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マイクロエレクトロニクス

マイクロエレクトロニクスは全部で 246 項標準に関連している。

マイクロエレクトロニクス 国際標準分類において、これらの分類：金属材料試験、 石油およびガス産業の機器、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 機械的試験、 半導体ディスクリートデバイス、 電気および電子試験、 鉄道建設、 非鉄金属、 非鉄金属製品、 光学機器、 電子管、 電子および通信機器用の電気機械部品、 非破壊検査、 分析化学、 航空宇宙製造用の材料、 医療科学とヘルスケア機器の統合、 エレクトロニクス、 バルブ、 電子機器、 電子機器用機械部品、 液体貯蔵装置、 総合電子部品、 空気の質、 光学および光学測定、 電気工学総合、 微生物学、 語彙、 長さと角度の測定、 計測学と測定の総合。


SE-SIS, マイクロエレクトロニクス

CZ-CSN, マイクロエレクトロニクス

  • CSN 35 8009-1988 マイクロエレクトロニクス技術システム。 用語

U.S. Military Regulations and Norms, マイクロエレクトロニクス

Chongqing Provincial Standard of the People's Republic of China, マイクロエレクトロニクス

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, マイクロエレクトロニクス

  • CNS 13724-1996 マイクロエレクトロニクスボンディングワイヤ引張試験方法
  • CNS 12865.6-1991 デジタルマイクロエレクトロニクスの検査方法（端子容量値）
  • CNS 12865-6-1991 デジタルマイクロエレクトロニクスの検査方法（端子容量値）
  • CNS 12865.10-1992 デジタルマイクロエレクトロニクス検査法（機能試験）
  • CNS 12865-9-1991 デジタルマイクロエレクトロニクスの検査方法（遅延測定）
  • CNS 12865.8-1991 デジタルマイクロエレクトロニクスの検査方法（負荷条件）
  • CNS 12865-8-1991 デジタルマイクロエレクトロニクスの検査方法（負荷条件）
  • CNS 12865-10-1992 デジタルマイクロエレクトロニクス検査法（機能試験）
  • CNS 12865.9-1991 デジタルマイクロエレクトロニクスの検査方法（遅延測定）
  • CNS 12865.7-1991 デジタルマイクロエレクトロニクス検査法（駆動源、動的）
  • CNS 12865-7-1991 デジタルマイクロエレクトロニクス検査法（駆動源、動的）
  • CNS 12865.11-2005 デジタルマイクロエレクトロニクス測定法（ノイズマージン測定）
  • CNS 12865-11-2005 デジタルマイクロエレクトロニクス測定法（ノイズマージン測定）
  • CNS 12865-1-1991 デジタル・マイクロエレクトロニクス検査法（高レベル出力電圧）
  • CNS 12865-3-1991 デジタルマイクロエレクトロニクス検査方法（低レベル入力電流）
  • CNS 12865-2-1991 デジタル・マイクロエレクトロニクスの検査方法（低レベル出力電圧）
  • CNS 12865-4-1991 デジタルマイクロエレクトロニクス検査法（高レベル入力電流）
  • CNS 12865.5-1991 デジタルマイクロエレクトロニクスの検査方法（出力端子短絡電流）
  • CNS 12865.4-1991 デジタルマイクロエレクトロニクス検査法（高レベル入力電流）
  • CNS 12865.3-1991 デジタルマイクロエレクトロニクス検査方法（低レベル入力電流）
  • CNS 12865.2-1991 デジタル・マイクロエレクトロニクスの検査方法（低レベル出力電圧）
  • CNS 12865.1-1991 デジタル・マイクロエレクトロニクス検査法（高レベル出力電圧）
  • CNS 12865-5-1991 デジタルマイクロエレクトロニクスの検査方法（出力端子短絡電流）
  • CNS 13725-1996 マイクロエレクトロニクスボンディングワイヤーの非破壊引張試験方法

