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チップメモリ

チップメモリは全部で 145 項標準に関連している。

チップメモリ 国際標準分類において、これらの分類：集積回路、マイクロエレクトロニクス、 無線通信、 データストレージデバイス、 航空機と宇宙船の統合、 電気、磁気、電気および磁気測定、 道路車両装置、 オーディオ、ビデオ、およびオーディオビジュアル エンジニアリング、 映画、 航空宇宙製造用の材料、 生物学、植物学、動物学。


Defense Logistics Agency, チップメモリ

  • DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 シリコンモノリシックプログラマブルロジック、バイポーラデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96893 REV B-2003 チャンネル差動レシーバーシリコンモノリシックメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 シリコンモノリシックプログラマブルロジックバイポーラデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89839 REV F-2007 シリコンモノリシック、EEプログラマブルロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90573-1991 シリコンモノリシック、ECLプログラマブルロジック設定、バイポーラメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 シリコンモノリシックダイナミックメモリコントローラデュアル偏波デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94634-1995 シリコンモノリシック、8000ゲート構成可能なロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89823 REV H-2007 シリコンモノリシック、9000ゲートプログラマブルロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96892 REV B-2003 12ビットDCおよびACシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96840 REV A-2005 X 32K X 40 スタティック メモリ マルチチップ コンポーネント シリコン モノリシック回路 デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92338-1993 シリコンモノリシック、ワンタイムプログラマブルロジック設定、BICMOSデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94763 REV B-2008 モノリシック超小型回路メモリ デジタル CMOS 電気的に消去可能なプログラマブル ロジック デバイス
  • DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 シリコンモノリシック64ビットバイポーラランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94537-1994 シリコンモノリシック、8ビットメモリ処理ユニット、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-81015 REV C-2006 シリコンモノリシック 16 キロビットダイナミックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84132 REV C-2005 シリコンモノリシック 16 キロバイトのスタティック ランダム アクセス メモリ、デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93008-1994 シリコンモノリシック、16K X 9 FIFO、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 シリコンモノリシック、32K X 9 FIFO、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88776 REV C-2004 シリコンモノリシック8ビットフラッシュメモリアナログデジタルコンバータリニアハイブリッドマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96795 REV C-2004 256K × 16 スタティックランダムメモリレジスタシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 4M X 1ダイナミックランダムアクセスメモリシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-04227 REV B-2005 マルチチップモジュールデュアル電圧耐放射線スタティックランダムアクセスメモリ、512K x 32ビット、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 シリコンモノリシック、2K X 9 FIFO酸化物半導体、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 シリコンモノリシック、4K x 9 先入れ先出し酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94549 REV D-2006 シリコンモノリシック、256K X 16 マルチポートビデオランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94567-1996 シリコンモノリシック、X 9 時間制御先入れ先出し酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 シリコンモノリシック、EEプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89892 REV B-2007 シリコンモノリシックチップ、OE16K X 4スタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路を搭載
  • DLA SMD-5962-89855 REV A-1992 シリコンモノリシック、同期記録およびリアルタイムプログラマブルロジック設定、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82005 REV E-2005 シリコンモノリシック 65536 (8KX8) マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82009 REV K-2005 シリコンモノリシック 64 キロビット プログラマブル読み取り専用メモリ、バイポーラ デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-01529 REV A-2007 モノリシック シリコン デジタル メモリ マイクロ回路 CMOS 16K X 1 スタティック ランダム アクセス メモリ (SRAM)
  • DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 シリコンモノリシック、4K×9並列同期FIFO、酸化物半導体メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 シリコンモノリシック、ワンタイムプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 シリコンモノリシック、プログラマブルロジックアレイ、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 シリコンモノリシック、5000ゲートプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 シリコンモノリシック、10,000ゲートプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92344-1993 シリコンモノリシック、8K X 8 再構成可能なスタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93124 REV B-2005 シリコンモノリシック、2K X 9 パラレル先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93138 REV C-2001 シリコンモノリシック、1K X 8 並列同期先入れ先出し酸化物半導体メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93173-1993 シリコンモノリシック、512 X 9 パラレル先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93177 REV E-2003 シリコンモノリシック、16K X 9 パラレル先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 シリコンモノリシック 128 X 8 ビットランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94573 REV B-1996 シリコンモノリシック、分布統計学者/蓄積バッファ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 シリコンモノリシック、8ビットTTL/BTL登録トランシーバー、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92324 REV B-2006 シリコンモノリシック、8K X 8 不揮発性スタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 シリコンモノリシック、消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93221 REV A-2007 シリコンモノリシック、4000ゲートフィールドプログラムロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93235 REV A-2005 シリコンモノリシック、256K X 8ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96796 REV D-2007 128K
