полупроводниковый кислород

полупроводниковый кислород, Всего: 20 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к полупроводниковый кислород, являются: Полупроводниковые материалы, Полупроводниковые приборы, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Качество воздуха.

RU-GOST R, полупроводниковый кислород

GOST 26239.7-1984 Полупроводниковый кремний. Метод определения кислорода, углерода и азота

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, полупроводниковый кислород

EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)

British Standards Institution (BSI), полупроводниковый кислород

BS EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
BS IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) - быстрый тест BTI для MOSFET
18/30381548 DC БС ЕН 62373-1. Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Метод быстрого испытания BTI
17/30366375 DC БС МЭК 62373-1. Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Метод быстрого испытания BTI

Association Francaise de Normalisation, полупроводниковый кислород

NF C80-203*NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET).
NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания движущихся ионов металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)

International Electrotechnical Commission (IEC), полупроводниковый кислород

IEC 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.

Danish Standards Foundation, полупроводниковый кислород

DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)

German Institute for Standardization, полупроводниковый кислород

DIN EN 62417:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.

ES-UNE, полупроводниковый кислород

UNE-EN 62417:2010 Полупроводниковые устройства. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).

SCC, полупроводниковый кислород

CEI EN 62417:2011 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
DANSK DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)

Defense Logistics Agency, полупроводниковый кислород

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ УРОВНЯ НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ РАБОТЫ ТТЛ-КМОП ИЛИ КМОП-КМОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Lithuanian Standards Office , полупроводниковый кислород

LST EN 62417-2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010)

Group Standards of the People's Republic of China, полупроводниковый кислород

T/CIECCPA 007-2024 Требования к выбросам оксида азота в полупроводниковой промышленности

PH-BPS, полупроводниковый кислород

PNS IEC 62373-1:2021 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.