Полупроводниковый катализ?

Полупроводниковый катализ?, Всего: 500 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Полупроводниковый катализ?, являются: Обработка поверхности и покрытие, Керамика, Полупроводниковые приборы, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Графические символы, Качество воздуха, Технические рисунки, Механические конструкции электронного оборудования, Полупроводниковые материалы, Электронные компоненты в целом, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Проведение материалов, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Печатные схемы и платы, Строительные материалы, Электрические и электронные испытания, Клапаны, Электротехника в целом.

Association Francaise de Normalisation, Полупроводниковый катализ?

XP CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ - определение условий облучения для проверки фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов.
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.
NF ISO 10677:2011 Техническая керамика - источники УФ-излучения для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
NF ISO 14605:2013 Техническая керамика. Источники света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения.
NF ISO 22197-4:2021 Техническая керамика. Методы испытаний полупроводниковых фотокаталитических материалов для очистки воздуха. Часть 4. Удаление формальдегида.
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
NF ISO 22197-5:2021 Техническая керамика. Методы испытаний полупроводниковых фотокаталитических материалов для очистки воздуха. Часть 5. Удаление метилмеркаптана.
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET).
NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания движущихся ионов металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
NF EN IEC 63364-1:2023 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые приборы для системы IDO. Часть 1. Метод определения акустических отклонений.
NF C80-204*NF EN 62418:2011 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
NF B44-101-4:2013 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 4: удаление формальдегида.
NF EN 62418:2011 Полупроводниковые приборы. Испытание полостей из-за напряжений металлизации
NF B44-105*NF ISO 14605:2013 Fine Ceramics (современная керамика, передовая техническая керамика) — источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.
NF EN 60191-4/A1:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация формы корпусных структур для полупроводниковых приборов.
NF EN 60191-4:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация формы корпусных структур для полупроводниковых приборов.
NF B44-101-5:2013 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 5: удаление метилмеркаптана.
NF B44-101-5*NF ISO 22197-5:2021 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 5. Удаление метилмеркаптана.
NF B44-101-4*NF ISO 22197-4:2021 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 4. Удаление формальдегида.
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4: система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
NF EN 60191-6:2011 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4: система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4: система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
NF ISO 18560-1:2014 Техническая керамика. Метод испытаний для измерения характеристик полупроводниковых фотокаталитических материалов для очистки воздуха методом испытательной камеры в условиях внутреннего освещения. Часть 1. Устранение...
NF C96-013-6:2005 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6: общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: глоссарий по тестированию полупроводников и розеткам для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
NF C96-013-6-10*NF EN 60191-6-10:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры P-VSON
NF EN 60191-6-6:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-6. Общие правила подготовки габаритных чертежей полупроводниковых устройств для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию устройств FLGA
NF EN 60191-6-12:2012 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-12. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Рекомендации по проектированию...
NF EN 60191-6-10:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила подготовки габаритных чертежей полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры корпусов P-VSON
NF C96-051*NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
NF EN 60191-6-22:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки габаритных чертежей полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию матричных корпусов...
NF EN 60191-6-1:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-1: Общие правила подготовки габаритных чертежей полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию цоколевок...
NF EN 60191-6-21:2011 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-21. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров...
NF EN 60191-6-2:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-2. Общие правила подготовки габаритных чертежей полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию цоколевок...
NF EN 60191-6-20:2011 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-20. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Методы измерения размеров...
NF EN 60191-6-17:2012 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-17. Общие правила подготовки габаритных чертежей полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию штабелированных корпусов...

European Committee for Standardization (CEN), Полупроводниковый катализ?

PD CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.
CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.

British Standards Institution (BSI), Полупроводниковый катализ?