US-Unspecified Preparing Activity, マイクロエレクトロニクス

Association Francaise de Normalisation, マイクロエレクトロニクス

  • NF C96-315:1987 マイクロ波マイクロエレクトロニクス、減衰器および負荷
  • NF X21-005:2006 微小電子ビーム分析、走査型電子顕微鏡、校正された画像倍率のガイド。
  • NF C96-314:1985 微細構造、超高周波マイクロエレクトロニクス、カプラー、一般規定
  • NF EN ISO 10692-1:2001 ガスシリンダー - マイクロエレクトロニクス産業用ガスシリンダーバルブアクセサリー - パート 1: アクセサリーの輸出
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMES 材料の微小極圧縮試験
  • NF C96-050-5*NF EN 62047-5:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 5: 高周波 (RF) 微小電気機械システム (MEMS) スイッチ
  • NF E29-692-1*NF EN ISO 10692-1:2001 ガスボトルマイクロエレクトロニクス産業で使用されるガスボトルバルブ用コネクタ パート 1: 出口コネクタ
  • NF X21-016*NF ISO 15932:2014 マイクロビーム分析 分析電子顕微鏡用語
  • NF ISO 15932:2014 マイクロビーム分析 分析電子顕微鏡の用語
  • NF EN ISO 10692-2:2001 ガスシリンダー - マイクロエレクトロニクス工業用ガスシリンダーのバルブ接続 - パート 2: バルブとシリンダー間の接続の仕様と型式テスト

SAE - SAE International, マイクロエレクトロニクス

  • SAE AS1142-1971 マイクロ電子デバイスの気密試験
  • SAE AMS2690B-1988 薄膜基板上のマイクロエレクトロニクス相互接続のパラレルギャップはんだ付け
  • SAE AMS2690D-2017 マイクロエレクトロニクス相互接続を薄膜基板にパラレルギャップはんだ付けする

Society of Automotive Engineers (SAE), マイクロエレクトロニクス

  • SAE AS1142-2002 1992年 マイクロ電子デバイスの気密性試験
  • SAE AMS2690A-1982 マイクロエレクトロニクス相互接続を薄膜基板にパラレルギャップはんだ付けする
  • SAE AMS2690C-2011 マイクロエレクトロニクス相互接続を薄膜基板にパラレルギャップはんだ付けする
  • SAE AMS2690-1968 マイクロエレクトロニクス相互接続と薄膜基板のパラレルギャップ溶接
  • SAE AMS2690C-2001 パラレルギャップはんだ付け、薄膜基板へのマイクロエレクトロニクス相互接続
  • SAE AMS2690B-1993 薄膜基板への平行ギャップはんだ付け用のマイクロエレクトロニクス相互接続
  • SAE AMS2690C-1988 (非現行) 薄膜基板へのマイクロエレクトロニクス相互接続のパラレル ギャップはんだ付け

Professional Standard - Electron, マイクロエレクトロニクス

  • SJ/T 10584-1994 マイクロエレクトロニクスのライトマスキング技術用語
  • SJ/T 10747-1996 マイクロ波電子機器のリードカラーマーキング
  • SJ 20900-2004 マイクロ波電子管用酸化ベリリウムセラミックシリンダーの規格
  • SJ/Z 9008.1-1987 マイクロ波管の電気的特性の試験 パート 1: 用語
  • SJ/Z 9008.3-1987 マイクロ波電子管の電気的特性のテスト パート 4: マグネトロン
  • SJ/Z 9008.2-1987 マイクロ波管の電気的特性の試験 パート 2: 一般試験

