIODE, DILICON, HOCHSPANNUNGSTYP JAN1N2361
• DLA MIL-S-19500/298 VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Siliziumtyp 1N1742A
• DLA MIL-S-19500/236 A VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Siliziumtyp 1N31
• DLA MIL-PRF-19500/730 A-2011 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYPEN 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
• DLA MIL-PRF-19500/730 B-2013 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, DUAL, MITTELANSCHLUSS, TYPEN 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
• DLA DSCC-DWG-94022 REV G-2000 HALBLEITERGERÄT, DIODE, STANDARD-WIEDERHERSTELLUNG
• DLA MIL-S-19500/227 VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Typ 1N995M (Marineblau)
• DLA MIL-S-19500/229 VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Typ 1N830AM (Marineblau)
• DLA MIL-S-19500/191 A (1)-1971 HALBLEITERGERÄT, DIODE, GERMANIUM, MISCHER TYP 1N263
• DLA MIL PRF 19500/670A VALID NOTICE 2-2013 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, BARRIEREGleichrichter, SCHOTTKY, TYPEN 1N6826, 1N6826US, 1N6831 und 1N6831US JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC und JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/656 A-2008 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIKON, SCHOTTKY, LEISTUNGSGLEICHRICHTER, GEMEINSAMER KATHODEN- ODER GEMEINSAMER ANODEN-MITTELABZUG, TYPEN 1N6785 UND 1N6785R, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
• DLA DSCC-DWG-94029 REV C-2001 HALBLEITERGERÄT, DIODE, ÜBERGANGSUNTERDRÜCKER, ARRAY, BI-DIREKTIONAL
• DLA MIL-PRF-19500/467 A-2008 HALBLEITERGERÄT, DIODE, LICHTEMITTIERT, TYP 1N5765 JAN UND TX
• DLA MIL-S-19500/254 B VALID NOTICE 1-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, Typen 1N1147 und 1N1149, JAN
• DLA MIL-S-19500/200 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Germanium Typ 1N270 JAN, JANTX und JANTXV
• DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, Typ JAN-1N3207 mit hoher Leitfähigkeit
• DLA DSCC-DWG-00005-2001 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, MISCHER, 1N21WE, 1N21WEM UND 1N21WEMR
• DLA MIL-PRF-19500/256 C NOTICE 2-1999 HALBLEITERGERÄT, DIODE, SILIZIUM, SCHALTEN, TYPEN 1N643, 1N662 UND 1N663
• DLA MIL-DTL-3976/1 B-2007 LEUCHTENDE DIODE (LED), MARKIERUNGSABSTAND-BLACKOUT, 14 UND 28 VOLT
• DLA MIL-S-19500/201 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Germanium Typ 1N277 JAN, JANTX und JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/691 VALID NOTICE 2-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, Schalten, 1N4148UE2 JAN, JANTX und JANJ
• DLA DSCC-DWG-94030 REV B-2001 HALBLEITERVORRICHTUNG, unidirektionale Transientenunterdrückungsdiodenanordnung
• DLA MIL-S-19500/201 B-1989 HALBLEITERGERÄT, DIODE, GERMANIUM TYP 1N277 JAN, JANTX UND JANTXV

工业和信息化部, Diode

• SJ/T 11624-2016 Spezifikation für Leuchtdioden zur Verwendung in Leuchtdioden (LED)-Anzeigen
• QC/T 1038-2016 Kfz-Leuchtdioden (LEDs) und Module
• SJ/T 2749-2016 Testmethoden für Halbleiterlaserdioden
• SJ/T 11767-2020 Verfahren zum Testen der Parameter des Niederfrequenzrauschens einer Diode
• QB/T 5478-2020 Mit UV-Leuchtdioden lichthärtende Offsetdruckfarbe

Japan Electronics and Information Technology Industries Association, Diode

• EIAJ ED 4910-1995 Leuchtdioden

JP-JEITA, Diode

• JEITA ED4912-2008 Leuchtdioden

Professional Standard - Education, Diode

• JY 182-1984 Vakuumdiode

Association Francaise de Normalisation, Diode

• NF C96-832:1981 Halbleiter. Mikrowellendioden. Schottky-Dioden. Allgemeine Anforderungen.
• NF EN 120002:1992 Besondere Rahmenvorgabe: Infrarot-Emissionsdioden, Netzwerke von Infrarot-Emissionsdioden
• NF C93-120-001*NF EN 120001:1992 Vordruck für Bauartspezifikation: Leuchtdioden, Leuchtdiodenarrays, Leuchtdiodenanzeigen ohne interne Logik und Widerstand
• NF EN 120001:1992 Besondere Rahmenvorgabe: Leuchtdioden, Leuchtdiodenarrays, Leuchtdiodenanzeigen ohne Widerstand oder interne Logikschaltungen
• NF EN 120005:1992 Spezielle Rahmenspezifikation: Fotodioden, Fotodiodenarrays (nicht für Glasfaseranwendungen vorgesehen)
• NF C93-120-002*NF EN 120002:1992 Blanko-Detailspezifikation: Infrarot-Emissionsdioden, Infrarot-Emissionsdiodenarrays
• NF C93-120-005*NF EN 120005:1992 Vordruck für Bauartspezifikation: Fotodioden, Fotodiodenarrays (nicht für Glasfaseranwendungen vorgesehen)
• NF C93-871:1987 Digitale Sender mit Leuchtdioden.
• NF C86-502:1983 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Leere Detailspezifikation. Infrarot-Emissionsdioden, Infrarot-Emissionsdioden-Arrays.
• NF C86-508:1993 Leere Detailspezifikation. Leuchtdioden und Infrarot-Leuchtdioden für Glasfasersysteme oder -subsysteme.
• NF C86-501:1983 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Leere Detailspezifikation. Leuchtdioden, Leuchtdiodenarrays.
• NF C93-872:1987 Digitale Empfänger mit Pin-Fotodiode.
• NF C96-821:1981 Hochleistungs-Gleichrichterdioden von Semiconductor Devices
• NF C86-818/A1:1981 Gleichrichterdioden bei spezifizierter Umgebungstemperatur
• NF C86-815:1981 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Vordruck für Bauartspezifikation: Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden.
• NF C57-379*NF EN 62979:2017 Photovoltaikmodul – Bypass-Diode – Thermal Runaway-Test
• NF EN 62979:2017 Photovoltaikmodule – Bypass-Diode – Thermal Runaway-Test
• NF C96-811/A3:1974 Halbleiterdioden für professionelle Anwendungen Allgemeine Artikelblätter
• NF C96-811/A4:1974 Halbleiterdioden für professionelle Anwendungen Allgemeine Artikelblätter
• NF C86-505:1986 Halbleiterbauelemente. Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Fotodioden. Fotodioden-Arrays. Blanko-Bauartspezifikation CECC 20 005.
• NF C86-815/A3:1983 Elektronische Komponenten Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden Handbuch mit Detailspezifikationen im Rahmen der französischen Normen NF C 86-010 und NF C 86-815 (CECC 50 000 und CECC 50 000)

