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記憶の分泌

記憶の分泌は全部で 344 項標準に関連している。

記憶の分泌 国際標準分類において、これらの分類：語彙、 グラフィックシンボル、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 情報技術の応用、 非鉄金属製品、 金属材料試験、 非鉄金属、 電気および電子試験、 導体材料、 繊維製品、 データストレージデバイス、 非破壊検査、 繊維技術、 教育する、 検査医学、 人間工学、 発電所総合、 溶接、ロウ付け、低温溶接、 電気、磁気、電気および磁気測定、 粉末冶金、 合金鉄、 鉄鋼製品、 娯楽機器、 医療機器、 無線通信、 航空宇宙製造用の材料、 食品総合、 農林、 航空宇宙製造用部品、 地上サービスおよび修理設備、 化学製品、 包括的なテスト条件と手順、 製造成形工程、 オーディオ、ビデオ、およびオーディオビジュアル エンジニアリング、 航空機と宇宙船の統合、 写真撮影のスキル、 文字セットとメッセージエンコーディング。


U.S. Military Regulations and Norms, 記憶の分泌

RO-ASRO, 記憶の分泌

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 記憶の分泌

International Electrotechnical Commission (IEC), 記憶の分泌

British Standards Institution (BSI), 記憶の分泌

  • BS ISO/IEC 11694-6:2006 ID カード、光メモリ カード、リニア記録方式、光メモリ カードでの生体認証の使用。
  • BS ISO/IEC 11694-6:2014 ID カード、光メモリ カード、リニア記録方式、光メモリ カードでの生体認証の使用。
  • BS ISO/IEC 11694-4:1997 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 論理データ構造
  • BS ISO/IEC 11694-3:2008 IDカード、光メモリカード、リニア記録方式、光の性質と特性
  • BS ISO/IEC 11694-3:2015 IDカード、光メモリカード、リニア記録方式、光の性質と特性
  • BS ISO 24497-1:2020 金属磁気メモリの非破壊検査 語彙および一般要件
  • BS ISO/IEC 11694-2:2012 IDカード 光学メモリカード リニア記録方式 アクセス可能な光エリアの寸法と位置
  • BS EN 4819:2012 航空宇宙シリーズ 航空機用コンタクトメモリマウスプラグ（CMB）ラベル
  • BS ISO/IEC 11694-5:2014 識別カード 光学メモリカード リニア記録方式 情報交換およびアプリケーション用の ISO/IEC 11694-4 標準データ形式
  • BS ISO/IEC 11694-5:2006 ID カード 光学式メモリ カード リニア記録方式 ISO/IEC 11694-4 規格を使用した情報交換と適用、付録 B のデータ形式
  • 18/30358882 DC BS ISO 24497-2 金属の磁気記憶の非破壊検査パート 2 溶接継手の検査
  • 18/30358879 DC BS ISO 24497-1 金属の磁気メモリの非破壊検査パート 1: 語彙および一般要件
  • BS ISO/IEC 15962:2013 情報技術、プロジェクト管理のための無線周波数識別 (RFID)、データ プロトコル: データ エンコーディング ルールと論理メモリ機能

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 記憶の分泌

  • JIS H 7107:2003 チタンニッケルプロファイル形状記憶合金ワイヤー
  • JIS H 7001:2009 形状記憶合金の用語集
  • JIS H 7001:2002 形状記憶合金の用語解説
  • JIS H 7101:2002 形状記憶合金の相変態温度の測定方法
  • JIS H 7107:2009 チタン - ニッケル形状記憶合金ワイヤー、ストリップおよびチューブ
  • JIS H 7105:1993 形状記憶合金コイルばねの定ひずみ試験方法
  • JIS H 7105:2002 形状記憶合金コイルばねの定ひずみ試験方法
  • JIS H 7104:2002 形状記憶合金コイルばねの恒温荷重試験方法
  • JIS H 7105:2012 形状記憶合金コイルばねの定ひずみ試験方法
  • JIS H 7103:2002 Ti-Ni形状記憶合金線の定温引張試験方法
  • JIS H 7103:2012 Ti-Ni形状記憶合金線の定温引張試験方法
  • JIS H 7106:1993 形状記憶合金コイルばねの定ひずみ熱サイクル試験方法
  • JIS H 7106:2002 形状記憶合金コイルばねの定ひずみ熱サイクル試験方法