HU-MSZT, マイクロエレクトロニクス

PL-PKN, マイクロエレクトロニクス

  • PN T04813-1971 低電圧電子管。 ワイヤー駆動のマイクロエレクトロニクス測定

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, マイクロエレクトロニクス

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, マイクロエレクトロニクス

  • JEDEC JESD27-1993 マイクロエレクトロニクスパッケージ用のセラミックパッケージ仕様
  • JEDEC JEP121A-2006 マイクロエレクトロニクスのちらつきとテストの最適化要件
  • JEDEC JESD9B-2011 マイクロエレクトロニクスのパッケージおよび筐体の検査基準
  • JEDEC JEP144A-2011 マイクロエレクトロニクスパッケージ内のガス分析ガイド
  • JEDEC JEP144-2002 マイクロエレクトロニクス パッケージの残留ガス分析 (RGA) ガイド
  • JEDEC JESD9-A-1987 マイクロエレクトロニクスパッケージおよびカバー用の金属パッケージングの仕様
  • JEDEC JESD99B-2007 マイクロエレクトロニクス機器の用語、定義とアルファベット記号
  • JEDEC JESD22-C101D-2008 マイクロエレクトロニクス部品の静電気放電耐性閾値の電界帯電デバイスモデル試験方法
  • JEDEC JESD22-C101F-2013 マイクロエレクトロニクス部品の静電気放電耐性閾値の電界帯電デバイスモデル試験方法
  • JEDEC JESD22-C101C-2004 マイクロ電子部品の静電気防止放電閾値の電界誘起放電デバイスモデルの試験方法

IET - Institution of Engineering and Technology, マイクロエレクトロニクス

Association of German Mechanical Engineers, マイクロエレクトロニクス

  • VDI/VDE 2422-1994 マイクロ電子制御機器のシステム開発
  • VDI 2083 Blatt 13.2-2009 クリーンルーム技術 超純水の品質、生産、流通 マイクロエレクトロニクスおよびその他の技術応用

VDI - Verein Deutscher Ingenieure, マイクロエレクトロニクス

Professional Standard - Railway, マイクロエレクトロニクス

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, マイクロエレクトロニクス

  • GB/T 17472-2008 マイクロエレクトロニクス用途の貴金属ペーストの仕様
  • GB/T 17472-2022 マイクロエレクトロニクス用途の貴金属ペーストの仕様
  • GB/T 42709.19-2023 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第19部：電子コンパス
  • GB 50467-2008 マイクロエレクトロニクス生産設備設置プロジェクトの建設および受入れに関する仕様書
  • GB/T 17473.2-2008 マイクロエレクトロニクス技術で使用される貴金属スラリーの試験方法 粉末度の測定
  • GB/T 17473.3-2008 マイクロエレクトロニクス技術で使用される貴金属スラリーの試験方法 シート抵抗の測定
  • GB/T 17473.5-2008 マイクロエレクトロニクスで使用される貴金属スラリーの試験方法 粘度測定
  • GB/T 17473.4-2008 マイクロエレクトロニクスで使用される貴金属スラリーの試験方法 付着力の測定
  • GB/T 17473.6-2008 マイクロエレクトロニクスで使用される貴金属スラリーの試験方法 分解能の測定
  • GB/T 17473.2-1998 厚膜マイクロエレクトロニクス技術用の貴金属スラリーの粉末度測定の試験方法
  • GB/T 17473.3-1998 厚膜マイクロエレクトロニクス技術で使用される貴金属スラリーのシート抵抗の試験方法
  • GB/T 17473.1-2008 マイクロエレクトロニクスで使用される貴金属スラリーの試験方法 固形分の測定
  • GB/T 42709.5-2023 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 5: 高周波 MEMS スイッチ
  • GB/T 17473.5-1998 厚膜マイクロエレクトロニクス粘度測定用の貴金属スラリーの試験方法
  • GB/T 17473.6-1998 厚膜マイクロエレクトロニクス技術のための貴金属スラリー試験法の解像度決定
  • GB/T 17473.4-1998 厚膜マイクロエレクトロニクス技術のための貴金属スラリー試験方法 密着性測定
  • GB/T 17473.1-1998 厚膜マイクロエレクトロニクス用の貴金属スラリーの試験方法 - 固形分の測定
  • GB/T 17473.7-2008 マイクロエレクトロニクスで使用される貴金属スラリーの試験方法 はんだ付け性とはんだ耐性の測定
  • GB/T 17473.7-1998 厚膜マイクロエレクトロニクス技術で使用される貴金属スラリーの試験方法 はんだ付け性およびはんだ耐性試験
  • GB/T 18907-2002 透過型電子顕微鏡による電子回折分析法を採用
  • GB/T 18907-2013 マイクロビーム解析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、選択電子回折分析法
  • GB/T 23414-2009 マイクロビーム分析、走査型電子顕微鏡、用語
  • GB/T 26095-2010 電子コラムインダクタンスマイクロメーター
  • GB/T 21636-2008 マイクロビーム分析、電子プローブ微量分析 (EPMA) の用語

