곡물 절반 높이

모두 238항목의 곡물 절반 높이와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 곡물 절반 높이와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 철강 제품, 원자력공학, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 종합 전자 부품, 반도체 개별 장치, 반도체 소재, 도체 재료, 금속 재료 테스트, 콘덴서, 화학 제품, 세라믹, 용접, 브레이징 및 저온 용접, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 전자 장비용 기계 부품, 통합 서비스 디지털 네트워크(ISDN), 환경 테스트, 전기 및 전자 테스트, 광섬유 통신, 판막.

Group Standards of the People's Republic of China, 곡물 절반 높이

T/SXJP 018-2023 결이 세밀한 고강도 열간압연 리브 강철봉
T/IAWBS 017-2022 다이아몬드 단결정 X선 이중결정 요동곡선의 반치폭 시험방법
T/IAWBS 015-2021 산화갈륨 단결정 웨이퍼의 X선 쌍요동곡선의 반치폭 시험방법
T/IAWBS 016-2022 탄화규소 단결정 웨이퍼의 X선 트윈 로킹 곡선의 반높이 폭 시험 방법
T/ZZB 2283-2021 반도체 등급 탄화규소 단결정용 초고순도 흑연 분말
T/CSTM 00799-2023 강철의 입자 크기 결정을 위한 고온 레이저 공초점 현미경 방법

Professional Standard - Aviation, 곡물 절반 높이

HB 20057-2011 주조 고온 합금의 결정립 크기 평가 방법

Professional Standard - Building Materials, 곡물 절반 높이

JC/T 2018-2010 고에너지 입자 검출을 위한 탈륨 도핑 요오드화 세슘 결정

International Electrotechnical Commission (IEC), 곡물 절반 높이

IEC 62435-5:2017 전자 부품 전자 반도체 장비의 장기 보관 5부: 다이 및 웨이퍼 장비
IEC 60747-7-4:1991 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭기 인클로저 정격 바이폴라 트랜지스터 공백 상세 사양
IEC 60747-7-1:1989 반도체 장치 디스크리트 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 1: 저주파 및 고주파 증폭 환경 정격 바이폴라 트랜지스터 공백 상세 사양

British Standards Institution (BSI), 곡물 절반 높이

BS EN 62435-5:2017 전자 부품 전자 반도체 장비의 장기 보관 5부: 다이 및 웨이퍼 장비
BS EN 10222-4:2017 압력용기용 단조강, 수용강도가 높은 용접 가능한 미립강
BS EN 10222-4:1999 압력용기용 단조강, 수용강도가 높은 용접 가능한 미립강
BS EN 10222-4:2017+A1:2021 압력용기용 단조강, 수용강도가 높은 용접 가능한 미립강
19/30396207 DC BS EN 10222-4 AMD1 압력 목적을 위한 강철 단조품 4부: 높은 강도가 보장된 용접 가능한 세립 강철
BS EN 10217-3:2019 압력 적용을 위한 용접 강관의 기술 납품 조건 지정된 실온, 고온 및 저온 특성을 지닌 전기 용접 및 수중 아크 용접 합금 세립 강관