BS PD CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерение этих условий
BS ISO 19722:2017 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытаний для определения фотокаталитической активности полупроводниковых фотокаталитических материалов по потреблению растворенного кислорода
PD IEC/TR 63133:2017 Полупроводниковые приборы. Оценка уровня старения полупроводниковых приборов на основе сканирования
BS EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
BS ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS ISO 27447:2019 Отслеживаемые изменения. Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
PD IEC TR 63378-1:2021 Термическая стандартизация полупроводниковых корпусов. Термическое сопротивление и термические параметры полупроводниковых корпусов типа BGA, QFP
BS ISO 13125:2013 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания противогрибковой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS ISO 19635:2016 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод определения противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) для переключения мощности.
BS ISO 22197-2:2019 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление ацетальдегида
BS ISO 22197-4:2021 Отслеживаемые изменения. Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление формальдегида
BS EN IEC 63364-1:2022 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для системы Интернета вещей. Метод испытания обнаружения изменения звука
BS ISO 22197-1:2016 Отслеживаемые изменения. Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление оксида азота
BS IEC 60191-2:1966+A21:2020 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Размеры
BS ISO 22197-3:2019 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление толуола
13/30264600 DC БС ЕН 60747-14-8. Полупроводниковые приборы. Часть 14-8. Полупроводниковые датчики. Емкостный датчик деградации жидкости
BS ISO 22197-1:2008 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление оксида азота.
BS ISO 22197-4:2013 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление формальдегида
BS ISO 22197-3:2011 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление толуола
BS ISO 22197-2:2011 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление ацетальдегида
BS ISO 22197-5:2021 Отслеживаемые изменения. Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление метилмеркаптана
BS EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустотность металлизации
BS ISO 22197-5:2013 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление метилмеркаптана
BS EN 60191-4:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов
BS EN 60191-4:2014+A1:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
BS IEC 60191-2:1966+A18:2011 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Размеры
BS ISO 14605:2013 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.
BS EN 60191-6:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
BS EN 60191-6:2005 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
BS EN 60191-6:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
BS EN 60191-6:2009 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
BS ISO 18061:2014 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Определение противовирусной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов. Метод испытания с использованием бактериофага Q-бета
BS ISO 17168-2:2018 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Удаление ацетальдегида
BS ISO 17168-4:2018 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Удаление формальдегида
BS IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) - быстрый тест BTI для MOSFET
BS ISO 17168-1:2018 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Удаление оксида азота
13/30284029 DC БС ЕН 60191-6-16. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-16. Глоссарий тестов полупроводников и розеток для прожига для BGA, LGA, FBGA и FLGA
BS IEC 63229:2021 Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке карбида кремния
BS IEC 63275-1:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Метод испытания на нестабильность температуры смещения
BS ISO 27448:2009 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания самоочищающихся полупроводниковых фотокаталитических материалов. Измерение угла контакта с водой.
BS ISO 17094:2014 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов при внутреннем освещении
BS ISO 22551:2020 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Определение степени снижения количества бактерий с помощью полупроводниковых фотокаталитических материалов при освещении в помещении. Полусухой метод оценки антибактериальной активности на…
BS ISO 10676:2011 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода
BS ISO 17168-5:2018 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Удаление метилмеркаптана
21/30425873 DC БС ИСО 22197-4. Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 4. Удаление формальдегида
BS ISO 17168-3:2018 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Удаление толуола
BS ISO 27447:2009 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
BS ISO 10676:2010 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода
BS ISO 24448:2023 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Светодиодный источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.
BS EN 60191-6-10:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10: Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры P-VSON
21/30425876 DC БС ИСО 22197-5. Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 5. Удаление метилмеркаптана
BS ISO 22601:2019 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытаний для определения эффективности окислительного разложения фенола полупроводниковых фотокаталитических материалов путем количественного анализа общего органического углерода (ТОС)
22/30443234 DC БС ЕН 63378-3. Термическая стандартизация полупроводниковых корпусов. Часть 3. Модели тепловых схем полупроводниковых корпусов для анализа переходных процессов
21/30432536 DC БС ЕН МЭК 63364-1. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для системы IOT. Часть 1. Метод испытания обнаружения изменения звука
IEC TR 63357:2022 Полупроводниковые приборы. Дорожная карта стандартизации метода проверки неисправностей автомобильных транспортных средств
23/30469486 DC БС ЕН МЭК 63378-2. Термическая стандартизация полупроводниковых корпусов. Часть 2. 3D-модели теплового моделирования дискретных полупроводниковых корпусов для стационарного анализа
23/30469010 DC БС ЕН МЭК 63378-3. Термическая стандартизация полупроводниковых корпусов. Часть 3. Модели тепловых схем дискретных полупроводниковых корпусов для анализа переходных процессов
18/30381548 DC БС ЕН 62373-1. Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Метод быстрого испытания BTI
17/30366375 DC БС МЭК 62373-1. Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Метод быстрого испытания BTI
IEC TR 63357:2022 Полупроводниковые приборы. Дорожная карта стандартизации метода проверки неисправностей автомобильных транспортных средств
BS EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
BS IEC 63284:2022 Полупроводниковые приборы. Метод проверки надежности коммутацией индуктивной нагрузки транзисторов на основе нитрида галлия
BS EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
20/30406234 DC БС МЭК 63275-2 Ред.1.0. Полупроводниковые приборы. Метод испытаний на надежность дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов на основе карбида кремния. Часть 2. Метод испытания биполярной деградации при работе внутреннего диода
BS ISO 19810:2017 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания самоочищающихся полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Измерение угла контакта с водой
BS ISO 19652:2018 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания характеристик полного разложения полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Разложение ацетальдегида
21/30403033 DC BS EN ISO 24448. Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, современная техническая керамика). Светодиодный источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.
20/30406230 DC БС МЭК 63275-1. Полупроводниковые приборы. Метод испытаний на надежность дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов на основе карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения
BS ISO 18071:2016 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Определение противовирусной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов при освещении помещений. Метод испытания с использованием бактериофага Q-бета
BS EN 60191-6-18:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию массива шариковых решеток (BGA)
BS EN 60191-6-1:2001 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию выводных клемм типа «крыло чайки»
BS IEC 60747-5-13:2021 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Испытание сероводородной коррозии для корпусов светодиодов
15/30328077 DC БС ЕН 60191-2. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры
18/30386543 DC BS EN 63229 Ред.1.0. Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальных пластин нитрида галлия на подложке карбида кремния
BS ISO 19810:2023 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания самоочищающихся полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Измерение угла контакта с водой
BS EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Глоссарий тестов полупроводников и розеток для прожига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
BS EN 60191-6-22:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов Кремниевая шариковая сетка с мелким шагом и кремниевая решетка с мелким шагом
19/30390371 DC БС МЭК 60747-14-11. Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний встроенного датчика на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
18/30362458 DC БС МЭК 60747-14-11. Полупроводниковые приборы. Часть 14-11. Полупроводниковые датчики. Метод испытаний встроенного датчика на основе поверхностных акустических волн для измерения ультрафиолета, освещенности и температуры
19/30404655 DC BS EN IEC 63229. Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке карбида кремния