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), マイクロエレクトロニクス

  • KS D ISO 16700:2013 微小電子ビーム分析、走査型電子顕微鏡、校正された画像倍率のガイド。
  • KS D ISO 14595:2012 微小電子ビーム分析、電子検出微量分析、校正標準 (CRM) の仕様ガイド。
  • KS D ISO 14594:2012 微小電子ビーム分析、電子検出微量分析、波長分散分光法の実験パラメータ決定のガイド。
  • KS B ISO 10692-1:2014 ガスシリンダー、マイクロエレクトロニクス産業用のガスシリンダーバルブコネクター パート 1: 出口コネクター
  • KS B ISO 10692-1:2003 ガスシリンダー、マイクロエレクトロニクス産業用のガスシリンダーバルブコネクター パート 1: 出口コネクター
  • KS B ISO 10692-1-2014(2019) ガスシリンダー - マイクロエレクトロニクス産業向けのガスシリンダーバルブ接続 - パート 1: 出口接続
  • KS C IEC PAS 62162-2002(2022) マイクロエレクトロニクス部品の静電気放電耐性閾値の電界誘起帯電デバイスモデル試験方法
  • KS D ISO TR 17270:2007 マイクロビーム解析-分析透過型電子顕微鏡-電子エネルギー損失分光法実験パラメータ決定技術報告書
  • KS C IEC PAS 62162-2002(2017) 静電放電場誘起帯電装置のモデル試験方法はマイクロ電子部品の閾値に耐える
  • KS D ISO 23833:2012 マイクロビーム分析、電子プローブマイクロ分析、語彙
  • KS B ISO 10692-2:2014 ガスシリンダー マイクロエレクトロニクス産業で使用するガスシリンダーバルブの接続 パート 2: バルブシリンダー接続の仕様とタイプテスト。
  • KS B ISO 10692-2:2003 ガスシリンダー マイクロエレクトロニクス産業で使用するガスシリンダーバルブの接続 パート 2: バルブシリンダー接続の仕様とタイプテスト。
  • KS D ISO 22493-2012(2017) マイクロビーム解析 走査型電子顕微鏡用語集
  • KS D ISO 22493:2022 マイクロビーム分析、走査型電子顕微鏡、語彙
  • KS D ISO 23833:2018 マイクロビーム分析 - 電子プローブ微量分析 (Epma) - 用語集
  • KS B ISO 10692-2-2014(2019) ガスシリンダー - マイクロエレクトロニクス産業で使用するシリンダーバルブ接続 - パート 2: バルブとシリンダー接続の仕様とタイプのテスト
  • KS D ISO 23833:2022 マイクロビーム分析、電子プローブ微量分析 (EPMA)、用語集

