ZH
RU
EN
ES

新しい半導体材料とデバイス

新しい半導体材料とデバイスは全部で 148 項標準に関連している。

新しい半導体材料とデバイス 国際標準分類において、これらの分類：半導体ディスクリートデバイス、送配電網、整流器、コンバータ、安定化電源、電子および通信機器用の電気機械部品、電子機器用機械部品、集積回路、マイクロエレクトロニクス、半導体材料、電子機器。

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 新しい半導体材料とデバイス

GB 7423.2-1987 半導体デバイスのヒートシンクのプロファイルヒートシンク

British Standards Institution (BSI), 新しい半導体材料とデバイス

BS IEC 62951-5:2019 半導体デバイスフレキシブル伸縮性半導体デバイスフレキシブル材料の熱特性試験方法
BS EN 62047-2:2006 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、薄膜材料の引張試験方法
BS EN 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜材料の曲げ試験方法
BS EN 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜MEMS材料のポアソン比試験方法
BS EN 60749-39:2006 半導体デバイス、機械的および気候試験方法、半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
BS EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス、半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶性を測定するための機械的および気候的試験方法
BS IEC 62047-31:2019 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス用積層MEMS材料の界面付着エネルギーの4点曲げ試験方法
BS EN 62047-11:2013 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、マイクロ電気機械デバイス用のサポートを使用しない材料の線熱膨張係数の試験方法
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 半導体デバイスの機械的および気候試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用する有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定

Professional Standard - Machinery, 新しい半導体材料とデバイス

JB/T 5781-1991 パワー半導体用プロファイルラジエーターの技術条件
JB/T 8175-1999 パワー半導体デバイス用のプロファイルヒートシンク外形寸法

机械电子工业部, 新しい半導体材料とデバイス

JB 5781-1991 パワー半導体用プロファイルラジエーターの技術条件

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 新しい半導体材料とデバイス

JIS C 7012:1982 ディスクリート半導体デバイスのモデル名と記号
JIS C 5630-2:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
JIS C 5630-18:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
JIS C 5630-6:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸方向疲労試験方法
JIS C 5630-12:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第12回：MEMS構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法

International Electrotechnical Commission (IEC), 新しい半導体材料とデバイス

IEC 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
IEC 62951-5:2019 半導体デバイスフレキシブルかつ伸縮性のある半導体デバイスパート 5: フレキシブル材料の熱特性の試験方法
IEC 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
IEC 60749-39:2021 RLV 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
IEC 60749-39:2021 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
IEC 60749-39:2006 半導体デバイス. 機械的および気候試験方法. パート 39: 半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定。
IEC 62047-31:2019 半導体デバイス微小電気機械デバイス第31部：積層型MEMS材料の界面結合エネルギーの四点曲げ試験方法
IEC 62047-11:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 11: 微小電気機械デバイスのサポートなしでの材料の線熱膨張係数の試験方法。
IEC 62047-12:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第12回：MEMS構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
IEC 60749-20:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 20: 湿気とはんだ付け熱の複合効果によるプラスチックパッケージ SMD の耐性

Defense Logistics Agency, 新しい半導体材料とデバイス

DLA MIL-PRF-19500/672-2001 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、NPN、シリコン、スイッチ、2N2222AUE1タイプ JAN、JANTX、JANJ
DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、NPN、シリコン、スイッチ、タイプ 2N2222AUE1 JAN、JANTX、JANJ
DLA MIL-PRF-19500/686 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、PNP、シリコン、スイッチ、タイプ 2N2907AUE1 JAN、JANTX、JANJ
DLA MIL-PRF-19500/695 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、PNP、シリコン、スイッチ、タイプ 2N4033UE1 JAN、JANTX、JANJ
DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、プラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7537、2N7537A、JANおよびJANTX
DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、プラスチック、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7537、2N7537A、JAN および JANTX
DLA MIL-PRF-19500/714-2009 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、パッケージングプラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7558、2N7559 2N7560、JAN、JANTX、JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715-2009 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、パッケージングプラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7563、2N764、2N7565、JAN、JANTX、JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、パッケージングプラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7558、2N7559 2N7560、JAN、JANTX、JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、パッケージングプラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7563、2N764、2N7565、JAN、JANTX、JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 2N3700UE1、JAN、JANTX、JANJ エネルギースイッチング半導体デバイス用トランジスタ、プラスチック、トランジスタ、シリコンウェーハの標準仕様

