77.040.01 金属材料试验综合 标准查询与下载



共找到 198 条与 金属材料试验综合 相关的标准,共 14

本标准适用于砷化镓外延层厚度的测量,测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阴率小于0.02Ω•cm,外延层的电阴率大于0.1Ω•cm。

Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interference

ICS
77.040.01
CCS
H17
发布
2006-07-18
实施
2006-11-01

本标准适用于掺杂化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围: n-GaAs 1.0*10cm~1.0*10cm p-GaAs 2.0*10cm~1.0*10cm

Determination of carrier concentration in gallium arsenide by the plasma resonance minimum

ICS
77.040.01
CCS
H17
发布
2006-07-18
实施
2006-11-01

本标准适用于位错密度0cm~100000cm的n型和p型锗单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为(111)、(100)和(113)面。

Germanium monocrystal.Inspection of dislocation etch pit density

ICS
77.040.01
CCS
H17
发布
2006-07-18
实施
2006-11-01

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×10at•cm到硅中间隙氧的最大固溶度。

The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption

ICS
77.040.01
CCS
H17
发布
2006-07-18
实施
2006-11-01

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达10Ω•cm半导体单晶材料的测试。

Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient

ICS
77.040.01
CCS
H17
发布
2006-07-18
实施
2006-11-01

本部分规定了金属及其合金在水或气体环境中的腐蚀疲劳试验和循环失效试验。裂纹扩展试验在GB/T 20120.2-2006中规定。 腐蚀或其他化学活性环境可以促使金属及其合金诱发疲劳裂纹并加快疲劳裂纹扩展速率。腐蚀疲劳过程不局限在特定的金属/环境体系中 ,如果没有试验室试验测得的数据,对于在所有载荷和环境组合下,疲劳寿命安全性计算均无法进行。 本部分不适用于零件或组件的腐蚀疲劳试验,但其中的许多一般原理仍可适用。

Corrosion of metals and alloys.Corrosion fatigue testing.Part 1:Cycles to failure testing

ICS
77.040.01
CCS
H25
发布
2006-03-02
实施
2006-09-01

本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。 本标准适用非接触、非破坏性地测量干燥、净洁的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100 mm及以上、厚度250μm及以上的腐蚀、抛光及外延硅片。

Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning

ICS
77.040.01
CCS
H82
发布
2005-09-19
实施
2006-04-01

本标准规定了应用扫描表面检查系统(SSIS)对硅抛光片表面颗粒进行测试、计数和报告的程序。 本标准适用于硅抛光片,也可适用于硅外延片或其他镜面抛光片(如化合物抛光片)。 本标准也可适用于观测硅抛光片表面的划痕、橘皮、凹坑、波纹等缺陷,但这些缺陷的检测、分类依赖于设备的功能,并与检测时的初始设置有关。 注:本标准涉及的方法通常选用波长(48~6 33)nm的激光光源,最常用的是488nm的氩离子激光器;目前可测量的最小值颗粒直径为0.06μm或更小些。

Test method of particles on silicon wafer surfaces

ICS
77.040.01
CCS
H81
发布
2005-09-19
实施
2006-04-01

本标准规定了精密电阻合金温度系数的测试方法。 本标准适用于在-65℃~250℃温度范围内,对精密电阻合金电阻温度系数的测量。也适用于其他合金在此温度范围内的电阻温度系数的测量。

Test method for temperature-resistance coefficient of precision resistance alloys

ICS
77.040.01
CCS
H21
发布
2005-09-09
实施
2006-04-01

本标准规定了非晶纳米晶软磁合金的交流磁性能测量原理及两种测试方法——伏安相量法和计算机采样伏安法。 本标准适用于测试各种变压器、电感以及传感器等铁芯以及磁屏蔽用的非晶纳米晶软磁合金在50Hz~1MHz频率范围内的相对弹性磁导率、相对粘性磁导率、相对幅值磁导率、相对电感磁导率、比铁损、激磁功率和品质因数等交流磁特性。

Measuring method of magnetic properties at alternative current for amorphous and nanocrystalline soft magnetic alloys

ICS
77.040.01
CCS
H58
发布
2003-11-03
实施
2004-05-01

本标准规定了测定电工钢片(带)的密度、电阻率和叠装系数所使用的方法。这些测定值是材料磁性能的标志。实际上,在试样厚度未知时,测量磁感应强度需要试样的密度值。 为测定密度,以前曾考虑将浸没法作为有争议时的基本方法。但是,经验表明这一方法对于具有较大表面积的片状试样很难操作。因此这一方法不再列入,GB/T 5163、GB/T 1033和ISO 1183述及该方法。

Methods of measurement of density,resistivity and stacking factor of electrical steel sheet and strip