International Organization for Standardization (ISO), マイクロエレクトロニクス

  • ISO 16700:2004 微小電子ビーム分析、走査型電子顕微鏡、校正された画像倍率のガイド。
  • ISO 16700:2016 微小電子ビーム分析、走査型電子顕微鏡、校正された画像倍率のガイド。
  • ISO/CD 25498:2023 マイクロビーム分析 分析電子顕微鏡法 透過型電子顕微鏡を使用した選択領域電子回折分析
  • ISO 14594:2003 微小電子ビーム分析、電子検出微量分析、波長分散分光法の実験パラメータ決定のガイド。
  • ISO 14594:2014 微小電子ビーム分析、電子検出微量分析、波長分散分光法の実験パラメータ決定のガイド。
  • ISO 22309:2006 微小電子線分析、エネルギー分散分析装置（EDS）による定量分析
  • ISO 10692-1:2001 ガスシリンダーマイクロエレクトロニクス産業用のガスシリンダーバルブの接続 パート 1: 出口接続
  • ISO 23420:2021 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、電子エネルギー損失分光分析のエネルギー分解能の決定方法
  • ISO/CD 19214:2023 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡を使用して、線形結晶の見かけの成長方向を決定する方法。
  • ISO 25498:2010 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡を使用した選択領域の電子回折分析。
  • ISO 25498:2018 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡を使用した選択領域の電子回折分析。
  • ISO/TS 21383:2021 マイクロビーム分析 走査型電子顕微鏡 定量的測定のための走査型電子顕微鏡の識別
  • ISO 10692-2:2001 ガスシリンダーマイクロエレクトロニクス産業向けのガスシリンダーバルブの接続 パート 2: バルブとシリンダーの接続の仕様と型式テスト
  • ISO 22493:2014 マイクロビーム分析、走査型電子顕微鏡、語彙
  • ISO 19214:2017 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡による糸状結晶の顕著な成長方向の決定方法
  • ISO 24639:2022 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、電子エネルギー損失分光法による元素分析のためのエネルギースケーリング手順。

British Standards Institution (BSI), マイクロエレクトロニクス

  • BS ISO 16700:2004 微小電子線分析、走査型電子顕微鏡、画像倍率校正ガイド。
  • BS EN 62047-5:2011 半導体デバイス、マイクロ電子機械デバイス、高周波マイクロ電気機械コンバータ
  • BS EN 62047-4:2010 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、微小電気機械システム (MEMS) の一般仕様
  • BS EN 62047-7:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、無線周波数制御および選択用の微小電気機械システム (MEMS) 表面音響フィルタ (BAW) およびデュプレクサ。
  • BS EN ISO 10692-1:2001 ガスシリンダー、マイクロエレクトロニクス産業で使用されるガス貯蔵ボトル、ガス出口コネクター
  • BS ISO 25498:2018 マイクロビーム分析 分析電子顕微鏡法 透過型電子顕微鏡を使用した選択領域電子回折分析
  • BS ISO 14594:2003 微小電子ビーム分析、電子検出微量分析、波長分散分光法の実験パラメータ決定のガイド。
  • BS ISO 14594:2014 微小電子ビーム分析、電子検出微量分析、波長分散分光法の実験パラメータ決定のガイド。
  • BS EN 62047-10:2011 半導体デバイス、マイクロ電子機械デバイス、MEMS材料の微小柱圧縮試験
  • BS ISO 23420:2021 マイクロビーム分析、電子顕微鏡分析、電子エネルギー損失分光分析のエネルギー分解能の決定方法
  • BS ISO 24639:2022 マイクロビーム分析 分析電子顕微鏡法 電子エネルギー損失分光法 元素分析用のエネルギースケールの校正手順
  • BS EN 62047-9:2011 半導体デバイス、マイクロ電子機械デバイス、MEMSのウェハ間接合強度測定
  • BS EN 62047-9:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイスMEMSのウェハ間接合強度測定
  • 20/30380369 DC BS ISO 23420 マイクロビーム分析 電子顕微鏡法 電子エネルギー損失分光法 エネルギー分解能の測定
  • 21/30404763 DC BS ISO 24639 マイクロビーム分析 分析電子顕微鏡 電子エネルギー損失分光法 元素分析用のエネルギースケールの校正手順
  • BS ISO 25498:2010 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡を使用した選択領域の電子回折分析。
  • 18/30319114 DC BS ISO 20171 マイクロビーム解析走査型電子顕微鏡 走査型電子顕微鏡 (TIFF/SEM) 用のタグ付き画像ファイル形式
  • BS ISO 15932:2013 マイクロビーム分析、分析電子顕微鏡、語彙
  • BS ISO 22493:2014 マイクロビーム分析、走査型電子顕微鏡、語彙

