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半导体催化吗?

本专题涉及半导体催化吗?的标准有500条。

国际标准分类中，半导体催化吗?涉及到表面处理和镀涂、陶瓷、半导体分立器件、集成电路、微电子学、图形符号、技术制图、电子设备用机械构件、半导体材料、电子元器件综合、整流器、转换器、稳压电源、导体材料、电子电信设备用机电元件、印制电路和印制电路板、绝缘流体、电工和电子试验、阀门、电气工程综合、光纤通信、电学、磁学、电和磁的测量、航空航天制造用材料。

在中国标准分类中，半导体催化吗?涉及到催化剂、半导体分立器件综合、特种陶瓷、半导体三极管、、基础标准与通用方法、半导体集成电路、标准化、质量管理、微电路综合、可靠性和可维护性、元素半导体材料、场效应器件、敏感元器件及传感器、电力半导体器件、部件、化合物半导体材料、电子工业生产设备综合、电工绝缘材料及其制品、技术管理、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品综合、半金属与半导体材料综合、电子设备用导线、电缆、半导体分立器件、半金属及半导体材料分析方法、阀门、电子设备机械结构件、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、钢铁产品综合、光电子器件综合、电子技术专用材料、光通信设备、电子测量与仪器综合、航空与航天用金属铸锻材料。

法国标准化协会，关于半导体催化吗?的标准

• XP CEN/TS 16599:2014 光催化 确定照射条件以测试半导体材料的光催化性能
• XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光催化 用于测试半导体材料光催化性能的辐照条件和这些条件的测量
• NF ISO 10677:2011 技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
• NF ISO 14605:2013 技术陶瓷 在室内照明环境中测试半导体光催化材料的光源
• NF ISO 22197-4:2021 技术陶瓷 空气净化用半导体光催化材料性能测试方法 第4部分：除甲醛
• NF B44-103*NF ISO 10677:2011 细瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）测试半导体光催化材料所用的紫外光源
• NF ISO 22197-5:2021 技术陶瓷 空气净化用半导体光催化材料性能试验方法 第5部分：甲硫醇的去除
• NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
• NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
• NF EN IEC 63364-1:2023 半导体器件 - IDO 系统用半导体器件 - 第 1 部分：声学变化检测测试方法
• NF C80-204*NF EN 62418:2011 半导体器件 金属化应力空隙试验
• NF EN 62418:2011 半导体器件 - 测试由金属化应力引起的腔体
• NF B44-101-4:2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷) - 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 - 第4部分: 甲醛的清除
• NF B44-105*NF ISO 14605:2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷) - 室内照明环境下使用的半导体光催化材料的测试光源
• NF EN 60191-4/A1:2018 半导体器件机械标准化第4部分：半导体器件封装结构的编码系统和形状分类
• NF EN 60191-4:2014 半导体器件机械标准化第4部分：半导体器件封装结构的编码系统和形状分类
• NF B44-101-5:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲硫醇的清除
• NF B44-101-5*NF ISO 22197-5:2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲硫醇的清除
• NF B44-101-4*NF ISO 22197-4:2021 精细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第4部分: 甲醛的清除
• NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003 半导体装置的机械标准化.第4部分:半导体装置封装外部形状的分类和编码系统
• NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014 半导体装置的机械标准化.第4部分:半导体装置封装外部形状的分类和编码系统
• NF EN 60191-6:2011 半导体器件机械标准化 第6部分：表面贴装半导体器件封装外形图编制通用规则
• NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
• NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
• NF ISO 18560-1:2014 技术陶瓷 室内照明环境下采用试验箱法测量净化空气用半导体光催化材料性能的试验方法 第1部分：消除...
• NF C96-013-6:2005 半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装轮廓图绘制的一般规则
• NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018 半导体器件的机械标准化 第4部分：编码系统和半导体器件封装封装外形形式的分类
• NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 半导体器件的机械标准化.第6-16部分:半导体试验与BGA、LGA、FBGA和FLGA用高温加速老化插座试验用术语表
• NF C96-013-6-10*NF EN 60191-6-10:2004 半导体器件的机械标准化 第6部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 P-VSON的尺寸
• NF EN 60191-6-6:2002 半导体器件机械标准化 - 第 6-6 部分：表面安装半导体器件外形图编制的一般规则 - FLGA 器件设计指南
• NF EN 60191-6-12:2012 半导体器件的机械标准化 - 第 6-12 部分：表面贴装半导体器件封装外形图编制的一般规则 - 设计指南...
• NF EN 60191-6-10:2004 半导体器件的机械标准化 - 第 6-10 部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - P-VSON 封装尺寸
• NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验
• NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
• NF EN 60191-6-22:2013 半导体器件的机械标准化 - 第6-22部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 矩阵封装设计指南...
• NF EN 60191-6-1:2002 半导体器件的机械标准化 - 第 6-1 部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 引脚封装设计指南...
• NF EN 60191-6-21:2011 半导体器件的机械标准化 - 第 6-21 部分：表面贴装半导体器件封装外形图编制的一般规则 - 尺寸测量方法
• NF EN 60191-6-2:2002 半导体器件的机械标准化 - 第 6-2 部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 引脚封装设计指南...
• NF EN 60191-6-20:2011 半导体器件的机械标准化 - 第 6-20 部分：表面贴装半导体器件封装外形图编制的一般规则 - 尺寸测量方法
• NF EN 60191-6-17:2012 半导体器件机械标准化-第6-17部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则-堆叠封装设计指南...
• NF EN 60191-6-5:2002 半导体器件的机械标准化 - 第 6-5 部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 矩阵封装的设计指南...
• NF EN 60191-6-18:2010 半导体器件的机械标准化 - 第 6-18 部分：表面安装用半导体器件外形图编制的一般规则 - 矩阵封装的设计指南...
• NF EN 60191-6-4:2003 半导体器件的机械标准化 - 第 6-4 部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 封装尺寸的测量方法...
• NF C96-013-6-18*NF EN 60191-6-18:2010 半导体器件的机械标准化 第6-18部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 球栅阵列（BGA）的设计指南
• NF EN 60191-6-8:2002 半导体器件的机械标准化 - 第 6-8 部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 四方扁平封装的设计指南...
• NF EN 60191-6-3:2001 半导体器件的机械标准化 - 第6-3部分：表面贴装半导体器件外形图编制的一般规则 - 扁平四方封装的测量方法...

