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リモート半導体薄膜

リモート半導体薄膜は全部で 216 項標準に関連している。

リモート半導体薄膜 国際標準分類において、これらの分類：金属材料試験、半導体ディスクリートデバイス、絶縁流体、コンデンサ、電子および通信機器用の電気機械部品、集積回路、マイクロエレクトロニクス、半導体材料、真空技術、グラフィックシンボル、バルブ、周波数制御と選択のための圧電および誘電デバイス、電子表示装置。

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, リモート半導体薄膜

GB/T 6616-2023 半導体ウエハの比抵抗や半導体膜のシート抵抗を非接触で検査する渦電流法
GB/T 6616-1995 半導体シリコンウェーハの抵抗率とシリコン薄膜のシート抵抗を測定するための非接触渦電流法
GB/T 6616-2009 半導体シリコンウェーハ抵抗率およびシリコン薄膜シート抵抗試験方法非接触渦電流法

ECIA - Electronic Components Industry Association, リモート半導体薄膜

401-1973 パワー半導体用途向けの紙/薄膜誘電体コンデンサ

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, リモート半導体薄膜

JJG(核工) 4-1991 半導体望遠鏡の校正規定（実務レベル）

British Standards Institution (BSI), リモート半導体薄膜

BS IEC 62951-4:2019 半導体デバイスフレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイスフレキシブル半導体デバイス基板上のフレキシブル導電膜の疲労評価
BS IEC 62951-6:2019 半導体デバイスおよび伸縮性半導体デバイスのフレキシブル導電フィルムのシート抵抗の試験方法
BS IEC 62951-7:2019 半導体デバイスフレキシブルかつ伸縮性のある半導体デバイスフレキシブル有機半導体フィルムカプセル化のバリア特性を特性評価するための試験方法
BS IEC 62951-1:2017 半導体デバイスのフレキシブル基板上の導電膜のフレキシブル伸縮性半導体デバイスの曲げ試験方法
BS EN 62047-3:2006 半導体デバイス、マイクロ電気機械装置、引張試験用フィルム標準試験片
BS IEC 62951-3:2018 半導体デバイスのフレキシブル性と伸縮性の評価半導体デバイスの大型化に伴うフレキシブル基板上での薄膜トランジスタ特性の評価
BS EN 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜材料の曲げ試験方法
BS EN 62047-2:2006 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、薄膜材料の引張試験方法
BS EN 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜MEMS材料のポアソン比試験方法
BS EN 62047-6:2010 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、薄膜材料の軸疲労試験方法
BS EN 62047-22:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、フレキシブル基板上の導電膜の電気機械引張試験方法
BS IEC 62047-29:2017 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス用の独立した導電性フィルムの室温における電気機械緩和の試験方法
BS EN 62374:2008 半導体デバイスのゲート絶縁膜の経時絶縁破壊 (TDDB) 試験
BS EN 62374:2007 半導体デバイス、ゲート絶縁膜の時間依存性絶縁破壊 (TDDB) 試験
BS IEC 60748-23-5:2003 半導体デバイス集積回路ハイブリッド集積回路及び薄膜構造製造ライン認証資格認定プロセス
BS IEC 62047-37:2020 半導体デバイス・微小電気機械デバイス・センサー用MEMS圧電膜の環境試験方法
BS IEC 62047-30:2017 半導体デバイス微小電気機械デバイスMEMS圧電膜電気機械変換特性測定方法
BS EN 62047-14:2012 半導体デバイス、マイクロモーターデバイス、金属薄膜材料の成形限界の測定方法
19/30404655 DC BS EN IEC 63229 半導体デバイス用炭化ケイ素基板上の窒化ガリウムエピタキシャル膜の欠陥の分類
BS EN 62047-8:2011 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、フィルムの引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法。
BS IEC 62047-36:2019 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、MEMS圧電フィルムの耐環境性・耐絶縁性試験方法
BS QC 760200:1997 電子部品の品質評価のための調整システム半導体デバイスの性能に基づく承認手順のサブ仕様集積回路薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路
BS QC 760100:1997 認証承認プロセスに基づく電子部品・半導体デバイス・集積回路の薄膜集積回路及びハイブリッド薄膜集積回路のサブスペックの品質評価の連携体制
BS IEC 60748-23-1:2002 半導体デバイス、集積回路、ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、一般仕様
BS EN 62047-17:2015 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、薄膜の機械的特性を測定するためのバルジ試験方法。
BS QC 760201:1997 電子部品、半導体デバイス、集積回路の品質評価のための連携システム空白薄膜集積回路及びハイブリッド薄膜集積回路の詳細仕様書能力に基づく承認プロセス
BS QC 760101:1997 電子部品、半導体デバイス、集積回路の品質評価に関する連携体制空白認定承認プロセスに基づく薄膜集積回路及びハイブリッド薄膜集積回路の詳細仕様書
BS IEC 60748-23-5:2004 半導体デバイス、集積回路、パート 23-5: ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、適合性認定手順
BS IEC 60748-23-4:2002 半導体デバイス、集積回路、ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、詳細仕様書空白
BS EN 62047-12:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、MEMS構造の共振および薄膜材料の曲げたわみ試験方法。
BS IEC 60748-23-3:2002 半導体デバイス、集積回路、ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、メーカー自己監査チェックリストおよび報告書
BS IEC 60748-23-2:2002 半導体デバイス、集積回路、ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、内部外観検査および特殊試験
18/30383935 DC BS EN IEC 62047-37 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 37 センサー用途の環境試験方法 MEMS 圧電フィルム
BS EN 62047-16:2015 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、MEMS薄膜ウェーハの曲率残留応力を測定する試験方法およびカンチレバービームたわみ方法