Defense Logistics Agency, 곡물 절반 높이

DLA DSCC-DWG-04029-2005 2N5927 고전력 실리콘 NPN 트랜지스터 반도체 장치
DLA DSCC-DWG-04030-2005 2N5926 고전력 실리콘 NPN 트랜지스터 반도체 장치
DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 2N384형 고주파 게르마늄 PNP 트랜지스터 반도체 장치
DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 반도체 장치, 트랜지스터, PNP, 게르마늄, 고주파수, 25mW, 유형 JAN-2N128
DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 고전력 반도체 장치, PNP 실리콘 트랜지스터, 모델 2N3442, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고전력 유형 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-S-19500/208 B VALID NOTICE 4-2011 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고전력, 유형 2N1487, 22N1488, 2N1489 및 2N1490
DLA MIL-S-19500/217 B VALID NOTICE 4-2011 반도체 장치, 트랜지스터, PNP, 게르마늄, 고전력 유형 2N456B, 2N457B, 2N458B, 2N1021A, 2N1022A
DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고전력 유형 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 2-2008 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파 유형 2N6603 및 2N6604 JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/384 F VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘 고전력, 유형 2N3584, 2N3585, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/384 G-2013 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘 고전력, 유형 2N3584, 2N3585, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/262 G-2013 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고전력 유형 2N1722 및 2N1724, JAN 및 JANTX
DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 3-2013 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파 유형 2N6603 및 2N6604 JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/413 F-2008 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고전력, 유형 2N3771 및 2N3772, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/415 A VALID NOTICE 1-2008 반도체, 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고전력 유형 2N2812 및 2N2814 JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/488 E VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고전력, 유형 2N5671 및 2N5672, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/408 J-2008 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고전력, 유형 2N3715 및 2N3716, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/488 E-2008 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고전력, 유형 2N5671 및 2N5672, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-S-19500/341 B VALID NOTICE 3-2011 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파, 전력 유형 2N3375, 2N3553 및 2N4440 JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-S-19500/341B-1968 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파, 전력 유형 2N3375, 2N3553 및 2N4440 JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/398 J-2010 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파, 유형 2N3866, 2N3866A, 2N3866UB, 2N3866AUB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/439 G-2012 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고전력, 유형 2N5038 및 2N5039, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/461 F-2008 반도체 장치, 트랜지스터, PNP, 실리콘, 고전력, 유형 2N6211, 2N6212, 2N6213, 2N6213A, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 래치 및 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력이 있는 실리콘 모놀리스, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 반도체 장치 N채널 고전압 전계 효과 실리콘 트랜지스터 모델 2N7387 및 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 가능, 1-8 디코더, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 실리콘 모놀리식 시프트 레지스터, 상보형 금속 산화물 반도체, 고급 쇼트키 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 실리콘 모놀리식 자동 레코더, 상보형 금속 산화물 반도체, 고급 쇼트키 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로, 디지털 미세 회로
DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 반도체 장치, 트랜지스터, 고전압, 전계 효과, N 채널, 실리콘, 유형 2N7387 및 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 실리콘 모놀리식 바이너리 카운터, 상보형 금속 산화물 반도체, 고급 쇼트키 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로, 디지털 마이크로회로
DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 반도체 장치, N채널 트랜지스터 전계 효과 방사선 내성(총 선량 및 단일 이벤트 효과), 실리콘 모델 2N7405, 2N7406, 2N7407 및 2N7408, JANSD 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 반도체 장치, N채널 트랜지스터 전계 효과 방사선 내성(총 선량 및 단일 이벤트 효과), 실리콘 모델 2N7488T3, 2N7489T3 및 2N7490T3, JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, P 채널 실리콘 유형 2N7438 및 2N7439 JANSD 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널, 실리콘 유형 2N7497T2, 2N7498T2 및 2N7499T2, JANTXVR 및 JANSR
DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 실리콘 모놀리식 정사각형 2입력 및 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력 게이트, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA MIL-PRF-19500/453 F-2011 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파 유형 2N5109 및 2N5109UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKC JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG 및 JANSH
DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 듀얼 4입력 멀티플렉서, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 트랜지스터-트랜지스터 로직, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 입력 호환 3~8 어레이 디코더
DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 실리콘 모놀리식 스트립 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력 사각형 2입력 NAND 게이트, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 디지털 입력 게이트, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 정사각형 이중 입력 또는 고속 상보성 금속 산화물 반도체
DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 보기 쉬운 8진 정지 핀, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 미세 회로
DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 8진 슈미트 트리거 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 쿼드 컬럼 2-게이트 자동 레코더, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 십진수 리플 카운터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 고전압 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 연산 증폭기 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2,JANTXVR,F,G 및 H 및 JANSR,F,G 및 H형 방사선 내성 N채널 전계 효과 트랜지스터(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 반도체 장치
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 반도체 장치, 전계 효과 방사선 내성(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 모델 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR 및 JANSH
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널 실리콘 유형 2N7512, 2N7513 및 2N7514 JANTXVD, R 및 JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널 실리콘, 유형 2N7509, 2N7510 및 2N7511, JANTXVD, R 및 JANSD, R
DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 삼상 출력 8진 버퍼 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로 회로
DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과, 방사선 경도(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터 다이, N 채널 및 P 채널, 실리콘, 다양한 유형, JANHC 및 JANKC
DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 듀얼 4:1 디코더 또는 디멀티플렉서, 고급 보완 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 3상태 출력 8진 투명 정지 핀과 호환 가능한 입력, 고급 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-91732-1993 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 가능, 3~8 라인 디코더 또는 광 디멀티플렉서, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력 및 3상태 출력, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8진 수신기
DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 드라이버, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 드라이버, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 수신기, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8진 수신기, 고급 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8진 버스 수신기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 쿼드 컬럼 2입력 비반전 멀티플렉서, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 쿼드 컬럼 2입력 비반전 멀티플렉서, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 쿼드 2 입력 트랜지스터 호환 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-04228-2004 실리콘 모놀리식 보완 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로, 사전 설정 및 펄스 타이머를 갖춘 고급 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로, 양방향 이진 계산기
DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 D-버스 수신기, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력 8진 버퍼 또는 행 드라이브 라인, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 쉽게 볼 수 있는 이중 2비트 쌍안정 정지 핀, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
DLA MIL-PRF-19500/739-2006 전계 효과 방사선 경화 반도체 장치(총 선량 및 단일 이벤트 효과), N 채널 및 P 채널 실리콘 쿼드 트랜지스터, 유형 2N7518 및 2N7518U, JANTXVR, F 및 JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 사건 효과) 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 유형 2N7494U5, 2N7495U5 및 2N7496U5, JANTXVR, F, G 및 H 및 JANSR, F, G 및 H
DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 트리플 3 입력, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 육각형 인버터 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 고속 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 삼중 3 입력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모 놀리 식 회로 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 고속 방사선 하드 상보형 금속 산화물 반도체 8입력 및 비트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 쿼드 2 입력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보성 금속 산화물 반도체, 듀얼 4입력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 고속 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 삼중 3 입력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모 놀리 식 회로 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 고속 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 이중 4 입력 트랜지스터 호환성 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 투명 옥탈 D형 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 동기식 재설정 가능, 4비트 재설정 가능 바이너리 카운터, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 D형 에지 트리거 버퍼, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 9비트 D 버퍼, 포지티브 에지 트리거, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 9비트 D 버퍼, 포지티브 에지 트리거, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 역 8진행 드라이브 라인 또는 버퍼, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 호환 입력, 비동기식 재설정, 4비트 재설정 가능 바이너리 카운터, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8진 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 입력 비반전 16진수 버퍼 또는 행 드라이브 라인, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 상보성 금속 산화물 반도체 구조, 트랜지스터-트랜지스터 로직 호환 입력을 사용하는 3상태 출력을 갖춘 18비트 버스 트랜시버로 구성된 고급 양극 디지털 단일 실리콘 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 고속 방사선 하드 상보형 금속 산화물 반도체 4중 4입력 및 비트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 이중 리플 카운터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 전용 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 4 비트 수량 비교기 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모 놀리 식 회로 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 4비트 바이너리 전가산기, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력, 동기화된 재설정 기능이 있는 8비트 진단 자동 레코더, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 3상태 출력 및 트랜지스터-트랜지스터 로직 호환 입력, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8진 D형 쌍안정 멀티바이브레이터 트리거 회로
DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 마스터 리셋 8진 D형 쌍안정 멀티바이브레이터 트리거 회로, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 설정 및 재설정 기능이 있는 듀얼 JK 쌍안정 멀티바이브레이터 트리거 회로, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 사전 설정 가능한 동기화 4비트 이진 업 또는 다운 카운터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 3상태 출력 및 트랜지스터-트랜지스터 논리 호환 입력, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로 회로를 갖춘 실리콘 모놀리스 듀얼 1-4 데이터 수집기 및 멀티플렉서
DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 사전 설정되고 명확한 고급 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로를 갖춘 듀얼 D형 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭
DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 디지털 반사형 고속 상보성 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 및 비트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체 4-BIT 바이너리 리플 타이머, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보성 금속 산화물 반도체, 10~4행 우선 인코더, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 듀얼 4단계 바이너리 카운터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 듀얼 4입력 멀티플렉서, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 멀티플렉서, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 4비트 바이너리 동기 카운터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 비반전 팔각형 버스 수신기, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 고속 내방사선 상보형 금속 산화물 반도체, 동기식 4비트 바이너리 업 및 다운 카운터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 트랜지스터-트랜지스터 로직 호환 입력 및 제한된 전압 스윙 출력을 사용하는 직렬 저항이 장착된 16비트 3상태 출력 트랜시버를 갖춘 고속 상보성 금속 산화물 반도체 구조로 구성된 고급 바이폴라 디지털 단일 실리콘 마이크로 회로
DLA SMD-5962-86856 REV A-2003 3상태 출력 및 터미널 스위치 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 및 폐쇄 루프 검증 및 보고 호환 입력을 갖춘 실리콘 모놀리스 8진 D-스톱 핀 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로