欧洲标准化委员会，关于半导体催化吗?的标准

• PD CEN/TS 16599:2014 光催化.半导体材料光催化性能的辐照条件及这些条件的测定
• CEN/TS 16599:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量

英国标准学会，关于半导体催化吗?的标准

• BS PD CEN/TS 16599:2014 光催化. 半导体材料光催化性能试验的辐照条件以及此类条件的测量
• BS ISO 19722:2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
• PD IEC/TR 63133:2017 半导体器件 基于扫描的半导体器件老化水平估计
• BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
• BS ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级技术陶瓷).半导体光催化材料测试用紫外光源
• BS ISO 27447:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料抗菌活性测试方法
• PD IEC TR 63378-1:2021 半导体封装的热标准化 BGA、QFP型半导体封装的热阻和热参数
• BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
• BS ISO 13125:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
• BS ISO 19635:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料抑藻活性的试验方法
• BS 3934-1:1992 半导体器件的机械标准化.第1部分:半导体器件制图推荐标准
• BS EN IEC 63364-1:2022 半导体器件 物联网系统用半导体器件 声音变化检测的测试方法
• BS ISO 22197-2:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能测试方法去除乙醛
• BS ISO 22197-4:2021 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 除甲醛
• BS ISO 22197-1:2016 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 去除一氧化氮
• BS IEC 60191-2:1966+A21:2020 半导体器件的机械标准化 方面
• 13/30264600 DC BS EN 60747-14-8 半导体器件 第14-8部分 半导体传感器 液体电容式劣化传感器
• BS ISO 22197-3:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能测试方法甲苯的去除
• BS ISO 22197-1:2008 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除
• BS ISO 22197-4:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲醛的清除
• BS ISO 22197-3:2011 精制陶瓷(优质陶器,先进工艺陶器).半导体光催化材料的空气净化性能试验方法.甲苯的移除
• BS ISO 22197-2:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法 乙醛的脱除
• BS ISO 22197-5:2021 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 脱除甲硫醇
• BS EN 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验
• BS ISO 22197-5:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.甲硫醇的清除
• BS EN 60191-4:2014 半导体器件的机械标准化. 半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
• BS EN 60191-4:2014+A1:2018 半导体器件机械标准化 半导体器件封装的编码系统和封装外形形式分类
• BS IEC 60191-2:1966+A18:2011 半导体器件的机械标准化.尺寸规格
• BS ISO 14605:2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下使用的半导体光催化材料的测试光源
• BS EN 60191-6:2010 半导体器件的机械标准化 表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
• BS EN 60191-6:2005 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
• BS EN 60191-6:2004 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
• BS EN 60191-6:2009 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
• BS ISO 18061:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
• BS ISO 17168-2:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法乙醛去除
• BS ISO 17168-4:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法除甲醛
• BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
• 13/30284029 DC BS EN 60191-6-16 半导体器件的机械标准化 第6-16部分 BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
• BS IEC 63229:2021 半导体器件 碳化硅衬底氮化镓外延膜缺陷分类
• BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
• BS ISO 17168-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法一氧化氮的去除
• BS ISO 27448:2009 细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的自洁性能用试验方法.水接触角度的测量
• BS ISO 17094:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗菌活性的试验方法
• BS ISO 22551:2020 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料细菌消减率的测定用于估计抗菌活性的半干法……
• BS ISO 10676:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).用形成活性氧的能力测量半导体光催化材料的水净化性能的试验方法
• BS ISO 17168-5:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法甲硫醇的去除