Danish Standards Foundation, Diode

• DS/IEC 747-3:1986 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden
• DS/IEC 747-3-2:1987 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden. Abschnitt 2: Blanko-Bauartspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ausgenommen temperaturkompensierte Präzisionsdioden, siehe di
• DS/IEC 747-3-1:1987 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 3: Signaldioden (einschließlich Schaltdioden) und Reglerdioden – Abschnitt 1: Vordruck für Detailspezifikationen für Signaldioden, Schaltdioden und gesteuerte Lawinendioden
• DS/IEC 747-2-1:1990 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 2: Gleichrichterdioden. Abschnitt eins: Blanko-Bauartspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehäusebewertet, bis zu 100 A

Professional Standard - Military and Civilian Products, Diode

• WJ 2100-2004 Prüfverfahren für Silizium-Fotodioden und Silizium-Avalanche-Fotodioden
• WJ 2539-1999 Eichvorschriften für temperaturmessende Diodenmessgeräte
• WJ 2265-1995 Spezifikationen für vorverstärkte Silizium-Avalanche-Fotodioden
• WJ 2506-1998 Verifizierungsvorschriften für Photodioden-Dynamiktester

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Diode

• PQC 105-1992 Blanko-Detailspezifikation für Leuchtdioden @ Leuchtdiodenarrays
• QC 750101-1986 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 3: Signaldioden (einschließlich Schaltdioden) und Reglerdioden, Abschnitt 1 – Blanko-Detailspezifikation für Signaldioden, Schaltdioden und Lawinendioden (IEC 747-3-1 ED 1)
• PQC 75-1991 Semiconductor Devices - Discrete Devices - Rectifier Diodes Blank Detail Specification: Rectifier Diodes (Including Avalanche Rectifier Diodes)@ Ambient and Case-Rated@ Greater Than 100 A
• QC 750105-1986 Halbleiterbauelemente; Diskrete Geräte Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden, Abschnitt 2, leere Detailspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ohne temperaturkompensierte Präzisionsreferenz. Dioden (IEC
• QC 750101/GB 0001 ISSUE 1-1990 Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode für Umgebungstemperaturen aus Silizium in Kunststoffkapselung
• QC 750101/SU 0004-1990 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten, Halbleiterdioden, umgebungsfest, vorgesehen für Schaltkreise in Fernsehempfängern, Schaltdioden (Sw), Typ KD805A

ES-UNE, Diode

• UNE-EN 120001:1992 BDS: LEUCHTDIODEN, LEUCHTDIODEN-ARRAYS, LEUCHTDIODEN-ANZEIGEN OHNE INTERNE LOGIK UND WIDERSTAND. (Von AENOR im September 1996 gebilligt.)
• UNE-EN 120005:1992 BDS: PHOTODIODEN, PHOTODIODEN-ARRAYS (NICHT FÜR FASEROPTIK-ANWENDUNGEN GEDACHT). (Von AENOR im September 1996 gebilligt.)
• UNE-EN 120002:1992 Blanko-Detailspezifikation: Infrarot-Emissionsdioden, Infrarot-Emissionsdiodenarrays
• UNE-EN 120008:1993 BDS: LICHTEMITTIERENDE DIODEN UND INFRAROT-EMITTIERENDE DIODEN FÜR FASEROPTIKSYSTEME ODER -TEILSYSTEME. (Von AENOR im September 1996 gebilligt.)
• UNE-EN 120006:1992 BDS: PIN-PHOTODIODEN FÜR FASEROPTIK-ANWENDUNGEN. (Von AENOR im September 1996 gebilligt.)
• UNE-EN 62979:2017 Photovoltaikmodul – Bypass-Diode – Thermal Runaway-Test (gebilligt von der Asociación Española de Normalización im Oktober 2018.)

