YS/T 23-1992由行业标准-有色金属 CN-YS 发布于 1992-03-09,并于 1993-01-01 实施,于 2016-09-01 废止。
YS/T 23-1992 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法。
YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法的最新版本是哪一版?
最新版本是 YS/T 23-2016 。
随着外延生长技术的进步,SiC外延层厚度也从几µm发展到上百μm,也从同质外延发展为异质等多种晶体。 对外延片品质影响最大的是外延层的厚度以及电阻率的均匀性,因此在实际生产中对延片的厚度进行测量是很重要的一环。 碳化硅外延厚度测定原理 在硅同质/异质外延生产中,红外傅立叶变换光谱技术(FTIR)是测试硅外延层厚度一种非常成熟的方法,具有准确、快速、无损等优势,非常适合工业化使用。...
多材料体系的混合集成光源是行业发展的核心方向,以下方案备受关注:Flip-Chip混合集成、异质键合以及硅基异质外延。微系统所硅光团队深耕硅光Flip-Chip光源领域,在集成芯片上开展高性能的应用示范,近期合作提出结合异质集成和InAs量子点的亚波长尺寸片上光源实现方法。量子点是纳米尺度的零维结构,不仅对位错缺陷比较钝感,而且具备低阈值电流密度和高工作温度等潜在性能。 ...
二、适用行业:广泛用于:生产企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻、电阻率和电导率数据.三、功能介绍:液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。...
此外,将多片镀有Au膜的硅衬底叠放,利用衬底之间非常狭小的间隙来限制扩散进入衬底间、在Au3SnP7缓冲层上实际参与生长的P4分子的量。通过这些策略,可以在硅衬底上生长出厚度从几纳米到几百纳米可调的黑磷薄膜。随着厚度的增加,可获得的薄膜尺寸也相应越大。当厚度约为100 nm或以上时,很容易生长出几百微米至亚毫米大小的黑磷薄膜。 ...
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