GB/T 1558-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30,并于 2010-06-01 实施。
GB/T 1558-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3Ω•cm的p型硅片及电阻率高于1Ω•cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率高于0.1Ω•cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。 也适用于硅多晶中代位碳原子含量测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。
依据G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006,红外光谱法可以在对单晶硅中代位碳和间隙氧进行定性的同时进行定量测定,具有快速、方便、准确的优点。 关键词: 红外光谱法 单晶硅 碳氧含量 定量测定 · 原理利用硅中代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收,根据吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子的浓度。 ...
针对直拉单晶硅中杂质元素以及氮氧复合体的测量,布鲁克CryoSAS全自动、高灵敏度工业低温硅质量控制分析系统,通过测试位于中/远红外波段间隙氧(1136.3cm-1, 1205.6cm-1)[7],代位碳(607.5cm-1)[6,7],III-V族元素[4,5]以及氮氧复合体吸收谱带(249.8,240.4cm-1[1,2]),通过直接或间接计算获得相应元素含量值。...
;声子光谱、半导体材料带隙,低维异质结构厚度以及电子特性研究;外延层厚度分析:同质外延,异质外延,单层,多层;红外光电探测器器件光谱响应表征:光电流谱;红外发光器件、激光器等电致发光器件中心波长、线宽、带宽表征:ICL,QCL,VCSEL;工业高纯晶体硅质量控制:间隙氧,代位碳,III_VI族杂质元素分析;光伏硅晶体质量控制:间隙氧,代位碳,施主,受主元素含量;切割前硅晶棒、硅锭中氧含量轴向分布分析...
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