Professional Standard - Electron, Diode

• SJ 2216-1982 Silizium-Fotodioden
• SJ/T 11470-2014 Epitaktische Wafer aus Leuchtdioden
• SJ 1226-1977 Detailspezifikation für Germanium-Detektordioden, Typ 2AP9~2AP10
• SJ 1229-1977 Detailspezifikation für Germanium-Schaltdioden, Typ 2AK1~20
• SJ 2005-1982 Detaillierte Spezifikation für Feldeffekttransistoren mit N-Kanal-Verbindungspaaren, Typ CS34
• SJ/T 2216-2015 Technische Spezifikation für Fotodioden aus Silizium
• SJ 1381-1978 Aufbau und Technologie der Testdiode
• SJ 1805-1981 Detailspezifikation für frequenzmodulierte Siliziumdioden mit variabler Kapazität, Typ 2CC126
• SJ 1225-1977 Detailspezifikation für Germanium-Detektordioden, Typ 2AP11~2AP17
• SJ 1228-1977 Detailspezifikation für Germanium-Breitband-Detektordioden, Typ 2AP30~2AP31
• SJ 1946-1981 Detaillierte Spezifikation für Silizium-Spannungsverstärkerdioden, Typ 2CN4C, 2DN4C, 2CN5C und 2DN5C
• SJ 1947-1981 Detailspezifikation für Silizium-Leistungsgleichrichterdioden, Typ 2CZ32B, 2DZ32B, 2CZ33B und 2DZ33B
• SJ 1227-1977 Detailspezifikation für Germanium-Detektordioden, Typ 2AP1~2AP8, 2AP21 und 2AP27
• SJ/T 2354-2015 Messmethoden für Fotodioden von PIN、APD
• SJ/T 2354-2015/0352 Messmethoden für Fotodioden von PIN、APD
• SJ 909-1974 Detailspezifikation für Silizium-Spannungsreglerdioden, Typ 2CW50~149
• SJ 2749-1987 Messverfahren für Halbleiterlaserdioden
• SJ 2750-1987 Umrissmaße für Halbleiterlaserdioden
• SJ 2137-1982 Allgemeine Messverfahren für Silizium-Stromreglerdioden
• SJ/T 11471-2014 Messmethoden für epitaktische Wafer von Leuchtdioden
• SJ/T 11394-2009 Messmethoden für Halbleiter-Leuchtdioden
• SJ/T 11397-2009 Leuchtstoffe für Leuchtdioden
• SJ 1388-1978 Methoden zur Messung der Anodenleitfähigkeit von Rauschgeneratordioden
• SJ 2218-1982 Halbleiter-Optokoppler im Diodenmodus
• SJ 20788-2000 Messverfahren für die thermische Impedanz von Halbleiterdioden
• SJ 2747-1987 Blanko-Detailspezifikation für Freilaufdioden mit Stufenfunktion
• SJ/T 11141-2017 Allgemeine Spezifikation für LED-Anzeigen
• SJ/T 11281-2017 Messmethoden für Leuchtdioden (LED)-Anzeigen
• SJ/T 11281-2007 Messmethoden für Leuchtdioden (LED)-Panels
• SJ 1389-1978 Methoden zur Messung des Diodenleckstroms zwischen den Elektroden von Rauschgeneratordioden
• SJ 2140-1982 Messmethoden zur Grenzspannung von Silizium-Stromreglerdioden
• SJ 50033/102-1995 Detailspezifikation für InGaAs/InP PIN-Fotodiode für Typ GD 218
• SJ 1806-1981 Detailspezifikation für Siliziumband-Schaltdioden mit variabler Kapazität, Typ 2CC110, 2CC210, 2CC310, 2CC410, 2CC130
• SJ 1392-1978 Methoden zur Messung der überschüssigen Rauschleistung von Rauschgeneratordioden
• SJ 20785-2000 Messmethoden für Superlumineszenzdiodenmodule
• SJ 2725-1986 Detaillierte Spezifikation für Allzweck-Silizium-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ311
• SJ 2727-1986 Detaillierte Spezifikation für Allzweck-Silizium-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ313
• SJ 910-1974 Detailspezifikation für Silizium-Spannungsreglerdioden, Typ 3DW50~202
• SJ/T 11399-2009 Messmethoden für Chips von Leuchtdioden
• SJ/T 11401-2009 Serienprogramm für Halbleiter-Leuchtdioden
• SJ 2726-1986 Detaillierte Spezifikation für Allzweck-Silizium-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ312
• SJ 2717-1986 Detailspezifikation für Silizium-Allzweck-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ301
• SJ 2139-1982 Methoden zur Messung der dynamischen Impedanz von Silizium-Stromreglerdioden
• SJ 2722-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ306
• SJ 2731-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ317
• SJ 50033/101-1995 Detailspezifikation für Halbleiterlaserdiodenmodule für Typ GJ1325
• SJ 2724-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ308
• SJ 2138-1982 Methoden zur Messung des geregelten Stroms von Silizium-Stromreglerdioden
• SJ 2141-1982 Methoden zur Messung der Durchbruchspannung von Silizium-Stromreglerdioden
• SJ 2354.5-1983 Methode zur Messung der Kapazität von PIN- und Avalanche-Fotodioden
• SJ/T 11396-2009 Die Saphirsubstrate für Leuchtdioden auf Nitridbasis
• SJ 2721-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ305
• SJ 2732-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ318
• SJ 2723-1986 Detailspezifikation für Silizium-Hochgeschwindigkeits-Gleichrichterdioden, Typ 2CZ307
• SJ 2729-1986 Detaillierte Spezifikation für Silizium-Gleichrichterdioden mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit, Typ 2CZ315
• SJ 2718-1986 Detailspezifikation für Silizium-Gleichrichterdioden mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit, Typ 2CZ302
• SJ 2354.3-1983 Methode zur Messung des Dunkelstroms von PIN- und Avalanche-Fotodioden
• SJ 2354.6-1983 Methode zur Messung der Empfindlichkeit von PIN- und Avalanche-Fotodioden
• SJ 2354.13-1983 Methode zur Messung des Multiplikationsfaktors von PIN- und Avalanche-Fotodioden
• SJ 2214.3-1982 Methode zur Messung des Dunkelstroms von Halbleiterfotodioden
• SJ 2214.5-1982 Methode zur Messung der Sperrschichtkapazität von Halbleiterfotodioden
• SJ 50033/41-1994 Detailspezifikation für die Halbleiter-Infrarot-Leuchtdiode vom Typ GR9414
• SJ 2658.1-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden Allgemeine Regeln
• SJ/T 11398-2009 Technische Spezifikation für leistungsstarke Leuchtdiodenchips
• SJ 2720-1986 Detailspezifikation für Silizium-Gleichrichterdioden mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit, Typ 2CZ304
• SJ 2728-1986 Detailspezifikation für Silizium-Gleichrichterdioden mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit, Typ 2CZ314
• SJ 2730-1986 Detailspezifikation für Silizium-Gleichrichterdioden mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit, Typ 2CZ316
• SJ/T 11880-2022 Anforderungen an die Bewertung grüner Fabriken für die Herstellung von Leuchtdioden
• SJ 1386-1978 Messbedingungen für Rauschgeneratordioden und Gasentladungsrauschröhren
• SJ 1230-1977 Methoden zur Messung des hochfrequenten gleichgerichteten Stroms von Germanium-Detektordioden
• SJ 1804-1981 Detailspezifikation für Silizium-Tuning-Dioden mit variabler Kapazität, Typ 2CC101~104,2CC201~204,2CC301~304,2CC401~404
• SJ 2354.4-1983 Methode zur Messung des Durchlassspannungsabfalls von PIN- und Avalanche-Fotodioden
• SJ 2142-1982 Methoden zur Messung des aktuellen Temperaturkoeffizienten von Silizium-Stromreglerdioden
• SJ 911-1974 Detailspezifikation für planare Silizium-Spannungsreglerdioden mit Temperaturkompensation, Typ 2DW230~236
• SJ 966-1975 Methoden zur Messung der Durchbruchspannung in Sperrrichtung von Silizium-Schaltdioden
• SJ 2214.2-1982 Methode zur Messung der Durchlassspannung von Halbleiterfotodioden
• SJ 50033/164-2003 Diskretes Halbleiterbauelement Detaillierte Spezifikation der PIN-Diode vom Typ PIN0002
• SJ 50033/165-2003 Diskretes Halbleiterbauelement Detaillierte Spezifikation der PIN-Diode vom Typ PIN0003