German Institute for Standardization, Полупроводниковый катализ?

DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Фотокатализ - Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий; Немецкая версия CEN/TS 16599:2014.
DIN EN 62417:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN EN 62418:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации (IEC 62418:2010); Немецкая версия EN 62418:2010.
DIN EN 60191-6-16:2007-11 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Немецкая версия EN 60191-6-16:2007 / Примечание. Заменяется стандартом DIN EN 60191-6-16 (2013-...).
DIN 50441-1:1996 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 1. Толщина и изменение толщины.
DIN EN 60191-4:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов (IEC 60191-4:1999 + A1:2001 + A2:2002); Немецкая версия EN 60191-4:1999 + A1:2002 + A2:2002
DIN ISO 22197-1:2018-12 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота (ISO 22197-1:2016).
DIN 50454-2:1994 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение плотности дислокационных ямок травления в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 2: Фосфид индия
DIN 50454-3:1994 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение плотности дислокационных ямок травления в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 3: Фосфид галлия
DIN EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Немецкая версия EN 60191-6-16:2007.
DIN ISO 22197-1:2018 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота (ISO 22197-1:2016).
DIN EN 60191-6:2010-06 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа (IEC 60191-6:2009); Немецкая версия EN 60191-6:2009 / Примечание: DIN EN 60191-6 (2005-04) рем...
DIN 50449-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 2. Бор в арсениде галлия.
DIN EN 60191-6-8:2002-05 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-8. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Руководство по проектированию четырехслойной керамической упаковки со стеклянным уплотнением (G-QFP) (IEC 60191-6-8:2001); Ге...
DIN EN 60191-6-2:2002-09 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-2. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Руководство по проектированию шаровых и столбчатых клемм с шагом 1,50 мм, 1,27 мм и 1,00 мм...
DIN EN 60191-6-6:2002-02 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Руководство по проектированию наземной решетки с мелким шагом (FLGA) (IEC 60191-6-6:2001); Немецкий вариант...
DIN EN 60191-6-3:2001-06 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-3. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Методы измерения размеров четырехквадратных плоских упаковок (QFP) (IEC 60191-6-3:200...
DIN EN 60191-6-1:2002-08 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-1. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Руководство по проектированию выводных клемм типа «крыло чайки» (IEC 60191-6-1:2001); Немецкая версия EN 60...
DIN EN 60191-6-5:2002-05 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-5. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Руководство по проектированию решетки шариков с мелким шагом (FBGA) (IEC 60191-6-5:2001); Немецкий вариант...
DIN ISO 22197-1:2016 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота (ISO 22197-1:2007).
DIN EN 60191-6-22:2013-08 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая сетка с мелким шагом и кремниевая...
DIN EN 62373:2007 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
DIN EN 62373:2007-01 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
DIN 50449-1:1997 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 1. Углерод в арсениде галлия.
DIN EN 60191-6-10:2004-05 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры P-VSON (IEC 60191-6-10:2003); Немецкая версия EN 60191-6-10:2003.
DIN EN 60191-4:2019-02 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (IEC 60191-4:2013 + A1:2018).
DIN EN 60191-6-10:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры P-VSON (IEC 60191-6-10:2003); Немецкая версия EN 60191-6-10:2003.
DIN 50454-1:2000 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение дислокаций в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 1: Арсенид галлия

未注明发布机构, Полупроводниковый катализ?

DIN CEN/TS 16599:2014*DIN SPEC 7397:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.
DIN EN 60191-6-16 E:2013-08 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
DIN ISO 22197-1 E:2015-01 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
DIN ISO 22197-1 E:2018-03 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
DIN EN 60191-4:2019 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.

SCC, Полупроводниковый катализ?

