ZH
EN
ES

чип

чип, Всего: 160 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к чип, являются: Интегральные схемы. Микроэлектроника, Полупроводниковые материалы, Электронные компоненты в целом, Изоляционные жидкости, Цветные металлы, Станки, Пьезоэлектрические и диэлектрические устройства, Испытание металлов, Установки в зданиях, Солнечная энергетика, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Измерения радиации, Электрические фильтры, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Резисторы, Полупроводниковые приборы, Гальванические элементы и батареи, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Продукция химической промышленности, Лампы и сопутствующее оборудование, Словари, Гибкие приводы и трансмиссии, Аналитическая химия.

International Electrotechnical Commission (IEC), чип

IEC PAS 62084:1998 Внедрение технологий Flip Chip и Chip Scale.
IEC PAS 62276:2001 Монокристаллические пластины, применяемые для устройства на поверхностных акустических волнах. Технические характеристики и метод измерения

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, чип

GB/T 15713-1995 Срезы монокристаллического германия
GB/T 13840-1992 вафельный носитель
GB/T 5238-2009 Монокристаллический германий и срезы монокристаллического германия.
GB/T 16595-1996 Спецификация универсальной вафельной решетки
GB/T 16596-1996 Спецификация для создания системы координат пластины
GB/T 30866-2014 Метод испытаний для измерения диаметра пластин монокристаллического карбида кремния
GB/T 32988-2016 Пластина кристалла синтетического кварца для оптического фильтра нижних частот (OLPF)
GB/T 32278-2015 Метод испытания плоскостности одиночной пластины карбида кремния
GB/T 13387-1992 Метод испытаний для измерения плоской длины ломтиков электронных материалов
GB/T 26066-2010 Практика обнаружения неглубоких ямок травления на кремнии
GB/T 5238-2009(英文版) Монокристаллический германий и срезы монокристаллического германия.
GB/T 30118-2013 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения.
GB/T 30867-2014 Метод испытаний для измерения толщины и изменения общей толщины пластин монокристаллического карбида кремния
GB/T 30868-2014 Метод испытаний для измерения плотности микротрубок пластин монокристаллического карбида кремния. Химическое травление.
GB/T 13387-2009 Метод испытаний для измерения плоских пластин кремния и других электронных материалов
GB/T 29055-2012 Мультикристаллическая кремниевая пластина для солнечных батарей
GB/T 12964-2003 Полированные пластины монокристаллического кремния.
GB/T 41751-2022 Метод определения радиуса кривизны кристаллической плоскости пластин монокристаллической подложки GaN
GB/T 29506-2013 Пластины полированного монокристаллического кремния диаметром 300 мм.
GB/T 29055-2019(英文版) Пластины мультикристаллического кремния для фотоэлектрических солнечных элементов
GB/T 25188-2010 Измерение толщины сверхтонких слоев оксида кремния на кремниевых пластинах. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.
GB/T 26070-2010 Характеристика подповерхностных повреждений в полированных составных полупроводниковых пластинах методом разностной спектроскопии отражения
GB/T 30656-2014 Полированные пластины монокристаллического карбида кремния.
GB/T 30656-2023 Монокристаллическая полированная пластина карбида кремния
GB/T 6616-2023 Бесконтактный вихретоковый метод измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин и листов полупроводниковых пленок.
GB/T 12965-1996 Монокристаллический кремний в виде нарезанных и притертых срезов.
GB/T 12965-2005 Монокристаллический кремний, нарезанный ломтиками и притертый ломтик

