Halbleitersauerstoff

Für die Halbleitersauerstoff gibt es insgesamt 17 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Halbleitersauerstoff die folgenden Kategorien: Halbleitermaterial, Diskrete Halbleitergeräte, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik.

RU-GOST R, Halbleitersauerstoff

GOST 26239.7-1984 Halbleitersilizium. Methode zur Bestimmung von Sauerstoff, Kohlenstoff und Stickstoff

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Halbleitersauerstoff

EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)

British Standards Institution (BSI), Halbleitersauerstoff

BS EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
BS IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Schneller BTI-Test für MOSFET
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode
17/30366375 DC BS IEC 62373-1. Halbleiterbauelemente. Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Teil 1. Schnelle BTI-Testmethode

Association Francaise de Normalisation, Halbleitersauerstoff

NF C80-203*NF EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs).
NF EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionenprüfung für Metalloxid-Feldeffekthalbleitertransistoren (MOSFETs)

International Electrotechnical Commission (IEC), Halbleitersauerstoff

IEC 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
IEC 62373-1:2020 Halbleiterbauelemente – Vorspannungstemperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-, Halbleiter- und Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Teil 1: Schneller BTI-Test für MOSFET

Danish Standards Foundation, Halbleitersauerstoff

DS/EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)

German Institute for Standardization, Halbleitersauerstoff

DIN EN 62417:2010-12 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
DIN EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010

ES-UNE, Halbleitersauerstoff

UNE-EN 62417:2010 Halbleitergeräte – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (Befürwortet von AENOR im September 2010.)

Defense Logistics Agency, Halbleitersauerstoff

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS, HEX-SPANNUNGSPEGELVERSCHALTER FÜR TTL-ZU-CMOS- ODER CMOS-ZU-CMOS-BETRIEB, MONOLITHISCHES SILIZIUM

Lithuanian Standards Office , Halbleitersauerstoff

LST EN 62417-2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) (IEC 62417:2010)

PH-BPS, Halbleitersauerstoff

PNS IEC 62373-1:2021 Halbleiterbauelemente – Bias-Temperatur-Stabilitätstest für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) – Teil 1: Schneller BTI-Test für MOSFET