PL-PKN, 곡물 절반 높이

PN C89425-1992 플라스틱. 반결정질 폴리머의 용융 온도 측정
PN T01207-01-1992 반도체 장치. 개별 장치, 양극성 트랜지스터 저주파 및 고주파수 증폭기 박스 환경 등급 양극성 트랜지스터 공백 세부 사양

BE-NBN, 곡물 절반 높이

NBN A 23-114-1983 반제품으로 배송되는 자기 냉간 압연 비방향성 합금강 스트립

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 곡물 절반 높이

GB/T 14999.7-2010 고온 합금 주조물의 입자 크기, 1차 수상돌기 간격 및 미세 다공성을 결정하는 방법
GB/T 32188-2015 질화갈륨 단결정 기판의 X선 쌍결정 로킹 커브의 반치폭 시험 방법
GB/T 14999.6-2010 단조 고온 합금의 이중 결정 구조 및 1차 탄화물 분포 결정 방법
GB/T 14999.4-2012 초합금 시험 방법 4부: 압연 초합금 스트립의 입자 구조 및 1차 탄화물 분포 결정
GB/T 7576-1998 반도체 장치 개별 장치 부품 7, 양극성 트랜지스터 부품 4 고주파 증폭기 케이스 정격 양극성 트랜지스터 공백 상세 사양
GB/T 6217-1998 반도체 장치 개별 장치 7부, 양극성 트랜지스터 1부 공백 고주파수 및 저주파 증폭 환경에 맞게 정격된 양극성 트랜지스터에 대한 상세 사양

Association Francaise de Normalisation, 곡물 절반 높이

NF A04-503:1988 알루미늄, 구리, 니켈 및 그 합금의 반제품 입자 크기 결정 알루미늄 및 알루미늄 합금
NF A04-505:1988 알루미늄, 구리, 니켈 및 그 합금의 반제품 입자 크기 결정 니켈 및 니켈 합금
NF A36-620-4/A1:2002 압력용 단조품 제4부: 고강도 용접 가능한 미립강
NF B41-204-1*NF EN ISO 13383-1:2016 파인 세라믹(고급 세라믹, 고급 공예 세라믹) 미세 구조 특성 1부: 입자 크기 및 입자 크기 분포 결정
NF A36-620-4*NF EN 10222-4+A1:2021 압력 적용을 위한 단조강 4부: 높은 강도를 보장하는 용접 가능한 미립강
NF A36-620-4/IN1*NF EN 10222-4/IN1:2021 압력 적용을 위한 단조강 4부: 높은 강도를 보장하는 용접 가능한 미립강
NF EN 10222-4+A1:2021 압력 적용을 위한 단조강 4부: 항복 강도가 높은 용접 가능한 세립강
NF EN 10222-4/IN1:2021 압력 적용을 위한 단조강 4부: 항복 강도가 높은 용접 가능한 세립강

