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¿Catálisis de semiconductores?

¿Catálisis de semiconductores?, Total: 500 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en ¿Catálisis de semiconductores? son: Tratamiento superficial y revestimiento., Cerámica, Dispositivos semiconductores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Símbolos gráficos, Dibujos tecnicos, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Materiales semiconductores, Componentes electrónicos en general., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Materiales conductores, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Circuitos impresos y placas., Fluidos aislantes, Pruebas eléctricas y electrónicas., válvulas, ingenieria electrica en general, Comunicaciones de fibra óptica., Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Materiales para la construcción aeroespacial..

Association Francaise de Normalisation, ¿Catálisis de semiconductores?

XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
NF ISO 22197-4:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 4: eliminación de formaldehído.
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF ISO 22197-5:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 5: eliminación del metilmercaptano.
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores semiconductores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET)
NF EN IEC 63364-1:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistema IDO - Parte 1: Método de prueba de detección de variación acústica
NF C80-204*NF EN 62418:2011 Dispositivos semiconductores: prueba de vacío de tensión de metalización
NF EN 62418:2011 Dispositivos semiconductores: prueba de cavidades debido a tensiones de metalización
NF B44-101-4:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 4: eliminación de formaldehído
NF B44-105*NF ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
NF EN 60191-4/A1:2018 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación de formas de estructuras de paquetes para dispositivos semiconductores
NF EN 60191-4:2014 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación de formas de estructuras de paquetes para dispositivos semiconductores
NF B44-101-5:2013 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 5: eliminación del metilmercaptano
NF B44-101-5*NF ISO 22197-5:2021 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 5: eliminación del metilmercaptano
NF B44-101-4*NF ISO 22197-4:2021 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 4: eliminación de formaldehído
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores.
NF EN 60191-6:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes para dispositivos semiconductores de montaje superficial
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
NF ISO 18560-1:2014 Cerámica técnica - Método de ensayo para medir el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire mediante el método de la cámara de ensayo en un ambiente de iluminación interior - Parte 1: eliminación...
NF C96-013-6:2005 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores.
NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-16: glosario de pruebas de semiconductores y zócalos de precalentamiento para BGA, LGA, FBGA y FLGA
NF C96-013-6-10*NF EN 60191-6-10:2004 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-10: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Dimensiones de P-VSON
NF EN 60191-6-6:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-6: Reglas generales para preparar dibujos acotados de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Guía de diseño de dispositivos FLGA
NF EN 60191-6-12:2012 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-12: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Directrices de diseño para...
NF EN 60191-6-10:2004 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-10: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Dimensiones de los paquetes P-VSON
NF C96-051*NF EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
NF EN 62373:2006 Pruebas de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
NF EN 60191-6-22:2013 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-22: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Guía de diseño para paquetes matriciales...
NF EN 60191-6-1:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-1: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Guía de diseño para paquetes de distribución de pines...
NF EN 60191-6-21:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-21: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes para dispositivos semiconductores de montaje superficial - Métodos de medición de dimensiones...
NF EN 60191-6-2:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-2: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Guía de diseño para paquetes de distribución de pines...
NF EN 60191-6-20:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-20: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes para dispositivos semiconductores de montaje superficial - Métodos de medición de dimensiones...
NF EN 60191-6-17:2012 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-17: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Guía de diseño para paquetes apilados...
NF EN 60191-6-5:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-5: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Guía de diseño para paquetes matriciales...
NF EN 60191-6-18:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-18: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Guía de diseño para paquetes matriciales...
NF EN 60191-6-4:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-4: reglas generales para la preparación de planos de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Métodos de medición para las dimensiones del paquete...
NF C96-013-6-18*NF EN 60191-6-18:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-18: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para matriz de rejilla de bolas (BGA)
NF EN 60191-6-8:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-8: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Guía de diseño para paquetes cuádruples planos...
NF EN 60191-6-3:2001 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-3: reglas generales para la preparación de esquemas de dispositivos semiconductores de montaje superficial - Métodos de medición para paquetes cuádruples planos...

European Committee for Standardization (CEN), ¿Catálisis de semiconductores?

PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.

British Standards Institution (BSI), ¿Catálisis de semiconductores?

