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半幅と木目

半幅と木目は全部で 18 項標準に関連している。

半幅と木目 国際標準分類において、これらの分類：オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 総合電子部品、 金属材料試験、 半導体ディスクリートデバイス。


Professional Standard - Electron, 半幅と木目

  • SJ 2355.7-1983 半導体発光素子の試験方法 発光ピーク波長およびスペクトル半値幅の試験方法
  • SJ 2658.12-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 発光ピーク波長およびスペクトル半値幅の試験方法
  • SJ/T 2658.12-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法 - 第 12 部: ピーク発光波長と分光放射帯域幅

International Electrotechnical Commission (IEC), 半幅と木目

  • IEC 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置

British Standards Institution (BSI), 半幅と木目

  • BS EN 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置

Association Francaise de Normalisation, 半幅と木目

  • NF A04-503:1988 アルミニウム、銅、ニッケルおよびそれらの合金の半製品 結晶粒度の測定 アルミニウムおよびアルミニウム合金
  • NF A04-505:1988 アルミニウム、銅、ニッケルおよびそれらの合金の半製品 結晶粒度の測定 ニッケルおよびニッケル合金

Defense Logistics Agency, 半幅と木目

  • DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半導体デバイス、N チャネル トランジスタ電界効果放射線耐性 (総線量および単一事象効果)、シリコン モデル 2N7405、2N7406、2N7407 および 2N7408、JANSD および JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半導体デバイス、N チャネル トランジスタ電界効果放射線耐性 (総線量および単一事象効果)、シリコン モデル 2N7488T3、2N7489T3 および 2N7490T3、JANTXVR および JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、P チャネル シリコン タイプ 2N7438 および 2N7439 JANSD および JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコン タイプ 2N7497T2、2N7498T2 および 2N7499T2、JANTXVR および JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2、JANTXVR、F、GおよびHおよびJANSR、F、GおよびHタイプの放射線耐性Nチャネル電界効果トランジスタ（総線量およびシングルイベント効果）半導体デバイス
  • DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、N チャネル シリコン タイプ 2N7512、2N7513 および 2N7514 JANTXVD、R および JANSD、R
  • DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、N チャネル シリコン、タイプ 2N7509、2N7510 および 2N7511、JANTXVD、R および JANSD、R
  • DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果、耐放射線性（総線量およびシングルイベント効果） トランジスタダイ、NチャネルおよびPチャネル、シリコン、各種タイプ、JANHCおよびJANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコン、モデル 2N7504T2、JANTXVR、JANTXVF、JANTXVG、JANTXVH、JANSF、JANSG、JANSR および JANSH
  • DLA MIL-PRF-19500/739-2006 電界効果放射線耐性半導体デバイス (総線量およびシングル イベント効果)、N チャネルおよび P チャネル シリコン クワッド トランジスタ、タイプ 2N7518 および 2N7518U、JANTXVR, F および JANSR, F
  • DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングル イベント効果) トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7494U5、2N7495U5 および 2N7496U5、JANTXVR、F、G および H、および JANSR、F、G および H

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