  • DLA SMD-5962-03202-2003 シリコンモノリシック 1024 x 8 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-03203-2003 シリコンモノリシック 1048 x 8 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89661-1989 シリコンモノリシック、カスケード可能な 64 X 9 先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89664 REV B-2007 シリコンモノリシック、カスケード可能な 64 X 8 先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 シリコンモノリシック、2K X 9パラレルFIFO、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 シリコンモノリシック、4K X 9パラレルFIFO、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 シリコンモノリシック 256 × 4 スタティックメモリリセットチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 シリコンモノリシック、電気的に消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93189 REV C-1995 シリコンモノリシック、4K×18並列同期先入れ先出し、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93249 REV B-2006 シリコンモノリシック、512 X 9 並列同期先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-80012 REV H-2005 シリコンモノリシック 8 キロバイト x 8 マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82008 REV K-2005 シリコンモノリシック 32 キロビットプログラマブル読み取り専用メモリ、ショットキーバイポーラデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-78016 REV G-2005 シリコンモノリシック 8 キロバイト x 8 マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89666 REV C-2007 シリコンモノリシック、256 X 9 パラレル先入れ先出し、酸化物半導体高速デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 シリコンモノリシック、2K X 8 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 シリコンモノリシック、8K×8スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 シリコンモノリシック、16K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 シリコンモノリシック、16K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 シリコンモノリシック、16K X 4BITS スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89863 REV A-2006 シリコンモノリシック、512 X 9 FIFO シリーズ、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 シリコンモノリシック、8K × 9 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 シリコンモノリシック、OE およびデュアル CE16K X 4 スタティック ランダム アクセス メモリ、デジタル メモリマイクロ回路を搭載
  • DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 シリコンモノリシック、4M X 1ダイナミックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 シリコンモノリシック、4M x 4ダイナミックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93225-1994 シリコンモノリシック、64K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 シリコンモノリシック、電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82025 REV H-2005 シリコンモノリシック 16k x 8 マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 シリコンモノリシック、16キロビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84111 REV E-2004 シリコンモノリシック 262,144 ビット (32K X 8) マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 シリコンモノリシックチップ、バスコントローラ、リモートターミナルおよびディスプレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92172-1993 シリコンモノリシック、独立した I/O アドレス 16K × 4 スタティック ランダム アクセス メモリ、BICMOS デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体メモリハイブリッドおよびモノリシックマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97522 REV A-2002 デュアル相補型金属酸化膜半導体、プログラマブルロジックアレイシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97523 REV A-2002 デュアル相補型金属酸化膜半導体、プログラマブルロジックアレイシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97524 REV A-2002 デュアル相補型金属酸化膜半導体、プログラマブルロジックアレイシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97525 REV A-2002 デュアル相補型金属酸化膜半導体、プログラマブルロジックアレイシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 シリコンモノリシック8KX8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 シリコンモノリシック 256 × 4 スタティックメモリリセット相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90555 REV B-2006 シリコンモノリシック、非同期ワンタイムプログラマブルロジック構成、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 シリコンモノリシック、2K X 8 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジック設定、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 シリコンモノリシック、4K × 9 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96836 REV A-2002 相補型金属酸化膜半導体プログラマブルANDゲート配置2000ゲートシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96837-2000 相補型金属酸化物半導体プログラマブルANDゲート配置8000ゲートシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 シリコンモノリシック16キロビットスタティックランダムアクセスメモリ、金属酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89598 REV R-2006 シリコンモノリシック、低電力 128K X 8 スタティック ランダム アクセス メモリ、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94588-1995 シリコンモノリシック、プログラマブル信号を備えた 32K x 9 FIFO、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93056 REV B-2006 シリコンモノリシック、8K X 8再構成可能スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93123-1993 シリコンモノリシック、2K X 16 ステートマシンプログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93248-1993 シリコンモノリシック、電圧UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 