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記憶消去

記憶消去は全部で 12 項標準に関連している。

記憶消去 国際標準分類において、これらの分類：集積回路、マイクロエレクトロニクス。

Defense Logistics Agency, 記憶消去

• DLA SMD-5962-97609 REV A-2003 マイクロ回路、メモリ付き、デジタルタイプ、フラッシュ消去可能プログラマブルROM、2M X 8ビット、単一シリコン
• DLA SMD-5962-93091 REV D-2005 512K X 8 ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、メモリハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93154 REV A-2005 128K X 8 ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、メモリハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93155 REV B-2005 256K X 8 ビット電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、メモリハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94585 REV J-2003 128K X 32 ビット電気的に消去可能/プログラム可能な読み取り専用メモリ、デジタル メモリ ハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94614 REV E-2003 32K X 32 ビット電気的に消去可能/プログラム可能な読み取り専用メモリ、デジタル メモリ ハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 シリコンモノリシック、消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 シリコンモノリシック、電気的に消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93248-1993 シリコンモノリシック、電圧UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 シリコンモノリシック、512 X 8ビットシリーズ電気的に消去可能な読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 シリコンモノリシック、2048 X 8 シリーズ電気的に消去可能な読み取り専用メモリ、酸化物半導体高速デジタルメモリマイクロ回路

その他：   メモリ, メモリの定義, 形状記憶合金, 形状記憶, メモリストレージ, 瞬間記憶, 記憶消去、, 記憶を消去する, メモリーチャンネル, 記憶保持, 記憶の分泌, プログラミングメモリ, 記憶消去, 長期記憶, 長期記憶 生涯記憶, 記憶法, 前世の記憶, 前世の記憶, レベルメモリ, チップメモリ.