Professional Standard - Electron, чип

SJ 3118-1988 Держатель вафель
SJ 20437-1994 Спецификация на ломтик теллурида свинца и олова для использования в инфракрасном детекторе
SJ 20520-1995 Спецификация на срез теллурида кадмия-зина для использования пленки теллурида ртути-кадмия
SJ/T 11497-2015 Метод испытаний на термическую стабильность пластин арсенида галлия
SJ 20640-1997 Спецификация на срезы монокристаллов антимонида индия для использования в инфракрасных детекторах
SJ/T 11492-2015 Методы определения состава пластин арсенида фосфида галлия методом фотолюминесценции
SJ 20750-1999 Спецификация на радиационно-стойкие монокристаллические кремниевые пластины для военных КМОП-интегральных схем
SJ 20438-1994 Методы измерения срезов теллурида свинца и олова для использования в инфракрасном детекторе
SJ/T 31091-1994 Требования к готовности и методы проверки и оценки вафельнорезных станков
SJ/T 11199-1999 Пьезоэлектрические кристаллические заготовки кварца
SJ/T 31092-1994 Требования к готовности и методы контроля и оценки станков для резки (скрайбирования) пластин с ЧПУ
SJ/T 11487-2015 Бесконтактный метод измерения удельного сопротивления полуизолирующих полупроводниковых пластин
SJ/T 31065-1994 Требования к готовности и методы контроля и оценки к полировальным машинам типа 24 NC
SJ 2572-1985 Кремниевые монокристаллические стержни и листы для солнечных батарей.
SJ 3241-1989 Монокристаллический стержень и пластина арсенида галлия
SJ 3243-1989 Монокристаллические бруски и пластины фосфида индия

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, чип

GB/T 5238-2019 Монокристаллический германий и срезы монокристаллического германия.
GB/T 16595-2019 Спецификация универсальной вафельной решетки
GB/T 16596-2019 Спецификация для создания системы координат пластины
GB/T 26071-2018 Монокристаллические кремниевые пластины для солнечных элементов.
GB/T 29055-2019 Пластины мультикристаллического кремния для фотоэлектрических солнечных элементов
GB/T 12964-2018 Полированные пластины монокристаллического кремния.
GB/T 26069-2022 Отожженные пластины монокристаллического кремния
GB/T 12965-2018 Монокристаллический кремний в виде нарезанных и притертых пластин.
GB/T 37051-2018 Метод испытаний для определения плотности кристаллических дефектов в слитках и пластинах фотоэлектрического кремния

Group Standards of the People's Republic of China, чип

T/WLJC 57-2019 Прецизионный шлифовальный диск для вафель.
T/CECA 48-2021 Кварцевый кристаллический элемент микровесов
T/WLJC 59-2019 Кварцевая пластина с инвертированной волновой трубкой
T/ZZB 0497-2018 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах
T/WLJC 58-2019 Правящий диск для прецизионного шлифования пластин
T/IAWBS 008-2019 Экспериментальный метод определения остаточных напряжений в пластинах SiC
T/ZSA 38-2020 Экспериментальный метод определения остаточных напряжений в пластинах SiC
T/CAB 0180-2022 Метод измерения характерных параметров кристалла и кристаллической матрицы ГАГГ
T/CASAS 003-2018 Эпитаксиальные пластины 4H-SiC для устройств p-IGBT
T/IAWBS 017-2022 Метод испытаний на полную ширину на половине высоты кривой рентгеновского качания двойного кристалла монокристаллической алмазной подложки
T/IAWBS 015-2021 Метод испытания полной ширины на половине высоты двойной кристаллической рентгеновской кривой качания монокристаллической подложки Ga2O3
T/IAWBS 016-2022 Метод рентгеновского испытания кривой качания двойного кристалла на полувысоте для одиночной пластины карбида кремния
T/IAWBS 013-2019 Метод измерения удельного сопротивления полуизолирующей подложки из карбида кремния
T/IAWBS 011-2019 Методы испытаний измерения удельного сопротивления проводящих пластин карбида кремния бесконтактным вихретоковым датчиком
T/CEMIA 006-2018 Кварцевый резонатор для контроля толщины пленки
T/SZBX 118-2023 Монокристаллические кремниевые пластины для солнечных элементов.
T/CASME 823-2023 Soluble microcrystalline patches technical requirements
T/CASAS 013-2021 Метод измерения плотности дислокаций в кристалле SiC. Комбинированные методы травления КОН и распознавания изображений.
T/CEC 290-2019 Технические требования к монокристаллической пластине с задним контактом
T/CECA 83-2023 Монокристаллические пластины, восстановленные танталатом лития и ниобатом лития - технические требования и методы измерения светлоты и цветовой разницы.
T/ZZB 2675-2022 Монокристаллический кремний в виде притертых пластин для ТВС.
T/CPIA 0037-2022 Технические характеристики фотоэлектрических кристаллических пластин
T/CASAS 032-2023 Метод определения содержания металлических элементов на поверхности пластин карбида кремния — масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), чип