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Diode

• IEEE 256-1963 HALBLEITERDIODEN
• IEEE 503-1978 STANDARD FÜR DIE MESSUNG UND CHARAKTERISIERUNG VON DIODEN-KAMERAROHREN

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Diode

• JEDEC JESD211-2009 Überprüfung und Charakterisierungsprüfung von Zener- und Spannungsreglerdioden
• JEDEC JESD381A-1992 Methode der Dioden-„Q“-Messung
• JEDEC JESD307-1992 Messung der Rauschspannung der Spannungsreglerdiode
• JEDEC JESD320-A-1992 Bedingungen für die Messung statischer Diodenparameter [Ersetzt: JEDEC EIA-302, JEDEC 302]
• JEDEC JESD282B.01-2002 Überarbeitung von EIA-JESD282-B für Silizium-Gleichrichterdioden
• JEDEC JESD381A-1981 Methode der Diodenmessung – Bestätigung von ANSI/EIA-381-1-1992
• JEDEC JESD210-2007 Avalanche Breakdown Diode (ABD) Transientenspannungsunterdrücker

SE-SIS, Diode

• SIS SS-CECC 20001-1991 Vordruck für Bauartspezifikation: Leuchtdioden, Leuchtdiodenarrays, Leuchtdiodenanzeigen ohne interne Logik und Widerstand
• SIS SS CECC 20002-1984 Vordruck für Bauartspezifikation: Infrarot-Emissionsdioden, Infrarot-Emissionsdiodenarrays
• SIS SS CECC 20005-1988 Vordruck für Bauartspezifikation: Fotodioden, Fotodioden-Arrays (nicht für Glasfaseranwendungen vorgesehen)
• SIS SS-CECC 50009-1991 Blanko-Detailspezifikation: Gehäuse-Gleichrichterdioden
• SIS SS CECC 50001-1981 Vordruck für Bauartspezifikation: Allzweck-Halbleiterdioden. Vordruck für Bauartspezi fika tion: Allzweck – Halbleiterdioden
• SIS SS-CECC 50008-1991 Blanko-Bauartspezifikation: Umgebungstaugliche Gleichrichterdioden
• SIS SS CECC 20006-1988 Vordruck für Bauartspezifikation: PIN-Fotodioden für Glasfaseranwendungen

Lithuanian Standards Office , Diode

• LST EN 120001-2001 Leere Detailspezifikation. Leuchtdioden, Leuchtdiodenarrays, Leuchtdiodenanzeigen ohne interne Logik und Widerstand
• LST EN 120002-2001 Leere Detailspezifikation. Infrarot-Emissionsdioden, Infrarot-Emissionsdiodenarrays
• LST EN 120005-2001 Leere Detailspezifikation. Fotodioden, Fotodioden-Arrays (nicht für Glasfaseranwendungen vorgesehen)

U.S. Military Regulations and Norms, Diode

• ARMY MIL-PRF-49169 B-1999 LEUCHTENDEDIODEN-ANORDNUNG
• ARMY MIL-PRF-49169 B VALID NOTICE 1-2013 Leuchtdiodenarray
• ARMY MIL-PRF-49169B-1999 LEUCHTENDEDIODEN-ANORDNUNG
• ARMY MIL-N-63400 NOTICE 1-1997 NETZWERKE, KONDENSATOR-WIDERSTAND
• ARMY MIL-N-63400 (2)-1988 NETZWERKE, KONDENSATOR-WIDERSTAND
• ARMY MIL-C-48487 C NOTICE 3-1997 SCHALTKARTENBAUGRUPPE – LAMPENDIODEN
• ARMY MIL-C-48487 C REINST NOTICE 2-1996 SCHALTKARTENBAUGRUPPE – LAMPENDIODEN
• ARMY MIL-C-48487 C-1995 SCHALTKARTENBAUGRUPPE – LAMPENDIODEN
• ARMY MIL-PRF-32243-2009 LICHTEMITTIERENDE DIODE (LED) MILITÄRISCHER FAHRSCHEINWERFER
• ARMY MIL-PRF-32213-2009 LICHTEMITTIERENDE DIODEN (LED)-ABSTANDS-/SEITENMARKIERUNGS- UND KENNZEICHNUNGSLEUCHTEN