Defense Logistics Agency, 記憶の分泌

  • DLA SMD-5962-02517 REV A-2004 デジタル メモリ CMOS マイクロ回路 128M X 8 BIT スタック モールド (1GBIT) 同期メモリ (メモリ) モジュール
  • DLA SMD-5962-02518-2003 デジタル メモリ CMOS マイクロ回路 256M X 8 BIT スタック モールド (2GBIT) 同期メモリ (メモリ) モジュール
  • DLA SMD-5962-89841 REV L-2008 マイクロ回路メモリ デジタル CMOS プログラマブル アレイ ロジック (EEPLD)
  • DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 シリコンモノリシックプログラマブルロジック、バイポーラデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96893 REV B-2003 チャンネル差動レシーバーシリコンモノリシックメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 スタティック ランダム アクセス メモリ 256K X 16 ビット ハイブリッド メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 シリコンモノリシックプログラマブルロジックバイポーラデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89839 REV F-2007 シリコンモノリシック、EEプログラマブルロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90573-1991 シリコンモノリシック、ECLプログラマブルロジック設定、バイポーラメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 シリコンモノリシックダイナミックメモリコントローラデュアル偏波デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94634-1995 シリコンモノリシック、8000ゲート構成可能なロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89823 REV H-2007 シリコンモノリシック、9000ゲートプログラマブルロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97631-1998 マイクロ回路、メモリ付き、CMOS、32K X 9 並列同期 FIFO、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-96892 REV B-2003 12ビットDCおよびACシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97610 REV B-2004 マイクロ回路、ハイブリッド型、メモリ付き、デジタル型、2M×16ビット、シングルシリコン
  • DLA SMD-5962-92338-1993 シリコンモノリシック、ワンタイムプログラマブルロジック設定、BICMOSデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-98586 REV A-2001 マイクロ回路、メモリ付き、デジタルタイプ、BICMOS、512X8ビットユーザーパッチROM、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-94763 REV B-2008 モノリシック超小型回路メモリ デジタル CMOS 電気的に消去可能なプログラマブル ロジック デバイス
  • DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 シリコンモノリシック64ビットバイポーラランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94537-1994 シリコンモノリシック、8ビットメモリ処理ユニット、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89855 REV A-1992 シリコンモノリシック、同期記録およびリアルタイムプログラマブルロジック設定、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-81015 REV C-2006 シリコンモノリシック 16 キロビットダイナミックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84132 REV C-2005 シリコンモノリシック 16 キロバイトのスタティック ランダム アクセス メモリ、デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93008-1994 シリコンモノリシック、16K X 9 FIFO、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93091 REV D-2005 512K X 8 ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、メモリハイブリッドマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 シリコンモノリシック、32K X 9 FIFO、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88776 REV C-2004 シリコンモノリシック8ビットフラッシュメモリアナログデジタルコンバータリニアハイブリッドマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-98509 REV A-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル CMOS、28000 ゲート プログラマブル ロジック デバイス、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-98510 REV B-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル CMOS、36000 ゲート プログラマブル ロジック デバイス、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-98511 REV A-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル CMOS、62000 ゲート プログラマブル ロジック デバイス、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-98579-1999 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、10000 ゲート、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-96795 REV C-2004 256K × 16 スタティックランダムメモリレジスタシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 4M X 1ダイナミックランダムアクセスメモリシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 シリコンモノリシック、2K X 9 FIFO酸化物半導体、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 シリコンモノリシック、4K x 9 先入れ先出し酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94549 REV D-2006 シリコンモノリシック、256K X 16 マルチポートビデオランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94567-1996 シリコンモノリシック、X 9 時間制御先入れ先出し酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 シリコンモノリシック、EEプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89892 REV B-2007 シリコンモノリシックチップ、OE16K X 4スタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路を搭載
  • DLA SMD-5962-93154 REV A-2005 128K X 8 ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、メモリハイブリッドマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93155 REV B-2005 256K X 8 ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、メモリハイブリッドマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-99514 REV B-2006 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、1-MEG X1-BIT シリーズ コンフィギュレーション プログラム、シングル シリコン
  • DLA SMD-5962-99527 REV A-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、20,000 ゲート、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-99569 REV C-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、16000 ゲート、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-99585 REV A-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、36000 ゲート、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-99586 REV C-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、32000 ゲート、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-82005 REV E-2005 シリコンモノリシック 65536 (8KX8) マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82009 REV K-2005 シリコンモノリシック 64 キロビット プログラマブル読み取り専用メモリ、バイポーラ デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-01529 REV A-2007 モノリシック シリコン デジタル メモリ マイクロ回路 CMOS 16K X 1 スタティック ランダム アクセス メモリ (SRAM)
  • DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 シリコンモノリシック、4K×9並列同期FIFO、酸化物半導体メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 シリコンモノリシック、ワンタイムプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 シリコンモノリシック、プログラマブルロジックアレイ、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 シリコンモノリシック、5000ゲートプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 シリコンモノリシック、10,000ゲートプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92344-1993 シリコンモノリシック、8K X 8 再構成可能なスタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93124 REV B-2005 シリコンモノリシック、2K X 9 パラレル先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93138 REV C-2001 シリコンモノリシック、1K X 8 並列同期先入れ先出し酸化物半導体メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93173-1993 シリコンモノリシック、512 X 9 パラレル先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93177 REV E-2003 シリコンモノリシック、16K X 9 パラレル先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96840 REV A-2005 X 32K X 40 スタティック メモリ マルチチップ コンポーネント シリコン モノリシック回路 デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 シリコンモノリシック 128 X 8 ビットランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94573 REV B-1996 シリコンモノリシック、分布統計学者/蓄積バッファ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 シリコンモノリシック、8ビットTTL/BTL登録トランシーバー、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94585 REV J-2003 128K X 32 ビット電気的に消去可能/プログラム可能な読み取り専用メモリ、デジタル メモリ ハイブリッドマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94614 REV E-2003 32K X 32 ビット電気的に消去可能/プログラム可能な読み取り専用メモリ、デジタル メモリ ハイブリッドマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92324 REV B-2006 シリコンモノリシック、8K X 8 不揮発性スタティックランダムアクセスメモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K×8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体メモリハイブリッドマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 シリコンモノリシック、消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93221 REV A-2007 シリコンモノリシック、4000ゲートフィールドプログラムロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93235 REV A-2005 シリコンモノリシック、256K X 8ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96796 REV D-2007 128K
  • DLA SMD-5962-96901 REV D-2004 512K X 16 ビットのスタティック メモリと消去可能プログラマブル読み取り専用メモリのハイブリッド メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97597 REV A-2002 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル CMOS、電気的に変更可能な高速プログラミング ロジック デバイス、単一のシリコン
  • DLA SMD-5962-97599 REV A-2002 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル CMOS、電気的に変更可能な高速プログラミング ロジック デバイス、単一のシリコン
  • DLA SMD-5962-97609 REV A-2003 マイクロ回路、メモリ付き、デジタルタイプ、フラッシュ消去可能プログラマブルROM、2M X 8ビット、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-03202-2003 シリコンモノリシック 1024 x 8 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-03203-2003 シリコンモノリシック 1048 x 8 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89661-1989 シリコンモノリシック、カスケード可能な 64 X 9 先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89664 REV B-2007 シリコンモノリシック、カスケード可能な 64 X 8 先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 シリコンモノリシック、2K X 9パラレルFIFO、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 シリコンモノリシック、4K X 9パラレルFIFO、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 シリコンモノリシック 256 × 4 スタティックメモリリセットチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 シリコンモノリシック、電気的に消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93189 REV C-1995 シリコンモノリシック、4K×18並列同期先入れ先出し、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93249 REV B-2006 シリコンモノリシック、512 X 9 並列同期先入れ先出し、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-80012 REV H-2005 シリコンモノリシック 8 キロバイト x 8 マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82008 REV K-2005 シリコンモノリシック 32 キロビットプログラマブル読み取り専用メモリ、ショットキーバイポーラデジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-78016 REV G-2005 シリコンモノリシック 8 キロバイト x 8 マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89666 REV C-2007 シリコンモノリシック、256 X 9 パラレル先入れ先出し、酸化物半導体高速デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリハイブリッドマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 シリコンモノリシック、2K X 8 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 シリコンモノリシック、8K×8スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 シリコンモノリシック、16K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 シリコンモノリシック、16K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 シリコンモノリシック、16K X 4BITS スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89863 REV A-2006 シリコンモノリシック、512 X 9 FIFO シリーズ、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 シリコンモノリシック、8K × 9 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 シリコンモノリシック、OE およびデュアル CE16K X 4 スタティック ランダム アクセス メモリ、デジタル メモリマイクロ回路を搭載
  • DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 シリコンモノリシック、4M X 1ダイナミックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 シリコンモノリシック、4M x 4ダイナミックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93225-1994 シリコンモノリシック、64K × 4 スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 シリコンモノリシック、電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82025 REV H-2005 シリコンモノリシック 16k x 8 マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 シリコンモノリシック、16キロビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84111 REV E-2004 シリコンモノリシック 262,144 ビット (32K X 8) マイクロボルト消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 シリコンモノリシックチップ、バスコントローラ、リモートターミナルおよびディスプレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92172-1993 シリコンモノリシック、独立した I/O アドレス 16K × 4 スタティック ランダム アクセス メモリ、BICMOS デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体メモリハイブリッドおよびモノリシックマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-98644 REV A-2006 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル CMOS、SOI、耐放射線性、32K X 8 ビット プログラマブル パッチ ROM、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-97522 REV A-2002 デュアル相補型金属酸化膜半導体、プログラマブルロジックアレイシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97523 REV A-2002 デュアル相補型金属酸化膜半導体、プログラマブルロジックアレイシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97524 REV A-2002 デュアル相補型金属酸化膜半導体、プログラマブルロジックアレイシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97525 REV A-2002 デュアル相補型金属酸化膜半導体、プログラマブルロジックアレイシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 シリコンモノリシック8KX8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 シリコンモノリシック 256 × 4 スタティックメモリリセット相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90555 REV B-2006 シリコンモノリシック、非同期ワンタイムプログラマブルロジック構成、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 シリコンモノリシック、2K X 8 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジック設定、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 シリコンモノリシック、4K × 9 デュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-99541 REV A-2005 マイクロ回路、メモリ付き、デジタルタイプ、耐放射線性CMOS、256K X8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、単一シリコン
  • DLA SMD-5962-96836 REV A-2002 相補型金属酸化膜半導体プログラマブルANDゲート配置2000ゲートシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96837-2000 相補型金属酸化物半導体プログラマブルANDゲート配置8000ゲートシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 シリコンモノリシック16キロビットスタティックランダムアクセスメモリ、金属酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89598 REV R-2006 シリコンモノリシック、低電力 128K X 8 スタティック ランダム アクセス メモリ、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-94588-1995 シリコンモノリシック、プログラマブル信号を備えた 32K x 9 FIFO、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93056 REV B-2006 シリコンモノリシック、8K X 8再構成可能スタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93123-1993 シリコンモノリシック、2K X 16 ステートマシンプログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93248-1993 シリコンモノリシック、電圧UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-98537 REV C-2006 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、耐放射線性、CMOS/SOI、128K X 8 SRAM、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 相補型金属酸化膜半導体、128K×8スタティックランダムアクセスメモリ、シリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 シリコンモノリシック 65536 X 1 ビットダイナミックランダムアクセスメモリ、金属酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-03235 REV A-2004 512KX 8 ビット シリコン モノリシック耐放射線性スタティック ランダム アクセス メモリ酸化物半導体デジタル メモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 シリコンモノリシック、512 X 8ビットシリーズ電気的に消去可能な読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 シリコンモノリシック、2048 X 8 シリーズ電気的に消去可能な読み取り専用メモリ、酸化物半導体高速デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89951-1990 シリコンモノリシック、256 X 4ビット不揮発性ランダムアクセスメモリ、金属酸化膜半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 シリコンモノリシック、登録済み 8K X 8 ビットプログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 スリーステート出力 8 ビット バス トランシーバー、TTL ショットキー高度な低電力デジタル メモリ マイクロ回路を備えたシリコン モノリシック チップ
  • DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 シリコンモノリシック、1K×16ランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路を搭載したフォーチュンターミナル
  • DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 シリコンモノリシック、1MX 8 電気的に消去可能なプログラマブルランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 シリコンモノリシック、32K X 8ビット電力変換プログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-93245-1993 シリコンモノリシック、拡張電圧 UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-98615 REV A-2006 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、耐放射線性 CMOS、低電圧、128K X 8 ビット SRAM、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-99572 REV A-2003 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、電気的にプログラム可能 (再プログラム可能システム)、32970 ゲート プログラマブル ロジック デバイス、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-99573 REV A-2003 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、電気的にプログラム可能 (再プログラム可能システム)、66111 ゲート プログラマブル ロジック デバイス、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-99574 REV A-2003 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、電気的に変更可能 (再プログラム可能システム)、1124002 ゲート プログラマブル ロジック デバイス、単一シリコン