DANSK DS/CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.
DIN CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ - Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий; Немецкая версия CEN/TS 16599:2014.
BS PD IEC/TR 63133:2017 Полупроводниковые приборы. Оценка уровня старения полупроводниковых приборов на основе сканирования
AS C379.1:1970 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов - Подготовка чертежей полупроводниковых приборов
CEI EN 62417:2011 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
DANSK DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
BS EN 60191-4:2000 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
BS ISO 22197-1:2007 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление оксида азота
BS IEC 60191-2:1966+A20:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Размеры.
AS 3708.2:1989 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Размеры
BS IEC 60191-2:1966 Mechanical standardization of semiconductor devices. Dimensions
BS IEC 60191-2:1966+A19:2012 Mechanical standardization of semiconductor devices. Dimensions
AS C379.2:1970 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Размеры
BS 3934-4:1992 Mechanical standardization of semiconductor devices-Recommendations for a coding system and classification into forms of package outlines for semiconductor devices
BS 3934-6:1992 Mechanical standardization of semiconductor devices-Specification for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages
CEI EN 62418:2011 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
DANSK DS/EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
CEI EN 60191-6-16:2008 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
DANSK DS/EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
IEC 60191-1B:1970 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 1. Подготовка чертежей полупроводниковых приборов. Второе приложение.
CEI 45-35:1997 Стандартизированные методы испытаний полупроводниковых рентгеновских спектрометров
AS 3708.1:1989 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов - Подготовка чертежей
IEC 60149-4:1987 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам корпусов полупроводниковых приборов.
CEI EN 60191-6:2011 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов Часть 6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
IEC 60191-4:1999+AMD1:2001+AMD2:2002 CSV Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
DANSK DS/EN 60191-4:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
CEI EN 60191-4/A1:2015 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
CEI EN 60191-4:2015 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
DANSK DS/EN 60191-4/A1:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
DANSK DS/EN 60191-6:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
UNE-EN 60191-4:2001 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
DIN EN 60191-6-22 E:2011 Проект документа. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевый шарик с мелким шагом G...
DIN EN 60191-6-16 E:2013 Проект документа. Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16. Глоссарий полупроводниковых испытаний и розеток для прожига для BGA, LGA, FBGA и FLGA (IEC 47D/835/CD:2013).
CEI EN 60191-6-22:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая сетка с мелким шагом и кремниевая...
DANSK DS/EN 60191-6-22:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая сетка с мелким шагом и кремниевая...
DIN ISO 22197-1 E:2018 Проект документа. Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота (ISO 22197-1:2016); Текст на немецком и английском языках
IEC 60191-4:1999/AMD1:2001 Поправка 1. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
IEC 60191-6:1990/AMD1:1999 Поправка 1. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
IEC 60191-4:1999/AMD2:2002 Поправка 2. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
CEI EN 60191-6-10:2005 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов Часть 6-10: Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры П-ВСОН
DANSK DS/EN 60191-6-10:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры P-VSON
CEI EN 62373:2007 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
DANSK DS/EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
DIN EN 60191-4/A1 E:2017 Проект документа. Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (IEC 47D/882/CD:2016).
DIN IEC 60191-4 E:2010 Проект документа. Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (IEC 47D/769/CD:2010).
AS 3708.3:1989 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Общие правила составления контурных чертежей интегральных схем.
BS 3934-3:1992 Mechanical standardization of semiconductor devices-Recommendations for the preparation of outline drawings of integrated circuits

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Полупроводниковый катализ?

JIS R 1750:2012 Тонкая керамика. Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых при внутреннем освещении.
JIS R 1708:2016 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытаний для определения фотокаталитической активности полупроводниковых фотокаталитических материалов по потреблению растворенного кислорода.
JIS R 1712:2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Полупроводниковый катализ?

EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
EN 60191-6:2009 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
EN 60191-6-22:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая решетка с мелким шагом и кремний

International Organization for Standardization (ISO), Полупроводниковый катализ?

ISO 19722:2017 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод определения фотокаталитической активности полупроводниковых фотокаталитических материалов по потреблению растворенного кислорода.
ISO 13125:2013 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод испытания противогрибковой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 19635:2016 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод испытания противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 27447:2019 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 27447:2009 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 22197-1:2016 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
ISO 22197-3:2019 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 3. Удаление толуола.
ISO 22197-2:2019 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 2. Удаление ацетальдегида.
ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 22197-1:2007 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
ISO 18061:2014 Тонкая керамика (Advanced Ceramics, Advanced Техническая керамика) - Определение противовирусной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов - Метод испытаний с использованием бактериофага Q-бета
ISO 22197-2:2011 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 2. Удаление ацетальдегида.
ISO 22197-3:2011 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 3. Удаление толуола.
ISO 22197-4:2021 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 4. Удаление формальдегида.
ISO 22197-5:2021 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 5. Удаление метилмеркаптана.
ISO 22197-4:2013 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 4. Удаление формальдегида.
ISO 22197-5:2013 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 5. Удаление метилмеркаптана.
ISO 17094:2014 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения.
ISO 10676:2010 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода.
ISO 24448:2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — светодиодный источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.
ISO 17168-1:2018 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 1. Удаление оксида азота.
ISO 17168-2:2018 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 2. Удаление ацетальдегида.
ISO 17168-3:2018 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 3. Удаление толуола.
ISO 17168-4:2018 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 4. Удаление формальдегида.
ISO 22601:2019 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения эффективности окислительного разложения фенола полупроводниковых фотокаталитических материалов количественным путем.
ISO 19810:2017 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик самоочистки полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Измерение угла контакта с водой.
ISO 19652:2018 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания на полное разложение полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Разложение ацетальдегида.
ISO 19810:2023 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик самоочистки полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Измерение угла контакта с водой.
ISO 18071:2016 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Определение противовирусной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Метод испытаний с использованием бактериофага Q-бета.
ISO 17168-5:2018 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 5. Удаление метилмеркаптана.
ISO 22551:2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Определение степени уменьшения количества бактерий с помощью полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Полусухой метод.

