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半导体 氧
本专题涉及半导体 氧的标准有18条。
国际标准分类中，半导体 氧涉及到半导体材料、半导体分立器件、集成电路、微电子学、空气质量。
在中国标准分类中，半导体 氧涉及到半导体三极管、半导体分立器件综合、半导体集成电路、、半导体分立器件。
RU-GOST R，关于半导体 氧的标准
- GOST 26239.7-1984 半导体硅.氧、碳、氮测定法
欧洲电工标准化委员会，关于半导体 氧的标准
- EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
英国标准学会，关于半导体 氧的标准
- BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
- BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
- 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
- 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
法国标准化协会，关于半导体 氧的标准
- NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
国际电工委员会，关于半导体 氧的标准
- IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
丹麦标准化协会，关于半导体 氧的标准
- DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
德国标准化学会，关于半导体 氧的标准
- DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
ES-UNE，关于半导体 氧的标准
- UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
美国国防后勤局，关于半导体 氧的标准
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
立陶宛标准局，关于半导体 氧的标准
- LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
中国团体标准，关于半导体 氧的标准
- T/CIECCPA 007-2024 半导体工业氮氧化物排放要求
PH-BPS，关于半导体 氧的标准
- PNS IEC 62373-1:2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验