Professional Standard - Electron, 곡물 절반 높이

SJ/T 10557.2-1994 고전압 전해 콘덴서용 알루미늄 호일의 결 조직 측정 방법
SJ 50033/1-1994 반도체 디스크리트 디바이스 고주파 파워 트랜지스터 타입 3DA150의 상세 사양
SJ 50033/103-1996 반도체 디스크리트 디바이스 고주파 파워 트랜지스터 타입 3DA89의 상세 사양
SJ 50033/61-1995 반도체 개별 장치 고전압 전력 스위칭 트랜지스터 유형 3DK6547의 세부 사양
SJ 50033/62-1995 반도체 개별 장치 고전압 전력 스위칭 트랜지스터 유형 3DK406에 대한 세부 사양
SJ 50033/159-2002 반도체 개별 장치.3DG142 실리콘 초고주파 저잡음 트랜지스터.상세 사양
SJ 20059-1992 반도체 개별 장치.3DG111 유형 NPN 실리콘 고주파 저전력 트랜지스터.상세 사양
SJ 20060-1992 반도체 개별 장치.3DG120 유형 NPN 실리콘 고주파 저전력 트랜지스터.상세 사양
SJ 50033/160-2002 반도체 개별 장치.3DG122 실리콘 초고주파 저전력 트랜지스터.상세 사양
SJ 50033/158-2002 반도체 개별 장치.3DG44 실리콘 초고주파 저잡음 트랜지스터.상세 사양
SJ 50033/154-2002 반도체 개별 장치.3DG251 실리콘 초고주파 저잡음 트랜지스터.상세 사양
SJ 50033/75-1995 반도체 개별 장치 3DG135 실리콘 초고주파 저전력 트랜지스터의 세부 사양
SJ 50033/67-1995 반도체 개별 장치 3DD103 고전압, 저주파 및 고전력 트랜지스터의 세부 사양
SJ/T 11848-2022 반도체 디스크리트 디바이스 3DG2484형 NPN 실리콘 고주파 저전력 트랜지스터 상세 사양
SJ 20175-1992 반도체 개별 장치 3DG918 유형 NPN 실리콘 초고주파 저전력 트랜지스터 세부 사양
SJ/T 11849-2022 반도체 개별 소자 3DG3500 및 3DG3501 유형 NPN 실리콘 고주파 저전력 트랜지스터의 세부 사양
SJ 50033/95-1995 반도체 개별 장치 3DG144 유형 NPN 실리콘 고주파, 저잡음, 저전력 트랜지스터의 세부 사양
SJ 50033/94-1995 반도체 개별 장치 3DG143 유형 NPN 실리콘 고주파, 저잡음, 저전력 트랜지스터의 세부 사양
SJ 50033/93-1995 반도체 개별 장치 3DG142 유형 NPN 실리콘 고주파, 저잡음, 저전력 트랜지스터의 세부 사양
SJ 20062-1992 반도체 개별 장치.3DG210 유형 NPN 실리콘 초고주파 저잡음 차동 쌍 트랜지스터.상세 사양
SJ 20176-1992 반도체 개별소자 3DG3439형 및 3DG3440형 NPN 실리콘 저전력 고역전압 트랜지스터 상세사양
SJ 20015-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 3DG130 유형 NPN 실리콘 고주파 저전력 트랜지스터 세부 사양
SJ 20063-1992 반도체 개별 장치.3DG213 유형 NPN 실리콘 초고주파 저잡음 이중 차동 쌍 트랜지스터.상세 사양
SJ 20016-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 3DG182 유형 NPN 실리콘 저전력 고전압 트랜지스터 세부 사양

Danish Standards Foundation, 곡물 절반 높이

DS/EN 10222-4:2021 압력용 단조품 4부: 고항복 강도 용접 가능한 미립강
DS/EN 10222-4+A1:2002 압력 적용을 위한 단조강 4부: 항복 강도가 높은 용접 가능한 세립강
DS/IEC 747-7-4:1993 반도체 장치. 개별 장치. 7부: 바이폴라 트랜지스터. 섹션 4: 고주파 증폭기 케이스 정격 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
DS/IEC 747-7-1:1990 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 1: 저주파 및 고주파 증폭을 위한 환경 친화적인 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.
DS/EN 623-3:2001 첨단 기술 세라믹 단일체 세라믹의 일반 및 구조적 특성 3부: 입자 크기 및 크기 분포 결정(선형 절편 방법에 의한 특성화)

