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半峰宽和晶粒
本专题涉及半峰宽和晶粒的标准有18条。
国际标准分类中，半峰宽和晶粒涉及到光电子学、激光设备、集成电路、微电子学、电子元器件综合、金属材料试验、半导体分立器件。
在中国标准分类中，半峰宽和晶粒涉及到半导体发光器件、半导体集成电路、电子元件综合、金属工艺性能试验方法。
行业标准-电子，关于半峰宽和晶粒的标准
- SJ 2355.7-1983 半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法
- SJ 2658.12-1986 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法
- SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽
国际电工委员会，关于半峰宽和晶粒的标准
- IEC 62435-5:2017 电子元件. 电子半导体设备的长期储存. 第5部分: 晶粒和晶元设备
英国标准学会，关于半峰宽和晶粒的标准
- BS EN 62435-5:2017 电子元件. 电子半导体设备的长期储存. 第5部分: 晶粒和晶元设备
法国标准化协会，关于半峰宽和晶粒的标准
- NF A04-503:1988 铝、铜、镍及其合金制半成品.晶粒度的测定.铝和铝合金
- NF A04-505:1988 铝、铜、镍及其合金制半成品.晶粒度的测定.镍和镍合金
美国国防后勤局，关于半峰宽和晶粒的标准
- DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7405,2N7406,2N7407和2N7408,JANSD和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7488T3,2N7489T3和2N7490T3,JANTXVR和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，P 沟道硅类型 2N7438 和 2N7439 JANSD 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7497T2、2N7498T2 和 2N7499T2，JANTXVR 和 JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2,JANTXVR,F,G和H 和JANSR,F,G和H型耐辐射N通道场效应晶体管(总剂量和单粒子效应)半导体装置
- DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道硅类型 2N7512、2N7513 和 2N7514 JANTXVD、R 和 JANSD、R
- DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
- DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应、抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管管芯、N 沟道和 P 沟道、硅、各种类型、JANHC 和 JANKC
- DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半导体装置,场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N通道,硅,型号2N7504T2,JANTXVR,JANTXVF,JANTXVG,JANTXVH,JANSF,JANSG,JANSR和JANSH
- DLA MIL-PRF-19500/739-2006 场效应抗辐射半导体装置(总剂量和单粒子效应),N型通道和P型通道硅四晶体管,类型2N7518和2N7518U,JANTXVR,F和JANSR,F
- DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7494U5、2N7495U5 和 2N7496U5，JANTXVR，F、G 和 H，以及 JANSR、F、G 和 H