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 新しい半導体材料とデバイス

DB61/T 1250-2019 Sic (炭化ケイ素) 材料の半導体ディスクリートデバイスの一般仕様

Professional Standard - Aerospace, 新しい半導体材料とデバイス

QJ 2300-1992 マイクロ波フェライト材料とデバイスシリーズのスペクトル

Association Francaise de Normalisation, 新しい半導体材料とデバイス

NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
NF EN 62047-2:2006 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法
NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMES 材料の微小極圧縮試験
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
NF EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第21回：薄膜MEMS材料のポアソン比の試験方法
NF EN 62047-14:2012 半導体デバイス微小電気機械デバイス第14部金属層材料の形成限界の測定方法
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: マイクロピラー技術を使用した MEMS 材料の圧縮試験
NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 部: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法。
NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 11: 微小電気機械デバイスのサポートなしでの材料の線熱膨張係数の試験方法
NF EN 62047-11:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第 11 部: 微小電気機械システムの内蔵材料の線熱膨張係数の試験方法
NF EN 62007-1/A1:2022 光ファイバーシステム用光電子半導体デバイス第1部：基本値と特性に関する仕様モデル
NF EN 62007-1:2015 光ファイバーシステム用光電子半導体デバイス第1部：基本値と特性に関する仕様モデル

Danish Standards Foundation, 新しい半導体材料とデバイス

DS/EN 62047-10:2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
DS/EN 62047-2:2007 半導体デバイス微小電気機械デバイス第２部：薄膜材料の引張試験方法
DS/EN 62047-18:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
DS/EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
DS/EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
DS/EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
DS/EN 62047-12:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 部: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
DS/EN 62047-11:2013 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 11: 微小電気機械システムで使用される独立した材料の線熱膨張係数の試験方法

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 新しい半導体材料とデバイス

KS C IEC 62047-18:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回：薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-22:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回：薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-18-2016(2021) 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-22-2016(2021) 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 60749-39-2006(2016) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体デバイス用有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
KS C IEC 60749-39:2006 半導体デバイス. 機械的および気候試験方法. パート 39: 半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定。
KS C IEC 60749-39-2006(2021) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
KS C IEC 60749-20:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 20: 湿気とはんだ付け熱の複合効果によるプラスチックパッケージ SMD の耐性

ES-UNE, 新しい半導体材料とデバイス

UNE-EN 62047-10:2011 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
UNE-EN 62047-18:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
UNE-EN 62047-6:2010 半導体デバイス微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸疲労試験方法
UNE-EN 62047-21:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第 21 部: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
UNE-EN 62047-14:2012 半導体デバイス微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
UNE-EN 62047-2:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
UNE-EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
UNE-EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2006)
UNE-EN 62047-12:2011 半導体デバイス微小電気機械デバイス第12回 MEMS構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
UNE-EN 62047-11:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイス第 11 部：微小電気機械システム用自立材料の線熱膨張係数の試験方法

German Institute for Standardization, 新しい半導体材料とデバイス

DIN EN 62047-2:2007-02 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法
DIN EN 62047-10:2012-03 半導体デバイス - マイクロ電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
DIN EN 62047-18:2014-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
DIN EN 62047-6:2010-07 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
DIN EN 62047-14:2012-10 半導体デバイス微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
DIN EN 60749-39:2007 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
DIN EN 60749-39:2007-01 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
DIN EN 62047-21:2015-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法 (IEC 62047-21:2014)
DIN EN 62047-12:2012-06 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 回: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV:2020)
DIN EN 62047-11:2014-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 11: 微小電気機械システム用自立材料の線熱膨張係数の試験方法
DIN EN 62047-18:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法 (IEC 62047-18-2013)、ドイツ語版 EN 62047-18-2013
DIN EN 62047-21:2015 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法 (IEC 62047-21:2014)、ドイツ語版 EN 62047-21:2014
DIN EN 62047-10:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMES 材料の微小極圧縮試験 (IEC 62047-10-2011)、ドイツ語版 EN 62047-10-2011
DIN EN IEC 60749-39:2021 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV:2020); 英語版 prEN IEC 60749-39:2020
DIN EN IEC 60749-39:2023-10 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2021); ドイツ語版 EN IEC 60749-39:2022 / 注: DIN ...
DIN 49018-1:1972 電気機器用の電線管および継手パート 1: 中および軽圧力負荷用の絶縁材およびカプラーを備えた可燃性の波形電線管および可燃性電線管
DIN EN 62047-12:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 12: MEMS 構造共振を使用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法 (IEC 62047-12-2011)、ドイツ語版 EN 62047-12-2011
DIN EN 62047-11:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 11: 微小電気機械デバイス用サポートなしの材料の線熱膨張係数の試験方法 (IEC 62047-11-2013)、ドイツ語版 EN 62047-11-2013
DIN EN 62047-6:2010 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸疲労試験方法 (IEC 62047-6: 2009)、ドイツ語版 EN 62047-6: 2010