BS PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis. Condiciones de irradiación para probar propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
BS ISO 19722:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto.
PD IEC/TR 63133:2017 Dispositivos semiconductores. Estimación del nivel de envejecimiento basada en escaneo para dispositivos semiconductores
BS EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
PD IEC TR 63378-1:2021 Estandarización térmica en paquetes de semiconductores. Resistencia térmica y parámetro térmico de paquetes de semiconductores tipo BGA, QFP
BS IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia
BS ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 19635:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS 3934-1:1992 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Recomendaciones para la preparación de dibujos de dispositivos semiconductores
BS EN IEC 63364-1:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para sistemas IoT: método de prueba de detección de variaciones de sonido
BS ISO 22197-2:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores: eliminación de acetaldehído
BS IEC 60191-2:1966+A21:2020 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Dimensiones
13/30264600 DC BS EN 60747-14-8. Dispositivos semiconductores. Parte 14-8. Sensores semiconductores. Sensor capacitivo de degradación de líquido.
BS ISO 22197-3:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores: eliminación de tolueno
BS ISO 22197-1:2008 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Eliminación de óxido nítrico
BS ISO 22197-4:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de formaldehído
BS ISO 22197-3:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de tolueno
BS ISO 22197-2:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de acetaldehído
BS ISO 27447:2019 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS EN 62418:2010
BS ISO 22197-5:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de metilmercaptano
BS ISO 22197-1:2016 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de óxido nítrico
BS EN 60191-4:2014 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Sistema de codificación y clasificación en formas de contornos de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
BS EN 60191-4:2014+A1:2018 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores: sistema de codificación y clasificación en formas de contornos de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores.
BS IEC 60191-2:1966+A18:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Dimensiones
BS ISO 22197-4:2021 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de formaldehído
BS ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
BS EN 60191-6:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie.
BS EN 60191-6:2005 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie.
BS EN 60191-6:2004 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie.
BS EN 60191-6:2009 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores: reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie.
BS ISO 18061:2014 Cerámica Fina (Cerámica Avanzada, Cerámica Técnica Avanzada). Determinación de la actividad antiviral de materiales fotocatalíticos semiconductores. Método de prueba utilizando el bacteriófago Q-beta.
BS ISO 17168-2:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de acetaldehído
BS ISO 22197-5:2021 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de metilmercaptano
BS ISO 17168-4:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de formaldehído
BS IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET): prueba BTI rápida para MOSFET
13/30284029 DC BS EN 60191-6-16. Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-16. Glosario de pruebas de semiconductores y zócalos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA
BS IEC 63229:2021 Dispositivos semiconductores. Clasificación de defectos en la película epitaxial de nitruro de galio sobre sustrato de carburo de silicio
BS IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización
BS ISO 17168-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de óxido nítrico
BS ISO 27448:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores - Medición del ángulo de contacto con el agua
BS ISO 17094:2014 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
BS ISO 22551:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Determinación de la tasa de reducción bacteriana mediante materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Método semiseco para estimar la actividad antibacteriana en…
BS ISO 10676:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación de oxígeno activo.
BS ISO 17168-5:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de metilmercaptano
21/30425873 DC BS ISO 22197-4. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 4. Eliminación de formaldehído.
BS ISO 17168-3:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de tolueno
BS ISO 10676:2010 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación de oxígeno activo.
BS ISO 24448:2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz LED para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
BS ISO 27447:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
BS EN 60191-6-10:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-10: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Dimensiones de P-VSON
21/30425876 DC BS ISO 22197-5. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 5. Eliminación de metilmercaptano.