GSO, Полупроводниковый катализ?

GSO ISO 19722:2021 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения фотокаталитической активности полупроводниковых фотокаталитических материалов по потреблению растворенного кислорода.
BH GSO ISO 19722:2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытаний для определения фотокаталитической активности полупроводниковых фотокаталитических материалов по потреблению растворенного кислорода.
OS GSO ISO 10677:2015 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
GSO ISO 19635:2021 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
GSO ISO 10677:2015 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
BH GSO ISO 19635:2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
BH GSO IEC 62418:2022 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
GSO IEC 62418:2021 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
GSO IEC 60191-6-16:2021 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
BH GSO IEC 60191-6-16:2022 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
OS GSO ISO 14605:2015 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.
BH GSO ISO 14605:2017 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.
GSO IEC 60191-4:2015 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
OS GSO IEC 60191-2:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
BH GSO IEC 60191-2:2016 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
GSO IEC 60191-6:2015 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
OS GSO IEC 60191-6:2015 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
BH GSO IEC 60191-6:2016 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
GSO ISO 10676:2013 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода.
OS GSO ISO 10676:2013 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода.
GSO IEC 63275-1:2024 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения.
GSO IEC 60191-2:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
GSO ISO 18071:2021 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Определение противовирусной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Метод испытаний с использованием бактериофага Q-бета.
BH GSO ISO 18071:2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Определение противовирусной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Метод испытаний с использованием бактериофага Q-бета.
GSO IEC 60191-6-22:2017 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая решетка с мелким шагом и кремний
OS GSO IEC 60191-6-22:2017 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая решетка с мелким шагом и кремний
OS GSO IEC 60191-6-10:2015 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры P-VSON
GSO ISO 18560-1:2016 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов методом испытательной камеры при внутреннем освещении. Часть 1. Удаление формальдегида.
OS GSO ISO 18560-1:2016 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов методом испытательной камеры при внутреннем освещении. Часть 1. Удаление формальдегида.
GSO IEC 63284:2024 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности коммутацией индуктивной нагрузки транзисторов на основе нитрида галлия
GSO IEC 62373:2014 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
OS GSO IEC 62373:2014 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
GSO IEC 60191-6-6:2015 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-6. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию наземной решетки с мелким шагом (FLGA)
GSO ISO 14605:2015 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.

KR-KS, Полупроводниковый катализ?

KS L ISO 10677-2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 27447-2023 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 14605-2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.
KS L ISO 22197-1-2018 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
KS L ISO 22197-2-2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 2. Удаление ацетальдегида.
KS L ISO 22197-4-2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 4. Удаление формальдегида.
KS L ISO 22197-3-2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 3. Удаление толуола.
KS L ISO 22197-1-2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
KS L ISO 22197-5-2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 5. Удаление метилмеркаптана.
KS L ISO 17168-1-2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 1: Удаление.
KS L ISO 17168-2-2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 2: Удаление.
KS L ISO 17168-4-2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 4: Удаление.
KS L ISO 17168-3-2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 3: Удаление.

IEC - International Electrotechnical Commission, Полупроводниковый катализ?

IEC TR 63133:2017 Полупроводниковые устройства — оценка уровня старения полупроводниковых устройств на основе сканирования (Редакция 1.0)

Defense Logistics Agency, Полупроводниковый катализ?

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ УРОВНЯ НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ РАБОТЫ ТТЛ-КМОП ИЛИ КМОП-КМОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94532-1994 МИКРОСХЕМА, КМОП, 64-БИТНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР
DLA SMD-5962-96736-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ 8-БИТНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЕЙ ИНТЕРФЕЙСА CMOS/TTL, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ВЕНТИЛЯ НО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЕ ИНВЕРТОРНЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 МИКРОСХЕМА, КМОП, ЧЕТЫРЕ АНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЭКСКЛЮЗИВНЫЙ НОР-ГЕЙТ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 МИКРОЦЕПЬ ЛИНЕЙНЫЙ РЕГУЛИРУЕМЫЙ РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 4-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ДВУМЕРНЫЙ КОНВОЛЬВЕР МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ДВОЙНОЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, CMOS, QAD D LATCH, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭНКОДЕР-ДЕКОДЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94533-1994 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 32-БИТНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, Умножитель 16 Х 16, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ МОП-транзисторов, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-06208-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОЦЕССОР ЦИФРОВЫХ СИГНАЛОВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, 16-битный МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ДРАЙВЕР ТАКТОВОГО ГЕНЕРАТОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СЧЕТВЕРНАЯ, 2 ВХОДА И ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СЧЕТВЕРНАЯ, 2 ВХОДА И ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ И ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ДВОЙНАЯ, 4 ВХОДА И ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНЫЙ ИЛИ ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, СТАТИЧЕСКИЙ РЕГИСТР СДВИГА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, БУФЕРНАЯ, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНЫЙ ГЭЙТ NAND, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОРНЫЙ БУФЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89638-1989 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНЫЙ, КМОП КОНТРОЛЛЕР ТОКОВОГО РЕЖИМА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 64-битный ВЫХОДНЫЙ КОРРЕЛЯТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94642-1994 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, РАСШИРЕННАЯ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ПЕРИФЕРИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 МИРКОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, АСИНХРОННАЯ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ КОНТРОЛЛЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ДВОЙНАЯ, RS232, ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Group Standards of the People's Republic of China, Полупроводниковый катализ?