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 新しい半導体材料とデバイス

EN 62047-18:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
EN 62047-21:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第21回薄膜MEMS材料のポアソン比試験方法
EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
EN 62047-10:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: 微小電気機械システム (MEMS) 材料のマイクロピラー圧縮試験
EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
EN 60749-39:2006 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネント用有機材料の水分拡散率および水溶解度の試験 IEC 60749-39-2006
EN 62047-2:2006 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法 IEC 62047-2:2006
EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
EN 62047-12:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 12: 微小電気機械システム (MEMS) の構造共振を使用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法。
EN 62047-11:2013 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 11: 微小電気機械システムで使用される独立した材料の線熱膨張係数の試験方法

Lithuanian Standards Office , 新しい半導体材料とデバイス

LST EN 62047-14-2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 14: 金属薄膜材料の成形限界の測定方法 (IEC 62047-14:2012)
LST EN 62047-10-2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験 (IEC 62047-10:2011)
LST EN 62047-2-2007 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)
LST EN 62047-6-2010 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 6: 薄膜材料の軸疲労試験方法 (IEC 62047-6:2009)
LST EN 60749-39-2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2006)
LST EN 62047-12-2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 部: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法 (IEC 62047-12:2011)

Professional Standard - Electron, 新しい半導体材料とデバイス

SJ/T 10827-1996 電子部品用半導体集積回路詳細仕様書 CJ0451タイプ HTLデュアルペリフェラルポジティブANDドライバ
SJ/T 10826-1996 電子部品半導体集積回路 CJ0450 タイプ HTL デュアルペリフェラルポジティブおよびドライバーの詳細仕様
SJ/T 10828-1996 電子部品の詳細仕様半導体集積回路 CJ0452 タイプ HTL デュアルペリフェラルポジティブおよび非ドライバ
SJ/T 10042-1991 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CT54LS00/CT74LS00タイプ 2入力NANDゲート4個
SJ/T 10823-1996 電子部品半導体集積回路詳細仕様書 CH2009型 HTL 3入力 NANDゲート
SJ/T 10084-1991 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CT54H20/CT74H20タイプデュアル4入力NANDゲート
SJ/T 10824-1996 電子部品用半導体集積回路詳細仕様書 CH2010型 HTL 2入力NANDゲート4個
SJ/T 10822-1996 電子部品用半導体集積回路詳細仕様書 CH2008タイプ HTL デュアル4入力NANDゲート
SJ/T 10820-1996 電子部品用半導体集積回路詳細仕様書 CH2001型 HTL デュアル4入力NANDゲート
SJ/T 10815-1996 電子部品用詳細仕様書半導体集積回路 CT1030タイプ TTL8入力NANDゲート（認証可能）
SJ/T 10842-1996 電子部品の詳細仕様半導体集積回路 CE10104 タイプ ECL 2 入力 AND ゲート 4 個 (認証可能)
SJ/T 10816-1996 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CT1040タイプ TTLデュアル4入力ノンバッファ（認証取得可能）
SJ/T 10808-1996 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CT1000タイプ TTL 2入力NANDゲート4個（認証可能）
SJ/T 10809-1996 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CT1002タイプ TTL 2入力NANDゲート4個（認証可能）
SJ/T 10811-1996 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CT1008型TTL 2入力NANDゲート4個（認証可能）
SJ/T 10813-1996 電子部品用詳細仕様書半導体集積回路 CT1020型 TTLデュアル4入力NANDゲート（認証取得可能）
SJ/T 10814-1996 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CT1027型 TTL 3入力NANDゲート（認証可能）
SJ/T 10812-1996 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CT1010型 TTL 3入力 NANDゲート（認証可能）
SJ/T 10849-1996 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CE10121タイプ ECL 4ウェイ 3-3-3-3入力 OR AND/OR NANDゲート（認証取得可能）
SJ/T 10848-1996 電子部品の詳細仕様半導体集積回路 CE10117 タイプ ECL デュアル 2 ウェイ 2-3 入力 OR AND/OR NAND ゲート (認証可能)
SJ/T 10817-1996 電子部品詳細仕様半導体集積回路 CT1054タイプ TTL 4方向 2-2-2-2入力 NORゲート（認証取得可能）

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), 新しい半導体材料とデバイス

ICEA T-32-645-2012 防水コンポーネントと押出成形半導体シールド材料の体積抵抗適合性を決定するための試験方法

KR-KS, 新しい半導体材料とデバイス

KS C IEC 62047-18-2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-22-2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 60749-20-2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 20: 湿気とはんだ付け熱の複合効果によるプラスチックパッケージ SMD の耐性

IEC - International Electrotechnical Commission, 新しい半導体材料とデバイス

IEC 62047-31:2017 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第31部：積層型MEMS材料の界面付着エネルギーの四点曲げ試験方法（バージョン1.0）

AT-OVE/ON, 新しい半導体材料とデバイス

OVE EN IEC 60749-39:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV) (英語版)