相補型金属酸化膜半導体、128K×8スタティックランダムアクセスメモリ、シリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 シリコンモノリシック 65536 X 1 ビットダイナミックランダムアクセスメモリ、金属酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-03235 REV A-2004 512KX 8 ビット シリコン モノリシック耐放射線性スタティック ランダム アクセス メモリ酸化物半導体デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 シリコンモノリシック、512 X 8ビットシリーズ電気的に消去可能な読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 シリコンモノリシック、2048 X 8 シリーズ電気的に消去可能な読み取り専用メモリ、酸化物半導体高速デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89951-1990 シリコンモノリシック、256 X 4ビット不揮発性ランダムアクセスメモリ、金属酸化膜半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 シリコンモノリシック、登録済み 8K X 8 ビットプログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 スリーステート出力 8 ビット バス トランシーバー、TTL ショットキー高度な低電力デジタル メモリ マイクロ回路を備えたシリコン モノリシック チップ
  • DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 シリコンモノリシック、1K×16ランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路を搭載したフォーチュンターミナル
  • DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 シリコンモノリシック、1MX 8 電気的に消去可能なプログラマブルランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 シリコンモノリシック、32K X 8ビット電力変換プログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93245-1993 シリコンモノリシック、拡張電圧 UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79024 REV C-2005 シリコンモノリシックスリーステート出力バイポーラプログラマブル読み取り専用メモリ、8192ビット切り替え可能なショットキーデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 シリコンモノリシック 16,000 (2048 X 8) ビットスタティックランダムアクセスメモリ、金属酸化膜半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 シリコンモノリシック、32K
  • DLA SMD-5962-92322-1993 シリコンモノリシック、64K
  • DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 シリコンモノリシック、4K
  • DLA SMD-5962-93244-1993 シリコンモノリシック、512K
  • DLA SMD-5962-38267 REV H-2006 シリコンモノリシック 128KX8 ビット電圧除去プログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89576 REV C-2007 シリコンモノリシック、1K x 16ランダムアクセスメモリを搭載したターミナルインターフェース、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94760 REV B-2008 デジタルメモリシングルシリコンチップマイクロ回路、相補型金属酸化物半導体構造、電気的に消去可能なプログラマブルロジックデバイスで構成
  • DLA SMD-5962-94762 REV B-2008 デジタルメモリシングルシリコンチップマイクロ回路、相補型金属酸化物半導体構造、電気的に消去可能なプログラマブルロジックデバイスで構成
  • DLA SMD-5962-89678 REV A-2001 シリコンモノリシック、メモリ付きクアドルプル 8 ビット多重化 D/A コンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90611 REV B-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 シリコンモノリシック、128K
  • DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 シリコンモノリシック、2K
  • DLA SMD-5962-90594 REV A-1995 シリコンモノリシックチップ、透過書き込みおよび独立した I/O アドレッシングを備えた 16K X 4 スタティック ランダム アクセス メモリ、デジタル メモリ マイクロ回路を搭載
  • DLA SMD-5962-92316 REV D-2006 シリコンモノリシック、独立した I/O アドレスを備えた 1M X 1 スタティック ランダム アクセス メモリ、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路を搭載
  • DLA SMD-5962-90664-1992 シリコンモノリシック、透過書き込みおよび独立した I/O アドレッシングを備えた 64K X 4 スタティック ランダム アクセス メモリ、デジタル メモリ マイクロ回路を搭載
  • DLA SMD-5962-93122-1993 シリコンモノリシック、2K
  • DLA SMD-5962-97517-1997 放射線耐性のあるデュアル相補型金属酸化物半導体、32K X 8-BIT プログラマブル読み取り専用メモリ シリコン モノリシック回路 デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97544-1997 耐放射線性デュアル相補型金属酸化膜半導体、8K X 8-BITプログラマブルランダムアクセスメモリ、シリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-78022 REV N-2005 シリコンモノリシック 2 キロバイト x 8 マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、チャネル金属酸化物半導体デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89790-1992 シリコンモノリシック、独立した I/O アドレッシング 4K × 4 スタティック ランダム アクセス メモリ、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路を搭載
  • DLA SMD-5962-96873 REV A-2006 耐放射線性相補型金属酸化物半導体、8K X 8-BIT プログラマブル読み取り専用メモリ、シリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96891 REV D-2006 耐放射線性相補型金属酸化物半導体 32K X 8-BIT プログラマブル読み取り専用メモリ、シリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-03250 REV B-2006 シリコンモノリシック 18,000 の独立したスタティック ランダム アクセス メモリ 40,000 ゲート、フィールド プログラマブル ゲート アレイ酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94599 REV B-2006 シリコンモノリシック、自己保存型 8K
  • DLA SMD-5962-89935 REV B-2007 シリコンモノリシック、独立した I/O アドレスを備えた 64K X 4 スタティック ランダム アクセス メモリ、高速酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路を搭載
  • DLA SMD-5962-96894-1996 相補型金属酸化膜半導体 3.3 ボルト 10 ビット連続制御およびカテゴリ 11 入力デジタルコンバータ、シリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路

Group Standards of the People's Republic of China, チップメモリ

  • T/CTS 11-2023 車載レコーダーのデータセキュリティチップの技術要件

Association for Information and Image Management (AIIM), チップメモリ

  • AIIM MS29-1992 マイクロカートグラフィー - マイクロフィルム記録装置のコアとシャフト

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, チップメモリ

  • GB/T 37908-2019 光学エリプソメトリーに基づくラベルフリープロテインチップ分析法の一般原理

Professional Standard - Agriculture, チップメモリ

  メモリ, メモリの定義, 形状記憶合金, 形状記憶, メモリストレージ, 瞬間記憶, 記憶消去、, チップチップ, 記憶を消去する, 記憶の分泌, プログラミングメモリ, 記憶消去, 長期記憶, 長期記憶 生涯記憶, 記憶法, 前世の記憶, 前世の記憶, レベルメモリ, チップメモリ, メモリチップ.

 



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