• 21/30425873 DC BS ISO 22197-4 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 第四部分：去除甲醛
• BS ISO 17168-3:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能测试方法甲苯的去除
• BS ISO 10676:2010 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的测试方法
• BS ISO 24448:2023 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）。用于测试室内照明环境下使用的半导体光催化材料的LED光源
• BS ISO 27447:2009 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).半导电光催化材料抗菌活性的试验方法
• BS EN 60191-6-10:2003 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.P-VSON的尺寸
• 21/30425876 DC BS ISO 22197-5 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 第5部分 甲硫醇的脱除
• BS ISO 22601:2019 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 总有机碳（TOC）定量分析测定半导体光催化材料苯酚氧化分解性能的试验方法
• 22/30443234 DC BS EN 63378-3 半导体封装的热标准化 第 3 部分：用于瞬态分析的半导体封装的热电路仿真模型
• 21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 半导体器件 用于物联网系统的半导体器件 第1部分 声音变化检测的测试方法
• IEC TR 63357:2022 半导体器件 汽车故障测试方法标准化路线图
• 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
• 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
• 23/30469486 DC BS EN IEC 63378-2 半导体封装的热标准化 第 2 部分：用于稳态分析的分立半导体封装的 3D 热仿真模型
• 23/30469010 DC BS EN IEC 63378-3 半导体封装的热标准化 第 3 部分：用于瞬态分析的分立半导体封装的热电路仿真模型
• IEC TR 63357:2022 半导体器件 汽车故障测试方法标准化路线图
• BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
• BS EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
• BS IEC 63284:2022 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关可靠性测试方法
• 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第2部分. 体二极管工作造成的双极退化的测试方法
• 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第1部分.偏置温度不稳定性测试方法
• BS ISO 19810:2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料自清洁性能的试验方法. 水接触角测量
• 21/30403033 DC BS EN ISO 24448。精细陶瓷（高级陶瓷、先进技术陶瓷）。用于测试室内照明环境下使用的半导体光催化材料的LED光源
• BS ISO 19652:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料完全分解性能的测试方法乙醛的分解
• BS ISO 18071:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
• BS EN 60191-6-18:2010 半导体设备的机械标准化.平面式安装半导体器件外壳外形图绘制的一般规则.球栅阵列(BGA)用设计指南
• BS EN 60191-6-1:2001 半导体器件的机械标准化 表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则 鸥翼式引线端子设计指南
• BS IEC 60747-5-13:2021 半导体器件 光电子设备 LED封装的硫化氢腐蚀试验
• 15/30328077 DC BS EN 60191-2 半导体器件的机械标准化 第2部分. 尺寸
• 18/30386543 DC BS EN 63229 Ed.1.0 半导体器件 碳化硅衬底氮化镓外延片缺陷分类
• BS EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化.球栅阵列封装(BGA),栅格阵列(LGA),栅阵列(FBGA)和距基板栅格阵列(FLGA)用老化插座和半导体测试的术语表
• BS EN 60191-6-22:2013 半导体器件的机械标准化. 表面安装半导体器件封装轮廓图的一般制备规则. 硅细间距球栅格阵列和硅细间距栅格阵列半导体封装的设计指南(S-FBGA和S-FLGA)
• 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
• 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半导体器件 第14-11部分 半导体传感器 一种基于声表面波的紫外、照度、温度测量一体化传感器的测试方法
• 19/30404655 DC BS EN IEC 63229 半导体器件 碳化硅衬底氮化镓外延薄膜缺陷的分类
• BS ISO 19810:2023 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料自清洁性能的测试方法水接触角的测量
• BS EN 60191-6-1:2002 半导体器件的机械标准化.表面安装的半导体器件封装外形图绘制的一般规则.海鸥翼式铅端子的设计指南
• BS EN 60191-6-5:2001 半导体器件的机械标准化 表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则 细间距球栅格阵列(FBGA)设计指南
• BS EN 60191-6-21:2010 半导体器件的机械标准化.表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.小外形封装(SOP)尺寸的测量方法
• BS ISO 18560-1:2014 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 在室内光环境下使用试验室法对半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 甲醛的清除
• BS EN 60191-6-4:2003 半导体器件的机械标准化.绘制表面安装半导体器件封装外形图的一般规则.焊球网格阵列封装尺寸的测量方法
• BS EN 60191-6-12:2011 半导体装置的机械标准化.表面安装半导体装置封装外形图制备的通用规范.细微间距栅级阵列(FLGA)的设计指南
• 20/30409285 DC BS IEC 63284 半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关导通应力可靠性的可靠性测试方法