工业和信息化部, 곡물 절반 높이

SJ/T 1486-2016 반도체 개별 장치 3CG180형 실리콘 PNP 고주파 고역전압 저전력 트랜지스터 상세 사양
SJ/T 1480-2016 반도체 디스크리트 디바이스 3CG130형 실리콘 PNP 고주파 저전력 트랜지스터 상세 사양
SJ/T 1472-2016 반도체 디스크리트 디바이스 3CG110형 실리콘 PNP 고주파 저전력 트랜지스터 상세 사양
SJ/T 1477-2016 반도체 디스크리트 디바이스 3CG120형 실리콘 PNP 고주파 저전력 트랜지스터 상세 사양

International Organization for Standardization (ISO), 곡물 절반 높이

ISO 13383-1:2012 파인 세라믹(고급 세라믹, 고급 공예 세라믹) 미세 구조 특성 1부: 입자 크기 및 입자 크기 분포 결정
ISO 24369:2005 파인 세라믹(고급 세라믹, 고급 산업용 세라믹) 습식 체질 방법을 통한 세라믹 분말의 조립 함량 측정

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 곡물 절반 높이

GJB 33/001-1989 반도체 디스크리트 소자용 고주파 저전력 트랜지스터의 빈 세부 사양
GJB 33/14A-2021 반도체 디스크리트 디바이스 3DG44형 실리콘 초고주파 저잡음 트랜지스터 상세 사양
GJB 33A/14-2003 반도체 디스크리트 디바이스 3DG44형 실리콘 초고주파 저잡음 트랜지스터 상세 사양

Association of German Mechanical Engineers, 곡물 절반 높이

DVS 1702-1999 고강도 용접이 가능한 세립구조강의 용접이음부에 대한 강구조 공정시험
DVS 1702-1998 고강도 용접이 가능한 세립구조강의 용접이음부에 대한 강구조 용접공정 시험
DVS 1702-1981 고강도 용접이 가능한 세립구조강의 용접이음부에 대한 강구조 용접공정 시험 StE460 및 StE690

未注明发布机构, 곡물 절반 높이

DIN EN ISO 13383-1 E:2015-10 Fine ceramics (advanced ceramics, advanced craft ceramics) Microstructural Characteristics Part 1: Determination of grain size and particle size distribution (draft)
DIN EN 10222-4 E:2013-01 압력용 단조강 - 파트 4: 높은 내력을 지닌 용접 가능한 미립강

Professional Standard - Aerospace, 곡물 절반 높이

QJ 10007/11-2008 항공우주 반도체 개별 장치의 세부 사양 3DG182 실리콘 고주파 저전력 고역전압 트랜지스터
QJ 10007/10-2008 항공우주 반도체 개별 장치 3DG122 및 3DG130 실리콘 고주파 저전력 트랜지스터의 세부 사양
QJ 10007/5-2008 항공우주 반도체 개별 소자 3CG110 및 3CG130 실리콘 고주파 저전력 트랜지스터의 세부 사양
QJ 10007/9-2008 항공우주 반도체 개별 소자 3DG100, 3DG101, 3DG111 및 3DG112 실리콘 고주파 저전력 트랜지스터의 세부 사양

German Institute for Standardization, 곡물 절반 높이

DIN EN 10222-4:2001 압력 용기용 단조품 제4부: 고탄성 한계 강도 용접 가능한 미립강
DIN EN 10222-4/A1:2019 압력 적용을 위한 단조강 4부: 항복 강도가 높은 용접 가능한 세립강
DIN EN ISO 13383-1:2016 파인 세라믹(첨단 세라믹, 고급 기술 세라믹) 미세 구조 특성 1부: 입자 크기 및 입자 크기 분포 결정(ISO 13383-1-2012) 독일 버전 EN ISO 13383-1-2016
DIN EN 10222-4:2017 압력 적용을 위한 단조 강철 파트 4: 탄성 한계 강도가 높은 용접 가능한 세립 강철, 독일 버전 EN 10222-4-2017
DIN 2302:2018-03 용접 소모품 습하고 고압 환경에서 비합금강 및 세립강의 수동 금속 아크 용접을 위한 코팅 전극 분류

