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4개 프로브 방법

모두 20항목의 4개 프로브 방법와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 4개 프로브 방법와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 금속 재료 테스트, 비철금속, 복합강화재료, 길이 및 각도 측정, 반도체 개별 장치, 포괄적인 테스트 조건 및 절차, 반도체 소재, 농업 및 임업.


General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 4개 프로브 방법

  • GB/T 1552-1995 인라인 4개 프로브 방법을 사용한 실리콘 및 게르마늄 단결정 저항률 측정
  • GB/T 14141-2009 실리콘 에피택셜 층, 확산층 및 이온 주입층의 시트 저항 측정 인라인 4-프로브 방법

RU-GOST R, 4개 프로브 방법

  • GOST 24392-1980 단결정 실리콘 및 게르마늄 4개 프로브 방법을 통한 저항률 측정

Group Standards of the People's Republic of China, 4개 프로브 방법

  • T/CSTM 00252-2020 탄소섬유 체적저항률 시험법 4탐침법
  • T/CASAS 019-2021 마이크로나노금속소결체 비저항 측정법 4탐침법
  • T/ZGIA 001-2019 분말 전기 전도성 측정을 위한 그래핀 테스트 방법 4개 프로브 방법

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 4개 프로브 방법

  • DB13/T 5255-2020 그래핀 전도성 잉크의 면저항 측정을 위한 4탐침 방법
  • DB13/T 5026.3-2019 그래핀 전도성 슬러리의 물성 측정 방법 3부: 슬러리 극편 저항률 측정 4탐침 방법

Jiangsu Provincial Standard of the People's Republic of China, 4개 프로브 방법

  • DB32/T 4027-2021 그래핀 분말의 전도도를 측정하기 위한 동적 4탐침 방법
  • DB32/T 4378-2022 기판 표면의 나노 및 서브 마이크론 규모의 박막 시트 저항에 대한 비파괴 테스트를 위한 4개 프로브 방법

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 4개 프로브 방법

  • GB/T 39978-2021 나노기술 탄소 나노튜브 분말 저항성 4탐침 방법
  • GB/T 1551-2021 직류 4탐침법과 직류 2탐침법을 이용한 실리콘 단결정의 저항률 측정

American Society for Testing and Materials (ASTM), 4개 프로브 방법

  • ASTM F390-98(2003) 동일선상 4탐침법을 이용한 금속필름의 필름 내구성 테스트 방법
  • ASTM F390-11 공선형 4-프로브 방법을 통한 금속 박막의 시트 저항 측정을 위한 표준 테스트 방법

British Standards Institution (BSI), 4개 프로브 방법

  • PD IEC TS 62607-6-1:2020 나노제조를 위한 주요 제어 특성 그래핀 기반 재료의 체적 저항률: 4개 프로브 접근 방식

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 4개 프로브 방법

  • KS C IEC TS 62607-6-1:2022 나노제조 중요한 제어 특성 6-1부: 그래핀 기반 재료 체적 저항률: 4-프로브 방법
  • KS D 0260-1999 단결정 실리콘 웨이퍼의 저항률을 테스트하기 위한 4점 프로브 방법

International Electrotechnical Commission (IEC), 4개 프로브 방법

  • IEC TS 62607-6-1:2020 나노 제조의 주요 제어 특성 6-1부: 그래핀 기반 재료의 체적 저항률: 4탐침 방법

KR-KS, 4개 프로브 방법

  • KS C IEC TS 62607-6-1-2022 나노제조 중요한 제어 특성 6-1부: 그래핀 기반 재료 체적 저항률: 4-프로브 방법

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 4개 프로브 방법

  • JIS H 0602:1995 4점 탐침법을 이용한 실리콘 결정 및 실리콘 웨이퍼 저항률 테스트 방법




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