Institute of Environmental Sciences and Technology, マイクロエレクトロニクス

American Society for Testing and Materials (ASTM), マイクロエレクトロニクス

  • ASTM F1238-95(2003) マイクロ電子デバイス用の耐火性ケイ化物スパッタリング電極
  • ASTM F60-68(1983)e2 電子機器やマイクロエレクトロニクス機器の処理に使用される水中の微生物汚染物質を検出および計数する方法
  • ASTM F1238-95(1999) マイクロ電子機器用高融点ケイ化物スパッタ電極の標準仕様
  • ASTM F1238-95(2011) マイクロ電子機器用高融点ケイ化物スパッタ電極の標準仕様
  • ASTM F10-69(1981)e1 マイクロ電子管リード仕様
  • ASTM F459-84(2001) マイクロエレクトロニクスワイヤボンドの引張強度を測定するための標準試験方法
  • ASTM F459-84(1995)e1 マイクロエレクトロニクスワイヤボンドの引張強度を測定するための標準試験方法
  • ASTM F459-13(2018) マイクロエレクトロニクスワイヤボンドの引張強度を測定するための標準試験方法
  • ASTM F459-13 マイクロエレクトロニクスワイヤボンドの引張強度を測定するための標準試験方法
  • ASTM F542-98 電子部品およびマイクロエレクトロニクス部品のパッケージングに使用されるシール剤の加熱温度の試験方法
  • ASTM F542-02 電子およびマイクロエレクトロニクス部品のパッケージングに使用されるシール剤の加熱温度の標準試験方法
  • ASTM F459-06 マイクロ電子デバイスのワイヤ接続の引張強度を測定するための標準試験方法
  • ASTM F542-07 電子部品およびマイクロ電子部品のパッケージングに使用される電気外装シーラントの放熱温度の標準試験方法
  • ASTM F677-95(1999) 電子およびマイクロエレクトロニクス用途の熱硬化性シーラントの耐流体性および耐グリース性の標準試験方法
  • ASTM F677-04(2009) 電子およびマイクロエレクトロニクス用途の熱硬化性シーラントの耐流体性および耐グリース性の標準試験方法
  • ASTM F677-13 電子およびマイクロエレクトロニクス用途の熱硬化性シーラントの耐流体性および耐グリース性の標準試験方法
  • ASTM F677-04 電子およびマイクロエレクトロニクス用途の熱硬化性シーラントの耐流体性および耐グリース性の標準試験方法
  • ASTM F71-68(1999) 迅速な識別のための形態学的キーを使用した電子デバイスおよびマイクロエレクトロニクスにおける汚染管理の標準慣行 (2005 年に撤回)
  • ASTM F1094-87(2005) 直接加圧タップサンプリングバルブと滅菌済みビニール袋法を使用した、電子およびマイクロ電子デバイスの処理用水の微生物モニタリングの試験方法
  • ASTM F1094-87(1999) 直圧式蛇口弁および滅菌済みビニール袋法による水を扱う電子機器およびマイクロ電子機器の微生物モニタリングの標準試験方法
  • ASTM F1094-87(2020) 直圧式蛇口弁および滅菌済みビニール袋法による水を扱う電子機器およびマイクロ電子機器の微生物モニタリングの標準試験方法
  • ASTM F1227-89(1999) 材料の総質量損失およびマイクロエレクトロニクス関連基板上のガス放出揮発性物質の凝縮に関する試験方法 (2000 年に撤回)
  • ASTM F1094-87(2012) 直接圧力タップサンプリングバルブおよび滅菌済みビニール袋法による、電子およびマイクロ電子機器によって処理された水の微生物学的モニタリングのための標準試験方法

