ZH
EN
JP
ES
RU
DE

반도체 산소

모두 15항목의 반도체 산소와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체 산소와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 소재, 반도체 개별 장치, 집적 회로, 마이크로 전자공학.

RU-GOST R, 반도체 산소

• GOST 26239.7-1984 반도체 실리콘 산소, 탄소 및 질소 측정

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 반도체 산소

• EN 62417:2010 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)

British Standards Institution (BSI), 반도체 산소

• BS EN 62416:2010 반도체 장치 MOS(금속 산화물 반도체) 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
• BS IEC 62373-1:2020 반도체 장치 금속 산화물, 반도체, 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 바이어스 온도 안정성 테스트 MOSFET의 빠른 BTI 테스트

Association Francaise de Normalisation, 반도체 산소

• NF C80-203*NF EN 62417:2010 반도체 장치MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 이동 이온 테스트
• NF EN 62417:2010 반도체 장치 - 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 이동 이온 테스트

International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 산소

• IEC 62417:2010 반도체 장치MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 이동 이온 테스트
• IEC 62373-1:2020 반도체 장치 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부: MOSFET의 신속한 BTI 테스트

Danish Standards Foundation, 반도체 산소

• DS/EN 62417:2010 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)

German Institute for Standardization, 반도체 산소

• DIN EN 62417:2010-12 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
• DIN EN 62417:2010 반도체 장치 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 이동 이온 테스트(IEC 62417-2010), 독일 버전 EN 62417-2010

ES-UNE, 반도체 산소

• UNE-EN 62417:2010 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)

Defense Logistics Agency, 반도체 산소

• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 내방사선성 상보성 금속 산화물 반도체 트랜지스터 대 상보성 금속 산화물 반도체 또는 상보성 금속 산화물 반도체 대 상보성 금속 산화물 반도체 전압 변환 메커니즘, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로 회로

Lithuanian Standards Office , 반도체 산소

• LST EN 62417-2010 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 이동 이온 테스트(IEC 62417:2010)

PH-BPS, 반도체 산소

• PNS IEC 62373-1:2021 반도체 장치 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부: MOSFET의 신속한 BTI 테스트

기타:   용존 산소 산소, 산소 풀의 산소 함량, 산소 용존 산소, 산소 풀 산소 측정, 산소 풀의 산소 농도, 산소 풀 산소 범위, 옥시보론, 산소 풀 용존 산소, 산소 상태 산소, 산소 분석, 산소 환원 산소, 반도체 산소 함량, 산소 함량, 반도체 산소, 산소반도체, 혐기성 산소, 산소 저항성, 산소, 산업용 산소, 산소.