德国标准化学会，关于半导体催化吗?的标准

• DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
• DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
• DIN EN 62418:2010-12 半导体器件-金属化应力空洞测试
• DIN EN 60191-6-16:2007-11 半导体器件的机械标准化 第6-16部分：BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
• DIN 50441-1:1996 半导体工艺材料试验.半导体片几何尺寸测量.第1部分:厚度和厚度变化
• DIN EN 60191-4:2003 半导体器件机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形状编码系统和分类
• DIN ISO 22197-1:2018-12 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）-半导体光催化材料空气净化性能的测试方法-第1部分：一氧化氮的去除
• DIN 50454-2:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物
• DIN 50454-3:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
• DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
• DIN EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准.第6-16部分:半导体试验术语表和BGA、LGA、FBGA和FLGA型老化座孔
• DIN ISO 22197-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）半导体光催化材料空气净化性能试验方法第1部分：一氧化氮去除（ISO 22197-1:2016）
• DIN EN 60191-6:2010-06 半导体器件机械标准化第6部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
• DIN 50449-2:1998 半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
• DIN EN 60191-6-8:2002-05 半导体器件机械标准化第6-8部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
• DIN EN 60191-6-2:2002-09 半导体器件机械标准化第6-2部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
• DIN EN 60191-6-6:2002-02 半导体器件机械标准化第6-6部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
• DIN EN 60191-6-3:2001-06 半导体器件机械标准化第6-3部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
• DIN EN 60191-6-1:2002-08 半导体器件机械标准化第6-1部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
• DIN EN 60191-6-5:2002-05 半导体器件机械标准化第6-5部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则
• DIN ISO 22197-1:2016 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除(ISO 22197-1-2007)
• DIN EN 60191-6-22:2013-08 半导体器件的机械标准化 第6-22部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则 半导体封装设计指南 硅细间距球栅阵列和硅
• DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
• DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
• DIN EN 60191-6-10:2004 半导体器件的机械标准化.第6-10部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般原则.P-VSON的尺寸
• DIN 50449-1:1997 半导体工艺用材料的检验.通过红外线吸收测定Ⅲ-Ⅴ-连接半导体杂质含量.第1部分:砷化镓中的碳素
• DIN EN 60191-6-10:2004-05 半导体器件的机械标准化-第6-10部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则-P-VSON的尺寸
• DIN EN 60191-4:2019-02 半导体器件的机械标准化 - 第 4 部分：半导体器件封装的编码系统和封装外形形式分类（IEC 60191-4:2013 + A1:2018）
• DIN 50454-1:2000 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓
• DIN EN 60191-6-3:2001 半导体装置的机械标准化.第6-3部分:表面安装的半导体装置包装外廓图绘制一般规则.包装尺寸测量方法
• DIN EN 60191-6-4:2004-01 半导体器件机械标准化 第6-4部分：表面安装半导体器件封装外形图编制通则 球栅阵列封装尺寸测量方法
• DIN EN 60191-6-18:2010-08 半导体器件机械标准化第6-18部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则球栅阵列设计指南
• DIN EN 60191-4:2014 半导体器件机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形状编码系统和分类(IEC 60191-4-2013).德文版本EN 60191-4-2014

日本工业标准调查会，关于半导体催化吗?的标准

• JIS R 1750:2012 精细陶瓷.室内光环境下测试半导体光催化材料用光源
• JIS R 1708:2016 精细陶瓷（Advanced ceramics、advanced technical ceramics） 用溶解氧消耗量测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
• JIS R 1712:2022 精细陶瓷（高级陶瓷、高级技术陶瓷） 半导体光催化材料抗藻活性试验方法
• JIS C 7040:1969 半导体集成电路机械标准化通则

欧洲电工标准化委员会，关于半导体催化吗?的标准

• EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
• EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
• EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化.第6-16部分:半导体试验术语表和BGA,LGA,FBGA和FLGA用老化插座
• EN 60191-6:2009 半导体器件机械标准化第6部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作的一般规则
• EN 60191-6-22:2013 半导体器件的机械标准化 第 6-22 部分：表面贴装半导体器件封装外形图准备的一般规则 半导体封装设计指南 Silicon Fine-pitch Ball Grid Array and Silico
• EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
• EN 60191-6-10:2003 半导体器件的机械标准化.第6-10部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.P-VSON尺寸IEC 60191-6-10-2003

国际标准化组织，关于半导体催化吗?的标准

• ISO 19722:2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
• ISO 13125:2013 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
• ISO 19635:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料抑藻活性的试验方法
• ISO 27447:2019 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.半导体光催化材料抗菌活性的试验方法
• ISO 27447:2009 精细陶瓷.(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法
• ISO 22197-1:2016 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能试验方法. 第1部分: 一氧化氮净化
• ISO 22197-3:2019 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯
• ISO 22197-2:2019 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
• ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).检测半导光催化材料用紫外线源
• ISO 22197-1:2007 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
• ISO 18061:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
• ISO 22197-2:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第2部分:乙醛的清除
• ISO 22197-3:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第3部分:甲苯的清除
• ISO 22197-4:2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲醛的清除
• ISO 22197-5:2021 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷). 半导体光催化材料空气净化性能的试验方法. 第5部分: 甲硫醇的清除
• ISO 22197-4:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲醛的清除
• ISO 22197-5:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分:甲硫醇的清除
• ISO 17094:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗菌活性的试验方法
• ISO 10676:2010 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
• ISO 24448:2023 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 用于测试室内照明环境下使用的半导体光催化材料的LED光源
• ISO 17168-1:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第1部分：一氧化氮的去除
• ISO 17168-2:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第2部分：乙醛的去除
• ISO 17168-3:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第3部分：甲苯的去除
• ISO 17168-4:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第4部分：甲醛去除
• ISO 22601:2019 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.通过定量分析总有机碳（TOC）测定半导体光催化材料苯酚氧化分解性能的试验方法
• ISO 19810:2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料自清洁性能的试验方法. 水接触角测量
• ISO 19652:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料完全分解性能的试验方法.乙醛的分解
• ISO 19810:2023 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内光照环境下半导体光催化材料自洁性能试验方法 水接触角的测量
• ISO 18071:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
• ISO 17168-5:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第5部分：甲硫醇的去除
• ISO 22551:2020 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.室内照明环境下用半导体光催化材料测定细菌还原率.估算实际环境细菌污染表面抗菌活性的半干法