KS D 0261-2012(2017) Визуальный контроль кремниевых пластин с зеркальной поверхностью
KS C 0256-2002(2017) Метод испытания удельного сопротивления кристаллов и кремниевых пластин четырехточечным зондом

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, чип

GJB 2917-1997 Спецификация одиночной пластины фосфида индия
GJB 3076A-2021 Спецификация одного чипа на основе фосфида галлия
GJB 3076-1997 Спецификация одного чипа на основе фосфида галлия
GJB 2917A-2018 Спецификация одиночной пластины фосфида индия
GJB 2917A-2004 Спецификация одиночной пластины фосфида индия
GJB 1866-1994 Спецификация на пластины теллурида ртути-кадмия для инфракрасных детекторов
GJB 2918-1997 Спецификация для монолитов из плавленого кремния с высоким сопротивлением детекторного класса
GJB 1944A-2017 Спецификация монокристаллов кремния для космических солнечных элементов
GJB 2452-1995 Спецификация на монокристаллические пластины теллурида кадмия для инфракрасных детекторов
GJB 757-1989 Большой одиночный чип из синтетической слюды для радиолокационных микроволновых устройств
GJB 1785-1993 Метод испытаний пластин теллурида ртути-кадмия для инфракрасных детекторов
GJB 8773-2015 Спецификация на салфетки для полировки прямой связи для пластин детектора теллурида ртути-кадмия
GJB 8359-2015 Спецификация на пленочные пластины S0I средней толщины для микроэлектромеханических систем и силовых устройств

British Standards Institution (BSI), чип

BS EN 50513:2009 Солнечные пластины. Технический паспорт и информация о пластинах кристаллического кремния для производства солнечных элементов.
23/30468947 DC BS EN 62276. Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения

JP-JEITA, чип

JEITA EM3603B-2006 Стандарт пластин КНИ и метрология
JEITA EM-3510-2007 Метод измерения скатывания кромок кремниевых пластин
JEITA ET7501-105-2006 Рекомендации по проектированию схемы размещения устройств для поверхностного монтажа: Требования к секциям (держатели чипа с J-образными выводами с четырех сторон)

Aerospace Industries Association/ANSI Aerospace Standards, чип

AIA/NAS NAS 4117-1996 Теплоотвод-изолятор, пластинчатого типа

Danish Standards Foundation, чип

DS/EN 50513:2009 Солнечные пластины. Технический паспорт и информация о пластинах кристаллического кремния для производства солнечных элементов.
DS/EN 62276:2013 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения

Lithuanian Standards Office , чип

LST EN 50513-2009 Солнечные пластины. Технический паспорт и информация о пластинах кристаллического кремния для производства солнечных элементов.
LST EN 62276-2006 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения (IEC 62276:2005)
LST EN 62276-2013 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения (IEC 62276:2012)

AENOR, чип

UNE-EN 50513:2011 Солнечные пластины. Технический паспорт и информация о пластинах кристаллического кремния для производства солнечных элементов.

SE-SIS, чип

SIS SEN 43 15-1962 Поворотные переключатели для электронного оборудования

German Institute for Standardization, чип

DIN 41619:1983 Спецификация сечения поворотных переключателей для телекоммуникаций
DIN V VDE V 0126-18-3:2007 Солнечные пластины. Часть 3. Повреждение пластин кристаллического кремния щелочной коррозией. Метод определения скорости коррозии пластин моно- и мультикристаллического кремния (в виде разреза).
DIN EN IEC 62276:2023-05 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения (IEC 49/1401/CD:2022); Текст на немецком и английском языках / Примечание: Дата выпуска 28 апреля 2023 г. *Предназначено для замены стандарта DIN EN 62276 (2017-08).
DIN EN 62276:2017-08 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения (IEC 62276:2016); Немецкая версия EN 62276:2016 / Примечание: DIN EN 62276 (2013-08) остается действительным наряду с этим стандартом до 28 ноября 2019 г.