T/CECA 35-2019 Металлооксидный полупроводниковый газовый датчик
T/CIECCPA 007-2024 Требования к выбросам оксида азота в полупроводниковой промышленности
T/CIE 144-2022 Метод испытаний повышения надежности полупроводниковых приборов
T/ZZB 2283-2021 Порошок графита сверхвысокой чистоты для полупроводникового кристалла карбида кремния.
T/QGCML 744-2023 Спецификация процесса химической очистки деталей полупроводникового оборудования
T/QGCML 743-2023 Технические условия на процесс анодирования деталей полупроводникового оборудования
T/CEPEA 0102-2023 Электростатический патрон для процесса травления составных полупроводниковых приборов.
T/CASAS 006-2020 Общие спецификации полевого транзистора из карбида кремния металл-оксид-полупроводник
T/CASAS 015-2022 Метод испытания циклического включения питания карбидокремниевого металлооксидного полупроводникового полевого транзистора (SiC MOSFET)
T/ZJATA 0017-2023 Оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD) для получения полупроводниковых материалов из карбида кремния

Professional Standard - Electron, Полупроводниковый катализ?

SJ/Z 9021.1-1987 Механическая стандартизация полупроводниковых компонентов. Часть 1. Подготовка чертежей полупроводниковых компонентов.
SJ/T 10424-1993 Стеклянный порошок для пассивационной упаковки УЭС в полупроводниковых приборах
SJ 20025-1992 Типовые технические условия на газовые датчики из металлооксидных полупроводников.
SJ/Z 9021.4-1987 Механическая стандартизация полупроводниковых компонентов. Часть 4. Классификация и система кодирования контуров корпусов полупроводниковых компонентов.
SJ 20026-1992 Методы измерения газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
SJ 20079-1992 Методы испытаний газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
SJ/Z 9021.2-1987 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2: Размеры.
SJ 50033/42-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация для СВЧ полевого транзистора GaAs типа CSO467.
SJ 50033/78-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0464.
SJ/T 11824-2022 Метод испытания эквивалентной емкости и скорости изменения напряжения металлооксидно-полупроводникового полевого транзистора (MOSFET)
SJ 50033/118-1997 Полупроводниковые дискретные приборы Детальная спецификация переключающего диода GaAs типа 2ЭК31
SJ 50033/79-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация силового СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0536.
SJ 50033/120-1997 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация силового СВЧ-полевого транзистора GaAs типа CS205
SJ 50033.51-1994 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация GaAs СВЧ-полупроводника с двойным затвором типа CS0558.
SJ 50033.52-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация для СВЧ силового полевого транзистора GaAs типа CS0529.
SJ 50033.54-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация силового СВЧ-полевого транзистора GaAs типа CS0532.
SJ 50033/119-1997 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация силового СВЧ-полевого транзистора GaAs типа CS204
SJ 50033/81-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация силового СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0524.
SJ 50033/80-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация силового СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0513.

International Electrotechnical Commission (IEC), Полупроводниковый катализ?