BS ISO 22601:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la descomposición oxidativa de fenol de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante análisis cuantitativo del carbono orgánico total (TOC)
22/30443234 DC BS EN 63378-3. Estandarización térmica en paquetes de semiconductores - Parte 3. Modelos de simulación de circuitos térmicos de paquetes de semiconductores para análisis transitorios
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para sistema IOT. Parte 1. Método de prueba de detección de variaciones de sonido.
IEC TR 63357:2022 Dispositivos semiconductores. Hoja de ruta de estandarización del método de prueba de fallas para vehículos automotores
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
17/30366375 DC BSIEC 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
23/30469486 DC BS EN IEC 63378-2. Estandarización térmica en paquetes de semiconductores - Parte 2. Modelos de simulación térmica 3D de paquetes de semiconductores discretos para análisis de estado estacionario
23/30469010 DC BS EN IEC 63378-3. Estandarización térmica en paquetes de semiconductores - Parte 3. Modelos de simulación de circuitos térmicos de paquetes de semiconductores discretos para análisis transitorios
IEC TR 63357:2022 Dispositivos semiconductores. Hoja de ruta de estandarización del método de prueba de fallas para vehículos automotores
BS EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
BS EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
BS IEC 63284:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad mediante conmutación de carga inductiva para transistores de nitruro de galio
20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2. Método de prueba para la degradación bipolar mediante diodo corporal en funcionamiento.
20/30406230 DC BS IEC 63275-1. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1. Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización.
BS ISO 19810:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Medición del ángulo de contacto con el agua.
21/30403033 DC BS EN ISO 24448. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz LED para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
BS ISO 19652:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la descomposición completa de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Descomposición del acetaldehído.
BS ISO 18071:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Determinación de la actividad antiviral de materiales fotocatalíticos semiconductores en ambientes de iluminación interior. Método de prueba utilizando el bacteriófago Q-beta.
BS EN 60191-6-18:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la elaboración de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Guía de diseño para matriz de rejilla de bolas (BGA)
BS EN 60191-6-1:2001 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la elaboración de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Guía de diseño para terminales de cables de ala de gaviota
BS IEC 60747-5-13:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. Prueba de corrosión por sulfuro de hidrógeno para paquetes de LED
15/30328077 DC BS EN 60191-2. Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 2. Dimensiones
18/30386543 DC BS EN 63229 Ed.1.0. Dispositivos semiconductores. Clasificación de defectos en obleas epitaxiales de nitruro de galio sobre sustrato de carburo de silicio.
BS EN 60191-6-16:2007 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Glosario de pruebas de semiconductores y casquillos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA
BS EN 60191-6-22:2013 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la elaboración de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Guía de diseño para paquetes de semiconductores Silicon Fine-pitch Ball Grid Array y Silicon Fine-pitch
19/30390371 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
18/30362458 DC BSIEC 60747-14-11. Dispositivos semiconductores. Parte 14-11. Sensores semiconductores. Método de prueba de sensor integrado basado en ondas acústicas de superficie para medir rayos ultravioleta, iluminación y temperatura.
19/30404655 DC BS EN IEC 63229. Dispositivos semiconductores. Clasificación de defectos en la película epitaxial de nitruro de galio sobre sustrato de carburo de silicio.
BS ISO 19810:2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Medición del ángulo de contacto con el agua.
BS EN 60191-6-1:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para terminales de cables de ala de gaviota
BS EN 60191-6-5:2001 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la elaboración de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Guía de diseño para una matriz de cuadrícula de lanzamiento fino (FBGA)
BS EN 60191-6-21:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la elaboración de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Métodos de medición de las dimensiones de los paquetes de contorno pequeño (SOP)
BS ISO 18560-1:2014 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el método de cámara de prueba en un entorno de iluminación interior. Eliminación de formaldehído
BS EN 60191-6-4:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de matriz de rejilla de bolas (BGA)
BS EN 60191-6-12:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Reglas generales para la elaboración de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie. Directrices de diseño para una red terrestre de paso fino (FLGA)
20/30409285 DC BS IEC 63284. Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad bajo tensión mediante conmutación de carga inductiva para transistores de nitruro de galio