International Electrotechnical Commission (IEC), リモート半導体薄膜

IEC 62951-4:2019 半導体デバイスフレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス第4回フレキシブル半導体デバイス基板上のフレキシブル導電膜の疲労評価
IEC 62951-6:2019 半導体デバイスフレキシブルおよび伸縮性半導体デバイスパート 6: フレキシブル導電性フィルムのシート抵抗の試験方法。
IEC 62951-1:2017 半導体デバイスフレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス第1部フレキシブル基板上の導電膜の引張試験方法
IEC 62951-3:2018 半導体デバイス - フレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス - 第 3 回: 突起下のフレキシブル基板上の薄膜トランジスタ特性の評価
IEC 60748-20:1988/AMD1:1995 修正 1—半導体デバイス集積回路パート 20: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様
IEC 62374:2007 半導体デバイス、ゲート絶縁膜の時間依存性絶縁破壊 (TDDB) 試験
IEC 62047-2:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
IEC 62047-3:2006 半導体デバイス、微小電気機械装置、その3：引張試験用薄膜標準試験片
IEC 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
IEC 60748-22-1:1991 半導体デバイス、集積回路、第 22 部、セクション 1: 性能承認手続きの対象となる薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の詳細仕様は空白。
IEC 62047-6:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸方向疲労試験方法
IEC 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
IEC 62047-29:2017 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 29 部: 室温における独立した導電膜の電気機械緩和試験方法
IEC 62047-22:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 22: フレキシブル基板上の導電膜の電気機械引張試験方法
IEC 62047-14:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第14回：金属膜材料の形成限界の測定方法
IEC 62047-37:2020 半導体デバイス微小電気機械デバイス第37部センサー用MEMS圧電膜の環境試験方法
IEC 62047-30:2017 半導体デバイス～微小電気機械デバイス～第30回 MEMS圧電膜の電気機械変換特性の測定方法
IEC 62047-36:2019 半導体デバイス微小電気機械デバイス第36部：MEMS圧電膜の耐環境性および耐絶縁性の試験方法
IEC 62047-17:2015 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第17回：薄膜の機械的特性を測定するための膨潤試験方法
IEC 62047-8:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 8: 薄膜の引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法。
IEC 60748-23-1:2002 半導体デバイス、集積回路、パート 23-1: ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、一般仕様
IEC 60748-23-5:2003 半導体デバイス、集積回路、パート 23-5: ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、資格承認
IEC 62047-12:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第12回：MEMS構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
IEC 60748-23-4:2002 半導体デバイス、集積回路、パート 23-4: ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、ブランク詳細仕様
IEC 60748-21:1997 半導体デバイス集積回路第21部：認定・承認手続きの対象となるフィルム集積回路及びハイブリッドフィルム集積回路の仕様
IEC 60748-23-2:2002 半導体デバイス、集積回路、パート 23-2: ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、内部審査および特殊試験
IEC 62047-16:2015 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 16: MEMS フィルムの残留応力を決定するための試験方法ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法
IEC 60748-23-3:2002 半導体デバイス、集積回路、パート 23-3: ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、製造者自己監査チェックリストおよび報告書
IEC 60748-22-1:1997 半導体デバイス集積回路第22-1部：性能承認手続きの対象となるフィルム集積回路及びハイブリッドフィルム集積回路の詳細仕様書は白紙