工业和信息化部, 記憶の分泌

  • YS/T 1307.1-2019 ニッケルチタン形状記憶合金の記憶特性の試験方法 第1部：引張試験方法
  • YS/T 1307.2-2019 ニッケルチタン形状記憶合金の形状記憶性能試験方法その2：曲げ試験方法
  • YS/T 1136-2016 医療用ニッケルチタン形状記憶合金シームレスチューブ
  • JB/T 13468-2018 非破壊検査渦電流・磁気メモリ一体検査法

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 記憶の分泌

  • YS/T 971-2014 チタンニッケル形状記憶合金線
  • YS/T 1064-2015 ニッケルチタン形状記憶合金用語
  • YS/T 970-2014 ニッケルチタン形状記憶合金の相変態温度の測定方法
  • YS/T 969-2014 ニッケルチタン形状記憶合金線の定温引張試験方法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 記憶の分泌

  • GB/T 20296-2006 集積回路のニーモニックとシンボル
  • GB/T 20296-2012 集積回路のニーモニックとシンボル
  • GB/T 26641-2011 非破壊検査、磁気メモリ検査、一般原則
  • GB/T 12604.10-2011 非破壊検査用語 磁気メモリ検査
  • GB/T 17551-1998 識別カード光メモリカードの一般的な特性
  • GB/T 17550.1-1998 識別カード 光学式メモリカード リニア記録方式 Part 1; 物理的特性
  • GB/T 12604.10-2023 非破壊検査用語パート 10: 磁気メモリ検査
  • GB/T 17550.3-1998 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 パート 3; 光の性質と特性
  • GB/T 17550.4-2000 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 第4部：論理データ構造
  • GB/T 24627-2023 外科用インプラント用ニッケルチタン形状記憶合金加工材料
  • GB/T 5009.198-2003 貝類健忘症の原因となる貝毒ドウモイ酸の定量
  • GB/T 17550.2-1998 識別カード 光メモリカード リニア記録方式パート 2; アクセス可能な光エリアの寸法と位置
  • GB 24627-2009 医療機器および外科インプラント用のニッケルチタン形状記憶合金加工材料
  • GB/T 42516-2023 高温形状記憶合金の化学分析法 白金含有量の定量 チオ尿素錯体析出法

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 記憶の分泌

  • CNS 10322-1983 メモリデバイスのコアテスト方法
  • CNS 13939-1997 IDカード – 光学式メモリカード – 一般的な特性
  • CNS 13940-3-1997 ID カード – 光学式メモリ カード – リニア記録方式、パート 3: 光学的特性
  • CNS 13940.3-1997 ID カード – 光学式メモリ カード – リニア記録方式、パート 3: 光学的特性
  • CNS 13940-1-1997 ID カード - 光学式メモリ カード - リニア記録方式、パート 1: 物理的特性
  • CNS 13940.1-1997 ID カード - 光学式メモリ カード - リニア記録方式、パート 1: 物理的特性
  • CNS 13940.2-1997 ID カード – 光メモリ カード – リニア記録方式、パート 2: アクセス可能な光ゾーンのサイズと位置
  • CNS 13940-2-1997 ID カード – 光メモリ カード – リニア記録方式、パート 2: アクセス可能な光ゾーンのサイズと位置

