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記憶法

記憶法は全部で 15 項標準に関連している。

記憶法 国際標準分類において、これらの分類：金属材料試験、 電気、磁気、電気および磁気測定、 情報技術の応用、 データストレージデバイス。

RU-GOST R, 記憶法

• GOST R 52081-2003 金属磁気メモリの非破壊検査方法の用語と定義

Group Standards of the People's Republic of China, 記憶法

• T/GDAQI 011-2019 地上金属管の応力磁気記憶試験方法

British Standards Institution (BSI), 記憶法

• BS ISO/IEC 11694-3:2008 IDカード、光メモリカード、リニア記録方式、光の性質と特性
• BS ISO/IEC 11694-3:2015 IDカード、光メモリカード、リニア記録方式、光の性質と特性

Canadian Standards Association (CSA), 記憶法

• CSA ISO/IEC 11694-6-06:2006 ID カードの光メモリ カードのリニア記録方式、パート 6: 光メモリ カードでの生体認証の使用、ISO/IEC 11694-6:2006

International Organization for Standardization (ISO), 記憶法

• ISO/IEC 11694-1:2000 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 パート 1: 物理的特性
• ISO/IEC 11694-1:2005 ID カード、光学式メモリ カード、リニア記録方式、パート 1: 物理的特性
• ISO/IEC 11694-1:2012 ID カード、光学式メモリ カード、リニア記録方式、パート 1: 物理的特性
• ISO/IEC 11694-3:2001 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 第3部：光の性質と特性
• ISO/IEC 11694-4:2001 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 第4部：論理データ構造

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 記憶法

• GB/T 17550.1-1998 識別カード 光学式メモリカード リニア記録方式 Part 1; 物理的特性
• GB/T 17550.3-1998 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 パート 3; 光の性質と特性
• GB/T 17550.4-2000 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 第4部：論理データ構造

工业和信息化部, 記憶法

• YS/T 1307.1-2019 ニッケルチタン形状記憶合金の記憶特性の試験方法 第1部：引張試験方法
• YS/T 1307.2-2019 ニッケルチタン形状記憶合金の形状記憶性能試験方法その2：曲げ試験方法

その他：   メモリ, メモリの定義, 形状記憶合金, 形状記憶, メモリストレージ, 瞬間記憶, 記憶消去、, 記憶を消去する, メモリーチャンネル, 記憶保持, 記憶の分泌, プログラミングメモリ, 記憶消去, 長期記憶, 長期記憶 生涯記憶, 記憶法, 前世の記憶, 前世の記憶, レベルメモリ, チップメモリ.