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Diode

• CNS 13809-1997 Leuchtdiodenwürfel
• CNS 13810-1997 Leiterrahmen für Leuchtdioden
• CNS 13808-1997 Epitaktische Wafer für Leuchtdioden
• CNS 11829-1987 Leuchtdioden (zur Anzeige)
• CNS 8383-1982 Vorwärtstransientenmessung an Halbleiterdioden
• CNS 3998-1989 Testmethode für Kleinsignaldioden
• CNS 13654-1996 Messmethoden für Fotodioden (für die Kommunikation)
• CNS 13648-1996 Messmethoden für Laserdioden (für die Kommunikation)
• CNS 11830-1987 Messmethoden für Leuchtdioden (zur Anzeige)
• CNS 13651-1996 Messmethoden für Leuchtdioden (für die Kommunikation)
• CNS 13811-1997 Numerische Reflektoren für Leuchtdioden
• CNS 13807-1997 Methoden zum Testen von Epoxidharz für Leuchtdioden
• CNS 13655-1996 Zuverlässigkeitstests für Fotodioden (für die Kommunikation)
• CNS 13092-1992 Messmethode für LED-Außenanzeigetafeln
• CNS 13649-1996 Zuverlässigkeitstests für Laserdioden (für die Kommunikation)
• CNS 13652-1996 Zuverlässigkeitstests für Leuchtdioden (für die Kommunikation)
• CNS 5764-1980 Messung der Rauschspannung der Spannungsreglerdiode
• CNS 13779-1996 Messmethoden für Infrarot-emittierende Dioden (IRED) (für die Automatisierung)
• CNS 13091-1992 Produktstandard für LED-Außenanzeigetafeln
• CNS 11106-1984 Thermische Gleichgewichtsbedingungen für die Messung statischer Diodenparameter
• CNS 6560-1980 Messung der Sperrverzögerungszeit für Halbleiterdioden
• CNS 14546-2007 LED-Ampelleuchten und Lampengehäuse
• CNS 13656-1996 Chargenkontrolltests für Fotodioden (zur Kommunikation)
• CNS 13088-1992 Messmethode für große Leuchtdiodenlampen (zur Außendarstellung)
• CNS 14552-2001 LED-Fußgängersignalleuchtenmodule (→CNS 14546)
• CNS 13653-1996 Chargenkontrolltests für Leuchtdioden (zur Kommunikation)
• CNS 13650-1996 Chargenkontrolltests für Laserdioden (für die Kommunikation)

German Institute for Standardization, Diode

• DIN EN 120005:1996 Vordruck für Bauartspezifikation – Fotodioden, Fotodioden-Arrays (nicht für Glasfaseranwendungen vorgesehen); Deutsche Fassung EN 120005:1992
• DIN EN 120002:1997-02 Vordruck für Bauartspezifikation: Infrarot-Emissionsdioden, Infrarot-Emissionsdiodenarrays; Deutsche Fassung EN 120002:1992
• DIN EN 120001:1993-06 Vordruck für Bauartspezifikation: Leuchtdioden, Leuchtdiodenarrays, Leuchtdiodenanzeigen ohne interne Logik und Widerstand; Deutsche Fassung EN 120001:1992
• DIN EN 120002:1997 Vordruck für Bauartspezifikation: Infrarot-Emissionsdioden, Infrarot-Emissionsdiodenarrays; Deutsche Fassung EN 120002:1992
• DIN EN 120005:1996-11 Vordruck für Bauartspezifikation – Fotodioden, Fotodioden-Arrays (nicht für Glasfaseranwendungen vorgesehen); Deutsche Fassung EN 120005:1992
• DIN 4000-18:1988-12 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Halbleiterdioden

TH-TISI, Diode

• TIS 1970-2000 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 3: Signaldioden (einschließlich Schaltdioden) und Reglerdioden, Abschnitt 1, Detailspezifikation für Signaldioden, Schaltdioden und gesteuerte Lawinendioden
• TIS 1971-2000 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 3: Signal (einschließlich Schalten) und Reglerdioden, Abschnitt zwei, leere Detailspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ausgenommen temperaturkompensierte Präzisionsreferenzdioden
• TIS 1596-1999 Halbleiterbauelemente.Diskrete Bauelemente.Teil 2: Gleichrichterdioden Abschnitt 2: Blankobauartspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehäusebewertet, für Ströme über 100 A

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Diode

• GB/T 6588-2000 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden Abschnitt eins – Blanko-Detailspezifikation für Signaldioden, Schaltdioden und gesteuerte Lawinendioden
• GB/T 6589-2002 Diskrete Halbleiterbauelemente Teil 3-2: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden, Detailspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden (ausgenommen temperaturkompensierte Präzisionsreferenzdioden)
• GB/T 15178-1994 Blanko-Bauartspezifikation für Dioden mit variabler Kapazität
• GB 51209-2016 Fabrikspezifikation für Leuchtdioden
• GB/T 16894-1997 Blanko-Bauartspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehäusebewertet, für Ströme über 100 A
• GB/T 6351-1998 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente. Teil 2: Gleichrichterdioden. Abschnitt eins – Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehäusefest, bis zu 100 A
• GB/T 15137-1994 Blanko-Detailspezifikation für Gunn-Dioden
• GB/T 15649-1995 Blanko-Bauartspezifikation für Halbleiterlaserdioden
• GB/T 15177-1994 Blanko-Bauartspezifikation für Mikrowellendetektoren und Mischdioden
• GB/T 23729-2009 Fotodioden für Szintillationsdetektoren. Testverfahren
• GB/T 36356-2018 Technische Spezifikation für leistungsstarke Leuchtdiodenchips
• GB/T 36357-2018 Technische Spezifikation für Leuchtdiodenchips mittlerer Leistung

RU-GOST R, Diode

• GOST R 54814-2018 Leuchtdioden und Leuchtdiodenmodule für allgemeine Anwendungen. Begriffe und Definitionen
• GOST R 54814-2011 Leuchtdioden und Leuchtdiodenmodule für allgemeine Anwendungen. Begriffe und Definitionen
• GOST 17465-1980 Halbleiterdioden. Grundparameter
• GOST R 51106-1997 Lasereinspritzung, Laserköpfe, Laserdioden-Matices, Laserdioden. Methoden zur Messung von Parametern
• GOST 28625-1990 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 3. Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden. Abschnitt 2. Blanko-Bauartspezifikation für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ausgenommen temperaturkompensierte Präzisionsreferenzdioden
• GOST 18986.10-1974 Halbleiterdioden. Methoden zur Messung der Induktivität
• GOST 20693-1975 Hochspannungs-Kenotrons. Begriffe und Definitionen
• GOST 21011.1-1976 Hochspannungs-Kenotrons. Die Methode zur Messung des Anodenstroms
• GOST 18986.4-1973 Halbleiterdioden. Methoden zur Kapazitätsmessung
• GOST 18986.6-1973 Halbleiterdioden. Verfahren zur Messung der Erholungsladung
• GOST 18986.24-1983 Halbleiterdioden. Messmethode der Durchbruchspannung
• GOST 18986.0-1974 Halbleiterdioden. Messmethoden für elektrische Parameter. Allgemeine Anforderungen
• GOST 23448-1979 Halbleiter-Infrarot-Emissionsdioden. Grundmaße
• GOST 18986.5-1973 Halbleiterdioden. Methode zur Messung der Übergangszeit
• GOST 20215-1984 Halbleiter-Mikrowellendioden. Allgemeine Spezifikation
• GOST 21011.3-1977 Hochspannungs-Kenotrons. Methode zur Messung des Heizstroms
• GOST 21011.4-1977 Hochspannungs-Kenotrons. Prüfmethoden der elektrischen Festigkeit
• GOST 21011.7-1980 Hochspannungs-Kenotrons. Die Emissionsstrom-Messmethode
• GOST 18986.1-1973 Halbleiterdioden. Verfahren zur Messung von Gleichstrom
• GOST 21011.2-1976 Hochspannungs-Kenotrons. Die Methode zur Messung des Anodenstroms innerhalb des Spannungsimpulses
• GOST R 56230-2014 LED-Module für die Allgemeinbeleuchtung. Leistungsanforderungen
• GOST 18986.14-1985 Halbleiterdioden. Methoden zur Messung von Differenz- und Steigungswiderständen