Professional Standard - Textile, 記憶の分泌

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 記憶の分泌

Association Francaise de Normalisation, 記憶の分泌

CZ-CSN, 記憶の分泌

  • CSN 01 3349-1989 回路図のグラフィックシンボル。 メモリユニット

International Organization for Standardization (ISO), 記憶の分泌

  • ISO/IEC 11693:2000 識別カード光メモリカードの一般的な特性
  • ISO/IEC 11694-1:2000 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 パート 1: 物理的特性
  • ISO/IEC 11694-1:2005 ID カード、光学式メモリ カード、リニア記録方式、パート 1: 物理的特性
  • ISO/IEC 11694-1:2012 ID カード、光学式メモリ カード、リニア記録方式、パート 1: 物理的特性
  • ISO 24497-1:2007 非破壊検査、金属の磁気記憶、パート 1: 語彙
  • ISO/IEC 11694-3:2001 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 第3部：光の性質と特性
  • ISO/IEC 11694-4:2001 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 第4部：論理データ構造
  • ISO 24497-2:2020 非破壊検査 金属の磁気記憶 パート 2: 溶接継手の検査
  • ISO/IEC 11694-2:2000 識別カード 光メモリカード リニア記録方式 パート 2: アクセス可能な光エリアの寸法と位置
  • ISO/IEC 11694-2:2005 ID カード 光学メモリ カード リニア記録方式 パート 2: アクセス可能な光エリアの寸法と位置

Group Standards of the People's Republic of China, 記憶の分泌

  • T/QGCML 1174-2023 低反発マットレス製造技術仕様
  • T/HCPA 007-2023 効率的な記憶力インストラクターの専門スキル評価
  • T/GDAQI 011-2019 地上金属管の応力磁気記憶試験方法
  • T/CALAS 74-2019 実験動物マウスおよびラットの学習および記憶行動の実験仕様
  • T/CSBM 0015-2021 ニッケルチタン形状記憶合金骨プレートの形状回復能力試験方法
  • T/CSBM 0017-2021 ニッケルチタン形状記憶合金心臓閉塞体の形状回復性能の評価方法
  • T/CSBM 0016-2021 ニッケルチタン形状記憶合金骨インプラントからのニッケルイオン放出の in vitro 試験方法
  • T/GAMA 19-2021 積層造形ポリマー材料の形状記憶性能の試験方法 曲げ試験方法
  • T/GAMA 20-2021 積層造形ポリマー材料の形状記憶駆動法 UV光熱駆動法
  • T/SDAS 639-2023 ニッケルチタン形状記憶合金整形外科用インプラントの積層造形のための材料とプロセス要件
  • T/CSBM 0018-2021 ニッケルチタン形状記憶合金自己拡張型血管ステントの形状回復性試験方法