IEC 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
IEC 60191-1:1966 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 1: Подготовка чертежей полупроводниковых приборов.
IEC 60191-1A:1969 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 1: Подготовка чертежей полупроводниковых приборов.
IEC 60191-1C:1974 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 1: Подготовка чертежей полупроводниковых приборов.
IEC TR 63378-1:2021 Термическая стандартизация полупроводниковых корпусов. Часть 1. Термическое сопротивление и тепловые параметры полупроводниковых корпусов типов BGA, QFP.
IEC 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
IEC 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Часть 8-4. Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (МОП-транзисторы) для устройств переключения мощности.
IEC 63364-1:2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для системы Интернета вещей. Часть 1. Метод испытания обнаружения изменения звука.
IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
IEC 60191-4:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
IEC 60191-4:1987 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам корпусов полупроводниковых приборов.
IEC 60191-2:2012 DB Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-2:1966/AMD5:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-2:1966 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2: Размеры
IEC 60191-4:1999 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
IEC 60191-4:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств.
IEC 60191-4:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств.
IEC 60191-6:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
IEC 60191-6:2009 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
IEC 60191-6:1990 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов; часть 6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
IEC 63275-1:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения.
IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.
IEC 63275-2:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытания на биполярное ухудшение вследствие работы внутреннего диода.
IEC 63229:2021 Полупроводниковые приборы. Классификация дефектов эпитаксиальной пленки нитрида галлия на подложке из карбида кремния.
IEC 60191-4/AMD1:2001 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов; Поправка 1
IEC 60191-4/AMD2:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов; Поправка 2
IEC 60191-2-DB:2012 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-2:1966/AMD18:2011 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-6/AMD1:1999 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Поправка 1
IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов; Поправка 1
IEC 60191-2Y:2000 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2: Размеры (23-е дополнение к публикации 60191-2:1966).
IEC 60191-2:1966/AMD2:2001 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Поправка 2
IEC 60191-2U:1997 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Приложение 19
IEC 60191-2T:1996 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Приложение 18
IEC 60191-2V:1998 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Дополнение 20
IEC 60191-2Z:2000 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Приложение 24
IEC 60191-2X:1999 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Приложение 22
IEC 60191-2W:1999 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Приложение 21
IEC 60191-6-10:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа; Размеры П-ВСОН
IEC 60191-2X/COR1:2000 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Приложение 22; Исправление 1
IEC 60191-2:1966/AMD10:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Поправка 10
IEC 60191-2:1966/AMD21:2020 Поправка 21. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-2:1966/AMD17:2008 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Поправка 17
IEC 60191-2:1966/AMD8:2003 Поправка 8. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2: Размеры
IEC 60191-2:1966/AMD12:2006 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Поправка 12
IEC 60191-2:1966/AMD7:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Поправка 7
IEC 60191-2:1966/AMD4:2001 Поправка 4. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-2:1966/AMD14:2006 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Поправка 14
IEC 60191-2:1966/AMD9:2003 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Поправка 9
IEC 60191-2:1966/AMD16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Поправка 16
IEC 60191-2X:1999/COR1:2000 Исправление 1. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-2:1966/AMD1:2001 Поправка 1. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-2:1966/AMD15:2006 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры; Поправка 15
IEC 60191-2:1966/AMD3:2001 Поправка 3. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-2:1966/AMD11:2004 Поправка 11. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-2:1966/AMD6:2002 Поправка 6 – Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2: Размеры
IEC 60191-2:1966/AMD20:2018 Поправка 20. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 60191-2:1966/AMD13:2006 Поправка 13. Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры.
IEC 63284:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности коммутацией индуктивной нагрузки транзисторов на основе нитрида галлия

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Полупроводниковый катализ?

KS L ISO 27447-2011(2016) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 27447-2011(2021) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 27447:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 22197-1:2018 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
KS L ISO 22197-2:2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 2. Удаление ацетальдегида.
KS L ISO 22197-3:2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 3. Удаление толуола.
KS L ISO 22197-4:2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 4. Удаление формальдегида.
KS L ISO 22197-1:2008 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1: Удаление оксида азота.
KS L ISO 22197-1:2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
KS L ISO 27448-2021 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания самоочищающихся полупроводниковых фотокаталитических материалов. Измерение угла контакта с водой.
KS C 6587-2002 ОБЩИЕ ПРАВИЛА МЕХАНИЧЕСКОЙ СТАНДАРТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЦЕПЕЙ
KS L ISO 22197-5:2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 5. Удаление метилмеркаптана.
KS L ISO 27448-2011(2021) Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания самоочищающихся полупроводниковых фотокаталитических материалов. Измерение угла контакта с водой.
KS L ISO 27448-2011(2016) Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания самоочищающихся полупроводниковых фотокаталитических материалов. Измерение угла контакта с водой.
KS L ISO 10676:2012 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода.
KS L ISO 10676-2012(2022) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения формообразующей способности активного кислорода.
KS L ISO 10676-2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода.
KS L ISO 17168-1:2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 1: Удаление.
KS L ISO 17168-2:2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 2: Удаление.
KS L ISO 17168-3:2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 3: Удаление.
KS L ISO 17168-4:2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 4: Удаление.
KS L ISO 10676-2012(2017) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения формообразующей способности активного кислорода.

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Полупроводниковый катализ?

NEMA RI 6-1959 ВЫПРЯМИТЕЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Danish Standards Foundation, Полупроводниковый катализ?

DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
DS/EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
DS/EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
DS/EN 60191-4/A2:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
DS/EN 60191-4:2001 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
DS/EN 60191-4/A1:2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов.
DS/EN 60191-6:2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа.
DS/EN 60191-6-22:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая решетка с мелким шагом и кремний
DS/EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
DS/EN 60191-6-10:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры P-VSON

ES-UNE, Полупроводниковый катализ?

UNE-EN 62417:2010 Полупроводниковые устройства. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).
UNE-EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации (одобрено AENOR в октябре 2010 г.)
UNE-EN IEC 63364-1:2023 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для системы IOT. Часть 1. Метод испытания обнаружения изменения звука (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в марте 2023 г.).
UNE-EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для прожига для BGA, LGA, FBGA и FLGA (IEC 60191-6-16:2007). (Одобрено AENOR в октябре 2007 г.)
UNE-EN 60191-6:2009 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа (Одобрено AENOR в апреле 2010 г.)
UNE-EN 60191-4:2014/A1:2018 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в июне 2018 г.)
UNE-EN 60191-4:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (одобрено AENOR в мае 2014 г.).
UNE-EN 60191-6-22:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая сетка с мелким шагом и кремниевая...
UNE-EN 62373:2006 Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)

Lithuanian Standards Office , Полупроводниковый катализ?