IEC - International Electrotechnical Commission，关于半导体催化吗?的标准

• IEC TR 63133:2017 半导体器件 基于扫描的半导体器件老化水平估计（1.0 版）
• PAS 60191-6-18-2008 半导体器件机械标准化《第6-18部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作通用规则》《球栅阵列（BGA）设计指南（1.0版）》

美国国防后勤局，关于半导体催化吗?的标准

• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-94532-1994 64位微处理器,氧化物半导体微型电路
• DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
• DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅单片无栅氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 硅单片六反相器氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 硅单片四重虚拟开关,氧化物半导体微型电路
• DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 硅单片异或门高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 硅单片总线控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 硅单片可调稳压器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 硅单片量值比较器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 硅单片,二维卷积器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 硅单片双重升计数器氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 硅单片四重D锁存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 硅单片译码器-解码器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94533-1994 硅单片,32位微处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
• DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-06208-2006 硅单片数字信号处理机氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 硅单片,16比特微处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 硅单片时钟发生驱动器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 硅单片3重3输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 硅单片双重4输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 硅单片双重4输入或栅,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 硅单片3重与非门缓冲,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89638-1989 硅单片,氧化物半导体电流方式控制器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 硅单片,64位输出相关仪,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94642-1994 硅单片,扩展多功能外围,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 硅单片,同步串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 硅单片,16位微型控制器,氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-92331-1993 硅单片,16X16位坐标变换器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 硅单片,通用串联控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 硅单片,16位微型处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 硅单片,数字信号处理器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 硅单片,差动总线收发器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 硅单片128 X 8比特随机存取记忆体,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
• DLA MIL-PRF-19500/421 G VALID NOTICE 1-2009 半导体、器件、双晶体管、单元化、NPN/PNP、互补、硅、类型 2N3838、2N4854 和 2N4854U、JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 硅单片,可擦除程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 硅单片3-8线解码器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 硅单片可编程间隔计时器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 硅单片可编程序外围接口,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
• DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-79017-1979 硅单片通用异步接收器/发送器,氧化物半导体微型电路
• DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 硅单片,8输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 硅单片定点双信息处理器氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 硅单片,低功率脉宽调制器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 硅单片,微处理器监督电路,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块 真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 硅单片,锁相环路文件,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
• DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
• DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 硅单片,高性能微型控制器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 硅单片,四重双向转换开关,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 硅单片,12 X 10位矩阵乘数,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 硅单片,两重4输入无门,高速氧化物半导体数字微型电路

KR-KS，关于半导体催化吗?的标准

• KS L ISO 10677-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工艺陶瓷）半导体光催化材料测试用紫外光源
• KS L ISO 27447-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）半导体光催化材料抗菌活性试验方法
• KS L ISO 14605-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工艺陶瓷）室内照明环境下半导体光催化材料测试用光源
• KS L ISO 22197-1-2018 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第1部分:去除一氧化氮
• KS L ISO 22197-2-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
• KS L ISO 22197-4-2020 精细陶瓷（高级陶瓷 高级技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第4部分:去除甲醛
• KS L ISO 22197-3-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第3部分:去除甲苯
• KS L ISO 22197-1-2022 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第1部分:一氧化氮的去除
• KS L ISO 22197-5-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第5部分:去除甲硫醇
• KS L ISO 17168-1-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第1部分:去除一氧化氮
• KS L ISO 17168-2-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
• KS L ISO 17168-4-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第4部分:去除甲醛
• KS L ISO 17168-3-2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯

中国团体标准，关于半导体催化吗?的标准

• T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
• T/CIE 144-2022 半导体器件可靠性强化试验方法
• T/ZZB 2283-2021 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉
• T/QGCML 744-2023 半导体设备零部件化学清洗工艺规范
• T/QGCML 743-2023 半导体设备零部件阳极氧化工艺规范
• T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
• T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
• T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
• T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