ICS
77.040.01
CCS
H21
发布
2003-09-12
实施
2004-04-01

1.1 本部分规定了应用自动图像分析对钢和其他金属中内生非金属夹杂物的基本形貌特征进行体视学测定的方法。本部分也适用于任何离散第二相组织的测定。 1.2 本部分着重解决被测量的组织特征在难以获得可靠的统计学数据时,如何获得体视学数据的问题。 1.3 本试验方法仅作为推荐试验方法,它没有任何硬性规定和合格范围。

Standard practice for determining the metallographical constituent and inclusion content of steels and other metals by automatic image analysis-Part 1: Determining the inclusion or second-phase constituent content of steels and other metals by automatic

ICS
77.040.01
CCS
H24
发布
2002-11-29
实施
2003-06-01

本标准规定和描述了结构钢酸浸低倍组织缺陷的分类、特征、产生原因及评定原则、评级图分类及适用范围、评定方法和检验报告。 本标准适用于评定碳素结构钢、合金结构钢、弹簧钢钢材(锻、轧坯)横截面酸浸低倍组织中允许及不允许的缺陷。根据供需双方协议,也可用作评定其他钢类低倍组织的缺陷。

Standard diagrams for macrostructure and defect of structural steels

ICS
77.040.01
CCS
H24
发布
2001-12-17
实施
2002-05-01

本标准规定了用爱泼斯坦方圈测量电工钢片(带)磁性能的交流测量的一般原理、比总损耗的测量方法、磁极化强度峰值、磁场强度有效值、磁场强度峰值和比视在功率的测定方法、直流测量的一般原理、磁极化强度的直流测量方法、测量装置的校准和试验报告。 本标准适用于晶粒取向和晶粒无取向电工钢片(带)的直流磁性能测量及频率上限为400Hz的交流磁性测量。适用于从任何等级的电工钢片(带)上取得的试验试样。 试样测量前应首先退磁,测量应在环境温度(23±5)℃,相对湿度小于80%下进行。更高频率下的测量应按照GB/T 10129进行。

Methods of measurement of the magnetic properties of electrical steel sheet and strip by means of an Epstein frame

ICS
77.040.01
CCS
H21
发布
2000-10-25
实施
2001-09-01

Standard method for direct reading spectromertric analysis of aluminum and its alloys

ICS
77.040.01
CCS
H12
发布
2000-08-28
实施
2000-12-01

本标准规定了砷化镓单晶AB微缺陷的检验方法。 本标准适用于砷化镓单晶AB微缺陷密度(AB-EPD)的检验。检验面为(100)面。测量范围小于 5 X 10 cm

The inspecting method of AB microscopic defect in gallium arsenide single crystal

ICS
77.040.01
CCS
H24
发布
2000-04-03
实施
2000-09-01

本标准规定了用熔丝法和比较法测量铂铑热电偶细丝热电动势的方法。 本标准适用于测量直径不大于0.1mm的铂铑热电偶细丝。其他贵金属和贱金属热电偶细丝的热电动势测量也可参照进行。

The test method of thermo-emf for platinum rhodium thermocouple thin wires

ICS
77.040.01
CCS
H21
发布
2000-04-03
实施
2000-09-01

本标准规定了金属材料及其他相关导电材料电阻温度特征参数测量方法的定义、原理、测试装置、试样制备、试验电流、测量程序、测量结果计算、试验报告、精度和偏差等。 本标准适用于在适宜的温度间隔内,测定任何一种金属或合金丝、片材电阻与温度关系曲线近似抛物线时的关系式和相应的电阻温度常数、峰值温度,及在适宜的温度间隔内,确定任何一种金属、合金或其他导电材料的电阻温度因数及平均电阻温度系数等特征参数。

Testing method for electrical resistance-temperature characteristicparameters of metallic materials

ICS
77.040.01
CCS
H21
发布
1999-11-01
实施
2000-08-01

本标准规定了金属材料及其他相关固体材料热膨胀特征参数测量方法的定义及符号、原理、测试装置与要求、试样制备、膨胀仪校正、测量程序、测量结果计算、试验报告、精度与偏差等。 本标准适用于借助由同种熔融石英载体与推杆构成的组件,在-180~900℃温度范围内,检测金属材料试样的线性热膨胀,也适用于陶瓷、耐火材料、玻璃、岩石等具有刚性固体特征的试样的线性热膨胀的检测;若改用高纯度氧化铝的组件,温度范围可扩至1600℃;改用各向同性的石墨,则可扩至2500℃。

Testing method for thermal expansion characteristic parameters of metallic materials

ICS
77.040.01
CCS
H21
发布
1999-11-01
实施
2000-08-01

本标准规定了贵金属可锡焊浆料的可焊性、耐焊性试验方法。 本标准适用于贵金属可锡焊浆料的可焊料、耐焊性测试。非贵金属可锡浆料亦可参照使用。

Test methods of precious metal pastes used for thick-film microelectronics--Test of solderability and solderleaching resistance

ICS
77.040.01
CCS
H23
发布
1998-08-19
实施
1999-03-01



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