LST EN 62417-2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010)
LST EN 60191-6-16-2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для прожига для BGA, LGA, FBGA и FLGA (IEC 60191-6-16:2007)
LST EN 62418-2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации (IEC 62418:2010)
LST EN 60191-4+A1-2002 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (IEC 60191-4:1999+A1:2001).
LST EN 60191-4+A1-2002/A2-2002 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых приборов (IEC 60191-4:1999/A2:2002).
LST EN 60191-6-22-2013 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-22. Общие правила подготовки контурных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Руководство по проектированию полупроводниковых корпусов. Кремниевая шариковая сетка с мелким шагом и кремний
LST EN 60191-6-2010 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа (IEC 60191-6:2009).
LST EN 60191-4-2014 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (IEC 60191-4:2013).

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Полупроводниковый катализ?

GB/T 15879.4-2019 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств.
GB/T 36646-2018 Оборудование для получения нитридных полупроводниковых материалов методом газофазной эпитаксии гидридов

AENOR, Полупроводниковый катализ?

UNE-ISO 22197-1:2012 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1: Удаление оксида азота
UNE 127197-1:2013 Применение метода испытаний для оценки эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов, пропитанных сборными железобетонными изделиями. Часть 1: Удаление оксида азота.
UNE-EN 60191-6-10:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила подготовки габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа. Размеры P-VSON

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Полупроводниковый катализ?

GB/T 15652-1995 Типовые технические условия на газовые датчики из металлооксидных полупроводников.
GB/T 15653-1995 Методы измерения газовых сенсоров металлооксидных полупроводников

Professional Standard - Machinery, Полупроводниковый катализ?

JB/T 8736-1998 Подложка из керамики из нитрида алюминия, предназначенная для использования в силовых полупроводниковых модулях.

RO-ASRO, Полупроводниковый катализ?

STAS CEI 191-4-1992 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам корпусов полупроводниковых приборов.

工业和信息化部, Полупроводниковый катализ?

SJ/T 9014.8.2-2018 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8-2. Бланк подробной спецификации для сверхпереходных полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Полупроводниковый катализ?

ASTM F1211-89(1994)e1 Стандартные спецификации для схем отверстий для пассивации полупроводниковых устройств

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Полупроводниковый катализ?

EN 60191-6:2004 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов Часть 6. Общие правила оформления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов поверхностного монтажа
EN 60191-4:2014 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 4. Система кодирования и классификация по формам контуров корпусов полупроводниковых устройств (включает поправку A1: 2018 г.)

U.S. Military Regulations and Norms, Полупроводниковый катализ?

ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, МНОГОЧИПНАЯ КМОП SCO/DLA
ARMY MIL-M-48646-1986 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, МНОГОЧИПНАЯ КМОП SCO/DLA
ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ЛОГИКА)
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ЛОГИКА)
ARMY MIL-M-63530-1981 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ЛОГИКА)
ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ИСХОДНАЯ ЛОГИКА)
ARMY MIL-M-63320 A-1981 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ИСХОДНАЯ ЛОГИКА)
ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ОКОНЧАТЕЛЬНАЯ ЛОГИКА)
ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 ВОЕННАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ИСХОДНАЯ ЛОГИКА)
ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП-УПРАВЛЕНИЕ И БАЗА ВРЕМЕНИ, МОНОЛИТНАЯ, КРЕМНИЯ
ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП-УПРАВЛЕНИЕ И БАЗА ВРЕМЕНИ, МОНОЛИТНАЯ, КРЕМНИЯ
ARMY MIL-I-48632-1986 ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП-УПРАВЛЕНИЕ И БАЗА ВРЕМЕНИ, МОНОЛИТНАЯ, КРЕМНИЯ
ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП-ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП-ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
ARMY MIL-I-48634-1986 ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП-ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ОКОНЧАТЕЛЬНАЯ ЛОГИКА)
ARMY MIL-M-63321 A-1981 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ОКОНЧАТЕЛЬНАЯ ЛОГИКА)

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Полупроводниковый катализ?

DB61/T 1250-2019 Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств из материала Sic (карбид кремния)

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Полупроводниковый катализ?

IEEE 641-1987 СТАНДАРТНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕТАЛЛ-НИТРИД-ОКСИД-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАССИВЫ

PH-BPS, Полупроводниковый катализ?

PNS IEC 62373-1:2021 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Полупроводниковый катализ?

CNS 8104-1981 Метод измерения линейного порогового напряжения MOSFET
CNS 8106-1981 Метод измерения порогового напряжения насыщения MOSFET

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Полупроводниковый катализ?

ANSI/IEEE Std 641-1987 Стандартные определения IEEE и характеристики полупроводниковых матриц из оксидов металлов

AT-OVE/ON, Полупроводниковый катализ?

OVE EN IEC 63275-2:2021 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытаний на биполярное ухудшение вследствие работы корпусного диода (IEC 47/2680/CDV) (английская версия)