German Institute for Standardization, ¿Catálisis de semiconductores?

DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones; Versión alemana CEN/TS 16599:2014
DIN EN 62417:2010-12 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
DIN EN 62418:2010-12 Dispositivos semiconductores: prueba de vacío de tensión de metalización (IEC 62418:2010); Versión alemana EN 62418:2010
DIN EN 60191-6-16:2007-11 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-16: Glosario de pruebas de semiconductores y zócalos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Versión alemana EN 60191-6-16:2007 / Nota: A sustituir por DIN EN 60191-6-16 (2013-...
DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
DIN EN 60191-4:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores (IEC 60191-4:1999 + A1:2001 + A2:2002); Versión alemana EN 60191-4:1999 + A1:2002 + A2:2002
DIN ISO 22197-1:2018-12 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico (ISO 22197-1:2016).
DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
DIN 50454-3:1994
DIN EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
DIN EN 60191-6-16:2007 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-16: Glosario de pruebas de semiconductores y zócalos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Versión alemana EN 60191-6-16:2007
DIN ISO 22197-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico (ISO 22197-1:2016).
DIN EN 60191-6:2010-06 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie (IEC 60191-6:2009); Versión alemana EN 60191-6:2009 / Nota: DIN EN 60191-6 (2005-04) re...
DIN 50449-2:1998
DIN EN 60191-6-8:2002-05 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-8: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Guía de diseño para paquete plano cuádruple de cerámica sellada con vidrio (G-QFP) (IEC 60191-6-8:2001); G...
DIN EN 60191-6-2:2002-09 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-2: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Guía de diseño para paquetes de terminales de columna y bolas con paso de 1,50 mm, 1,27 mm y 1,00 mm...
DIN EN 60191-6-6:2002-02 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Guía de diseño para redes terrestres de paso fino (FLGA) (IEC 60191-6-6:2001); versión alemana...
DIN EN 60191-6-3:2001-06 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-3: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Métodos de medición para las dimensiones del paquete de paquetes planos quat (QFP) (IEC 60191-6-3:200...
DIN EN 60191-6-1:2002-08 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-1: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Guía de diseño para terminales de cables de ala de gaviota (IEC 60191-6-1:2001); Versión alemana EN 60...
DIN EN 60191-6-5:2002-05 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-5: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Guía de diseño para redes de bolas de paso fino (FBGA) (IEC 60191-6-5:2001); versión alemana...
DIN ISO 22197-1:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico (ISO 22197-1:2007).
DIN EN 60191-6-22:2013-08 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-22: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para paquetes de semiconductores Silicon Fine-pitch Ball Grid Array y Sil...
DIN EN 62373:2007 Prueba de estabilidad de la temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006); Versión alemana EN 62373:2006
DIN EN 62373:2007-01 Prueba de estabilidad de la temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62373:2006); Versión alemana EN 62373:2006
DIN EN 60191-6-10:2004 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-10: Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Dimensiones de P-VSON (IEC 60191-6-10:2003); Versión alemana EN 60191-6-10:2003
DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
DIN EN 60191-6-10:2004-05 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-10: Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Dimensiones de P-VSON (IEC 60191-6-10:2003); Versión alemana EN 60191-6-10:2003
DIN EN 60191-4:2019-02 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores (IEC 60191-4:2013 + A1:2018); Versión alemana EN 60191-4:2014 + A1:2018 / Nota: DIN EN 60191-...
DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
DIN EN 60191-6-3:2001 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-3: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Métodos de medición de las dimensiones de los paquetes planos quat (QFP) (IEC 60191-6-3:2000);
DIN EN 60191-6-4:2004-01 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-4: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Métodos de medición para las dimensiones del paquete de matriz de rejilla de bolas (BGA) (IEC 60191-6-4:20...
DIN EN 60191-6-18:2010-08 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-18: Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para matriz de rejilla de bolas (BGA) (IEC 60191-6-18:2010 + Cor.:2010) ; Alemán ...
DIN EN 60191-4:2014 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores (IEC 60191-4:2013); Versión alemana EN 60191-4:2014

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), ¿Catálisis de semiconductores?

JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
JIS R 1708:2016 Cerámica fina (Cerámica avanzada, Cerámica técnica avanzada) -- Método de ensayo para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto
JIS R 1712:2022 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) -- Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
JIS C 7040:1969 Reglas generales para la estandarización mecánica de circuitos integrados semiconductores.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, ¿Catálisis de semiconductores?

EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
EN 62418:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de vacío de tensión de metalización
EN 60191-6-16:2007 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-16: Glosario de pruebas de semiconductores y zócalos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA
EN 60191-6:2009 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie
EN 60191-6-22:2013 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-22: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para paquetes de semiconductores Silicon Fine-pitch Ball Grid Array y Silico
EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
EN 60191-6-10:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores Parte 6-10: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie Dimensiones de P-VSON

International Organization for Standardization (ISO), ¿Catálisis de semiconductores?