American National Standards Institute （ANSI), リモート半導体薄膜

ANSI/EIA 401:1973 パワー半導体デバイス用の紙誘電体コンデンサおよび紙/フィルム誘電体コンデンサ

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), リモート半導体薄膜

KS C IEC 62951-1:2022 半導体デバイスフレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス第1部フレキシブル基板上の導電膜の曲げ試験方法
KS C IEC 60748-20:2021 半導体デバイス集積回路第20部薄膜集積回路及びハイブリッド薄膜集積回路の一般規格
KS C IEC 60748-20-1:2003 半導体デバイス、集積回路、パート 20: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様。
KS C IEC 60748-20:2003 半導体デバイス、集積回路、パート 20: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様
KS C IEC 60748-20:2019 半導体デバイス - 集積回路 - 第 20 部: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様
KS C IEC 60748-2-20:2019 半導体デバイス - 集積回路 - 第 20 部: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様
KS C IEC 62047-18:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回：薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-22:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回：薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-18-2016(2021) 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-22-2016(2021) 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-8:2015 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第8回フィルムの引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法
KS C IEC 60748-20-1-2003(2019) 半導体デバイス - 集積回路 - 第 20 部：薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様 - 第 1 部：内部外観検査の要件
KS C IEC 62047-8-2015(2020) 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 8: フィルムに曲げられたストリップの引張特性を測定するための試験方法
KS C IEC 60748-23-1:2004 半導体デバイス、集積回路、パート 23-1: ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、一般仕様
KS C IEC 60748-23-1-2004(2019) 半導体デバイス集積回路パート 23-1: ハイブリッド集積回路および薄膜構造生産ラインの認証に関する一般仕様書
KS C IEC 60748-23-3:2004 半導体デバイス、集積回路、パート 23-3: ハイブリッド集積回路および薄膜構造、生産ライン認証、製造者自己監査チェックリストおよび報告書
KS C IEC 60748-23-3-2004(2019) 半導体デバイス集積回路パート 23-3: ハイブリッド集積回路および薄膜構造の生産ラインに関する認定製造業者の自己監査チェックリストおよびレポート

KR-KS, リモート半導体薄膜

KS C IEC 62951-1-2022 半導体デバイスフレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス第1部フレキシブル基板上の導電膜の曲げ試験方法
KS C IEC 60748-20-2021 半導体デバイス集積回路第20部薄膜集積回路及びハイブリッド薄膜集積回路の一般規格
KS C IEC 60748-2-20-2019 半導体デバイス - 集積回路 - 第 20 部: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様
KS C IEC 60748-20-2019 半導体デバイス - 集積回路 - 第 20 部: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様
KS C IEC 62047-18-2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-22-2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法

Danish Standards Foundation, リモート半導体薄膜

DS/IEC 748-20:1990 半導体デバイス、集積回路、パート 20: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様
DS/IEC 748-21:1993 半導体デバイス。集積回路。第21部認証承認手続きに基づく薄膜集積回路及びハイブリッド薄膜集積回路のサブ仕様
DS/EN 62047-2:2007 半導体デバイス微小電気機械デバイス第２部：薄膜材料の引張試験方法
DS/EN 62047-3:2007 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 3 部: 引張試験用フィルム標準試験片
DS/EN 62047-18:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
DS/EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
DS/IEC 748-21-1:1993 半導体デバイス。集積回路。第21部：第1節：認証承認手続きに基づく薄膜集積回路及びハイブリッド薄膜集積回路の白紙詳細仕様書
DS/IEC 748-22-1:1993 半導体デバイス。集積回路。第 22 部: 第 1 部: 能力承認プロセスに基づく薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の白紙詳細仕様書
DS/EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
DS/EN 62047-8:2011 半導体デバイス微小電気機械デバイス第8部：フィルムの引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法
DS/EN 62047-12:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 部: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法