European Committee for Standardization (CEN), 곡물 절반 높이

EN 10222-4:1998 압력 용기용 단조강 제4부: 높은 탄성 한계 강도를 지닌 용접 가능한 세립강

Lithuanian Standards Office , 곡물 절반 높이

LST EN 10222-4-2000 압력 적용을 위한 단조강 4부: 항복 강도가 높은 용접 가능한 세립강
LST EN 10222-4-2000/A1-2003 압력 적용을 위한 단조강 4부: 항복 강도가 높은 용접 가능한 세립강
LST EN 10222-4+A1-2021 압력 적용을 위한 단조강 4부: 항복 강도가 높은 용접 가능한 세립강
LST EN 623-3-2002 첨단 기술 세라믹 단일체 세라믹의 일반 및 구조적 특성 3부: 입자 크기 및 크기 분포 결정(선형 절편 방법에 의한 특성화)

IT-UNI, 곡물 절반 높이

UNI EN 10222-4-2021 압력 적용을 위한 단조강 4부: 항복 강도가 높은 용접 가능한 세립강

AENOR, 곡물 절반 높이

UNE-EN 10222-4:2017 압력 적용을 위한 단조강 4부: 항복 강도가 높은 용접 가능한 세립강

ES-UNE, 곡물 절반 높이

UNE-EN 10222-4:2017+A1:2022 압력 적용을 위한 단조강 4부: 높은 강도 보장을 갖춘 용접 가능한 세립강

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 곡물 절반 높이

KS C IEC 60747-7-4:2006 반도체 장치 디스크리트 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.
KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 양극성 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭용 케이스 정격 양극성 트랜지스터에 대한 빈칸 상세 사양
KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) 반도체 장치 개별 부품 7: 양극성 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭용 케이스 정격 양극성 트랜지스터에 대한 공백 상세 사양
KS C IEC 60747-7-1:2006 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 1: 저주파 및 고주파 증폭을 위한 환경 친화적인 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.
KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 양극성 트랜지스터 섹션 1: 저주파수 및 고주파수 증폭을 위한 환경 등급 양극성 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 양극성 트랜지스터 섹션 1: 저주파수 및 고주파수 증폭을 위한 환경 등급 양극성 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
KS C IEC 61788-9-2016(2021) 초전도성 9부: 벌크 고온 초전도체 측정 큰 입자 산화물 초전도체의 트랩 자속 밀도
KS D ISO 9327-4-2003(2008) 내압 단조강 및 압연 또는 단조 바의 기술 인도 조건 4부: 고강도 용접 가능한 세립강
KS C IEC 61788-9:2016 초전도성 - 9부: 벌크 고온 초전도체용 큰 입자 산화물 초전도체의 포획 자속 밀도 측정 -
KS D ISO 9328-4-2003(2013) 압력 목적의 강판 및 스트립에 대한 기술 인도 조건 파트 4: 정규화 또는 담금질 및 템퍼링 조건에서 제공되는 높은 응력 용접 가능 미세 입자 강 보장

AT-ON, 곡물 절반 높이

ONORM M 7824-1986 고인장력의 미립강 랩용접봉입니다. 코팅된 전극의 기본 유형. 분류, 명칭, 기술사양

CEN - European Committee for Standardization, 곡물 절반 높이

DD ENV 623-3-1993 첨단 기술 세라믹 단일체 세라믹의 일반 및 구조적 특성 3부: 입자 크기 결정
EN 623-3:2001 첨단 기술 세라믹 단일체 세라믹의 일반 및 구조적 특성 3부: 입자 크기 및 크기 분포 결정(선형 절편 방법에 의한 특성화)