U.S. Military Regulations and Norms, чип

ARMY QPL-55681-QPD-2010 Конденсатор, чип, многослойный, фиксированный, с керамическим диэлектриком

Professional Standard - Non-ferrous Metal, чип

YS/T 986-2014 Технические условия на серийную буквенно-цифровую маркировку лицевой поверхности пластин
YS/T 1167-2016 Травленые пластины монокристаллического кремния

Defense Logistics Agency, чип

DLA QPL-32192-1-2006 РЕЗИСТОРЫ, ЧИП, ТЕРМИЧЕСКИЕ (ТЕРМИСТОРЫ), ОБЩАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ НА
DLA DSCC-DWG-05009-2005 РЕЗИСТОР ФИКСИРОВАННЫЙ, ПЛЕНОЧНЫЙ, ЧИП (MELF), 1/4 ВАТТ, ТИПА 0204
DLA MIL-PRF-32192 (1)-2005 РЕЗИСТОРЫ, ЧИП, ТЕРМИЧЕСКИЕ (ТЕРМИСТОРЫ), ОБЩАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ НА
DLA DSCC-DWG-04032 REV A-2006 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, ПЛЕНОЧНЫЙ, НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ, ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ, 1,5 ВАТТ, СТИЛЬ 2512
DLA DSCC-DWG-04007 REV B-2006 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, ПЛЕНОЧНЫЙ, ВЛАГОСТОЙКИЙ, ВОЕННЫЙ И КОСМИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, СТИЛЬ 0302
DLA DSCC-DWG-04008 REV B-2006 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, ПЛЕНОЧНЫЙ, ВЛАГОСТОЙКИЙ, ВОЕННЫЙ И КОСМИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, СТИЛЬ 0402
DLA DSCC-DWG-04009 REV B-2006 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, ПЛЕНОЧНЫЙ, ВЛАГОСТОЙКИЙ, ВОЕННЫЙ И КОСМИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, СТИЛЬ 0603
DLA DSCC-DWG-07016-2007 КОНДЕНСАТОР, ФИКСИРОВАННЫЙ, ТАНТАЛОВЫЙ ЧИП, ГРАДИАЦИЯ WEIBULL, НИЗКИЙ ESR
DLA DSCC-DWG-87075 REV E-2005 РЕЗИСТОР, ФИКСИРОВАННЫЙ, ПЛЕНОЧНЫЙ, ЧИП, ФЛАНЦЕВОЕ КРЕПЛЕНИЕ, ДВОЙНОЙ ВЫСТАВКА, ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ 10 ВАТТ
DLA DSCC-DWG-04025-2005 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, ПЛЕНОЧНЫЙ, ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО КРЕПЛЕНИЯ, 5 ВТ (ДО 25 ВТ С РАДИАТОРОМ)
DLA DSCC-DWG-06003 REV A-2006 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, СИЛОВАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОЛОСКА, ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, НИЗКОГО ЗНАЧЕНИЯ (2 ВАТТ), СТИЛЬ 4527
DLA DSCC-DWG-06006-2006 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, СИЛОВАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОЛОСКА, ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, НИЗКОГО ЗНАЧЕНИЯ (3 ВАТТ), СТИЛЬ 4527
DLA DSCC-DWG-06007-2006 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, СИЛОВАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОЛОСКА, ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, НИЗКОГО ЗНАЧЕНИЯ (0,1 ВАТТ), СТИЛЬ 0603
DLA DSCC-DWG-06009-2006 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, СИЛОВАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОЛОСКА, ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, НИЗКОГО ЗНАЧЕНИЯ (0,25 ВАТТ), ТИПА 1206
DLA DSCC-DWG-06010 REV A-2007 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, СИЛОВАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОЛОСКА, ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО КРЕПЛЕНИЯ, НИЗКОГО ЗНАЧЕНИЯ (0,5 ВАТТ), СТИЛЬ 2010 ГОДА
DLA DSCC-DWG-06011-2006 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, СИЛОВАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОЛОСКА, ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, НИЗКОГО ЗНАЧЕНИЯ (1,0 ВАТТ), ТИПА 2512
DLA DSCC-DWG-06012-2006 РЕЗИСТОР, ЧИП, ФИКСИРОВАННЫЙ, СИЛОВАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОЛОСКА, ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, НИЗКОГО ЗНАЧЕНИЯ (2,0 ВАТ), ТИПА 2816