Group Standards of the People's Republic of China, リモート半導体薄膜

T/GVS 005-2022 半導体装置用絶対電圧容量薄膜真空計の比較方法の試験仕様書

CZ-CSN, リモート半導体薄膜

CSN IEC 748-20:1993 半導体装置。集積回路。第20部薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様

Association Francaise de Normalisation, リモート半導体薄膜

NF C86-433:1988 半導体デバイス、電子部品の統一品質審査システム、薄膜抵抗回路（承認手続き）、サブスペック
NF EN 62374:2008 半導体デバイス - ゲート絶縁膜の時間依存性絶縁破壊試験 (TDDB)
NF C86-434:1988 半導体デバイス電子部品の統一品質評価システム薄膜抵抗回路（承認手順）仕様 CECC 64 201
NF EN 62047-2:2006 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法
NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
NF C86-411:1987 半導体デバイス、電子部品の統一品質評価システム、薄膜ハイブリッド集積回路、サブ仕様
NF C96-017*NF EN 62374:2008 半導体デバイスのゲート絶縁膜の経時絶縁破壊 (TDDB) 試験
NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
NF EN 62047-3:2006 半導体デバイス - マイクロ電気機械デバイス - パート 3: 引張試験用の標準フィルム試験片
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 半導体デバイス・微小電気機械装置第3部引張試験用フィルム標準試験片
NF EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 半導体デバイス用微小電気機械デバイス第6回薄膜材料の軸疲労試験方法
NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第21回：薄膜MEMS材料のポアソン比の試験方法
NF C96-050-22*NF EN 62047-22:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 22: フレキシブル基板上の導電膜の電気機械引張試験方法
NF EN 62047-22:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第22部：フレキシブル基板上の導電膜の電気機械引張試験方法
NF C86-412:1987 半導体デバイス電子部品の統一品質評価システム薄膜ハイブリッド集積回路ブランク詳細仕様書
NF C86-413:1987 半導体デバイス、電子部品の統一品質評価システム、薄膜ハイブリッド集積回路、機能承認、サブスタンダード
NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 半導体デバイス・微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
NF C96-050-17*NF EN 62047-17:2015 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 17 部: 薄膜の機械的特性を測定するためのバンプテスト方法
NF EN 62047-17:2015 半導体デバイス微小電気機械デバイス第17回薄膜の機械的特性を測定するための突出試験方法
NF C96-050-8*NF EN 62047-8:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第 8 部: 鋼帯曲げ試験法によるフィルムの引張特性の測定。
NF C86-430:1988 半導体デバイス電子部品の統一品質評価システム固定皮膜抵抗回路一般仕様
NF EN 62047-8:2011 半導体デバイス微小電気機械デバイス第8部：フィルムの引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法
NF C86-414:1987 半導体デバイス電子部品の統一品質評価システム薄膜ハイブリッド集積回路機能承認空白詳細仕様書
NF C86-431:1988 半導体デバイス電子部品の統一品質評価システム固定皮膜抵抗器を備えた回路サブ仕様仕様 CECC 64 100
NF C86-432:1988 半導体デバイス電子部品の統一品質評価システム薄膜抵抗器を備えた回路空白の詳細仕様仕様 CECC 64 100
NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 部: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法。
NF C96-050-16*NF EN 62047-16:2015 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 16: MEMS フィルムの残留応力を測定するための試験方法ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法
NF EN 62047-16:2015 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 16: MEMS フィルムの残留応力を測定するための試験方法、ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法