ISO 19722:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de ensayo para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto
ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 19635:2016 Cerámicas finas (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de ensayo para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 27447:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 27447:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 22197-1:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 1: Eliminación de óxido nítrico
ISO 22197-3:2019 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 3: Eliminación de tolueno.
ISO 22197-2:2019 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 2: Eliminación de acetaldehído.
ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 22197-1:2007 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 1: Eliminación de óxido nítrico
ISO 18061:2014 Cerámica Fina (Cerámica Avanzada, Cerámica Técnica Avanzada) - Determinación de la actividad antiviral de materiales fotocatalíticos semiconductores - Método de ensayo utilizando el bacteriófago Q-beta
ISO 22197-2:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 2: Eliminación de acetaldehído
ISO 22197-3:2011 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 3: Eliminación de tolueno
ISO 22197-4:2021 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 4: Eliminación de formaldehído
ISO 22197-5:2021 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 5: Eliminación de metilmercaptano
ISO 22197-4:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 4: Eliminación de formaldehído
ISO 22197-5:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 5: Eliminación de metilmercaptano
ISO 17094:2014 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior
ISO 10676:2010 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación del oxígeno activo.
ISO 24448:2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz LED para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
ISO 17168-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 1: Eliminación de óxido nítrico
ISO 17168-2:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 2: Eliminación de acetaldehído
ISO 17168-3:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 3: Eliminación de tolueno
ISO 17168-4:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 4: Eliminación de formaldehído
ISO 22601:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar el rendimiento de la descomposición oxidativa de fenol de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante métodos cuantitativos.
ISO 19810:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Medición del ángulo de contacto con el agua
ISO 19652:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de descomposición completa de materiales fotocatalíticos semiconductores en un ambiente de iluminación interior - Descomposición de acetaldehído
ISO 19810:2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores en condiciones de iluminación interior. Medición del ángulo de contacto con el agua.
ISO 18071:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Determinación de la actividad antiviral de materiales fotocatalíticos semiconductores en un ambiente de iluminación interior - Método de prueba utilizando el bacteriófago Q-beta
ISO 17168-5:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 5: Eliminación de metilmercaptano
ISO 22551:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Determinación de la tasa de reducción bacteriana mediante materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Método semiseco.

IEC - International Electrotechnical Commission, ¿Catálisis de semiconductores?

IEC TR 63133:2017 Dispositivos semiconductores: estimación del nivel de envejecimiento basada en escaneo para dispositivos semiconductores (Edición 1.0)
PAS 60191-6-18-2008 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-18: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para matriz de rejilla de bolas (BGA) (Edición 1.0)

Defense Logistics Agency, ¿Catálisis de semiconductores?

