ASTM F672-01
ASTM F672-01
- 标准号
- ASTM F672-01
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F672-01
- 引用标准
- ASTM D5127 ASTM E1 ASTM F1392 ASTM F1393 ASTM F26 ASTM F374 ASTM F42 ASTM F525 ASTM F674 ASTM F723 ASTM F84
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖垂直于已知方向和类型的硅片表面的电阻率分布的测量。注 1——该测试方法也可能适用于其他半导体材料，但仅针对硅和锗评估了可行性和精度。
1.2 本测试方法可用于外延膜、基板、扩散层或离子注入层或它们的任意组合。
1.3 该测试方法是比较性的，通过将未知样品的测量铺展电阻值与已知电阻率的校准标准进行比较来确定未知样品的电阻率剖面。这些校准标准必须具有与未知样品相同的表面处理、导电类型和晶体取向。
1.4 本测试方法适用于任何有适当标准的电阻率范围内的硅片。可以使用抛光、研磨或磨削的表面。
1.5 该测试方法具有破坏性，因为样品必须斜切。
1.6 在使用校准数据根据扩展电阻值计算电阻率之前，需要考虑边界或局部电阻率随深度变化的影响的校正因子。注 2——该测试方法将方法 F 525 扩展到深度剖析。注 3——该测试方法提供了直接确定硅样品垂直于样品表面的电阻率分布的方法。与测试方法 F 84、F 374、F 1392 和 F 1393 不同，它可以提供几微米数量级的电阻率横向空间分辨率和 10 nm (100 Å) 数量级的深度空间分辨率。该测试方法可用于分析 pn 结。
1.7 该测试方法主要是确定硅片电阻率分布的测量方法。然而，常见的做法是将电阻率剖面信息转换为密度剖面。为此，附录 X2 中提供了电阻率和多数载流子密度之间的转换。
1.8 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 9 节。 1 本测试方法由 ASTM 电子委员会 F01 管辖，并由硅材料和过程控制小组委员会 F01.06 直接负责。当前版本于 2001 年 6 月 10 日批准。2001 年 8 月发布。最初发布为 F 672 – 80。上一版本 F 672 – 88。1 版权所有 © ASTM International, 100 Barr Harbor Drive, PO Box C700, West Conshohocken, PA 19428-2959 ， 美国。注意：本标准已被新版本取代或废止。请联系 ASTM 国际 (www.astm.org) 了解最新信息。 2。参考文件