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Diode

• DB36/T 579-2010 LED (Leuchtdiode) Straßenlicht

Professional Standard - Aerospace, Diode

• QJ 1907-1990 Spezifikationen für die PIN-Dioden-Abschirmung
• QJ 2362-1992 Spezifikationen für die Abschirmung von Step-Recovery-Dioden
• QJ 1299-1987 Screening-Spezifikationen für Silizium-Mikrowellenmischer und Detektordioden

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, Diode

• YB/T 4215-2010 Kaltgewalztes Stahlband für Dioden

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Diode

• JIS C 8152-2:2012 Photometrie von weißen Leuchtdioden für die Allgemeinbeleuchtung – Teil 2: LED-Module und LED-Lichtmaschinen
• JIS C 5942:1997 Allgemeine Regeln für Laserdioden zur Aufnahme und Wiedergabe
• JIS C 5942:2010 Allgemeine Regeln für Laserdioden zur Aufnahme und Wiedergabe
• JIS C 8152-2 AMD 1:2014 Photometrie von weißen Leuchtdioden für die Allgemeinbeleuchtung – Teil 2: LED-Module und LED-Lichtmaschinen (Änderung 1)
• JIS C 8152-1:2012 Photometrie einer weißen Leuchtdiode für die Allgemeinbeleuchtung – Teil 1: LED-Pakete
• JIS C 7031:1993 Messmethoden für Kleinsignaldioden
• JIS C 5940:1997 Allgemeine Regeln für Laserdioden zur faseroptischen Übertragung
• JIS C 5943:1997 Messmethoden von Laserdioden zur Aufnahme und Wiedergabe
• JIS C 5950:1997 Allgemeine Regeln für Leuchtdioden für die Glasfaserübertragung
• JIS C 5990:1997 Allgemeine Regeln für Fotodioden für die Glasfaserübertragung
• JIS C 5943:2010 Messmethoden von Laserdioden zur Aufnahme und Wiedergabe
• JIS C 5941:1997 Messmethoden von Laserdioden für die faseroptische Übertragung
• JIS C 5951:1997 Messmethoden von Leuchtdioden für die faseroptische Übertragung
• JIS C 5991:1997 Messmethoden von Fotodioden für die faseroptische Übertragung

YU-JUS, Diode

• JUS N.R1.421-1979 Gleichrichterdioden. Messmethoden
• JUS A.A4.302-1990 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Halbleiterdioden
• JUS N.R1.422-1980 Low-Power-Signaldiode? Messmethoden
• JUS N.R1.321-1979 Begriffe und Definitionen für Halbleiterbauelemente. Dioden
• JUS N.R1.372-1979 Halbleiterdioden. Wesentliche Merkmale und Eigenschaften: Gleichrichterdioden
• JUS N.R1.375-1980 Halbleiterdiode s. Wesentliche Bewertungen und Eigenschaften. Dioden mit variabler Kapazität

International Commission on Illumination (CIE), Diode

• CIE 127-1997 Messung von LEDs

Professional Standard - Machinery, Diode

• JB/T 7624-2013 Prüfverfahren für Gleichrichterdioden
• JB/T 5186-1991 Silizium-Fotodioden für Kameras
• JB/T 10875-2008 Messmethoden für optische Eigenschaften von LEDs
• JB/T 5837-1991 Gleichrichterdioden der ZP-Serie mit Gehäusenennwert von 2000 A und höher
• JB/T 5841-1991 Hochspannungs-Gleichrichterdiode der ZH-Serie für 200 A und höher

RO-ASRO, Diode

• STAS 7128/7-1986 BUCHSTABENSYMBOLE FÜR HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE SCHALTUNGEN Symbole für variable Kapazitätsdioden und Mischerdioden
• STAS 12123/3-1983 Halbleiterbauelemente SPANNUNGSREFERENZDIODEN UND SPANNUNGSREGLERDIODEN Messmethoden für elektrische Eigenschaften
• STAS 12123/2-1983 Halbleiterbauelemente NIEDRIGE LEISTUNGSSIGNALDIODEN, EINSCHLIESSLICH SCHALTDIODEN Messmethoden für elektrische Eigenschaften
• STAS 10228-1984 Silizium-Gleichrichterdioden Allgemeine technische Anforderungen an die Qualität
• STAS 9368-1973 GERMANUM-PUNKTKONTAKTDIODEN Allgemeine technische Anforderungen an die Qualität