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CAMBIADOR DE NIVEL DE TENSIÓN HEXAGONAL PARA OPERACIÓN TTL A CMOS O CMOS A CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94532-1994 MICROCIRCUITO, CMOS, MICROPROCESADOR DE 64 BITS
DLA SMD-5962-96736-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CONVERTIDOR DE NIVEL DE INTERFAZ CMOS/TTL BIDIRECCIONAL DE 8 BITS DE ALTA VELOCIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, NOR GATES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 MICROCIRCUITO, CMOS, INTERRUPTOR ANALÓGICO CUADRÍCULO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, EXCLUSIVO NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN AJUSTABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, SILICIO MONOLÍTICO CONVOLVER BIDIMENSIONAL
DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTADOR BINARIO DUAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, QUAD D LATCH, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS CODIFICADOR-DESCODIFICADOR SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94533-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MICROPROCESADOR DE 32 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR 16 X 16, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, CONTROLADORES MOSFET DOBLES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-06208-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, MICROPROCESADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR GENERADOR DE RELOJ, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TRIPLE 3 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DOBLE 4 ENTRADAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, DOBLE 4 ENTRADAS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 MICROCIRCUITOS DIGITALES, CMOS, REGISTRO DE CAMBIO ESTÁTICO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PUERTA NAND TRIPLE DE 3 ENTRADAS CON TAMPÓN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, BUFFER INVERSOR HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89638-1989 MICROCIRCUITO LINEAL, CONTROLADOR DE MODO CORRIENTE CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS CORRELADOR DE SALIDA DE 64 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94642-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PERIFÉRICO MULTIFUNCIONAL MEJORADO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 MIRCOCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, ASÍNCRONO, CONTROLADOR SERIE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 MICROCIRCUITO, LINEAL, CMOS, DUAL, RS232, TRANSCEPTOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CHMOS, MICROCONTROLADOR DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92331-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TRANSFORMADOR DE COORDENADAS, 16X16 BIT, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR SERIE UNIVERSAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, 16 BITS, MICROPROCESADOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, PROCESADOR DE SEÑAL DIGITAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, TRANSCEPTOR DE BUS, DIFERENCIAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, CONTROLADOR DE BUS DE PRUEBA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, BUFFER OCTAL Y DRIVERS DE LÍNEA/MOS DRIVER CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, CONTROLADOR DE MEMORIA BUS/MOS DE 10 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 128 X 8 BITS MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO (RAM), SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 MICROCIRCUITOS LINEALES, CONDUCTOR MOSFET, DOBLE POTENCIA
DLA MIL-PRF-19500/421 G VALID NOTICE 1-2009 Semiconductor, dispositivo, transistor dual, unificado, NPN/PNP, complementario, silicio, tipos 2N3838, 2N4854 y 2N4854U, JAN, JANTX y JANTXV
DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS MATRIZ LÓGICA PROGRAMABLE BORRABLE ELÉCTRICAMENTE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DECODIFICADOR DE 3 A 8 LÍNEAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, TEMPORIZADOR DE INTERVALOS PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, INTERFAZ PERIFÉRICA PROGRAMABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 MICROCIRCUITO, NMOS, CONTROLADOR DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CONTROLADORES DE RELOJ MOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-79017-1979 MICROCIRCUITOS CMOS RECEPTOR/TRANSMISOR ASÍNCRONO UNIVERSAL PUERTA DE SILICIO MONOLÍTICA
DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND DE 8 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-03245 REV A-2004
DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, BAJA POTENCIA, MODULADOR DE ANCHO DE IMPULSO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 MICROCIRCUITO LINEAL, CIRCUITO DE SUPERVISIÓN POR MICROPROCESADOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94537-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, UNIDAD DE PROCESAMIENTO DE MEMORIA DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, RELOJ EN TIEMPO REAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, ALU EN CASCADA DE 16 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89990 REV A-2005
DLA SMD-5962-94745-1995 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT CONFIGURACIÓN SERIE PROM, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 MICROCIRCUITO, DIGITAL, GENERADOR DE INTERRUPCIONES NMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS MICROCONTROLADOR DE ALTO RENDIMIENTO SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, INTERRUPTOR QUAD BILATERAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR 8 X 8, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, MULTIPLICADOR DE MATRIZ DE 12 X 10 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 MICROCIRCUITOS DIGITALES, NMOS, 256 X 4 RAM ESTÁTICA (SRAM) SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, CONTROLADOR MOSFET DE POTENCIA ÚNICA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DOBLE 4 ENTRADAS NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO

KR-KS, ¿Catálisis de semiconductores?

KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 14605-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
KS L ISO 22197-1-2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico.
KS L ISO 22197-2-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 2: Eliminación de acetaldehído.
KS L ISO 22197-4-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 4: Eliminación de formaldehído.
KS L ISO 22197-3-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 3: Eliminación de tolueno.
KS L ISO 22197-1-2022 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico.
KS L ISO 22197-5-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 5: Eliminación de metilmercaptano.
KS L ISO 17168-1-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 1: Remova
KS L ISO 17168-2-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 2: Remova
KS L ISO 17168-4-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 4: Remova
KS L ISO 17168-3-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 3: Remova

Group Standards of the People's Republic of China, ¿Catálisis de semiconductores?

T/CECA 35-2019 Sensor de gas semiconductor de óxido metálico
T/CIE 144-2022 Método de prueba de mejora de la confiabilidad de dispositivos semiconductores
T/ZZB 2283-2021 Polvo de grafito de pureza ultraalta para cristal semiconductor de carburo de silicio
T/QGCML 744-2023 Especificación del proceso de limpieza química para piezas de equipos semiconductores.
T/QGCML 743-2023 Especificaciones para el proceso de anodizado de piezas de equipos semiconductores.
T/CASAS 006-2020 La especificación general para el transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de carburo de silicio
T/CASAS 015-2022 Método de prueba de ciclo de energía para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de carburo de silicio (MOSFET de SiC)
T/ZJATA 0017-2023 Equipo de epitaxia por deposición química de vapor (CVD) para preparar materiales semiconductores de carburo de silicio
T/CASAS 016-2022 Método de prueba dual transitorio para la medición de la unión de resistencia térmica a la caja del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de carburo de silicio (MOSFET de SiC)

Professional Standard - Electron, ¿Catálisis de semiconductores?

