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KS C 6520-2008 半导体工艺零件的等离子耐磨性测试

이 표준은 플라즈마 식각 또는 증착 공정장비 내부의 부품에 적용되며, 플라즈마에 노출되는

Components and materials of semiconductor process－Measurement of wear characteristics by plasma

KS C IEC 60749-2:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第2部分:低气压

이 규격은 반도체 소자의 저 대기압 시험을 다루고 있다. 시험은 감압 중에 대기 및 기

Semiconductor devices－Mechanical and climatic test methods－Part 2：Low air pressure

KS C IEC 60749-10:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第10部分:机械冲击

충격 시험은 거친 취급, 수송 또는 공정 과정에서 발생되는 갑작스런 힘의 작용이나 작동

Semiconductor devices－Mechanical and climatic test methods－Part 10：Mechanical shock

KS C IEC 60749-6:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存

이 규격은 전기적 스트레스를 적용하지 않고 고온에서의 저장이 모든 반도체 전기 소자에

Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 6:Storage at high temperature

KS C IEC 60749-12:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第12部分:振动、可变频率

이 규격은 규정된 주파수 범위 내에서 가변 주파수 진동이 내부 구조적인 요소들에 대해

Semiconductor devices-Mechanical and climatictest methods-Part 12:Vibration, variable frequency

KS C IEC 60749-7:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第7部分:其他残余气体的分析和内部含水量的测量

이 규격은 금속 또는 세라믹 밀봉 소자 내의 대기 중 수증기 및 다른 기체들의 함량을 측

Semiconductor devices－Mechanical and climatic test methods－Part 7：Internal moisture content measurement and the analysis of other residual gases

KS C IEC 60747-5-2:2004 半导体分立器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件.基本额定值及特性

이 규격은 광섬유 시스템 또는 서브시스템 분야에 사용하지 않는 광전 소자의 다음 범주

Discrete semiconductor devices and integrated circuits－Part 5－2：Optoelectronic devices Essential ratings and characteristics

KS C IEC 60749-22:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第22部分:粘接强度

이 규격은 반도체 소자에 적용 가능하다(개별 소자와 집적 회로).이 규격의 목적은

Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 22:Bond strength

KS C IEC 60747-5-3:2004 半导体分立器件和集成电路.第5-3部分:光电子器件.测试方法

이 규격은 광섬유 시스템 또는 서브시스템 분야에 사용하지 않는 광전 소자의 측정 방법에

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 5－3：optoelectronic devices－Measuring method

KS C IEC 60747-5-1:2004 半导体分立器件和集成电路第5-1部分:光电子器件总规范

이 규격은 반도체 광전 소자와 관련된 용어에 대하여 취급한다.

Discrete semiconductor devices and integrated circuits－Part 5－1：Optoelectronic devices－General

KS C IEC 60749:2004 半导体器件.机械和气候试验方法

이 규격은 각각의 반도체 개별 소자 및 집적 회로에 사용 가능한 방법을 나열한 것이다. 그

Semiconductor devices－Mechanical and climate test methods

KS C IEC 61788-10:2003 超导性.第10部分:临界温度测量.用电阻法对Nb-Ti、Nb3Sn和铋.系统氧化物复合超导体的临界温度的测量

이 규격은 산업용 복합 초전도체의 임계 온도를 저항법으로 정의하는 시험법을 수록하고 있

Superconductivity－Part 10：Critical temperature measurement－Critical temperature of Nb－Ti, Nb3Sn, and Bi－system oxide composite superconductors by a resistance method

KS C IEC 61788-4:2003 超导性.第4部分:剩余电阻比测量.Nb-Ti复合超导体的剩余电阻比

이 규격은 Nb-Ti 필라멘트와 구리 또는 구리-니켈, 구리/구리-니켈 매트릭스로 구성

Superconductivity－Part 4：Residual resistance ratio measurement－Residual resistance ratio of Nb－Ti composite superconductors

KS C IEC 60747-14-1:2003 半导体器件.第14-1部分:半导体传感器.总则和分类

이 규격은 센서 규격서와 관련하여 다양한 종류의 센서 규격서 기초가 되는 일반적인 항목

Semiconductor devices－Part 14－1：Semiconductor sensors－General and classification

KS C IEC 60749-4:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分:湿热、稳态、高加速应力试验

이 규격은 습한 환경에서 비밀봉성 패키지된 반도체 소자들의 신뢰성을 평가하기 위한 목

Semiconductor devices－Mechanical and climatic test methods－Part 4：Damp heat, steady state, highly accelerated stress test(HAST)

KS C IEC 60749-9:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第9部分:标记的永久性

이 규격의 목적은 인쇄회로기판 조립 공정으로부터 생기는 납땜 플럭스 찌꺼기를 제거하 는

Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 9:Permanence of marking

KS C IEC 60749-13:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第13部分:盐性环境

이 규격은 반도체 소자의 내식성을 알아 내기 위한 염수 환경 시험에 관하여 규정한다.

Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 13:Salt atmosphere

KS C IEC 60747-11:2002 半导体器件.分立器件.第11部分:分立器件分规范

이 품종 규격은 광전 소자를 제외한 개별 반도체 소자에 적용한다.

Discrete semiconductor devices－Part 11：Sectional specification for discrete devices

KS C IEC 60749-11:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法

이 시험은 온도의 한계값 또는 급격한 변화에 갑자기 노출되는 경우, 소자의 내성과 이와

Semiconductor devices－Mechanical and climatic test methods－Part 11：Rapid change of temperature－Two－fluid－bath method

KS C IEC 60749-3:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第3部分:外观检验

이 규격은 반도체 소자가 재료, 설계, 구조, 표시 및 마무리 작업이 적용 가능한 구매

Discrete semiconductor devices－Mechanical and climatic test methods－Part 3：External visual examination