Group Standards of the People's Republic of China, Diode

• T/QDAS 050-2020 Forschungs- und Entwicklungsverfahren für Diodendiffusoren
• T/CSA 047-2019 Messmethode für den realen thermischen Widerstand und die Impedanz von Leuchtdioden
• T/QGCML 097-2021 Technische Spezifikation für die Verpackung des Diodendiffusors
• T/QGCML 030-2020 Konventionelle elektrische Standards für Diodendiffusionsfolien
• T/CIECCPA 003-2019 Spezifikation für die umweltfreundliche Produktion und Verarbeitung von LED
• T/CSA 015-2012 Beleuchtung mit organischen Leuchtdioden (OLED) – Messmethoden
• T/CPIA 0052-2023 Moduldioden für Photovoltaik-Modul-Anschlusskästen
• T/QDAS 070-2021 Formel einer Bordiffusionsflüssigkeitsquelle für einen Diodendiffusor
• T/COEMA 004LCD-2022 Polarisatorfolie für das TV-Display mit organischen Leuchtdioden
• T/ZZB 2332-2021 Poliertes Saphirsubstrat für LED
• T/CVIA 11-2016 TV-Messmethoden mit organischen Leuchtdioden (OLED).
• T/QDAS 094-2022 Gemischte Säureformel für die Reinigung von Dioden-GPP-Rillen
• T/CIECCPA 004-2019 Spezifikation für die umweltfreundliche Rohstoffbeschaffung von LED
• T/CSTM 01039-2023 Substratglas für Mini-Leuchtdioden
• T/CVIA 59-2016 TV-Messmethoden mit organischen Leuchtdioden (OLED).
• T/CEMIA 031-2022 Positiver Photoresistentwickler für organische Leuchtdiodenanzeigen
• T/CSTM 00410-2021 Substratglas für organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtungen
• T/CSA 014-2012 Beleuchtung mit organischen Leuchtdioden (OLED) – Terminologie und Buchstabensymbol
• T/CPF 0055-2023 Metalldekorierende LED-UV-Offsetfarbe
• T/CVIA 49-2016 Begriffe und Symbole für Anzeigegeräte mit organischen Leuchtdioden
• T/CESA 1084-2020 Anforderungen an die Bewertung grüner Fabriken für die Herstellung von Leuchtdioden
• T/CVIA 10-2016 Allgemeine technische Anforderungen für OLED-Fernseher (Organic Light Emitting Diode).
• T/CVIA 58-2016 Allgemeine technische Anforderungen für OLED-Fernseher (Organic Light Emitting Diode).
• T/CASAS 001-2018 Allgemeine Spezifikation für Siliziumkarbid-Schottky-Barrieredioden

Professional Standard - Urban Construction, Diode

• CJ/T 361-2011 Leuchtdiodenlampe (LED), die in Wasserlandschaften verwendet wird

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., Diode

• NAS717-1963 Semiconductor Diodes (Rev 1)

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Diode

• DB35/T 1193-2011 Halbleiter-LED-Chip
• DB35/T 2107-2022 Bewertungsverfahren für ultraviolette Leuchtdioden
• DB35/T 1370-2013 Methode zur Punktprüfung von Leuchtdiodenchips
• DB35/T 1176-2011 Power-LEDs für die Straßenbeleuchtung
• DB35/T 1611-2016 Technische Daten der weißen Leuchtdiode im COB-Gehäuse

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Diode

• GJB 3930-2000 Allgemeine Spezifikation für Infrarot-Emissionsdioden
• GJB 3519-1999 Allgemeine Spezifikation für Halbleiterlaserdioden
• GJB 2146-1994 Allgemeine Spezifikation für Leuchtdioden-Festkörperanzeigen
• GJB 2146A-2011 Allgemeine Spezifikation für Halbleiter-Leuchtdiodengeräte
• GJB 1557A-2021 Abmessungen von diskreten Halbleiterbauelementen für Mikrowellendioden

PT-IPQ, Diode

• NP 3234-2-1987 Elektronische Originale. Elektrolumineszenzdioden. Elektrolumineszenzdiodenmatrix, detaillierte Spezifikationen
• NP 3234-3-1987 Elektronische Originale. Infrarot-emittierende Dioden. Infrarot-emittierende Diodenmatrix, detaillierte Spezifikationen

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Diode

• GB/T 35846-2018 Beleuchtungsglasröhre für Leuchtdiode

Indonesia Standards, Diode

• SNI 7397-2008 LED-Signallampen (Light Emiting Diode) in den Zügen

European Standard for Electrical and Electronic Components, Diode

• CECC 50 008- 004 Umgebungstaugliche Gleichrichterdiode (En)
• CECC 50 008- 005 Umgebungstaugliche Gleichrichterdiode (En)
• CECC 50 001- 026 ISSUE 3-1994 NL-CECC 50 001-26; Typnummer der Signaldioden: BA314 (En)
• CECC 50 008- 014 UTE C 86-818/014; Gleichrichterdioden mit Umgebungstemperatur (Fr)
• CECC 50 001- 023 UTE C 86-812/003 Ausgabe 2; Allzweck-Halbleiterdioden (Fr)

CZ-CSN, Diode

• CSN 35 8775-1987 Leuchtdioden. Geräuschmessung in Vorwärtsrichtung
• CSN 35 8736-1964 Halbleiterdioden. Messung der Kapazität zwischen den Elektroden
• CSN 35 8732-1964 Halbleiterdioden. Messung des Vorwärtsstroms
• CSN 35 8786-1983 Varicaps. Methoden zur Messung elektrischer Parameter
• CSN IEC 747-2-1:1993 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 2: Gleichrichterdioden. Abschnitt 1 – Blanko-Detailspezifikation für Gleichrichterdioden (einschließlich Avalanche-Dioden), umgebungs- und gehäusebewertet, bis zu 100 A
• CSN 35 8734-1975 Halbleitergeräte. Dioden. Messung des Rückstroms.
• CSN 35 8767-1982 Halbleiterdioden Methoden zur Messung elektrischer Parameter
• CSN 35 8737-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung der Differential-Rosistanoe
• CSN 35 8760-1973 Seraleiter. Stabilisierungsdioden. Messung des Spannungstemperaturkoeffizienten
• CSN 35 8735-1964 Halbleiterdioden. Messung von Gleichströmen und Spannungen
• CSN 35 8769-1983 Halbleiter-Zener-Dioden. Methoden zur Messung elektrischer Parameter
• CSN 35 8768-1983 Halbleiterschaltdioden. Methoden zur Messung elektrischer Parameter
• CSN 35 8766-1976 Halbleitergeräte. Schaltdioden. Messung der Vorwärtsspannung.
• CSN 35 8731-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden Messung der Gleichstrom-Durchlassspannung
• CSN 35 8763-1973 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung o? Sperrdurchbruchspannung