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 記憶の分泌

  • GJB 8518-2015 形状記憶合金ファスニングリングの仕様
  • GJB 8620-2015 ニッケルチタンニオブ形状記憶合金棒の仕様

U.S. Air Force, 記憶の分泌

American Society for Testing and Materials (ASTM), 記憶の分泌

  • ASTM F2005-05 ニッケルチタン系形状記憶合金の標準用語
  • ASTM F2005-00 ニッケルチタン形状記憶合金の標準用語
  • ASTM F2005-05(2010) ニッケルチタン形状記憶合金の標準用語
  • ASTM F2005-05(2015) ニッケル - チタン形状記憶合金の標準用語
  • ASTM F2005-21 ニッケル - チタン形状記憶合金の標準用語
  • ASTM E3097-23 形状記憶合金の一軸定荷重熱サイクルの標準試験方法
  • ASTM F2063-05 医療機器および外科用インプラント用鍛造ニチノール形状記憶合金の標準仕様
  • ASTM F2063-00 医療機器および外科用インプラント用鍛造ニチノール形状記憶合金の標準仕様
  • ASTM E3097-17 形状記憶合金の機械的一軸定荷重熱サイクルの標準試験方法
  • ASTM E3414-23 円筒形状記憶合金試験片の定トルク熱サイクルの標準試験方法
  • ASTM F2063-18 医療機器および外科用インプラントに使用される変形ニッケルチタン形状記憶合金の標準仕様
  • ASTM F2063-12 医療機器および外科用インプラントに使用される鍛造ニッケルチタン形状記憶合金の標準仕様
  • ASTM E3098-17 形状記憶合金の機械的一軸予ひずみおよび熱回復の標準試験方法
  • ASTM F2633-07 医療機器および外科用インプラント用の可鍛性シームレスニッケルチタン形状記憶合金チューブの標準仕様
  • ASTM F2633-13 医療機器および外科インプラント用の鍛造シームレスニッケルチタン形状記憶合金チューブの標準仕様
  • ASTM F2082-01 曲げおよび自由回復によるニッケルチタン形状記憶合金の変態温度を決定するための標準試験方法
  • ASTM F2082-15 曲げおよび自由回復によるニッケルチタン形状記憶合金の変態温度を決定するための標準試験方法
  • ASTM F2082/F2082M-16 曲げおよび自由回復によるニッケルチタン形状記憶合金の変形温度を決定するための標準試験方法
  • ASTM F2082/F2082M-23 曲げおよび自由回復法によるニッケルチタン形状記憶合金の変態温度を決定するための標準試験方法
  • ASTM F2082-03 曲げおよびフリーリサイクルによるニッケルチタン形状記憶合金の変態温度を決定するための標準試験方法
  • ASTM F2633-19 医療機器および外科用インプラントに使用される、鍛造シームレスニッケルチタン形状記憶合金チューブの標準仕様
  • ASTM F2082-06 曲げ試験および自由回復試験によるニッケルチタン形状記憶合金の変態温度を決定するための標準試験方法

Canadian Standards Association (CSA), 記憶の分泌

  • CSA ISO/IEC 11694-6-06:2006 ID カードの光メモリ カードのリニア記録方式、パート 6: 光メモリ カードでの生体認証の使用、ISO/IEC 11694-6:2006
  • CSA ISO/IEC 11693-06:2006 識別カード光メモリカードの一般特性、ISO/IEC 11693:2005
  • CSA ISO/IEC 11694-1-06:2006 識別カード光メモリカードリニア記録方式パート 1: 物理的特性、ISO/IEC 11694-1:2005
  • CSA ISO/IEC 10373-5-06:2006 ID カードのテスト方法 パート 5: 光メモリ カード バージョン 2
  • CSA ISO/IEC-11694-3-02:2002 ID カード光メモリカードリニア記録方式パート 3: 光の特性と特性、iso/iec 11694-3:2001
  • CSA ISO/IEC-11694-4-02:2002 識別カード光メモリカードリニア記録方式パート 4: 論理データ構造、ISO/IEC 11694-4:2001
  • CSA ISO/IEC 11694-2-06:2006 ID カードの光メモリ カードのリニア記録方式 パート 2: アクセス可能な光領域の寸法と位置、ISO/IEC 11694-2:2005

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, 記憶の分泌

  • GJB 5913-2006 ニッケルチタンニオブ形状記憶合金棒の仕様

FI-SFS, 記憶の分泌

  • SFS 5233-1986 パイプを取り付けます。 メモリ絶縁チューブの絶縁要件

Professional Standard - Medicine, 記憶の分泌

  • YY/T 1516-2017 プロラクチン定量標識イムノアッセイキット

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 記憶の分泌

  • JEDEC JESD21-C-1998 ソリッド ステート メモリ リリース コレクション ダイレクトビュー JEDEC、703.907.7559

RU-GOST R, 記憶の分泌

  • GOST 21480-1976 人間と機械のシステム、メモリ、人間工学の一般要件
  • GOST 25492-1982 デジタル電子コンピュータ メモリ デバイス 用語と定義
  • GOST R 52081-2003 金属磁気メモリの非破壊検査方法の用語と定義

