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レベルメモリ

レベルメモリは全部で 156 項標準に関連している。

レベルメモリ 国際標準分類において、これらの分類：集積回路、マイクロエレクトロニクス、 語彙、 グラフィックシンボル、 情報技術の応用、 非鉄金属製品、 金属材料試験、 非鉄金属、 電気および電子試験、 導体材料、 繊維製品、 データストレージデバイス、 非破壊検査、 繊維技術、 教育する、 人間工学、 発電所総合、 溶接、ロウ付け、低温溶接、 電気、磁気、電気および磁気測定、 粉末冶金、 合金鉄、 鉄鋼製品、 娯楽機器、 医療機器、 無線通信、 航空宇宙製造用の材料、 食品総合、 農林、 航空宇宙製造用部品。


Defense Logistics Agency, レベルメモリ

  • DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 スリーステート出力 8 ビット バス トランシーバー、TTL ショットキー高度な低電力デジタル メモリ マイクロ回路を備えたシリコン モノリシック チップ
  • DLA SMD-5962-02517 REV A-2004 デジタル メモリ CMOS マイクロ回路 128M X 8 BIT スタック モールド (1GBIT) 同期メモリ (メモリ) モジュール
  • DLA SMD-5962-02518-2003 デジタル メモリ CMOS マイクロ回路 256M X 8 BIT スタック モールド (2GBIT) 同期メモリ (メモリ) モジュール
  • DLA SMD-5962-89661-1989 シリコンモノリシック、カスケード可能な 64 X 9 先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89664 REV B-2007 シリコンモノリシック、カスケード可能な 64 X 8 先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89841 REV L-2008 マイクロ回路メモリ デジタル CMOS プログラマブル アレイ ロジック (EEPLD)
  • DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 シリコンモノリシックプログラマブルロジック、バイポーラデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96893 REV B-2003 チャンネル差動レシーバーシリコンモノリシックメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 スタティック ランダム アクセス メモリ 256K X 16 ビット ハイブリッド メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 シリコンモノリシックプログラマブルロジックバイポーラデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89839 REV F-2007 シリコンモノリシック、EEプログラマブルロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90573-1991 シリコンモノリシック、ECLプログラマブルロジック設定、バイポーラメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 シリコンモノリシックダイナミックメモリコントローラデュアル偏波デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94634-1995 シリコンモノリシック、8000ゲート構成可能なロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89823 REV H-2007 シリコンモノリシック、9000ゲートプログラマブルロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97631-1998 マイクロ回路、メモリ付き、CMOS、32K X 9 並列同期 FIFO、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-96892 REV B-2003 12ビットDCおよびACシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97610 REV B-2004 マイクロ回路、ハイブリッド型、メモリ付き、デジタル型、2M×16ビット、シングルシリコン

U.S. Military Regulations and Norms, レベルメモリ

RO-ASRO, レベルメモリ

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), レベルメモリ

International Electrotechnical Commission (IEC), レベルメモリ

British Standards Institution (BSI), レベルメモリ

  • BS ISO/IEC 11694-6:2006 ID カード、光メモリ カード、リニア記録方式、光メモリ カードでの生体認証の使用。
  • BS ISO/IEC 11694-6:2014 ID カード、光メモリ カード、リニア記録方式、光メモリ カードでの生体認証の使用。
  • BS ISO/IEC 11694-4:1997 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 論理データ構造
  • BS ISO/IEC 11694-3:2008 IDカード、光メモリカード、リニア記録方式、光の性質と特性
  • BS ISO/IEC 11694-3:2015 IDカード、光メモリカード、リニア記録方式、光の性質と特性
  • BS ISO 24497-1:2020 金属磁気メモリの非破壊検査 語彙および一般要件
  • BS ISO/IEC 11694-2:2012 IDカード 光学メモリカード リニア記録方式 アクセス可能な光エリアの寸法と位置
  • BS EN 4819:2012 航空宇宙シリーズ 航空機用コンタクトメモリマウスプラグ（CMB）ラベル

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), レベルメモリ

工业和信息化部, レベルメモリ

  • YS/T 1307.1-2019 ニッケルチタン形状記憶合金の記憶特性の試験方法 第1部：引張試験方法
  • YS/T 1307.2-2019 ニッケルチタン形状記憶合金の形状記憶性能試験方法その2：曲げ試験方法
  • YS/T 1136-2016 医療用ニッケルチタン形状記憶合金シームレスチューブ
  • JB/T 13468-2018 非破壊検査渦電流・磁気メモリ一体検査法