United States Navy, Diode

• NAVY A-A-59781-2005 LEUCHTENDEDIODEN ZUR VERWENDUNG ALS ANZEIGELEUCHTEN

Professional Standard - Post and Telecommunication, Diode

• YD/T 835-1996 Testmethode für Lawinenfotodioden
• YD/T 834-1996 Testverfahren für Laserdioden mit verteilter Rückkopplung
• YD/T 701-1993 Testverfahren für die Montage von Halbleiterlaserdioden

Underwriters Laboratories (UL), Diode

• UL 8752-2012 Panels mit organischen Leuchtdioden (OLED).
• UL SUBJECT 8752-2011 Überblick über die Untersuchung von Panels mit organischen Leuchtdioden (OLED).
• UL 1598C-2014 UL-Standard für Nachrüstsätze für Sicherheitsleuchtdioden (LED) (Erstausgabe; Nachdruck mit Überarbeitungen bis einschließlich 12. Juli 2017)
• UL 8750 BULLETIN-2008 Überblick über die Untersuchung von Leuchtdioden (LED)-Lichtquellen zur Verwendung in Beleuchtungsprodukten

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Diode

• GB/T 36613-2018 Sondentestverfahren für Leuchtdiodenchips
• GB/T 36919-2019 Beleuchtung mit organischen Leuchtdioden (OLED) – Terminologie und Buchstabensymbole
• GB/T 38621-2020 Transiente thermische Testmethode für Leuchtdiodenmodule

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Diode

• IEEE No 256-1963 IEEE-Testverfahren für Halbleiterdioden
• IEEE Std C62.37-1996 Prüfspezifikation für Thyristordioden-Überspannungsschutzgeräte

邮电部, Diode

• YD/T 0835-1996 Methode zur Erkennung von Lawinenphotodioden
• YD/T 0834-1996 Laserdiodendetektionsverfahren mit verteilter Rückkopplung

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Diode

• EN 120008:1993 Blanko-Detailspezifikation: Leuchtdioden und Infrarot-Emissionsdioden für Glasfasersysteme oder -subsysteme
• EN 150006:1991 Blanko-Detailspezifikation: Dioden mit variabler Kapazität

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, Diode

• GJB 5905-2006 Spezifikation für Fast-Recovery-Dioden, 600 A und mehr

Society of Automotive Engineers (SAE), Diode

• SAE ARP6253-2011 LEDs und Flugzeuganwendungen
• SAE ARP5873-2007 LED-Beifahrerleseleuchtenbaugruppe
• SAE J1889-2011 LED-Signal- und Markierungsbeleuchtungsgeräte

PL-PKN, Diode

• PN T01504-61-1987 Dioden Messmethoden Rückgewinnungsladung Q,
• PN T01504-67-1987 Dioden Messmethoden Reihenersatzwiderstand
• PN T01010 ArkusZ05-1974 Elektronische Röhren Vakuumdioden Begriffe und Definitionen
• PN T04804-1967 Elektronische Energiesparlampen mit geringem Stromverbrauch. Elektrische Energien von Yacuum-Dioden

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Diode

• TIA-455-130-2001 Lebensdauertest für Laserdioden bei erhöhter Temperatur
• TIA-455-130-2007(2014) Lebensdauertest für Laserdioden bei erhöhter Temperatur

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, Diode

• DB44/T 1630-2015 3528/5050 gekapselte Chip-LED

SAE - SAE International, Diode

• SAE ARP6253A-2017 LEDs und Flugzeuganwendungen

American National Standards Institute （ANSI), Diode

• ANSI/TIA/EIA 455-130-2001 Lebensdauertest für Laserdioden bei erhöhter Temperatur

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Diode

• NEMA C78.51-2016 Elektrische Lampen – LED-Lampen (Leuchtdioden) – Bezeichnungsmethode

JP-JARI, Diode

• JRIS R1647-2021 Schienenfahrzeuge – Rückleuchten vom Typ Leuchtdiode (LED).

TIA - Telecommunications Industry Association, Diode

• TIA/EIA-455-130-2001 FOTP-130 Elevated Temperature Life Test for Laser Diodes
• TIA-455-127-1991 FOTP-127 Spektrale Charakterisierung von Multimode-Laserdioden

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Diode

• EN 62979:2017 Photovoltaikmodul – Bypass-Diode – Thermal Runaway-Test

Professional Standard - Light Industry, Diode

• QB/T 4057-2010 LEDs für die Allgemeinbeleuchtung.Leistungsanforderungen

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Diode

• DB52/T 861-2013 Detailspezifikation für die Silizium-Lawinengleichrichterdiode vom Typ 2CB003

机械电子工业部, Diode

• JB 5837-1991 Gehäusebewertete Gleichrichterdioden der ZP-Serie über 2000 A

Canadian Standards Association (CSA), Diode

• CAN/CSA-C22.2 NO.250.13-2014 Leuchtdioden (LED)-Geräte für Beleuchtungsanwendungen (Zweite Ausgabe)

Professional Standard - Construction Industry, Diode

• JG/T 467-2014 Leuchte mit Leuchtdioden (LED) für den Innenbereich

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Diode

• JJG(电子) 04050-1995 Verifizierungsregeln für PCT-2-Dioden-Schnelltestgeräte

Professional Standard - Automobile, Diode

• QC/T 706-2004 Technische Spezifikation der Silizium-Lawinengleichrichtung für Kraftfahrzeuge

Illuminating Engineering Society of North America, Diode

• IESNA TM-16-2005 Technisches Memorandum zu Leuchtdioden (LED)-Quellen und -Systemen

Shandong Provincial Standard of the People's Republic of China, Diode

• DB37/T 1576-2010 Allgemeine Spezifikation von Leuchtdioden für die Allgemeinbeleuchtung

未注明发布机构, Diode

• BS EN 120008:1995(2000) Spezifikation für das Harmonisierte System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten – Vordruck für Bauartspezifikation – Leuchtdioden und Infrarotdioden für faseroptische Systeme oder Teilsysteme

Sonstige:   UV-Diode, UV-Diode, Diodenarray, Diodenmodifikation, Diodebr, Diode vgl, Diode, Bypass-Diode, Diodenqualität, Diodenmessung, Fotodiode, Laserdiode, Laserdiode, Diodentest, Diodenlaser, Diodenparameter, Hochgeschwindigkeitsdiode, Diodenparameter, Glasdiode, Schaltdiode.