SJ/Z 9021.1-1987 Estandarización mecánica de componentes semiconductores Parte 1 Preparación de dibujos de componentes semiconductores
SJ/T 10424-1993 Polvo de vidrio para embalaje de pasivación de UE en dispositivos semiconductores.
SJ 20025-1992 Especificación genérica para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
SJ/Z 9021.4-1987 Normalización mecánica de componentes semiconductores. Parte 4. Sistema de clasificación y codificación de esquemas de embalaje de componentes semiconductores.
SJ 20026-1992 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
SJ 20079-1992 Métodos de prueba para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
SJ/Z 9021.2-1987 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 2: Dimensiones.
SJ 50033/42-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para FET de microondas GaAs tipo CSO467
SJ 50033/78-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de microondas GaAs tipo CS0464
SJ/T 11824-2022 Método de prueba de tasa de cambio de voltaje y capacitancia equivalente del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET)
SJ 50033/118-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el diodo de conmutación de GaAs tipo 2EK31
SJ 50033/79-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0536
SJ 50033/120-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS205
SJ 50033.51-1994 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de doble puerta de microondas GaAs tipo CS0558
SJ 50033.52-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0529.
SJ 50033.54-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0532
SJ 50033/119-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS204
SJ 50033/81-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0524
SJ 50033/80-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0513
SJ 50033/29-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el conjunto de conmutación de alta velocidad de GaAs para el tipo EK20
SJ 50033/27-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos varactores de GaAs para la serie 2EC600
SJ 50033.53-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0530 y CS0531
SJ 50033/106-1996 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de bajo ruido de microondas GaAs tipo CS203.
SJ 50033/141-1999 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el diodo de conmutación de alta velocidad GaAs tipo 2EK150

International Electrotechnical Commission (IEC), ¿Catálisis de semiconductores?

IEC 60191-1:1966
IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
IEC 60191-1A:1969 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 1: Elaboración de dibujos de dispositivos semiconductores.
IEC 60191-1C:1974 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 1: Elaboración de dibujos de dispositivos semiconductores.
IEC TR 63378-1:2021 Estandarización térmica en paquetes de semiconductores - Parte 1: Resistencia térmica y parámetro térmico de paquetes de semiconductores tipo BGA, QFP
IEC 62418:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de vacío de tensión de metalización
IEC 60191-6-16:2007 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-16: Glosario de pruebas de semiconductores y zócalos precintados para BGA, LGA, FBGA y FLGA
IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Parte 8-4: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia.
IEC 63364-1:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistemas IoT - Parte 1: Método de prueba para la detección de variaciones de sonido
IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores.
IEC 60191-4:2002
IEC 60191-4:1987 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para dispositivos semiconductores.
IEC 60191-2:1966 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:2012 DB Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD5:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-4:1999 Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores.
IEC 60191-4:2013 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores
IEC 60191-4:2018 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de paquetes para paquetes de dispositivos semiconductores
IEC 60191-6:1990 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores; parte 6: reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie
IEC 60191-6:2004 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie
IEC 60191-6:2009 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie
IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1: Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización.
IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET). Parte 1: Prueba rápida BTI para MOSFET.
IEC 63275-2:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo.
IEC 63229:2021 Dispositivos semiconductores: clasificación de defectos en la película epitaxial de nitruro de galio sobre sustrato de carburo de silicio
IEC 60191-4/AMD1:2001 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores; Enmienda 1
IEC 60191-4/AMD2:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores; Enmienda 2
IEC 60191-2-DB:2012 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD18:2011 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-6/AMD1:1999 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6: Reglas generales para la preparación de esquemas de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Enmienda 1
IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 4: Sistema de codificación y clasificación en formas de esquemas de bultos para bultos de dispositivos semiconductores; Enmienda 1
IEC 60191-2Y:2000 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones (Suplemento 23 de la publicación 60191-2:1966)
IEC 60191-2:1966/AMD2:2001 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Enmienda 2
IEC 60191-2U:1997 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Suplemento 19
IEC 60191-2T:1996 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Suplemento 18
IEC 60191-2V:1998 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Suplemento 20
IEC 60191-2Z:2000 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Suplemento 24
IEC 60191-2X:1999 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Suplemento 22
IEC 60191-2W:1999 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Suplemento 21
IEC 60191-6-10:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-10: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie; Dimensiones de P-VSON
IEC 60191-2X/COR1:2000 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Suplemento 22; Corrección 1
IEC 60191-2:1966/AMD10:2004 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Enmienda 10
IEC 60191-2:1966/AMD21:2020 Enmienda 21 - Normalización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD17:2008 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Enmienda 17
IEC 60191-2:1966/AMD8:2003 Enmienda 8 - Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD12:2006 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Enmienda 12
IEC 60191-2:1966/AMD7:2002 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Enmienda 7
IEC 60191-2:1966/AMD4:2001 Enmienda 4 - Normalización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD14:2006 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Enmienda 14
IEC 60191-2:1966/AMD9:2003 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Enmienda 9
IEC 60191-2:1966/AMD16:2007 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Enmienda 16
IEC 60191-2X:1999/COR1:2000 Corrigendum 1 - Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD1:2001 Enmienda 1 - Normalización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD15:2006 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Enmienda 15
IEC 60191-2:1966/AMD3:2001 Enmienda 3 - Normalización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD11:2004 Enmienda 11 - Normalización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD6:2002 Enmienda 6 - Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD20:2018 Enmienda 20 - Normalización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 60191-2:1966/AMD13:2006 Enmienda 13 - Normalización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones
IEC 63284:2022 Dispositivos semiconductores: método de prueba de confiabilidad mediante conmutación de carga inductiva para transistores de nitruro de galio
IEC 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
IEC 60191-2:1966/AMD19:2012 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 2: Dimensiones; Enmienda 19
IEC 60191-6-18:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-18: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para matriz de rejilla de bolas (BGA)
IEC 60191-6-18:2010/COR2:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-18: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para matriz de rejilla de bolas (BGA)
IEC 60191-6-22:2012 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-22: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para paquetes de semiconductores Silicon Fine-pitch Ball Grid Array y Silico
IEC 60191-6-18:2010/COR1:2010 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-18: Reglas generales para la preparación de dibujos esquemáticos de paquetes de dispositivos semiconductores montados en superficie - Guía de diseño para matriz de rejilla de bolas (BGA)