Professional Standard - Non-ferrous Metal, レベルメモリ

  • YS/T 971-2014 チタンニッケル形状記憶合金線
  • YS/T 1064-2015 ニッケルチタン形状記憶合金用語
  • YS/T 970-2014 ニッケルチタン形状記憶合金の相変態温度の測定方法
  • YS/T 969-2014 ニッケルチタン形状記憶合金線の定温引張試験方法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, レベルメモリ

  • GB/T 20296-2006 集積回路のニーモニックとシンボル
  • GB/T 20296-2012 集積回路のニーモニックとシンボル
  • GB/T 26641-2011 非破壊検査、磁気メモリ検査、一般原則
  • GB/T 12604.10-2011 非破壊検査用語 磁気メモリ検査
  • GB/T 17551-1998 識別カード光メモリカードの一般的な特性
  • GB/T 17550.1-1998 識別カード 光学式メモリカード リニア記録方式 Part 1; 物理的特性
  • GB/T 12604.10-2023 非破壊検査用語パート 10: 磁気メモリ検査
  • GB/T 17550.3-1998 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 パート 3; 光の性質と特性
  • GB/T 17550.4-2000 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 第4部：論理データ構造
  • GB/T 24627-2023 外科用インプラント用ニッケルチタン形状記憶合金加工材料
  • GB/T 5009.198-2003 貝類健忘症の原因となる貝毒ドウモイ酸の定量
  • GB/T 17550.2-1998 識別カード 光メモリカード リニア記録方式パート 2; アクセス可能な光エリアの寸法と位置

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, レベルメモリ

  • CNS 10322-1983 メモリデバイスのコアテスト方法
  • CNS 13939-1997 IDカード – 光学式メモリカード – 一般的な特性
  • CNS 13940-3-1997 ID カード – 光学式メモリ カード – リニア記録方式、パート 3: 光学的特性
  • CNS 13940.3-1997 ID カード – 光学式メモリ カード – リニア記録方式、パート 3: 光学的特性
  • CNS 13940-1-1997 ID カード - 光学式メモリ カード - リニア記録方式、パート 1: 物理的特性
  • CNS 13940.1-1997 ID カード - 光学式メモリ カード - リニア記録方式、パート 1: 物理的特性
  • CNS 13940.2-1997 ID カード – 光メモリ カード – リニア記録方式、パート 2: アクセス可能な光ゾーンのサイズと位置
  • CNS 13940-2-1997 ID カード – 光メモリ カード – リニア記録方式、パート 2: アクセス可能な光ゾーンのサイズと位置

Professional Standard - Textile, レベルメモリ

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, レベルメモリ

Association Francaise de Normalisation, レベルメモリ

CZ-CSN, レベルメモリ

  • CSN 01 3349-1989 回路図のグラフィックシンボル。 メモリユニット

International Organization for Standardization (ISO), レベルメモリ

  • ISO/IEC 11693:2000 識別カード光メモリカードの一般的な特性
  • ISO/IEC 11694-1:2000 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 パート 1: 物理的特性
  • ISO/IEC 11694-1:2005 ID カード、光学式メモリ カード、リニア記録方式、パート 1: 物理的特性
  • ISO/IEC 11694-1:2012 ID カード、光学式メモリ カード、リニア記録方式、パート 1: 物理的特性
  • ISO 24497-1:2007 非破壊検査、金属の磁気記憶、パート 1: 語彙
  • ISO/IEC 11694-3:2001 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 第3部：光の性質と特性
  • ISO/IEC 11694-4:2001 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 第4部：論理データ構造
  • ISO 24497-2:2020 非破壊検査 金属の磁気記憶 パート 2: 溶接継手の検査
  • ISO/IEC 11694-2:2000 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 パート 2: アクセス可能な光エリアの寸法と位置
  • ISO/IEC 11694-2:2005 ID カード 光学メモリ カード リニア記録方式 パート 2: アクセス可能な光エリアの寸法と位置