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., マイクロエレクトロニクス

  • ASHRAE KC-03-9-3-2003 技術の変化をマイクロエレクトロニクスのクリーンルームに統合する

Defense Logistics Agency, マイクロエレクトロニクス

  • DLA SMD-5962-91669 REV A-2008 モノリシックシリコン、5V電圧レギュレータ、リニアマイクロ電子回路
  • DLA SMD-5962-95839 REV C-2008 モノリシックシリコン 5V 電圧レギュレータレギュレータ、リニアマイクロ電子回路
  • DLA SMD-5962-92109 REV C-2008 DC/DC コンバータ デュアル チャネル、リニア ハイブリッド マイクロ電子回路
  • DLA SMD-5962-94761 REV B-2008 モノリシックシリコン電気書き換え可能なロジックプログラミングデバイス、CMOSデジタルメモリマイクロ電子回路
  • DLA SMD-5962-90659 REV F-2008 オペレーブルアンプ、高出力リニアハイブリッドマイクロ電子回路
  • DLA SMD-5962-87641 REV A-2008 モノリシックシリコンラッチドライバー、シリアル入力BIMOS 8ビットリニアマイクロ電子回路
  • DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 1-2008 モノリシック シリコン カスケード ラッチ、低電力ショットキー TTL、バイポーラ デジタル マイクロ電子回路
  • DLA MIL-M-38510/319 C VALID NOTICE 1-2008 モノリシック シリコン カスケード、4x4 レジスタ、低電力ショットキー TTL、デジタル マイクロ電子回路
  • DLA SMD-5962-92078 REV J-2008 CMOS、512K x 8-BIT スタティック ランダム アクセス メモリ、デジタル メモリ、ハイブリッド超小型電子回路
  • DLA MIL-PRF-1/1037 E NOTICE 2-2008 6897 ネガティブグリッド（マイクロ波）型電子管
  • DLA MIL-PRF-1/1037E-1998 6897 ネガティブグリッド（マイクロ波）型電子管
  • DLA MIL-PRF-1/1055 F NOTICE 1-2008 6442 ネガティブグリッド（マイクロ波）型電子管
  • DLA MIL-PRF-1/1055F-2002 6442 ネガティブグリッド（マイクロ波）型電子管
  • DLA SMD-5962-93217 REV C-2008 モノリシックシリコン TTL 互換出力、8 トリガー D エッジトリガー、高度なバイポーラ CMOS デジタルマイクロ電子回路
  • DLA SMD-5962-92223 REV D-2008 TTL 互換入力および制限された出力電圧スイング用のマイクロ電子回路、トライステート出力を備えたモノリシック高速 CMOS オクタル レジスタ/トランシーバー
  • DLA SMD-5962-92225 REV C-2008 TTL 互換入力および制限された出力電圧スイング モノリシック高速 CMOS 10 ビット バス インターフェイス トライステート出力を備えた D レジスタ マイクロ電子回路
  • DLA SMD-5962-96570 REV C-2008 モノリシック シリコン 8 バッファおよびライン ドライバ、スリーステート出力、放射線耐性のある高度な CMOS デジタル マイクロ電子回路

Aeronautical Radio Inc., マイクロエレクトロニクス

  • ARINC 606-1 ITEM 3.0 現代のマイクロエレクトロニクス部品に対する静電界と放電の影響

Shanghai Provincial Standard of the People's Republic of China, マイクロエレクトロニクス

  • DB31/ 842-2014 マイクロ電子部品製造業界における職業病の危険を管理するための規範

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  • DIN EN 62047-10:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMES 材料の微小極圧縮試験 (IEC 62047-10-2011)、ドイツ語版 EN 62047-10-2011
  • DIN EN 62047-5:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 5: 無線周波数 (RF) 微小電気機械システム (MEMS) スイッチ (IEC 62047-5-2011)、ドイツ語版 EN 62047-5-2011

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  • KS D ISO 23833-2018 マイクロビーム分析 - 電子プローブ微量分析 (Epma) - 用語集
  • KS D ISO 23833-2022 マイクロビーム分析、電子プローブ微量分析 (EPMA)、用語集

Lithuanian Standards Office , マイクロエレクトロニクス

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IEC - International Electrotechnical Commission, マイクロエレクトロニクス

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  • GB/T 17473.7-2022 マイクロエレクトロニクス技術で使用される貴金属スラリーの試験方法 パート 7: はんだ付け性とはんだ耐性の測定
  • GB/T 40300-2021 マイクロビーム分析分析電子顕微鏡用語
  • GB/T 21636-2021 マイクロビーム分析電子プローブ微量分析 (EPMA) の用語

AENOR, マイクロエレクトロニクス

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中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, マイクロエレクトロニクス

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  • ECA TEP 170-1972 マイクロ波管 X 線の検出と測定に関する推奨手法

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