U.S. Military Regulations and Norms, 곡물 절반 높이

ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 수정 발진기(XO): 1.0MHz ~ 85MHz의 방형파 범위를 갖는 고속 CMOS(상보성 금속 산화물 반도체 시리즈) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 수정 발진기(XO): 1.544Hz~125MHz의 구형파 범위를 갖는 고급 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Series) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 수정 발진기(XO): 0.75Hz ~ 200MHz의 방형파 범위를 갖는 고급 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Series) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기
ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 수정 발진기(XO): 500kHz ~ 85MHz의 방형파 범위를 갖는 고급 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Series) 유형 1 밀폐형 수정 제어 발진기

CZ-CSN, 곡물 절반 높이

CSN 35 8745-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 고주파수에서의 개방회로 역전압 전달율 및 시간계수 측정

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 곡물 절반 높이

GB/T 30537-2014 초전도 벌크 고온 초전도체 측정 큰 입자 산화물 초전도체의 자속 밀도 트래핑

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 곡물 절반 높이

CNS 5545-1988 단일 반도체 소자의 환경 검사 방법 및 내구성 검사 방법 – 트랜지스터의 고온 역바이어스 테스트
CNS 5546-1988 단일 반도체 소자의 환경 검사 방법 및 내구성 검사 방법 – 전계 효과 트랜지스터의 고온 역바이어스 테스트

TH-TISI, 곡물 절반 높이

TIS 1868-1999 반도체 장치 - 이산 소자 부품 7: 양극성 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭용 케이스 정격 양극성 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
TIS 1974-2000 반도체 장치 개별 장치 파트 6: 사이리스터 섹션 2: 양방향 삼극 사이리스터(트라이액)에 대한 빈 세부 사양, 환경 또는 인클로저 등급, 최대 100A
TIS 1865-1999 반도체 장치 디스크리트 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 1: 저주파수 및 고주파수 증폭을 위한 환경 등급 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
TIS 1973-2000 반도체 장치 개별 장치 6부: 사이리스터 섹션 1: 역방향 차단 트랜지스터 공백 사이리스터, 환경 및 인클로저 등급에 대한 세부 사양, 최대 100A

KR-KS, 곡물 절반 높이

KS C IEC 61788-9-2016 초전도성 - 9부: 벌크 고온 초전도체용 큰 입자 산화물 초전도체의 포획 자속 밀도 측정 -

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 곡물 절반 높이

QC 750107-1991 반도체 장치 개별 장치 7부: 바이폴라 트랜지스터 섹션 4 고주파 증폭용 케이스 등급 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양(IEC 747-7-4 ED 1)
QC 750112-1987 반도체 장치 개별 부품 8: 전계 효과 트랜지스터 부품 1 공백 최대 5W 및 1GHz의 단일 게이트 전계 효과 트랜지스터에 대한 상세 사양(IEC 747-8-1 ED 1)
QC 750111-1991 반도체 장치 개별 장치 부품 6: 사이리스터 부품 2 트라이액 사이리스터(트라이액) 공백 세부 사양 최대 100A 등급의 환경 또는 인클로저(IEC 747-6-2 ED 1)
QC 750110-1989 반도체 장치 개별 장치 부품 6: 사이리스터 부품 1 역 차단 삼극관 사이리스터 공백 세부 사양 최대 100A의 환경 및 보호 정격(IEC 747-6-1 ED 1)
QC 750102-1989 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 파트 1 저주파 및 고주파 증폭을 위한 환경적으로 평가된 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양(IEC 747-7-1 ED 1)

(U.S.) Ford Automotive Standards, 곡물 절반 높이

FORD WSS-M2A177-A2-2014 알루미늄 합금, 압출, 열처리 가능, 이음매 없는, 고강도, 제어된 입자 크기 ***FORD WSS-M99P1111-A와 함께 사용***(FORD WSS-M2A177-A1에 표시됨)
FORD WSS-M2A177-A2-2012 알루미늄 합금, 압출, 열처리 가능, 이음매 없는, 고강도, 제어된 입자 크기 ***Ford WSS-M99P1111-A와 함께 사용*** Ford WSS-M2A177-A1에 표시됨