Group Standards of the People's Republic of China, レベルメモリ

  • T/QGCML 1174-2023 低反発マットレス製造技術仕様
  • T/HCPA 007-2023 効率的な記憶力インストラクターの専門スキル評価
  • T/GDAQI 011-2019 地上金属管の応力磁気記憶試験方法
  • T/CALAS 74-2019 実験動物マウスおよびラットの学習および記憶行動の実験仕様
  • T/CSBM 0015-2021 ニッケルチタン形状記憶合金骨プレートの形状回復能力試験方法

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, レベルメモリ

  • GJB 8518-2015 形状記憶合金ファスニングリングの仕様
  • GJB 8620-2015 ニッケルチタンニオブ形状記憶合金棒の仕様

U.S. Air Force, レベルメモリ

American Society for Testing and Materials (ASTM), レベルメモリ

Canadian Standards Association (CSA), レベルメモリ

  • CSA ISO/IEC 11694-6-06:2006 ID カードの光メモリ カードのリニア記録方式、パート 6: 光メモリ カードでの生体認証の使用、ISO/IEC 11694-6:2006
  • CSA ISO/IEC 11693-06:2006 識別カード光メモリカードの一般特性、ISO/IEC 11693:2005
  • CSA ISO/IEC 11694-1-06:2006 識別カード光メモリカードリニア記録方式パート 1: 物理的特性、ISO/IEC 11694-1:2005
  • CSA ISO/IEC 10373-5-06:2006 ID カードのテスト方法 パート 5: 光メモリ カード バージョン 2
  • CSA ISO/IEC-11694-3-02:2002 ID カード光メモリカードリニア記録方式パート 3: 光の特性と特性、iso/iec 11694-3:2001
  • CSA ISO/IEC-11694-4-02:2002 識別カード光メモリカードリニア記録方式パート 4: 論理データ構造、ISO/IEC 11694-4:2001

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, レベルメモリ

  • GJB 5913-2006 ニッケルチタンニオブ形状記憶合金棒の仕様

FI-SFS, レベルメモリ

  • SFS 5233-1986 パイプを取り付けます。 メモリ絶縁チューブの絶縁要件

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, レベルメモリ

  • JEDEC JESD21-C-1998 ソリッド ステート メモリ リリース コレクション ダイレクトビュー JEDEC、703.907.7559

RU-GOST R, レベルメモリ

  • GOST 21480-1976 人間と機械のシステム、メモリ、人間工学の一般要件
  • GOST 25492-1982 デジタル電子コンピュータ メモリ デバイス 用語と定義
  • GOST R 52081-2003 金属磁気メモリの非破壊検査方法の用語と定義

Professional Standard - Electricity, レベルメモリ

  • DL/T 370-2010 圧力機器の溶接継手の金属磁気メモリ検出

Professional Standard - Machinery, レベルメモリ

  • JB/T 11611-2013 非破壊検査装置 渦電流・磁気記憶総合検出器
  • JB/T 11605-2013 非破壊検査装置 金属磁気メモリ検出器の技術的条件
  • JB/T 11606-2013 非破壊検査装置 金属磁気メモリ検出器の性能試験方法

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, レベルメモリ

  • GS LIS 002-2013 ローカリゼーション業界標準 (LIS)、翻訳メモリ交換 (TMX) (V1.4.2)

(U.S.) Telecommunications Industries Association , レベルメモリ

  • TIA-136-005-C-2004 TDMA 第 3 世代ワイヤレス – 概要、識別、および半永久メモリ

European Telecommunications Standards Institute (ETSI), レベルメモリ

  • ETSI GS LIS 002-2013 ローカリゼーション業界標準 (LIS)、翻訳メモリ交換 (TMX) バージョン 1.4.2

Professional Standard - Commodity Inspection, レベルメモリ

国家药监局, レベルメモリ

  • YY/T 1771-2021 ニッケルチタン形状記憶合金の相転移温度を試験するための無曲げ回復法

  メモリ, メモリの定義, 形状記憶合金, 形状記憶, メモリストレージ, 瞬間記憶, 記憶消去、, 記憶を消去する, メモリーチャンネル, 記憶の分泌, プログラミングメモリ, 記憶消去, 長期記憶, 長期記憶 生涯記憶, 記憶法, 前世の記憶, 前世の記憶, 記憶の三次構造, レベルメモリ, チップメモリ.

 



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