行业标准-电子，关于半导体催化吗?的标准

• SJ/Z 9021.1-1987 半导体器件的机械标准化 第1部分：半导体器件图形绘制
• SJ/T 10424-1993 半导体器件用钝化封装玻璃粉
• SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
• SJ/Z 9021.4-1987 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装外形图类型的划分以及编号体系
• SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
• SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
• SJ/Z 9021.2-1987 半导体器件的机械标准化 第２部分：尺寸
• SJ 50033/42-1994 半导体分立器件.CSO467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
• SJ 50033/78-1995 半导体分立器件.CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
• SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
• SJ 50033/118-1997 半导体分立器件 2EK31型砷化镓开关二极管详细规范
• SJ 50033/79-1995 半导体分立器件.CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
• SJ 50033/120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
• SJ 50033.51-1994 半导体分立器件.CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
• SJ 50033.52-1994 半导体分立器件.CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
• SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
• SJ 50033/119-1997 半导体分立器件 CS204型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
• SJ 50033/81-1995 半导体分立器件.CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
• SJ 50033/80-1995 半导体分立器件.CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
• SJ 50033/29-1994 半导体分立器件.EK20型砷化镓高速开关组件详细规范
• SJ 50033/27-1994 半导体分立器件.2EC600系列砷化镓变容二极管详细规范
• SJ 50033.53-1994 半导体分立器件.CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
• SJ 50033/106-1996 半导体分立器件.CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范
• SJ 50033/141-1999 半导体分立器件2EK150型砷化镓高速开关二极管详细规范

国际电工委员会，关于半导体催化吗?的标准

• IEC 60191-1:1966 半导体器件的机械标准化 第1部分:半导体器件图形绘制
• IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
• IEC 60191-1A:1969 半导体器件的机械标准化 第1部分:半导体器件图形绘制 补充1
• IEC 60191-1C:1974 半导体器件的机械标准化 第1部分:半导体器件图形绘制 补充3
• IEC TR 63378-1:2021 半导体封装的热标准化.第1部分:BGA QFP型半导体封装的热阻和热参数
• IEC 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验
• IEC 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化.第6-16部分:半导体试验术语表和BGA、LGA、FBGA和FLGA用老化插座
• IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
• IEC 63364-1:2022 半导体器件物联网系统用半导体器件第1部分：声音变化检测的试验方法
• IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV 半导体器件的机械标准化第4部分:半导体器件封装外形的编码系统和分类
• IEC 60191-4:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统
• IEC 60191-4:1987 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统
• IEC 60191-2:1966 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸
• IEC 60191-2:2012 DB 半导体器件的机械标准化 第2部分：尺寸
• IEC 60191-2:1966/AMD5:2002 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
• IEC 60191-4:1999 半导体器件的机械标准化 第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
• IEC 60191-4:2013 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
• IEC 60191-4:2018 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
• IEC 60191-6:1990 半导体器件的机械标准化 第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
• IEC 60191-6:2004 半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
• IEC 60191-6:2009 半导体器件的机械标准化.第6部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则
• IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
• IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
• IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
• IEC 63229:2021 半导体器件.碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类
• IEC 60191-4/AMD1:2001 半导体器件的机械标准化 第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统 修改1
• IEC 60191-4/AMD2:2002 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外壳形式的分类和编码系统.修改件2
• IEC 60191-2-DB:2012 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸规格
• IEC 60191-2:1966/AMD18:2011 半导体装置的机械标准化.第2部分:尺寸规格
• IEC 60191-6/AMD1:1999 半导体器件的机械标准化 第6部分:绘制表面安装半导体器件封装外形图的一般规则 修改1
• IEC 60191-4:2013/AMD1:2018 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统.修改件1
• IEC 60191-2Y:2000 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充23
• IEC 60191-2:1966/AMD2:2001 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 修改2
• IEC 60191-2U:1997 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充19
• IEC 60191-2T:1996 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充18
• IEC 60191-2V:1998 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充20
• IEC 60191-2Z:2000 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充24
• IEC 60191-2X:1999 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充22
• IEC 60191-2W:1999 半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充21
• IEC 60191-6-10:2003 半导体器件的机械标准化.第6-10部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.P-VSON的尺寸
• IEC 60191-2X/COR1:2000 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.补充件22
• IEC 60191-2:1966/AMD10:2004 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件10
• IEC 60191-2:1966/AMD21:2020 修改件21.半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
• IEC 60191-2:1966/AMD17:2008 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件17
• IEC 60191-2:1966/AMD8:2003 修改件8——半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸
• IEC 60191-2:1966/AMD12:2006 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件12
• IEC 60191-2:1966/AMD7:2002 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件7
• IEC 60191-2:1966/AMD4:2001 修改件4.半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
• IEC 60191-2:1966/AMD14:2006 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件14
• IEC 60191-2:1966/AMD9:2003 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件9
• IEC 60191-2:1966/AMD16:2007 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件16
• IEC 60191-2X:1999/COR1:2000 勘误表 1 半导体器件的机械标准化 第2部分：尺寸
• IEC 60191-2:1966/AMD1:2001 修改件1.半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
• IEC 60191-2:1966/AMD15:2006 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件15
• IEC 60191-2:1966/AMD3:2001 修改件3.半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
• IEC 60191-2:1966/AMD11:2004 修改件11.半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
• IEC 60191-2:1966/AMD6:2002 修改件6——半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸
• IEC 60191-2:1966/AMD20:2018 修改件20.半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
• IEC 60191-2:1966/AMD13:2006 修改件13.半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸
• IEC 63284:2022 半导体器件.氮化镓晶体管用电感负载切换的可靠性试验方法
• IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
• IEC 60191-2:1966/AMD19:2012 半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸规格.修改件19
• IEC 60191-6-18:2010 半导体器件的机械标准化.第6-18部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.球栅阵列(BGA)的设计指南
• IEC 60191-6-18:2010/COR2:2010 半导体器件的机械标准化.第6-8部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.球栅阵列(BGA)的设计指南
• IEC 60191-6-22:2012 半导体器件的机械标准化.第6-22部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的通用规则.硅细间距球阵列和硅细间距栅格阵列半导体封装的的设计指南(S-FBGA和S-FLGA)
• IEC 60191-6-18:2010/COR1:2010 半导体器件的机械标准化.第6-8部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.球状栅极阵列封装体(BGA)的设计指南

