SJ 3244.4-1989
砷化镓和磷化铟材料载流子浓度剖面分布的测试方法.电化学电压电容法

Methods of measurement for profile distribution of carrier concentration of Gallium arsenide and Indium phosphide materials--Electrochemical voltage capacitance method

2010-02

SJ 3244.4-1989 中,可能用到以下耗材

 

砷化铟

砷化铟

上海阿拉丁生化科技股份有限公司

 

试剂瓶座

试剂瓶座

上海纳锘仪器有限公司

 

SJ 3244.4-1989

标准号
SJ 3244.4-1989
发布
1989年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 3244.4-1989
 
 
1.1 本标准规定了电化学电压电容法测量的原理、仪器和电解液要求、测量步骤、测量结果的计算。 1.2 本标准适用于载流子浓度10^(14)~10(19)cm^(-3)的n型和P型砷化镓、磷化铟,也适用于铝镓砷和镓铟砷磷材料载流子浓度剖面分布的测量。

SJ 3244.4-1989相似标准


推荐

Science最新综述:光伏材料——当前效率未来挑战【新能源160501期】

按照太阳电池PCE与其S-Q极限值接近程度,可以将太阳电池材料分为三类(图1(b)):第一类为超高效率单晶光伏材料,其PCE超过S-Q值75%,主要有单晶硅(同质或异质)、磷化。第二类为高效多晶材料,其PCE为S-Q值50-75%,包括多晶硅、铜硒(CIGS)、碲镉、钙钛矿磷化。...

最后硅晶体管,纳米片器件也许是摩尔定律演进最后一步

(位于加州马里布休斯实验室研究人员目前正在研究堆叠数十片纳米片,用以开发氮化动力器件。)我们相信这一策略对未来高速节能集成电路意义非凡。并非未来纳米片晶体管唯一选择。研究人员还在探索其他具有高迁移率电荷载流子半导体,如锗、。例如,近期,新加坡国立大学研究人员将制成n型晶体管制成p型晶体管组合,构建出了完整CMOS集成电路。...

NIST:用光测试半导体性能

样品包括纯硅晶片掺有各种杂质硅晶片,以及锗片锌、磷化晶体。样品厚度从300微米至仅4或7微米(这还不到人类一根头发厚度)。来自NIST PMLRobert Thurber(几十年来他一直都在使用传统方法来测量晶体)对每个样品进行了测试,他利用是霍尔技术。然后,他将这些样品送到Heilweil实验室,用太赫兹设备进行测试。...

半导体所发布科技成果汇编 GaN基电子材料等项目寻求技术合作

主要技术:2-4 英寸化合物半导体磷化(InP)、锑(GaSb)(InAs)单晶生长晶片加工技术。更多半导体所成果,请点击下载:中科院半导体所科技成果汇编(2017)材料牛编辑整理。材料人长按二维码订阅材料人了解更多科技服务合作联系测试谷:材料人旗下一站式材料分析测试解决平台改版上线了!...


SJ 3244.4-1989 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号