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, ¿Catálisis de semiconductores?

NEMA RI 6-1959 EQUIPO RECTIFICADOR DE SEMICONDUCTOR PARA PROCESAMIENTO ELECTROQUÍMICO

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), ¿Catálisis de semiconductores?

KS L ISO 27447-2011(2016) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447-2011(2021) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 22197-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico.
KS L ISO 22197-2:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 2: Eliminación de acetaldehído.
KS L ISO 22197-3:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 3: Eliminación de tolueno.
KS L ISO 22197-4:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 4: Eliminación de formaldehído.
KS L ISO 22197-1:2008 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) -Método de prueba para el rendimiento de purificación de aire de materiales fotocatalíticos semiconductores-Parte 1: Eliminación de óxido nítrico
KS L ISO 22197-1:2022 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico.
KS L ISO 22197-5:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 5: Eliminación de metilmercaptano.
KS L ISO 27448-2011(2021) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada)－Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores－Medición del ángulo de contacto con el agua
KS L ISO 27448-2011(2016) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada)－Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores－Medición del ángulo de contacto con el agua
KS L ISO 10676:2012 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para el rendimiento de la purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación del oxígeno activo
KS L ISO 10676-2012(2022) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para el rendimiento de purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación del oxígeno activo
KS L ISO 17168-1:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 1: Remova
KS L ISO 17168-2:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 2: Remova
KS L ISO 17168-3:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 3: Remova
KS L ISO 17168-4:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 4: Remova
KS L ISO 10676-2012(2017) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para el rendimiento de purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación del oxígeno activo
KS C IEC 60748-2-5:2002 Dispositivos semiconductores －Circuitos integrados Parte 2: Circuitos integrados digitales Sección 5 －Especificación detallada en blanco para circuitos integrados digitales MOS complementarios (series 4 000B y 4 000UB)
KS C IEC 60748-2-4:2002 Dispositivos semiconductores－Circuitos integrados－Parte 2：Circuitos integrados digitales－Sección 4：Especificación de familia para circuitos integrados digitales MOS complementarios, series 4 000 B y 4 000 UB

Danish Standards Foundation, ¿Catálisis de semiconductores?

DS/EN 62417:2010
DS/EN 62418:2010
DS/EN 60191-6-16:2007
DS/EN 60191-4/A2:2002
DS/EN 60191-4:2001
DS/EN 60191-4/A1:2002
DS/EN 60191-6:2010
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