NEMA - National Electrical Manufacturers Association，关于半导体催化吗?的标准

• NEMA RI 6-1959 电化加工半导体整流设备

韩国科技标准局，关于半导体催化吗?的标准

• KS L ISO 27447-2011(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）半导体光催化材料抗菌活性试验方法
• KS L ISO 27447-2011(2021) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－半导体光催化材料抗菌活性试验方法
• KS L ISO 27447:2011 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法
• KS L ISO 22197-1:2018 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第1部分:去除一氧化氮
• KS L ISO 22197-2:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
• KS L ISO 22197-3:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第3部分:去除甲苯
• KS L ISO 22197-4:2020 精细陶瓷（高级陶瓷 高级技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能测试方法 - 第4部分:去除甲醛
• KS L ISO 22197-1:2008 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.第1部分:氧化一氮的移除
• KS L ISO 22197-1:2022 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.半导体光催化材料空气净化性能的试验方法.第1部分:一氧化氮的去除
• KS L ISO 22197-5:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 半导体光催化材料的空气净化性能试验方法 - 第5部分:去除甲硫醇
• KS L ISO 27448-2011(2021) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－半导体光催化材料自清洁性能试验方法－水接触角的测量
• KS L ISO 27448-2011(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）半导体光催化材料自清洁性能试验方法水接触角的测定
• KS L ISO 10676:2012 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).利用活性氧形成能力测定半导体光催化材料的水净化性能的测试方法
• KS L ISO 10676-2012(2022) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－用活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的试验方法
• KS L ISO 17168-1:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第1部分:去除一氧化氮
• KS L ISO 17168-2:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第2部分:去除乙醛
• KS L ISO 17168-3:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第3部分:去除甲苯
• KS L ISO 17168-4:2020 精细陶瓷（先进陶瓷 先进技术陶瓷） - 室内照明环境下半导体光催化材料空气净化性能试验方法 - 第4部分:去除甲醛
• KS L ISO 10676-2012(2017) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）用活性氧形成能力测定法测定半导体光催化材料净水性能的试验方法
• KS C IEC 60748-2-5:2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB
• KS C IEC 60748-2-4:2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000B和4000UB

丹麦标准化协会，关于半导体催化吗?的标准

• DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
• DS/EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
• DS/EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化 第 6-16 部分：BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表
• DS/EN 60191-4/A2:2002 半导体器件机械标准化 第4部分：半导体器件封装封装外形形式的编码体系和分类
• DS/EN 60191-4:2001 半导体器件机械标准化 第4部分：半导体器件封装封装外形形式的编码体系和分类
• DS/EN 60191-4/A1:2002 半导体器件机械标准化 第4部分：半导体器件封装封装外形形式的编码体系和分类
• DS/EN 60191-6:2010 半导体器件机械标准化第6部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作的一般规则
• DS/EN 60191-6-22:2013 半导体器件的机械标准化 第 6-22 部分：表面贴装半导体器件封装外形图准备的一般规则 半导体封装设计指南 Silicon Fine-pitch Ball Grid Array and Silico
• DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试
• DS/EN 60191-6-10:2004 半导体器件的机械标准化第 6-10 部分：表面贴装半导体器件封装外形图准备的一般规则 P-VSON 的尺寸
• DS/EN 60191-6-1:2002 半导体器件机械标准化 第 6-1 部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作通用规则 鸥翼式引线端子设计指南
• DS/EN 60191-6-18:2010 半导体器件的机械标准化 第 6-18 部分：表面安装半导体器件封装外形图准备的一般规则 球栅阵列（BGA）设计指南