Professional Standard - Electricity, 記憶の分泌

  • DL/T 370-2010 圧力機器の溶接継手の金属磁気メモリ検出
  • DL/T 1105.4-2009 発電所ボイラーヘッダーの小径ノズルシートのすみ肉溶接部の非破壊検査に関する技術ガイドライン パート 4: 磁気メモリ検査
  • DL/T 1105.4-2010 発電所ボイラーヘッダーの小径ノズルシートのすみ肉溶接部の非破壊検査に関する技術ガイドライン パート 4: 磁気メモリ検査

Professional Standard - Machinery, 記憶の分泌

  • JB/T 11611-2013 非破壊検査装置 渦電流・磁気記憶総合検出器
  • JB/T 11605-2013 非破壊検査装置 金属磁気メモリ検出器の技術的条件
  • JB/T 11606-2013 非破壊検査装置 金属磁気メモリ検出器の性能試験方法

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, 記憶の分泌

  • GS LIS 002-2013 ローカリゼーション業界標準 (LIS)、翻訳メモリ交換 (TMX) (V1.4.2)

(U.S.) Telecommunications Industries Association , 記憶の分泌

  • TIA-136-005-C-2004 TDMA 第 3 世代ワイヤレス – 概要、識別、および半永久メモリ

European Telecommunications Standards Institute (ETSI), 記憶の分泌

  • ETSI GS LIS 002-2013 ローカリゼーション業界標準 (LIS)、翻訳メモリ交換 (TMX) バージョン 1.4.2

Professional Standard - Commodity Inspection, 記憶の分泌

国家药监局, 記憶の分泌

  • YY/T 1771-2021 ニッケルチタン形状記憶合金の相転移温度を試験するための無曲げ回復法

Lithuanian Standards Office , 記憶の分泌

  • LST EN 4819-2012 Aerospace シリーズ航空機用コンタクト メモリ ボタン (CMB) タグ

Danish Standards Foundation, 記憶の分泌

  • DS/EN 4819:2012 Aerospace シリーズ航空機用コンタクト メモリ ボタン (CMB) タグ

CEN - European Committee for Standardization, 記憶の分泌

  • EN 4819:2012 Aerospace シリーズ航空機用コンタクト メモリ ボタン (CMB) タグ

German Institute for Standardization, 記憶の分泌

  • DIN EN 4819:2012-09 Aerospace シリーズ航空機用コンタクト メモリ ボタン (CMB) タグ
  • DIN EN 4819:2012 航空宇宙シリーズ、航空機用のコンタクト メモリ ボタン (CMB) ラベル、ドイツ語版および英語版 EN 4819-2012

ES-UNE, 記憶の分泌

  • UNE-EN 4819:2012 Aerospace シリーズ航空機用コンタクト メモリ ボタン (CMB) タグ

United States Navy, 記憶の分泌

GOSTR, 記憶の分泌

Aerospace, Security and Defence Industries Association of Europe (ASD), 記憶の分泌

  • ASD-STAN PREN 4819-2011 Aerospace シリーズ航空機用コンタクト メモリ ボタン (CMB) ラベル (Rev. P 1)

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization, 記憶の分泌

  • PREN 4819-2011 Aerospace シリーズ航空機用コンタクト メモリ ボタン (CMB) ラベル (Rev. P 1)

Standard Association of Australia （SAA）, 記憶の分泌

  • AS ISO/IEC 15962:2006 情報技術。 商品管理のための無線周波数識別 (RFID)。 データ プログラム: データ エンコーディング ルールと論理メモリ関数

Professional Standard - Energy, 記憶の分泌

  • DL/T 1105.4-2020 発電所ボイラーヘッダーの小径ノズルシートのすみ肉溶接部の非破壊検査に関する技術ガイドライン 第 4 部：磁気記憶試験

Professional Standard - Agriculture, 記憶の分泌

  メモリ, メモリの定義, 形状記憶合金, 形状記憶, メモリストレージ, 瞬間記憶, 記憶消去、, 記憶を消去する, メモリーチャンネル, 記憶保持, 記憶の分泌, プログラミングメモリ, 記憶消去, 長期記憶, 長期記憶 生涯記憶, 記憶法, 前世の記憶, 前世の記憶, レベルメモリ, チップメモリ.

 



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