German Institute for Standardization, リモート半導体薄膜

DIN EN 62374:2008-02 半導体デバイス - ゲート絶縁膜の時間依存性絶縁破壊 (TDDB) 試験
DIN EN 62047-2:2007-02 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法
DIN EN 62374:2008 半導体デバイス、ゲート絶縁膜の時間依存性絶縁破壊 (TDDB) 試験
DIN EN 62047-18:2014-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
DIN EN 62047-3:2007-02 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 3 部: 引張試験用フィルム標準試験片
DIN EN 62047-3:2007 半導体デバイス、微小電気機械装置、その3：引張試験用フィルム標準試験片
DIN EN 62047-2:2007 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
DIN EN 62047-6:2010-07 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
DIN EN 62047-17:2015-12 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 17 部: 薄膜の機械的特性を測定するためのバンプテスト方法
DIN EN 62047-14:2012-10 半導体デバイス微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
DIN EN 62047-22:2015-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 22: フレキシブル基板上の導電性フィルムの電気機械引張試験方法 (IEC 62047-22:2014)
DIN EN 62047-8:2011-12 半導体デバイス微小電気機械デバイス第8部：フィルムの引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法
DIN EN 62047-21:2015-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法 (IEC 62047-21:2014)
DIN EN 62047-12:2012-06 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 回: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
DIN EN 62047-22:2015 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 22: フレキシブル基板上の導電性フィルムの電気機械引張試験方法 (IEC 62047-22:2014)、ドイツ語版 EN 62047-22:2014
DIN EN 62047-21:2015 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法 (IEC 62047-21:2014)、ドイツ語版 EN 62047-21:2014
DIN EN 62047-18:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法 (IEC 62047-18-2013)、ドイツ語版 EN 62047-18-2013
DIN EN 62047-6:2010 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸疲労試験方法 (IEC 62047-6: 2009)、ドイツ語版 EN 62047-6: 2010
DIN EN 62047-8:2011 半導体装置、マイクロ電気機械装置、パート 8: フィルムの引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法 (IEC 62047-8-2011)、ドイツ語版 EN 62047-8-2011
DIN EN 62047-14:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 14: 金属フィルム材料の成形限界の測定方法 (IEC 62047-14-2012)、ドイツ語版 EN 62047-14-2012
DIN EN 62047-16:2015-12 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 16: MEMS フィルムの残留応力を測定するための試験方法 - ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法
DIN EN 62047-12:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 12: MEMS 構造共振を使用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法 (IEC 62047-12-2011)、ドイツ語版 EN 62047-12-2011

Defense Logistics Agency, リモート半導体薄膜

DLA DSCC-DWG-89100 REV B-2002 固定フィルムシートフランジマウントシングルチャンネルTABハイパワー10ワット半導体デバイス
DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 シリコンモノリシックリモートターミナルマルチプロトコル相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89971-1992 シリコンモノリシック、リモートユニバーサルペリフェラルインターフェイス、高性能金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 シリコンモノリシックバスコントローラリモートターミナル相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 シリコンモノリシックチップ、バスコントローラ、リモートターミナルおよびディスプレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89501 REV D-2007 シリコンモノリシックバスコントローラリモートターミナルマルチプロトコル相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路

United States Navy, リモート半導体薄膜

NAVY QPL-15508-13-2006 膜作動式遠隔操作バルブ (150 および 250P.SIWP 140 度 F 最大流体システム)

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, リモート半導体薄膜

QC 760200-1992 半導体デバイス集積回路パート 22: コンピテンシー承認プロセスに基づく薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路のサブ仕様 (IEC 748-22 ED 1)
QC 760000-1988 半導体デバイス集積回路パート 20: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様 (IEC 748-20 ED 1)
QC 760101-1991 半導体デバイス集積回路第 21 部：第 1 部：資格認定手続き（IEC 748-21-1 ED 1）に基づく薄膜集積回路及びハイブリッド薄膜集積回路の白紙詳細仕様書
QC 760201-1991 半導体デバイス集積回路パート 22: セクション 1: 能力承認プロセスに基づく薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の白紙詳細仕様書 (IEC 748-22-1 ED l)
QC 760100-1997 半導体デバイス集積回路パート 21: 認定承認手順に基づく薄膜集積回路のサブ仕様 (ED 2; IEC 60748-21:1997 ED 2)
QC 760000-1990 半導体デバイス集積回路パート 20: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様 (IEC 748-20:1988; AMD 6754; 1991 年 9 月; AMD 9331 1997 年 1 月 15 日)
QC 763000-1994 半導体デバイス集積回路第 20 部: 薄膜集積回路およびハイブリッド薄膜集積回路の一般仕様第 1 部: 内部外観検査要件 (IEC 748-20-1 ED 1)