ES-UNE，关于半导体催化吗?的标准

• UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
• UNE-EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
• UNE-EN IEC 63364-1:2023 半导体器件 用于物联网系统的半导体器件 第1部分：声音变化检测的测试方法
• UNE-EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化 第6-16部分：BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表(IEC 60191-6-16:2007)
• UNE-EN 60191-6:2009 半导体器件机械标准化--第6部分：表面贴装半导体器件封装外形图编制的一般规则
• UNE-EN 60191-4:2014/A1:2018 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装的编码系统和封装轮廓形式分类
• UNE-EN 60191-4:2014 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装的编码系统和封装轮廓形式的分类
• UNE-EN 60191-6-22:2013 半导体器件的机械标准化 第6-22部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则 半导体封装设计指南 硅细间距球栅阵列和硅
• UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
• UNE-EN 60191-6-4:2003 半导体器件机械标准化 第6-4部分：表面安装半导体器件封装外形图编制通则 球栅阵列封装尺寸测量方法
• UNE-EN 60191-6-21:2010 半导体器件机械标准化 第6-21部分：表面安装半导体器件封装外形图编制通则 小外形封装封装尺寸测量方法
• UNE-EN 60191-6-18:2010 半导体器件的机械标准化 第6-18部分：表面安装半导体器件封装外形图编制的一般规则 球栅阵列(BGA)设计指南

立陶宛标准局，关于半导体催化吗?的标准

• LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
• LST EN 60191-6-16-2007 半导体器件的机械标准化 第 6-16 部分：BGA、LGA、FBGA 和 FLGA 的半导体测试和老化插座术语表（IEC 60191-6-16:2007）
• LST EN 62418-2010 半导体器件 金属化应力空洞测试（IEC 62418:2010）
• LST EN 60191-4+A1-2002 半导体器件机械标准化 第4部分：半导体器件封装封装外形形式的编码体系和分类（IEC 60191-4:1999+A1:2001）
• LST EN 60191-4+A1-2002/A2-2002 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装封装外形编码体系及形式分类（IEC 60191-4:1999/A2:2002）
• LST EN 60191-6-22-2013 半导体器件机械标准化 第6-22部分：表面贴装半导体器件封装外形图准备的一般规则 半导体封装硅细间距球栅阵列和硅的设计指南
• LST EN 60191-6-2010 半导体器件机械标准化第6部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作通用规则（IEC 60191-6:2009）
• LST EN 60191-4-2014 半导体器件的机械标准化. 第4部分: 半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式(IEC 60191-4-2013)
• LST EN 60191-6-10-2004 半导体器件的机械标准化 第 6-10 部分：表面安装半导体器件封装外形图准备的一般规则 P-VSON 的尺寸（IEC 60191-6-10:2003）
• LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体催化吗?的标准

• GB/T 15879.4-2019 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装外形的分类和编码体系
• GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

AENOR，关于半导体催化吗?的标准

• UNE-ISO 22197-1:2012 精细陶瓷（高级陶瓷、高级技术陶瓷） 半导体光催化材料空气净化性能的测试方法 第1部分：去除一氧化氮
• UNE 127197-1:2013 评估浸泡在预制混凝土产品中的半导体光催化材料的空气净化性能的测试方法应用 第1部分：一氧化氮的去除
• UNE-EN 60191-6-10:2004 半导体器件机械标准化第6-10部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作通用规则P-VSON尺寸
• UNE-EN 60191-6-1:2002 半导体器件机械标准化 第6-1部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作的一般规则 鸥翼式引线端子设计指南

国家质检总局，关于半导体催化吗?的标准

• GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范
• GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
• GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
• GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分：退化机理

行业标准-机械，关于半导体催化吗?的标准

• JB/T 8736-1998 电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片

RO-ASRO，关于半导体催化吗?的标准

• STAS CEI 191-4-1992 半导体器件的机械标准化．第4部分：编码系统和分类进入半导体器件包装提纲窗体

工业和信息化部，关于半导体催化吗?的标准

• SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

美国材料与试验协会，关于半导体催化吗?的标准

• ASTM F1211-89(1994)e1 半导体器件钝化开口布局的标准规范

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于半导体催化吗?的标准

• EN 60191-6:2004 半导体器件机械标准化第6部分：表面贴装半导体器件封装外形图制作通用规则
• EN 60191-4:2014 半导体器件的机械标准化.第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统
• EN 60191-6-18:2010 半导体器件的机械标准化 第 6-18 部分：表面安装半导体器件封装外形图准备的一般规则 球栅阵列（BGA）设计指南

(美国)军事条例和规范，关于半导体催化吗?的标准

• ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
• ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
• ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
• ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
• ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
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陕西省标准，关于半导体催化吗?的标准

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IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于半导体催化吗?的标准

• IEEE 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的标准定义和表征

PH-BPS，关于半导体催化吗?的标准

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台湾地方标准，关于半导体催化吗?的标准

• CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
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• OVE EN IEC 63275-1:2021 半导体器件 碳化硅分立式金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法（IEC 47/2679/CDV）（英文版）

美国通用公司（北美），关于半导体催化吗?的标准

• GM GM6078M-1989 固体膜润滑剂涂层树脂粘合的金属氧化物半导体和聚四氟乙烯

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