American Society for Testing and Materials (ASTM), чип

ASTM F1212-89(2002) Стандартный метод испытаний термостабильности пластин арсенида галлия
ASTM F1212-89(1996)e1 Стандартный метод испытаний термостабильности пластин арсенида галлия
ASTM F1390-97 Стандартный метод испытаний для измерения деформации кремниевых пластин методом автоматического бесконтактного сканирования

API - American Petroleum Institute, чип

API STD 594 CHINESE-2004 Обратные клапаны: фланцевые @ Lug @ Бесфланцевые и стыковые приварные (шестое издание)
API STD 594 RUSSIAN-2004 Обратные клапаны: фланцевые @ Lug @ Бесфланцевые и стыковые приварные (шестое издание)
API STD 594-2004 Обратные клапаны: фланцевые @ Lug @ Бесфланцевые и стыковые приварные (шестое издание)

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, чип

ECA EIA-800-1999 Рекомендации по проектированию корпуса интегрированного пассивного устройства (IPD) в масштабе чипа

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), чип

JIS H 0612:1975 Методы испытаний удельного сопротивления пластин монокристаллического кремния четырехточечным зондом
JIS C 6760:2014 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения.

中国有色金属工业总公司, чип

YS/T 27-1992 Методы измерения и подсчета загрязнения частицами поверхностей пластин

工业和信息化部, чип

SJ/T 11199-2016 Пьезоэлектрический кварцевый кристаллический лист

Association Francaise de Normalisation, чип

NF C93-616:2013 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения
NF C93-616:2006 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения.
NF C93-616*NF EN 62276:2018 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, чип

GJB 6259-2008 Спецификация самоклеящейся полировальной подушечки, используемой для полировки кристаллических пластин Te-Cd-Hg

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, чип

DB13/T 1633-2012 Солнечная поликремниевая пластина
DB13/T 1828-2013 Монокристаллическая кремниевая пластина солнечного качества
DB13/T 1314-2010 Квадратный стержень из монокристаллического кремния солнечного качества, пластина из монокристаллического кремния

IEC - International Electrotechnical Commission, чип

PAS 62276-2001 Монокристаллические пластины, применяемые для устройств на поверхностных акустических волнах - характеристики и метод измерения (редакция 1.0)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, чип

GB/T 34481-2017 Метод испытаний для измерения плотности ямок травления (EPD) в срезах монокристаллического германия с низкой плотностью дислокаций

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, чип

EN 62276:2013 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, чип

EN 62276:2016 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения

ES-UNE, чип

UNE-EN 62276:2016 Монокристаллические пластины для устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технические характеристики и методы измерения (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в январе 2017 г.)

Professional Standard - Aviation, чип

HB 6742-1993 Определение кристаллической ориентации монокристаллических лезвий методом рентгеновской обратной фотографии Лауэ

Electronic Industrial Alliance (U.S.), чип

EIA-763-2002 Пакеты с голыми кристаллами и чипами, заклеенные несущей лентой толщиной 8 мм и 12 мм для автоматического перемещения

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, чип

DB61/T 512-2011 Правила проверки пластин монокристаллического кремния для солнечных элементов

Professional Standard - Building Materials, чип

JC/T 471-1992 Пластины из искусственного кварца для фоточувствительных детекторов

国家建筑材料工业局, чип

JC 471-1992 Лист искусственного кварца для фоточувствительных детекторов

KR-KS, чип

KS D ISO 14706-2003(2023) Химический анализ поверхности - определение элементарных примесей на поверхности кремниевой пластины с помощью рентгенофлуоресцентного анализатора полного отражения

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, чип

YB 1603-1983 Отрезные и шлифовальные диски из монокристалла кремния.

UNKNOWN, чип

YB 1603-83 Отрезные и шлифовальные диски из монокристалла кремния.