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, リモート半導体薄膜

EN 62374:2007 半導体デバイス、ゲート絶縁膜の時間依存性絶縁破壊 (TDDB) 試験
EN 62047-18:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
EN 62047-3:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、その 3: 引張試験用フィルム標準試験片
EN 62047-21:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第21回薄膜MEMS材料のポアソン比試験方法
EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
EN 62047-22:2014 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 22 部: フレキシブル基板上の導電膜の電気機械引張試験方法
EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
EN 62047-2:2006 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法 IEC 62047-2:2006
EN 62047-17:2015 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 17 部: 薄膜の機械的特性を測定するためのバンプテスト方法
EN 62047-8:2011 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、パート 8: 薄膜の引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験。
EN 62047-16:2015 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 16: MEMS フィルムの残留応力を測定するための試験方法ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法
EN 62047-12:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 12: 微小電気機械システム (MEMS) の構造共振を使用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法。

ES-UNE, リモート半導体薄膜

UNE-EN 62047-18:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
UNE-EN 62047-3:2006 半導体デバイス微小電気機械デバイス第3部：引張試験用フィルム標準試験片
UNE-EN 62047-6:2010 半導体デバイス微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸疲労試験方法
UNE-EN 62047-21:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第 21 部: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
UNE-EN 62047-22:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第22部：フレキシブル基板上の導電膜の電気機械引張試験方法
UNE-EN 62047-17:2015 半導体デバイス微小電気機械デバイス第17回：薄膜の機械的特性を測定するためのバンプテスト方法
UNE-EN 62047-14:2012 半導体デバイス微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
UNE-EN 62047-2:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
UNE-EN 62047-8:2011 半導体デバイス微小電気機械デバイス第8部：フィルムの引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法
UNE-EN 62047-12:2011 半導体デバイス微小電気機械デバイス第12回 MEMS構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
UNE-EN 62047-16:2015 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 16: MEMS フィルムの残留応力を測定するための試験方法ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), リモート半導体薄膜

JIS C 5630-3:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 3: 引張試験用フィルム標準試験片
JIS C 5630-2:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
JIS C 5630-18:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
JIS C 5630-6:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸方向疲労試験方法
JIS C 5630-12:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第12回：MEMS構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法

Lithuanian Standards Office , リモート半導体薄膜

LST EN 62374-2008 半導体デバイスのゲート絶縁膜の時間依存絶縁破壊 (TDDB) 試験 (IEC 62374:2007)
LST EN 62047-3-2007 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 3: 引張試験用のフィルム標準試験片 (IEC 62047-3:2006)
LST EN 62047-2-2007 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)
LST EN 62047-6-2010 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 6: 薄膜材料の軸疲労試験方法 (IEC 62047-6:2009)
LST EN 62047-14-2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 14: 金属薄膜材料の成形限界の測定方法 (IEC 62047-14:2012)
LST EN 62047-8-2011 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 8: フィルムの引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法 (IEC 62047-8:2011)
LST EN 62047-12-2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 部: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法 (IEC 62047-12:2011)

未注明发布机构, リモート半導体薄膜

BS IEC 60748-23-5:2003(2004) 半導体デバイス - 集積回路 - パート 23-5: ハイブリッド集積回路および薄膜構造 - 生産ラインの認定 - 認定承認プロセス

American Society for Testing and Materials (ASTM), リモート半導体薄膜

ASTM F1711-96(2016) 点プローブ法を使用してフラットパネルディスプレイの製造に使用される薄膜導体のシート抵抗を測定するための標準的な手法
ASTM F1844-97(2002) 非接触渦電流計を使用してフラットパネルディスプレイの製造に使用される薄膜導体の耐久性を測定するための標準的な方法
ASTM F1844-97 非接触渦電流計を使用してフラットパネルディスプレイの製造に使用される薄膜導体の耐久性を測定するための標準的な方法
ASTM F1844-97(2008) 非接触渦電流計を使用してフラットパネルディスプレイの製造に使用される薄膜導体の耐久性を測定するための標準的な方法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, リモート半導体薄膜

GB/T 11498-2018 半導体デバイス集積回路第21部フィルム集積回路及びハイブリッドフィルム集積回路の副規格（承認申請手続き）
GB/T 13062-2018 半導体デバイス集積回路第21-1部フィルム集積回路及びハイブリッドフィルム集積回路の白紙詳細仕様書（認定承認制度利用）